JPS5884457A - 長尺薄膜読取装置 - Google Patents
長尺薄膜読取装置Info
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- JPS5884457A JPS5884457A JP56181781A JP18178181A JPS5884457A JP S5884457 A JPS5884457 A JP S5884457A JP 56181781 A JP56181781 A JP 56181781A JP 18178181 A JP18178181 A JP 18178181A JP S5884457 A JPS5884457 A JP S5884457A
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- amorphous silicon
- layer
- electrode
- silicon layer
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Image Input (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はファクシミリ、プリンターその細画像の読取り
をおこない、情報処理をおこな５装置に於ける新規な画
儂の読取装置に関するもの１ある。
をおこない、情報処理をおこな５装置に於ける新規な画
儂の読取装置に関するもの１ある。
更に詳しくは光導電体として特に均一薄膜状アモルフチ
スシリコンを用い、これの両側を電極１はさんだサンＰ
イツチ構造の読取装置に関するものである。
スシリコンを用い、これの両側を電極１はさんだサンＰ
イツチ構造の読取装置に関するものである。
従来、ファクシミリ、プリンター等に用いられる読取装
置としてはＣＣＤ、フォトダイオードアレイ、例えばＭ
ＯＳフォト〆イオードアレイ等の半導体イメージセンサ
−が広く用いられ【来た。
置としてはＣＣＤ、フォトダイオードアレイ、例えばＭ
ＯＳフォト〆イオードアレイ等の半導体イメージセンサ
−が広く用いられ【来た。
これらのイメージセンサ−に於ては縮小光学系を用いる
のが通例の為、レンズ等が必要となり、光路長が長（な
る結果、装置の小皺化をはかる上雫大きな問題となって
いた。
のが通例の為、レンズ等が必要となり、光路長が長（な
る結果、装置の小皺化をはかる上雫大きな問題となって
いた。
これに対し、蛾近原稿巾と同一寸法をもつ一着渥薄膜読
取装置が提案されている。この素子はプレーナ型と呼ば
れ第１図で示す如く、基板１上に光導電性層２を設は電
極対δ、４により１ビットに対応する素子とする。この
素子を複数個列状に形成しこれらの素子部分の光照射に
対応した光電流を順次測定し、読取りをおこなう素子で
ある。
取装置が提案されている。この素子はプレーナ型と呼ば
れ第１図で示す如く、基板１上に光導電性層２を設は電
極対δ、４により１ビットに対応する素子とする。この
素子を複数個列状に形成しこれらの素子部分の光照射に
対応した光電流を順次測定し、読取りをおこなう素子で
ある。
この素子では電極墨、４を極端に近づける事鍼１０μ程
度が限度ｆあり−とれ以下は製造上１＠・・難１ある事
から電極間は電極間距離に起因する応答速度、即ち読取
り速度は例えば解儂度８本／ＷＷＬの場合Ａ４巾の１ラ
イン当りの所要時間として２０＠Ｓｅｃ程度が限界とな
り、この程度の速度ｆは高速化するファクシ之り、プリ
ンター等の読取りに対応するには不十分なものであった
。
度が限度ｆあり−とれ以下は製造上１＠・・難１ある事
から電極間は電極間距離に起因する応答速度、即ち読取
り速度は例えば解儂度８本／ＷＷＬの場合Ａ４巾の１ラ
イン当りの所要時間として２０＠Ｓｅｃ程度が限界とな
り、この程度の速度ｆは高速化するファクシ之り、プリ
ンター等の読取りに対応するには不十分なものであった
。
又、これらの読取素子に用いられる光導電体として特に
５ｅ−Ａｓ−Ｔｅ等１代資されるカルコゲンガラス系は
