JPS5885251A - ヘリツクス型遅波回路 - Google Patents
ヘリツクス型遅波回路Info
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- JPS5885251A JPS5885251A JP18184781A JP18184781A JPS5885251A JP S5885251 A JPS5885251 A JP S5885251A JP 18184781 A JP18184781 A JP 18184781A JP 18184781 A JP18184781 A JP 18184781A JP S5885251 A JPS5885251 A JP S5885251A
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- Japan
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- helix
- frequency attenuator
- high frequency
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
- H01J23/24—Slow-wave structures, e.g. delay systems
- H01J23/26—Helical slow-wave structures; Adjustment therefor
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はへソックス形遅波回路の高周波減衰器におけ
る反射特性の改善に関する。
る反射特性の改善に関する。
ヘリックス形遅波回路は位相速度が周波数に依らず殆ん
ど一定（非分散性）で、かつ電子ビームとの結合インピ
ーダンスが高いので、マイクロ波帯の広帯域、高利得な
増幅管である進行波管に広く用いられている。一般に増
幅管は、利得が高くなればなるはど、内部帰還によ−る
発振の危険にさらされやすく、ヘリックス形進行波管の
場合にもヘリックス形遅波回路と外部回路を接続する入
出力結合部で利得を上回る反射損失が無ければ反射波に
よって発振が起る。発振を防止するために、ヘリックス
形遅波回路では通常、遅波回路の中央付近にヘリックス
を支持する誘電体棒の表面にグー）ファイトや高抵抗金
属の薄膜を形成し、出力増での反射のため入力に帰還す
る反射波に対して、利得以上の減衰を与える発振防止用
の高周波減衰器を配置している。
ど一定（非分散性）で、かつ電子ビームとの結合インピ
ーダンスが高いので、マイクロ波帯の広帯域、高利得な
増幅管である進行波管に広く用いられている。一般に増
幅管は、利得が高くなればなるはど、内部帰還によ−る
発振の危険にさらされやすく、ヘリックス形進行波管の
場合にもヘリックス形遅波回路と外部回路を接続する入
出力結合部で利得を上回る反射損失が無ければ反射波に
よって発振が起る。発振を防止するために、ヘリックス
形遅波回路では通常、遅波回路の中央付近にヘリックス
を支持する誘電体棒の表面にグー）ファイトや高抵抗金
属の薄膜を形成し、出力増での反射のため入力に帰還す
る反射波に対して、利得以上の減衰を与える発振防止用
の高周波減衰器を配置している。
一方、この高周波減衰器によって分割されたヘリックス
形遅波回路を有する進行波管において、よシ高いビーム
効率を得るためには、高周波減衰器によって分割された
出力側遅波回路の利得を２８〜３０ｄＢに選ぶ必要があ
る。
形遅波回路を有する進行波管において、よシ高いビーム
効率を得るためには、高周波減衰器によって分割された
出力側遅波回路の利得を２８〜３０ｄＢに選ぶ必要があ
る。
よって、使用帯域外で外部回路が全反射で、回路損失を
無視した場合、反射波による発振を防ぐためには、高周
波減衰器の反射損失は−２８ｄト−３０ｄＢ以下である
ことが必要とされ、高周波減衰器の軸方向に対する電磁
波減衰物質また高抵抗金属の薄膜形成量について設計及
び製造段階で十分な配慮が要求される。
無視した場合、反射波による発振を防ぐためには、高周
波減衰器の反射損失は−２８ｄト−３０ｄＢ以下である
ことが必要とされ、高周波減衰器の軸方向に対する電磁
波減衰物質また高抵抗金属の薄膜形成量について設計及
び製造段階で十分な配慮が要求される。
特に、近年高周波数のへリックス形進行波管が開廃され
るに伴って、ヘリックス形遅波回路を伝搬する電磁波の
管内波長が短かくな多、軸方向に対する一波長当たシの
グラファイトや高抵抗金属の薄膜形成の倉のコントロー
ルが難かしくなシ、高周波減衰器の反射特性が悪化し、
発振等の問題が多く発生している。
るに伴って、ヘリックス形遅波回路を伝搬する電磁波の
管内波長が短かくな多、軸方向に対する一波長当たシの
グラファイトや高抵抗金属の薄膜形成の倉のコントロー
ルが難かしくなシ、高周波減衰器の反射特性が悪化し、
