JPS5884468A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPS5884468A JPS5884468A JP56182550A JP18255081A JPS5884468A JP S5884468 A JPS5884468 A JP S5884468A JP 56182550 A JP56182550 A JP 56182550A JP 18255081 A JP18255081 A JP 18255081A JP S5884468 A JPS5884468 A JP S5884468A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antireflection film
- type semiconductor
- semiconductor layer
- main surface
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は改良されたシリコン太陽電池の製造方法に関す
るものである。
るものである。
第１図、＃！２図は従来の太陽電池の製造方法を示す工
程別断面図である。
程別断面図である。
従来のシリコン太陽電池は第１図に示すようにスライス
したｐ製シリコンウエノ５（１１を硝酸、弗酸。
したｐ製シリコンウエノ５（１１を硝酸、弗酸。
酢酸の混合液で数分間エツチングを行ない、シリコンウ
ェハの破砕層を除去した後、公知の拡散前処理を行ない
、シリコンウエノ＼を酸化炉に投入し工数千オングスト
ロームんの酸化膜を形成する。
ェハの破砕層を除去した後、公知の拡散前処理を行ない
、シリコンウエノ＼を酸化炉に投入し工数千オングスト
ロームんの酸化膜を形成する。
次に、写真製版法によりシリコンウエノ１の一方の主面
の酸化膜を除去し、その除去した面にリン拡散を行ない
、浅いｎ型半導体層（２）を形成する。
の酸化膜を除去し、その除去した面にリン拡散を行ない
、浅いｎ型半導体層（２）を形成する。
このように、ｎ型半導体層（２）を形成した後、シリコ
ンウェハのｎ型半導体層（２）側の主面とｐｍ半導体層
１１１１１の主面が判別できるように印をつける。
ンウェハのｎ型半導体層（２）側の主面とｐｍ半導体層
１１１１１の主面が判別できるように印をつける。
次に、シリコンウェハ表面の汚れ、リンガラス層。
酸化膜等を除去する為に弗酸系の溶液で電極前処理を行
ない、ｎ型半導体層（２１１ｉｌｌの主面とｐ型半導体
鳩（１）側の主面にＡｇまたはＡｇとＡｔの混合物、ガ
ラス、ｍ剤から成るペーストを印刷して金属電極１４）
（５）を形成する。次に、数百度に調整し九電気炉にシ
リコンウェハを投入して金属電極＋４１ （６３がシリ
コンウェハと良好な電気的接触を有するようにする。
ない、ｎ型半導体層（２１１ｉｌｌの主面とｐ型半導体
鳩（１）側の主面にＡｇまたはＡｇとＡｔの混合物、ガ
ラス、ｍ剤から成るペーストを印刷して金属電極１４）
（５）を形成する。次に、数百度に調整し九電気炉にシ
リコンウェハを投入して金属電極＋４１ （６３がシリ
コンウェハと良好な電気的接触を有するようにする。
次に、第２図に示すようにｎ型半導体層（２）貴の主面
に太陽光の吸収を良（する為に厚みが５００〜ツ５０Ａ
のＴａ ａｏ ６からなる反射防止ＩＩＩ （３７を形
成する。
に太陽光の吸収を良（する為に厚みが５００〜ツ５０Ａ
のＴａ ａｏ ６からなる反射防止ＩＩＩ （３７を形
成する。
この時、金属電極（４）の表面（ａａ）を図示しないモ
リブデン板からなる電極カバーで機う。これは、反射防
止膜（３）が金属電極（４）の表面に付着し、後工程で
のハンダ付を困−とすることがないようにする為である
。次に、反射防止ｌＩＫ ＜８）の表面を清浄にし。
リブデン板からなる電極カバーで機う。これは、反射防
止膜（３）が金属電極（４）の表面に付着し、後工程で
のハンダ付を困−とすることがないようにする為である
。次に、反射防止ｌＩＫ ＜８）の表面を清浄にし。
かつシリコンウェハとの結合度を高める為、シリコンウ
ェハを４００°前後に昇温した水素炉に投入する。更に
、ウェハ特性評価等を行なった後、良品のシリコンウェ
ハはパネルにはり付けられ太陽電池モジュールとじて完
成する。
ェハを４００°前後に昇温した水素炉に投入する。更に
、ウェハ特性評価等を行なった後、良品のシリコンウェ
ハはパネルにはり付けられ太陽電池モジュールとじて完
成する。
しかしながら、上記従来の太陽電池の１１３！！方法は
、金属電極（４）の形成後、反射防止膜（３）を形成す
る金属電極（４）を電極カバーで覆う作業が必要であシ
、作業性が良好でなかった。また、反射防止膜（３）は