８０℃近傍１結晶化を起す為、長期安定性にとぼしく、
又複合系の場合、組成が禎雑な為、製造に当っての成分
の制御がむつかしく、受光素子特性／？ラツキｌ〕大き
な原因となっていた。
５ｅ−Ａｓ−Ｔｅ等１代資されるカルコゲンガラス系は
８０℃近傍１結晶化を起す為、長期安定性にとぼしく、
又複合系の場合、組成が禎雑な為、製造に当っての成分
の制御がむつかしく、受光素子特性／？ラツキｌ〕大き
な原因となっていた。
又、近年、太陽電池からめ応用としてアモルファスシリ
コンをｐ−１−ｎ型とするものが見られるが、これらは
例えば特開昭Ｆｓ６−２７８４号に開示されでＶる１よ
′うに透明電極の上にｐ −ｉ −ｎの順序”ｅｐｍ、
１ｍ、ｎ型の各アモルファスシリコン膜を形成させ、そ
の上を金属電極で覆った複雑な構造をして居り、アモル
ファスシリコン層の成膜制御の困確さの為、性能に大き
なＡラッキが見られも 更にピット間の電流漏れを防ぐ為、上部電極、光導電層
及び下部電極から構成される各ピットを完全に分離した
構成とすることが必要であり、このために７オトレジス
ト塗布及びエツチング等を必要とするなど工程数も多く
製造が面倒１あった。
コンをｐ−１−ｎ型とするものが見られるが、これらは
例えば特開昭Ｆｓ６−２７８４号に開示されでＶる１よ
′うに透明電極の上にｐ −ｉ −ｎの順序”ｅｐｍ、
１ｍ、ｎ型の各アモルファスシリコン膜を形成させ、そ
の上を金属電極で覆った複雑な構造をして居り、アモル
ファスシリコン層の成膜制御の困確さの為、性能に大き
なＡラッキが見られも 更にピット間の電流漏れを防ぐ為、上部電極、光導電層
及び下部電極から構成される各ピットを完全に分離した
構成とすることが必要であり、このために７オトレジス
ト塗布及びエツチング等を必要とするなど工程数も多く
製造が面倒１あった。
これはｐｌｎ？形成される光導電体の内ｎ型半導体の暗
抵抗が１０４〜１０’Ωａと低く、各ピットを完全に分
離しない７とピット間に電流が流れてしまう為１ある。
抵抗が１０４〜１０’Ωａと低く、各ピットを完全に分
離しない７とピット間に電流が流れてしまう為１ある。
従って本発明は以上述べた従来の読取装置の欠点を取の
ぞき、光応答速度が速く、′素子間の感度のばらつきが
少なく、長期的に安定であり、製造が容易な新規な読取
装置を８４人する事を目的とする。
ぞき、光応答速度が速く、′素子間の感度のばらつきが
少なく、長期的に安定であり、製造が容易な新規な読取
装置を８４人する事を目的とする。
−な膜が形成されるが、この時ノンドープあるいは少量
の水素をドープして１渥層としたもの及びされるもの１
あり厚みとしてＱ、６μ寞〜５μ凰かを用い、Ｉｎ２ｏ
ＩＩと５ｒＫｈの比は適宜選択される。又、とのＩＴＯ
膜の厚みは５００〜２．０００Ａ程度が適当！ある。こ
の層は受光素子として用いる総てのアモルファスシリコ
ン層ｆ被れた下部金属電極に対応するアモルファスシリ
コン層を一様に被い下部金属電極とアモルファスシリコ
ン層とでサンドインチ構造の受光素子又は受光素子群を
形成する。
の水素をドープして１渥層としたもの及びされるもの１
あり厚みとしてＱ、６μ寞〜５μ凰かを用い、Ｉｎ２ｏ
ＩＩと５ｒＫｈの比は適宜選択される。又、とのＩＴＯ
膜の厚みは５００〜２．０００Ａ程度が適当！ある。こ
の層は受光素子として用いる総てのアモルファスシリコ
ン層ｆ被れた下部金属電極に対応するアモルファスシリ
コン層を一様に被い下部金属電極とアモルファスシリコ
ン層とでサンドインチ構造の受光素子又は受光素子群を
形成する。
この場合下部金属電極に接続されるリード線と上部透明
、電極が直接接触しない様にアモルファスシリコン層を
設ける事は言う迄もない。
、電極が直接接触しない様にアモルファスシリコン層を
設ける事は言う迄もない。
上記したサンドイッチ構造に於て、金属電極と透明電極
とは逆の配置とし【も使用可能ｆある。
とは逆の配置とし【も使用可能ｆある。
次に本発明の動作ｇ、埋を説明する。
以上説明した受光素子を用いた場合の等価回路及び駆動
原理を第６図を用いて説明する。第２図に示された受光
