JPS5885536A - 半導体装置の絶縁膜形成方法 - Google Patents
半導体装置の絶縁膜形成方法Info
- Publication number
- JPS5885536A JPS5885536A JP56184696A JP18469681A JPS5885536A JP S5885536 A JPS5885536 A JP S5885536A JP 56184696 A JP56184696 A JP 56184696A JP 18469681 A JP18469681 A JP 18469681A JP S5885536 A JPS5885536 A JP S5885536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- semiconductor device
- film
- laser beam
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子又は集積回路において、その特性を
改善するため、装置構成膜として堆積形成された絶縁膜
を適当な雰囲気中で加熱する際に、半導体素子への熱的
影響の小さい絶縁膜を作製する技術に関するものである
。
改善するため、装置構成膜として堆積形成された絶縁膜
を適当な雰囲気中で加熱する際に、半導体素子への熱的
影響の小さい絶縁膜を作製する技術に関するものである
。
最近、集積回路素子のより一層の高密度化を企図して、
基板上に層設される半導体層に回路素子機能を形成する
とともに絶縁層を介してこの半導体層を多層に積層した
構造の積層集積回路素子が開発されている。この構造に
於いては半導体層の下地層となり半導体層間を絶縁分離
する絶縁層は膜厚、組成等が均一で、孔、クラック等の
ない平滑な膜であることが要求される。この絶縁膜とし
ては５ｉ０２等の金属酸化膜が広く用いられ、層間分離
用のみならず、集積回路素子全体に被覆される保護膜と
しても利用される。絶縁膜の形成に際し、熱酸化により
形成された酸化膜に比較してＣＶＤ法、蒸着法で堆積さ
れた酸化膜は密度が小さく、微小孔やクラック等が発生
し易く、膜特性は一般的に劣っている。堆積酸化膜の膜
特性を向上させる手段として、水蒸気中で８００℃近傍
に加熱する熱処理主右右古が知られているが、しかしな
がら集積回路装置としてオーム性接触及び配線を施行し
た後ではこのような高温に加熱すること本発明、は上述
の現状に鑑み、技術的手段を駆使することにより集積回
路等に用いられる絶縁膜の問題点を解消し、特性を改善
した新規有用な半導体装置の絶縁膜形成方法を提供する
ことを目的とするものである。
基板上に層設される半導体層に回路素子機能を形成する
とともに絶縁層を介してこの半導体層を多層に積層した
構造の積層集積回路素子が開発されている。この構造に
於いては半導体層の下地層となり半導体層間を絶縁分離
する絶縁層は膜厚、組成等が均一で、孔、クラック等の
ない平滑な膜であることが要求される。この絶縁膜とし
ては５ｉ０２等の金属酸化膜が広く用いられ、層間分離
用のみならず、集積回路素子全体に被覆される保護膜と
しても利用される。絶縁膜の形成に際し、熱酸化により
形成された酸化膜に比較してＣＶＤ法、蒸着法で堆積さ
れた酸化膜は密度が小さく、微小孔やクラック等が発生
し易く、膜特性は一般的に劣っている。堆積酸化膜の膜
特性を向上させる手段として、水蒸気中で８００℃近傍
に加熱する熱処理主右右古が知られているが、しかしな
がら集積回路装置としてオーム性接触及び配線を施行し
た後ではこのような高温に加熱すること本発明、は上述
の現状に鑑み、技術的手段を駆使することにより集積回
路等に用いられる絶縁膜の問題点を解消し、特性を改善
した新規有用な半導体装置の絶縁膜形成方法を提供する
ことを目的とするものである。
以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
する。
第１図及び第２図は本発明の１実施例を説明する半導体
装置の保護絶縁膜熱処理方法の説明図である。
装置の保護絶縁膜熱処理方法の説明図である。
第１図に示す半導体装置はバイポーラ構造のものである
が本発明はこれに限定されるものではないＯ ８１基板１６上に成長されたエビタキンヤル層１５中に
バイポーラトランジスタが形成され、電極１３がこのト
ランジスタ上に固着されている。更に熱酸化膜Ｉ４及び
電極Ｎ３上にば保護絶縁膜１２がＣＶＤ法、蒸着法、ス
パッタリング法等で堆積されて、跡る。保護絶縁膜１２
としてはＳｉＯ，５ｉ０２゜ＴｉＯ２、Ｙ２０３ 、Ｔ
ａ２０５ 、Ａ１２０３ 、Ｇａ２０５等の金属酸化物
又はＳ ｉ３ Ｎ４等の窒化膜が用いられる。
が本発明はこれに限定されるものではないＯ ８１基板１６上に成長されたエビタキンヤル層１５中に
バイポーラトランジスタが形成され、電極１３がこのト
ランジスタ上に固着されている。更に熱酸化膜Ｉ４及び
電極Ｎ３上にば保護絶縁膜１２がＣＶＤ法、蒸着法、ス
パッタリング法等で堆積されて、跡る。保護絶縁膜１２
としてはＳｉＯ，５ｉ０２゜ＴｉＯ２、Ｙ２０３ 、Ｔ
ａ２０５ 、Ａ１２０３ 、Ｇａ２０５等の金属酸化物
又はＳ ｉ３ Ｎ４等の窒化膜が用いられる。
この保護絶縁膜１２をレーザ照射系１１よりｃｏ２レー
ザ等の赤外線レーザを用いて極短時間（ｎｓｅｃ〜ｍ
ｓｅｃ ）加熱する。ｃｏ２レーザの発振波長は１０６
μｍであり下地半導体層１５に対して透明で８１０２膜
を用いた場合赤外吸収ピークの近傍に相当する。
ザ等の赤外線レーザを用いて極短時間（ｎｓｅｃ〜ｍ
ｓｅｃ ）加熱する。ｃｏ２レーザの発振波長は１０６
μｍであり下地半導体層１５に対して透明で８１０２膜
を用いた場合赤外吸収ピークの近傍に相当する。
第２図はレーザ照射系の構成を示す説明図である。
レーザ発振管２１より出力されたレーザ光２２はミラー
２３、レンズ２４を介して収容室の窓２５を通過し、収
容室内に載置された第１図に示す半導体装置の保護絶縁
膜１２に照射される。照射方法は全面照射に限らず集光
ビームによる走査でも実施することができる。収容室内
は導入口２７を介してＮ２０ 、Ｎ２ 、Ｎ２．０２等
の雰囲気ガスが熱処理の目的によって選定されて導入さ
れ、導出口２８より導出される。雰囲気ガスはレーザ波
長に対して透明なものが望捷しい。またガス温度は低く
し、半導体装置２９の放熱を促進するように条件設定す
る。！、た同様の目的から収容室の壁２６は熱伝導率の
大きいＣｕ等の金属とすることが望ましい。