スパッタ装置で成長する為、電極カバーで覆われない金
属電極（４）の側部（４ｂ）はＴａ＊Ｏａが直接衝突し
て金属電極（４）中に入り線間抵抗が大きくなり、この
為電流が流れにくくなり、短絡電流や変換効率の低下も
引き起す。
、金属電極（４）の形成後、反射防止膜（３）を形成す
る金属電極（４）を電極カバーで覆う作業が必要であシ
、作業性が良好でなかった。また、反射防止膜（３）は
スパッタ装置で成長する為、電極カバーで覆われない金
属電極（４）の側部（４ｂ）はＴａ＊Ｏａが直接衝突し
て金属電極（４）中に入り線間抵抗が大きくなり、この
為電流が流れにくくなり、短絡電流や変換効率の低下も
引き起す。
本発明は上記従来の太陽電池の製造方法の欠点を取除（
為になされたものであシ、反射防止膜を形成後、金属電
極を形成し、作業性が良好となるとともに製品の特性を
改善することができる太陽電池の製造方法を提供するも
のである。
為になされたものであシ、反射防止膜を形成後、金属電
極を形成し、作業性が良好となるとともに製品の特性を
改善することができる太陽電池の製造方法を提供するも
のである。
本発明の一実施例を＋４３図、第４図工程刷新面図によ
シ説明する。なお、リン拡散によるｎｍ半導体層（２）
の形成までは上記従来の製造方法と同様であり、説明は
省略する。まず、第３図に示すように、リン拡散で形成
されたリンガラス層及びｐ履半導体層１１）側の主面・
・の酸化膜の除去を行ない。
シ説明する。なお、リン拡散によるｎｍ半導体層（２）
の形成までは上記従来の製造方法と同様であり、説明は
省略する。まず、第３図に示すように、リン拡散で形成
されたリンガラス層及びｐ履半導体層１１）側の主面・
・の酸化膜の除去を行ない。
次に、ｎ型半導体層１２１ｔｉｌｌの主面に厚みが５０
０〜〒５ＯＡのＴａ５ｋｓからなる反射防止膜（３）を
形成し、更に反射防止膜（３）上にＡｇまたはＡｇとｈ
Ｌの混合物。
０〜〒５ＯＡのＴａ５ｋｓからなる反射防止膜（３）を
形成し、更に反射防止膜（３）上にＡｇまたはＡｇとｈ
Ｌの混合物。
ガラス、溶剤から成るペーストを印刷して金属電極（４
）を被着するとともに、金属電極（４）と同様の印刷法
によｔ）ｐ型半導体層１１１１１の主面に金属電極（６
）を形成する。これらの金属電極（４１＋５３の形成後
シリコンウェハを電気炉に投入する。この熱も理によっ
て金属電極（４）は反射防止膜（３）を拡散し、ｍａｉ
ｌ半導体層（２）との電気的に良好な接触を祷る。
）を被着するとともに、金属電極（４）と同様の印刷法
によｔ）ｐ型半導体層１１１１１の主面に金属電極（６
）を形成する。これらの金属電極（４１＋５３の形成後
シリコンウェハを電気炉に投入する。この熱も理によっ
て金属電極（４）は反射防止膜（３）を拡散し、ｍａｉ
ｌ半導体層（２）との電気的に良好な接触を祷る。
との熱処理温度は反射防止Ｉ！ （３）の厚みが５００
〜〒５ＯＡの場合、７６０℃程度が最適である。
〜〒５ＯＡの場合、７６０℃程度が最適である。
このような一実施例によれば、金属電極（４）の形成の
作業性が良好になるので、製品の価格も低摩になり、更
に特性においても線間抵抗の増大、短絡電流や変換効率
の低下等の悪くなるという□問題・が取り除かれ、特性
の向上にも大きな効果を上げることが可能となった。
作業性が良好になるので、製品の価格も低摩になり、更
に特性においても線間抵抗の増大、短絡電流や変換効率
の低下等の悪くなるという□問題・が取り除かれ、特性
の向上にも大きな効果を上げることが可能となった。
第５図は上記一実施例のＶ−工時性を示すグラフＣある
。図中、（ａ）は従来の製造方法により作られ九太陽電
池の特性カーブ、（１））は上記一実施例によ妙作られ
た太陽電池の特性カーブである。
。図中、（ａ）は従来の製造方法により作られ九太陽電
池の特性カーブ、（１））は上記一実施例によ妙作られ
た太陽電池の特性カーブである。
このグラフからも明らかなように上記−実織例により作
られ九太陽電池は従来の製造方法により作られた太陽電
池よりも小電流領域での翻れ電流が非常に小さい〔１０
分のｌ （ａｔ ０．２Ｖ） ）。
られ九太陽電池は従来の製造方法により作られた太陽電
池よりも小電流領域での翻れ電流が非常に小さい〔１０
分のｌ （ａｔ ０．２Ｖ） ）。
これによって太陽電池の変換効率が１０チ以上向上し開
放端電圧、短絡電流、変換効率共良好な矢湯電池を得る
ことが可能となった。
放端電圧、短絡電流、変換効率共良好な矢湯電池を得る
ことが可能となった。
以上説明のように、本発明によれば反射防止膜を形成後
、この反射防止膜上に金属電極を形成したので、作業性
を同上することができると共に、短絡電流や変換効率が