素子９は第６図のコンデンサー１１０（１０−１・・・
・・・１Ｏ−ｎ）とダイオード１１ （１１−１・・・
・・・１ｌ−ｎ）の並列回路１等価に表わすことが２い
１．？きる。
原理を第６図を用いて説明する。第２図に示された受光
素子９は第６図のコンデンサー１１０（１０−１・・・
・・・１Ｏ−ｎ）とダイオード１１ （１１−１・・・
・・・１ｌ−ｎ）の並列回路１等価に表わすことが２い
１．？きる。
ここに於てコンデンサー１０は下部金属電極６、アモル
ファスシリコン層６、上部透明電極７により形成される
容量ｆある。又この容量はリード線勢により発生する線
間容量も含まれている。ダイオード１１（１１−１・・
・・・・１ｌ−ｎ）はアモルファスシリコン層を示して
いる。図示されたコンデンサー１０及びダイオード１１
からなる読取素子は各読取素子が１ライン中の１ビツト
に対応し、各読取素子は１ライン分設けてあり、読取原
稿又は禎読取物はこの１ライン分設けられた読取素子を
横切りながら走査され、読取られる。
ファスシリコン層６、上部透明電極７により形成される
容量ｆある。又この容量はリード線勢により発生する線
間容量も含まれている。ダイオード１１（１１−１・・
・・・・１ｌ−ｎ）はアモルファスシリコン層を示して
いる。図示されたコンデンサー１０及びダイオード１１
からなる読取素子は各読取素子が１ライン中の１ビツト
に対応し、各読取素子は１ライン分設けてあり、読取原
稿又は禎読取物はこの１ライン分設けられた読取素子を
横切りながら走査され、読取られる。
第６図１示す如くシフトレジスター１２がスイッチング
素子１６（例えば０ＭＯ８）を１６＝１〜１！１−ｎの
順にスイッチングしてゆくと読取素子ｘノ１（１０，１
１）’ルがオペアンプ１４を介して接地されていく。こ
の時読取素子 （１０？ １１ ） 細の反対側は上
部透明電極を介してノクイアス電源１５に接続されてい
る。走査回始時点１は読取素子・ （１０，１１）Ｌ’
Ｓ中に電荷が存在しない為、スイッチ１６−１〜する一
ｎを通してノ々イアス電源からの電流がオペアンプ１４
″Ｉ？観測されるが、これは信号としてはキャンセルさ
れる。
素子１６（例えば０ＭＯ８）を１６＝１〜１！１−ｎの
順にスイッチングしてゆくと読取素子ｘノ１（１０，１
１）’ルがオペアンプ１４を介して接地されていく。こ
の時読取素子 （１０？ １１ ） 細の反対側は上
部透明電極を介してノクイアス電源１５に接続されてい
る。走査回始時点１は読取素子・ （１０，１１）Ｌ’
Ｓ中に電荷が存在しない為、スイッチ１６−１〜する一
ｎを通してノ々イアス電源からの電流がオペアンプ１４
″Ｉ？観測されるが、これは信号としてはキャンセルさ
れる。
読取を必要とするラインに入った時、例えば１０−１に
対応する原稿が白１あるとアモルファスシリコン層が導
通する結果ノイアス電源１６から充電々流が流れ１０を
充電する。この時の充電電流はオペアンプ１４で検知さ
れる。
対応する原稿が白１あるとアモルファスシリコン層が導
通する結果ノイアス電源１６から充電々流が流れ１０を
充電する。この時の充電電流はオペアンプ１４で検知さ
れる。
次にシフトレジスタ１２が１ｓ−２をスイッチングした
時１０−２が原稿の黒に対応しているとこの部分のアモ
ルファスシリコン層は絶縁性の為、前のサイクルを充電
された電荷が残っている為、充電々流は流れず、オペア
ンプに電流信号は発生しない。この様にして１ラインの
走査をおこな（・順次つぎのラインの走査も同様にして
行なわれる。
時１０−２が原稿の黒に対応しているとこの部分のアモ
ルファスシリコン層は絶縁性の為、前のサイクルを充電
された電荷が残っている為、充電々流は流れず、オペア
ンプに電流信号は発生しない。この様にして１ラインの
走査をおこな（・順次つぎのラインの走査も同様にして
行なわれる。
次に本発明の効果について説明する。
以上述べた本発明の読取素子を用いる事により、次に述
べる様な卓越した効果を有する事が判明した。
べる様な卓越した効果を有する事が判明した。
本発明の読取素子は以上述べた様な簡単な構成となって