発振等の問題が多く発生している。
本発明は、軸方向に対する薄膜形成量のコントロールを
必要とすることなく、良好な反射特性を得ることができ
る高周波減衰器を提供するものである０ 従来のへリックス形遅波回路を第１図に示す０図におい
て、１はへリックス、２は誘電体棒、３は電磁波減衰物
質４は金属円筒を示す。
必要とすることなく、良好な反射特性を得ることができ
る高周波減衰器を提供するものである０ 従来のへリックス形遅波回路を第１図に示す０図におい
て、１はへリックス、２は誘電体棒、３は電磁波減衰物
質４は金属円筒を示す。
第一図の下に示しである様に電磁波減衰物質３の量は軸
方向に対して、入力側または出力側の遅波回路からテー
パー状に増加しておシ、誘電体棒２上に形成した電磁波
減衰物質３によ）、ヘリックス遅波回路を伝搬する電磁
界が乱され、特性インピーダンス、為や伝搬定数、α＋
ｊβ（α：減衰定数、β二位相定数）の急激な変化によ
る高周波減衰器の反射特性の改善を図っている。
方向に対して、入力側または出力側の遅波回路からテー
パー状に増加しておシ、誘電体棒２上に形成した電磁波
減衰物質３によ）、ヘリックス遅波回路を伝搬する電磁
界が乱され、特性インピーダンス、為や伝搬定数、α＋
ｊβ（α：減衰定数、β二位相定数）の急激な変化によ
る高周波減衰器の反射特性の改善を図っている。
一般に、ｉイクロ波理論によれに電磁波減衰物質３を誘
電体２上にテーパー状に形成した高周波減衰器は、第２
図の様にモデル化できる。図において、１−１′は第１
図で高周波減衰器のテーパーの始端、Ａに対応し、２−
２′はテーパーの終端Ｂに対応する。又、Ｚｏｈはへリ
ックスの特性インピーダンスであシ、Ｚｏｓ・・・ＺＯ
！ｌ、αｔ＋ｊβ、・・・αｎ＋ｊβｎは高周波減衰器
の特性インピーダンスと伝搬定数である。ＺＬは負荷イ
ンピーダンスで６Ｄ、通常ＺＬ＝ＺＯｎとしてよい。
電体２上にテーパー状に形成した高周波減衰器は、第２
図の様にモデル化できる。図において、１−１′は第１
図で高周波減衰器のテーパーの始端、Ａに対応し、２−
２′はテーパーの終端Ｂに対応する。又、Ｚｏｈはへリ
ックスの特性インピーダンスであシ、Ｚｏｓ・・・ＺＯ
！ｌ、αｔ＋ｊβ、・・・αｎ＋ｊβｎは高周波減衰器
の特性インピーダンスと伝搬定数である。ＺＬは負荷イ
ンピーダンスで６Ｄ、通常ＺＬ＝ＺＯｎとしてよい。
このとき、１−１’と２−２′の間の高周波減衰器全体
の四端子定数をＡＴ、ＢＴ、ＣＴ、ＤＴとすると、反射
係数Ｆは次式で与えられる 今、第２図において、Ｚｏｂ＝Ｚｏｌ＝・−−−・−＝
Ｚｏｎ＝ＺｏＬβ、＝鳥＝・・・＝βｎが成立したとす
ると、（１）の反射係数、Ｆは０となる。又、高周波減
衰器の場合、１−１′から見た反射係数は減衰定数αが
大きいため、１−１′付近の特性インピーダンスと伝搬
定数によって最も影響される。
の四端子定数をＡＴ、ＢＴ、ＣＴ、ＤＴとすると、反射
係数Ｆは次式で与えられる 今、第２図において、Ｚｏｂ＝Ｚｏｌ＝・−−−・−＝
Ｚｏｎ＝ＺｏＬβ、＝鳥＝・・・＝βｎが成立したとす
ると、（１）の反射係数、Ｆは０となる。又、高周波減
衰器の場合、１−１′から見た反射係数は減衰定数αが
大きいため、１−１′付近の特性インピーダンスと伝搬
定数によって最も影響される。
本発明の実施例を第３図に示す。図において、ｔｍ波減
衰物質３は誘電体棒２の他にへりックス１にも形成され
ている。又このヘリックス１上に形成された電磁波減衰
物質３は、テーパーの始端部付近では誘電体棒２に形成
された電磁波減衰物質３よ勺も、出力側または入力側に
さらに長く形成されている。
衰物質３は誘電体棒２の他にへりックス１にも形成され
ている。又このヘリックス１上に形成された電磁波減衰
物質３は、テーパーの始端部付近では誘電体棒２に形成
された電磁波減衰物質３よ勺も、出力側または入力側に
さらに長く形成されている。
前にも述べた様に、高周波減衰器での反射特性の悪化は
、誘電体棒２に形成された電磁波減衰物質３によって、
電磁界が乱され特性インピーダンと伝搬定数が変化する
ことによって生ずるので第３図におけるＡ−０間では、
誘電体棒２には電磁波減衰物質３は形成されておらず、
この部分の電磁界はｔｌとんど乱されることなく、ヘリ
ックス１上に形成された電磁波減衰物質３によって電磁
界強度だけが減少する。
、誘電体棒２に形成された電磁波減衰物質３によって、
電磁界が乱され特性インピーダンと伝搬定数が変化する
ことによって生ずるので第３図におけるＡ−０間では、
誘電体棒２には電磁波減衰物質３は形成されておらず、
この部分の電磁界はｔｌとんど乱されることなく、ヘリ
ックス１上に形成された電磁波減衰物質３によって電磁
界強度だけが減少する。
以上のことから、本発明の高周波減衰器の回路定数はＡ
−０間では、特性インピーダンスと位相定数ははとんど
変化がなく、電磁波に減衰だけを与え、Ｃ−Ｂ間の領域
では従来と同じであるが、すてにＡ−０間で十分減衰さ