艮好な太陽電池を得ることができるという優れた効果を
有する。
、この反射防止膜上に金属電極を形成したので、作業性
を同上することができると共に、短絡電流や変換効率が
艮好な太陽電池を得ることができるという優れた効果を
有する。
＃Ｉ１図、第２図は従来の太陽電池の製造方法を示す工
程別断面図、第３図、第４図は本発明の一実施例を示す
工程別断面図、第５図は本発明の一実施例により作られ
た太陽電池のＶ−１特性を示すグラフである。 （１］はｐ型半導体層、（２）はｎ型半導体層、（３）
は反射防止膜、（４）は金属電極である。 代理人 葛野信− 第１図 第２図 第３図 第４図
程別断面図、第３図、第４図は本発明の一実施例を示す
工程別断面図、第５図は本発明の一実施例により作られ
た太陽電池のＶ−１特性を示すグラフである。 （１］はｐ型半導体層、（２）はｎ型半導体層、（３）
は反射防止膜、（４）は金属電極である。 代理人 葛野信− 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 第１導１１１１１１ｉの半導体基板の一方の土面に第２
尋＊ｍの半導体層を形成する工程と、前記一方の主面に
反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上に金属
電極を被着する工程と、前記金属電極を熱処理により前
記第２導電飄の半導体層に電気的に接触させる工程とを
含む太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182550A JPS5884468A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182550A JPS5884468A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884468A true JPS5884468A (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=16120239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56182550A Pending JPS5884468A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884468A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0338657A1 (en) * | 1988-01-30 | 1989-10-25 | The British Petroleum Company p.l.c. | Method for producing a silver electrode on a photovoltaic silicon cell |
| WO1993024960A1 (en) * | 1992-05-27 | 1993-12-09 | Mobil Solar Energy Corporation | Solar cells with thick aluminum contacts |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49114888A (ja) * | 1973-02-13 | 1974-11-01 |
-
1981
- 1981-11-12 JP JP56182550A patent/JPS5884468A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49114888A (ja) * | 1973-02-13 | 1974-11-01 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0338657A1 (en) * | 1988-01-30 | 1989-10-25 | The British Petroleum Company p.l.c. | Method for producing a silver electrode on a photovoltaic silicon cell |
| WO1993024960A1 (en) * | 1992-05-27 | 1993-12-09 | Mobil Solar Energy Corporation | Solar cells with thick aluminum contacts |
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