いる為、ビット間銃堆信号電流のバラツキな従来の１１
０％以上から第５図に示す如く±５％以内に収める事が
出来た。
いる為、ビット間銃堆信号電流のバラツキな従来の１１
０％以上から第５図に示す如く±５％以内に収める事が
出来た。
コレにより、スレッシ二ホールドレベルの設定が容易に
なり、信号の安定性をはかる事か出来た。
なり、信号の安定性をはかる事か出来た。
又製造に於てもアモルファスシリコン層及びＩＴＯ層の
おのおのな順次着膜するだけで良い為、著しく容易とな
った。コスト的面フのメリットを生む事が出来友。
おのおのな順次着膜するだけで良い為、著しく容易とな
った。コスト的面フのメリットを生む事が出来友。
又本発明の読取素子の印加電圧、出力電Ｒｑ＃性を第７
図に示す“が、このグラフから容易ＫＩｌ解できるよう
に０〜−１０Ｖの低い電圧ｆ駆動出来る。
図に示す“が、このグラフから容易ＫＩｌ解できるよう
に０〜−１０Ｖの低い電圧ｆ駆動出来る。
又、特に着目子べき点はバイアス電圧Ｏｖの時明暗比が
５０００〜１２０００＠度と従来のｐ −１−２１構造
の受光素子の５０〜１００に比し著しく高い値の得られ
る事！ある。この時の高上り及び立下が１１１・ｅＫ比
し優れていｔｏ 光感度に関しては、本発明の読取素子は１０ｐム／１ｍ
（１００μｍ１Ｘ１００μｉａ）程度と従来のｓ・−〒
・１の２倍近い値が得られた。
５０００〜１２０００＠度と従来のｐ −１−２１構造
の受光素子の５０〜１００に比し著しく高い値の得られ
る事！ある。この時の高上り及び立下が１１１・ｅＫ比
し優れていｔｏ 光感度に関しては、本発明の読取素子は１０ｐム／１ｍ
（１００μｍ１Ｘ１００μｉａ）程度と従来のｓ・−〒
・１の２倍近い値が得られた。
又、本発ＩｊＩＫ用いたアモルファスシリコンａｓｌｌ
・製造上極めて有利！ある。
・製造上極めて有利！ある。
以上の如く得られた本発明の読取素子はピッチ８本／１
ｇとしＡ４巾（２１０ｆｉ）を１０ｆｆｌｓ以下ｆ読み
取る事が出来た。
ｇとしＡ４巾（２１０ｆｉ）を１０ｆｆｌｓ以下ｆ読み
取る事が出来た。
以下実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
〈実施例１〉
基板としてガラス基板あるいはダレーズされたセラミッ
ク基ｆｉヲ用いる。
ク基ｆｉヲ用いる。
下部電極として約３０００ＡＣｒｆ電子ビーム蒸着〒形
成し、所定のノ々ターニングを７オトリソーグラフイー
で形成する。（本実施例１はＣｒｔ用いたが、下部電極
材料として用いることので會る材料としてはτ１ ＊
Ｍｏ ｅ Ｎ １−ｃｒ Ｔ Ａ ｌ ｅ Ａ ｕ ＊
Ｐ ｔなどがある）次にシランガスのグロー放電によ
って、アモルファスシリコン膜を約１と４形成する。こ
の場合の条件としては基板温度（〒ｓ）−”２００〜３
００Ｃ１放電圧力（ｐ ）＝０．２〜Ｉ Ｔｏｒｒ、極
板間距離（ｄ）＝２０〜５０■、１ｔＦＡワー（Ｐ）＝
１０〜１００Ｗ、ガス流量（ｒ）＝１０〜５０ＳＣＣＪ
ＳＩＨ４）であり、約１ｈｒ’ｔ’着膜した。更に上部
透明電極としてＩＴＯ（Ｉｎ、０８．８ｎＯ，）をに＋
０ｓ（Ｏｓ分圧１．５Ｘ１０−Ｔｏｒｒ ）の反応性ガ
スを用いてＤＣＣスフタ−？約１５００ムー５ｖのノ々
イアス電圧により金属マスクを用いて形成し友。本素子
を用いて％ｂのに示す回路で読取テストを行った結果、
１０１１１ｇ／１１ｎｅ （Ａ４原稿）以下のスピード
１読みとる事が出来た。
成し、所定のノ々ターニングを７オトリソーグラフイー
で形成する。（本実施例１はＣｒｔ用いたが、下部電極
材料として用いることので會る材料としてはτ１ ＊
Ｍｏ ｅ Ｎ １−ｃｒ Ｔ Ａ ｌ ｅ Ａ ｕ ＊
Ｐ ｔなどがある）次にシランガスのグロー放電によ
って、アモルファスシリコン膜を約１と４形成する。こ
の場合の条件としては基板温度（〒ｓ）−”２００〜３
００Ｃ１放電圧力（ｐ ）＝０．２〜Ｉ Ｔｏｒｒ、極
板間距離（ｄ）＝２０〜５０■、１ｔＦＡワー（Ｐ）＝
１０〜１００Ｗ、ガス流量（ｒ）＝１０〜５０ＳＣＣＪ