れているのでＡ点から見た高周波減衰器の反射係数には
ほとんど影曽しない。
−０間では、特性インピーダンスと位相定数ははとんど
変化がなく、電磁波に減衰だけを与え、Ｃ−Ｂ間の領域
では従来と同じであるが、すてにＡ−０間で十分減衰さ
れているのでＡ点から見た高周波減衰器の反射係数には
ほとんど影曽しない。
よって、本発明による高周波減衰器は、Ａ−０間、Ｃ−
Ｂ間の電磁波減衰物質の形成量のコントロールをそれほ
ど必要とすることなく良好な反射特性を得ることができ
る。
Ｂ間の電磁波減衰物質の形成量のコントロールをそれほ
ど必要とすることなく良好な反射特性を得ることができ
る。
本実施例では、高周波減衰器の全体で、へりツクス１上
に高周波減衰物質を形成したが、第３図においてＡ−０
間のヘリックスにだけ形成させても同じ効果がある。
に高周波減衰物質を形成したが、第３図においてＡ−０
間のヘリックスにだけ形成させても同じ効果がある。
第１図鉱従来の高周波減衰器の断面図を示し、第２図は
高周波減衰器の勢価回路そデル、第３図は本発明による
高周波減衰器の断面図を示す。 ｌ・・・・・・ヘリックス、２・・・・・・誘電体権、
３・・・・・・電磁波減衰物質・、４・・・・・・金属
円筒。 中曇堝山妃荻−？瞥
高周波減衰器の勢価回路そデル、第３図は本発明による
高周波減衰器の断面図を示す。 ｌ・・・・・・ヘリックス、２・・・・・・誘電体権、
３・・・・・・電磁波減衰物質・、４・・・・・・金属
円筒。 中曇堝山妃荻−？瞥
Claims (1)
- ヘリックスと複数本の誘電体棒によって前記へリックス
と同軸的に保持される金属円筒とを有し、かつ軸方向に
は、１個または複数個の高周波減衰器によって、７複数
個の遅延回路に高周波的に分割されているヘリックス形
遅波回路において、高周波減衰器を、誘電体棒円周面と
へリックス表面の１部または全面に電磁波減衰物質また
は高抵抗金属の薄膜を形成させたことによシ構成したヘ
リックス形遅波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18184781A JPS5885251A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | ヘリツクス型遅波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18184781A JPS5885251A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | ヘリツクス型遅波回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885251A true JPS5885251A (ja) | 1983-05-21 |
| JPS6363103B2 JPS6363103B2 (ja) | 1988-12-06 |
Family
ID=16107854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18184781A Granted JPS5885251A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | ヘリツクス型遅波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885251A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485639U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 | ||
| US9196448B2 (en) | 2013-03-29 | 2015-11-24 | Nec Network And Sensor Systems, Ltd. | Electron tube |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP18184781A patent/JPS5885251A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485639U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 | ||
| US9196448B2 (en) | 2013-03-29 | 2015-11-24 | Nec Network And Sensor Systems, Ltd. | Electron tube |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6363103B2 (ja) | 1988-12-06 |
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