ＳＩＨ４）であり、約１ｈｒ’ｔ’着膜した。更に上部
透明電極としてＩＴＯ（Ｉｎ、０８．８ｎＯ，）をに＋
０ｓ（Ｏｓ分圧１．５Ｘ１０−Ｔｏｒｒ ）の反応性ガ
スを用いてＤＣＣスフタ−？約１５００ムー５ｖのノ々
イアス電圧により金属マスクを用いて形成し友。本素子
を用いて％ｂのに示す回路で読取テストを行った結果、
１０１１１ｇ／１１ｎｅ （Ａ４原稿）以下のスピード
１読みとる事が出来た。
また耐熱性に関しても６００℃までの熱処理によろてセ
ンサーの特性は何ら低下する事なく大変熱的に安定な読
取素子である拳が確認され次。
ンサーの特性は何ら低下する事なく大変熱的に安定な読
取素子である拳が確認され次。
〈実施例２〉
アモルファスシリコン光導電層としてＢを１０ｐｐｍｄ
ｏ％した場合の結果も１層のみで形成しｔ場合と殆ど特
性の変化のない結果を得る事が出来た。
ｏ％した場合の結果も１層のみで形成しｔ場合と殆ど特
性の変化のない結果を得る事が出来た。
ガスは１００ｐｐｍＢＢ１００ｐｐペース）を用いて８
１Ｈ４／ｌｌｍ＝１のガス構成で前記実施例１と同一条
件〒約ｔ２ｈｒ雫着膜した。
１Ｈ４／ｌｌｍ＝１のガス構成で前記実施例１と同一条
件〒約ｔ２ｈｒ雫着膜した。
〈実施例６〉
下部金属電極５としてＣｒ−Ａｕを、上部透明電極７と
してＩＴＯ（１０モル％Ｉｎ２ｏ８＋ ９０モル％８１
α０を用いｔｏ ガラス基板８の上に、Ｃｒを〜５００Ａ、ムｕｖ〜８０
０ム基板温度２５０℃マ電子ビーム蒸着し金属電極膜を
成長させる。続いてフォトリングラフイーによりＡｕ及
びＣｒをエツチングし所定の金属電極ノリーンを作る。
してＩＴＯ（１０モル％Ｉｎ２ｏ８＋ ９０モル％８１
α０を用いｔｏ ガラス基板８の上に、Ｃｒを〜５００Ａ、ムｕｖ〜８０
０ム基板温度２５０℃マ電子ビーム蒸着し金属電極膜を
成長させる。続いてフォトリングラフイーによりＡｕ及
びＣｒをエツチングし所定の金属電極ノリーンを作る。
次にグロー放電１アモルファス質シリコン層を１μ翼程
着膜する。ｌ′Ｍアモルファスシリコン願の作成条件は
、８１Ｈ４ｉｆスを中に少量水素を混入したものを用い
、Ｒ１？Ａワー２０〜５０Ｗ。
着膜する。ｌ′Ｍアモルファスシリコン願の作成条件は
、８１Ｈ４ｉｆスを中に少量水素を混入したものを用い
、Ｒ１？Ａワー２０〜５０Ｗ。
ガス流量２ Ｄ 〜５０８ＣＣＭ、圧力０．４〜０．６
Ｔｏｒｒ 、基板温度２００〜３１］０”Ｃ１極板間
距離４０−で３０分〜１時間行なう。続いて上部透明電
極７のＩＴＯをｏｃ：ｘ、／ｚフッタングにより約１５
００ム着膜する。作成条件としては、ノワー１７０〜２
００Ｗ、酸素分圧ｔ５Ｘ１０ Ｔａｒｔ、全圧力（酸
素＋アルノン）４Ｘ１０″′″５Ｔａｒｒｙ％約１０分
行なう。
Ｔｏｒｒ 、基板温度２００〜３１］０”Ｃ１極板間
距離４０−で３０分〜１時間行なう。続いて上部透明電
極７のＩＴＯをｏｃ：ｘ、／ｚフッタングにより約１５
００ム着膜する。作成条件としては、ノワー１７０〜２
００Ｗ、酸素分圧ｔ５Ｘ１０ Ｔａｒｔ、全圧力（酸
素＋アルノン）４Ｘ１０″′″５Ｔａｒｒｙ％約１０分
行なう。
この様にして作成したセンサのＩ −Ｖ％性を第７図に
示す。０７時の明と暗の電流は、受光面積１００μ諷×
１００μ重当り、それぞれ６．６Ｘ１０ ム（１００
ｌｕｘ当り）、６．０Ｘ１０ ムであり、明暗比は１
ｔ０００″１％あった。
示す。０７時の明と暗の電流は、受光面積１００μ諷×
１００μ重当り、それぞれ６．６Ｘ１０ ム（１００
ｌｕｘ当り）、６．０Ｘ１０ ムであり、明暗比は１
ｔ０００″１％あった。
この事によりＯｖノ９イアス、即ちノ９イアスなし１も
十分な効果を持つ拳が判明し友。
十分な効果を持つ拳が判明し友。
〈実施例４〉
下部金属電極にＡＩを用い電極を、ｅターニングする。
金属表面酸化膜層はパターニング後の電極なベーク炉中
１ベークし、熱酸化膜を２０ Ａ＠度成長させる。その
上にアモルファスシリコンをグロー放電法により約１μ
電着膜し、光導電層とする。このアモルファスシリコン
はノンドープの１型あるい抹弱ａｌｌあるいはＮ ａ
ｙを微量（１０〜１０００ｐｐｍ ）Ｆ’−プした弱ｐ
ｍの一層のみ１ある。ま几アモルファスシリコン膜を反
応性クー９ツタリング法により製作してもよい。さらに
この上に透明電極としてＩＴＯ（酸化インジウム膜）ま
たはＩｎ５Ｏ１１＋８ｍ伽を例えば高岡波ス／々ツタ１
着膜し負・饗イアス印加電極とするＯ の酸化膜層はＡＩ電極からのホールの注入に対するブロ
ック層となっており暗電流を押さえる効果を持ちその結
果、高い明暗比が得られる。
１ベークし、熱酸化膜を２０ Ａ＠度成長させる。その
上にアモルファスシリコンをグロー放電法により約１μ
電着膜し、光導電層とする。このアモルファスシリコン
はノンドープの１型あるい抹弱ａｌｌあるいはＮ ａ
ｙを微量（１０〜１０００ｐｐｍ ）Ｆ’−プした弱ｐ
ｍの一層のみ１ある。ま几アモルファスシリコン膜を反
応性クー９ツタリング法により製作してもよい。さらに
この上に透明電極としてＩＴＯ（酸化インジウム膜）ま
たはＩｎ５Ｏ１１＋８ｍ伽を例えば高岡波ス／々ツタ１
着膜し負・饗イアス印加電極とするＯ の酸化膜層はＡＩ電極からのホールの注入に対するブロ
ック層となっており暗電流を押さえる効果を持ちその結
果、高い明暗比が得られる。
□−−軸
効果が表われる、第９ＦＢにＡ！酸化層の有無の差異な
示す・ 実際の読取りの際の駆動ノイアスは一５Ｖ？あるがこの
時ＡＩ酸化膜層な入れることによって明暗比を数倍から
数十倍、高めることが可能１ある。
示す・ 実際の読取りの際の駆動ノイアスは一５Ｖ？あるがこの
時ＡＩ酸化膜層な入れることによって明暗比を数倍から
数十倍、高めることが可能１ある。
例えば金属電極としてＡｌｔ’用いたとき、酸化膜なし
の場合１は（明暗比＜ １０００ ）、これに対して酸
化膜を設けると（明暗比≧２０００ ）という結果が得
られる。
の場合１は（明暗比＜ １０００ ）、これに対して酸
化膜を設けると（明暗比≧２０００ ）という結果が得
られる。
まｔ別の実施例では下部電極としてＡＩの代りＫＣｒを
用いた構造とする。Ｃｒの場合ＡＩに比して金属表面の
フラットさが高（Ｃｒ上に着膜されたアモルファスシリ
コン膜の表面状態も良好ｆ欠陥ビットの発生も少なく、
Ｃｒ酸化膜を用いた構造ｆ紘暗電流がＡ）を用い几場合
よりも更々低くなり明暗比（明暗比’、ｇｏｏｏ）より
高くなる。
用いた構造とする。Ｃｒの場合ＡＩに比して金属表面の
フラットさが高（Ｃｒ上に着膜されたアモルファスシリ
コン膜の表面状態も良好ｆ欠陥ビットの発生も少なく、
Ｃｒ酸化膜を用いた構造ｆ紘暗電流がＡ）を用い几場合
よりも更々低くなり明暗比（明暗比’、ｇｏｏｏ）より
高くなる。
上述の冥施例°−謳、’、の酸化膜層は下部金属電極を
直接熱酸化、あるいは陽極酸化等のｌ１１１１１１酸化
を用いて作成し友が自然酸化或いは各種酸化剤を用いて
もよい事は熱論ｆある。
直接熱酸化、あるいは陽極酸化等のｌ１１１１１１酸化
を用いて作成し友が自然酸化或いは各種酸化剤を用いて
もよい事は熱論ｆある。
即ち、４諌資瀞１は下部金属電極光面に酸化膜層を設け
る事により下部金属電極からのホールの注入をゾ瞠ツク
することができ高い明暗比を得ることができる。
る事により下部金属電極からのホールの注入をゾ瞠ツク
することができ高い明暗比を得ることができる。
上記実施例−１％詳述しｔ本発明は費約丁れば絶縁性基
板上に設けられ、かつピット毎に分割された複数の金属
電極、該複数の金属電極上に平板状に形成されたアモル
ファスシリコン層、該アモルファスシリコン層上に前記
分割された複数の金属電極と対向する位置に平板状に形
成された透明電極からなることを特徴とするものである
。
板上に設けられ、かつピット毎に分割された複数の金属
電極、該複数の金属電極上に平板状に形成されたアモル
ファスシリコン層、該アモルファスシリコン層上に前記
分割された複数の金属電極と対向する位置に平板状に形
成された透明電極からなることを特徴とするものである
。
また、前記アモルファスシリコン層を１ｍ又はＰ型層と
することにより暗抵抗を高めることがｆきる。
することにより暗抵抗を高めることがｆきる。
更にアモルファスシリコン党導電性層の厚みをき、結果
的に読取装置の応答速度を高めることができる。
的に読取装置の応答速度を高めることができる。
史に複数の下部電極として特にＣｒ又は下部金属電極が
アモルファスシリコンと接触する面を酸化処理すること
Ｋより、アモルファスシリコンとの界面がホールのブロ
ッキング層として働くため暗抵抗を低く抑えることが〒
きる。
アモルファスシリコンと接触する面を酸化処理すること
Ｋより、アモルファスシリコンとの界面がホールのブロ
ッキング層として働くため暗抵抗を低く抑えることが〒
きる。
９１図は従来のゾレーナー型読取素子な示す概略図であ
り、ＩＮ２図は本発明の読取素子の断面図であり、第３
図ａ ＝ ｄは、下部金属電極の種々の配置構成な示す
図１あり、＠４図は本発明のＷＲＭｉＬ素子を上部透明
電極側から見た図１あり、第５図た時の明時及び暗時の
光電流を示すグラフ〒あり。 ［８図はＡ／酸化層の有無の特性を示す図である。 （図中符号） ５ 、 ＋ １基板 ・２ 光導電層 。 ３電極（１） ４電極（２） ５ 下部金属電極 ６ アモルファスシリコン ７ 上部透明電極 ８ （絶縁性）基板 ９ 受光素子 １０ ”ンデンサー １１ ／イオード １２ シフトレジスタ トロ スイッチング素子 ” ５
１４ オペアンプ １５ ノイアス電源 ］ （ｃ） （ｄ）第 ８
Ｉ！！ ！マ°イアス電圧（Ｖ） 第１頁の続き ツクス株式会社海老名工場内 ツクス株式会社海老名工場内
り、ＩＮ２図は本発明の読取素子の断面図であり、第３
図ａ ＝ ｄは、下部金属電極の種々の配置構成な示す
図１あり、＠４図は本発明のＷＲＭｉＬ素子を上部透明
電極側から見た図１あり、第５図た時の明時及び暗時の
光電流を示すグラフ〒あり。 ［８図はＡ／酸化層の有無の特性を示す図である。 （図中符号） ５ 、 ＋ １基板 ・２ 光導電層 。 ３電極（１） ４電極（２） ５ 下部金属電極 ６ アモルファスシリコン ７ 上部透明電極 ８ （絶縁性）基板 ９ 受光素子 １０ ”ンデンサー １１ ／イオード １２ シフトレジスタ トロ スイッチング素子 ” ５
１４ オペアンプ １５ ノイアス電源 ］ （ｃ） （ｄ）第 ８
Ｉ！！ ！マ°イアス電圧（Ｖ） 第１頁の続き ツクス株式会社海老名工場内 ツクス株式会社海老名工場内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）絶縁性基板上に設けられかつピット毎に分割された
複数の金属電極、骸複数の金属電極上に平板状に形成さ
れたアモルファスシリコン層、該アモルファスシリコン
層上で前記分割された複数の金属電極と対向する位置に
平板状に形成された透明電極からなることを特徴とする
長尺薄膜読取装置。 ２）前記ピット毎に分割された複数の金属電極の位置に
金属電極と対向する平板状に形成された透明電極を、前
記平板状に形成された透明電極の位置にピット毎に分割
された複数の金属電極を配置した事を特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の長尺薄膜純取哀１゜ ６）前記アモルファスシリコン層はｉ型又はＰ重層ｆあ
る事を特徴とする特許請求の範囲第１ＪＩＪ又は第２項
に記載の長尺薄膜読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56181781A JPS5884457A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 長尺薄膜読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56181781A JPS5884457A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 長尺薄膜読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884457A true JPS5884457A (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=16106766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56181781A Pending JPS5884457A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 長尺薄膜読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884457A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59229861A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-24 | Fuji Xerox Co Ltd | カラ−原稿読取り装置 |
| JPS6077472A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 光電変換素子 |
| JPS60130869A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-12 | Seiko Epson Corp | 固体撮像素子 |
| US4922103A (en) * | 1983-11-21 | 1990-05-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image read-out apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108781A (en) * | 1979-02-15 | 1980-08-21 | Fuji Xerox Co Ltd | Light receiving element |
| JPS564286A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Canon Inc | Photoelectric converter |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP56181781A patent/JPS5884457A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108781A (en) * | 1979-02-15 | 1980-08-21 | Fuji Xerox Co Ltd | Light receiving element |
| JPS564286A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Canon Inc | Photoelectric converter |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59229861A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-24 | Fuji Xerox Co Ltd | カラ−原稿読取り装置 |
| JPS6077472A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 光電変換素子 |
| US4922103A (en) * | 1983-11-21 | 1990-05-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image read-out apparatus |
| JPS60130869A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-12 | Seiko Epson Corp | 固体撮像素子 |
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