２３、レンズ２４を介して収容室の窓２５を通過し、収
容室内に載置された第１図に示す半導体装置の保護絶縁
膜１２に照射される。照射方法は全面照射に限らず集光
ビームによる走査でも実施することができる。収容室内
は導入口２７を介してＮ２０ 、Ｎ２ 、Ｎ２．０２等
の雰囲気ガスが熱処理の目的によって選定されて導入さ
れ、導出口２８より導出される。雰囲気ガスはレーザ波
長に対して透明なものが望捷しい。またガス温度は低く
し、半導体装置２９の放熱を促進するように条件設定す
る。！、た同様の目的から収容室の壁２６は熱伝導率の
大きいＣｕ等の金属とすることが望ましい。
レーザ光を照射することにより半導体装置の保護絶縁膜
Ｉ２は熱エネルギーが付与され、短時間に８００℃近傍
の高温に加熱されるため、これによって熱処理され、膜
の充填密度が高くなり微小孔やクラック等が消滅する。
Ｉ２は熱エネルギーが付与され、短時間に８００℃近傍
の高温に加熱されるため、これによって熱処理され、膜
の充填密度が高くなり微小孔やクラック等が消滅する。
またこの加熱処理はレーザ光照射による短時間の直接加
熱であるため、レーザ光が照射される保護絶縁膜１２の
みが加熱され、他の部位は熱による悪影響が及ばないた
め半導体装置の特性を劣化することはない。
熱であるため、レーザ光が照射される保護絶縁膜１２の
みが加熱され、他の部位は熱による悪影響が及ばないた
め半導体装置の特性を劣化することはない。
以上詳説した如く、本発明によれば半導体装置の構成膜
となる堆積絶縁膜の膜特性を半導体装置に悪影響を与え
ることなく改善することができ、信頼性の高い半導体装
置を得ることができる。
となる堆積絶縁膜の膜特性を半導体装置に悪影響を与え
ることなく改善することができ、信頼性の高い半導体装
置を得ることができる。
第１図及び第２図、′Ｉ′ｉ本発明の１実施例を説明す
る半導体装置の保護絶縁膜熱処理方法の説明図である。 １１・・レーザ照射系、１２・・・保護絶縁膜、１３・
・・電極、２１・・・発振管、２９・・半導体装置。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦
る半導体装置の保護絶縁膜熱処理方法の説明図である。 １１・・レーザ照射系、１２・・・保護絶縁膜、１３・
・・電極、２１・・・発振管、２９・・半導体装置。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子の構成膜となる堆積絶縁膜を層設した後
レーザビームを照射して短時間加熱により熱処理するこ
とを特徴とする半導体装置の絶縁膜形成方法。 ２ 下地半導体層に対して透明でかつ絶縁膜に対し吸収
係数の大きい波長のレーザビームを用いる特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置の絶縁膜形成方法。 ３ 低温に設定されたガス雰囲気中で熱処理する特許請
求の範囲第１項記載の半導体装置の絶縁膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184696A JPS5885536A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 半導体装置の絶縁膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184696A JPS5885536A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 半導体装置の絶縁膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885536A true JPS5885536A (ja) | 1983-05-21 |
Family
ID=16157772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56184696A Pending JPS5885536A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 半導体装置の絶縁膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885536A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02515A (ja) * | 1987-12-02 | 1990-01-05 | Canon Inc | インクジェットヘッド及び該ヘッド用基体並びにそれらの製造方法と該ヘッドを具備するイングジェット装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5526619A (en) * | 1978-08-15 | 1980-02-26 | Toshiba Corp | Method of producing semiconductor device |
-
1981
- 1981-11-17 JP JP56184696A patent/JPS5885536A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5526619A (en) * | 1978-08-15 | 1980-02-26 | Toshiba Corp | Method of producing semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02515A (ja) * | 1987-12-02 | 1990-01-05 | Canon Inc | インクジェットヘッド及び該ヘッド用基体並びにそれらの製造方法と該ヘッドを具備するイングジェット装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200949941A (en) | Method for curing a porous low dielectric constant dielectric film | |
| US20070272863A1 (en) | Infrared sensor manufacturing method suitable for mass production | |
| US4549064A (en) | Laser treatment of silicon nitride | |
| JPS5885536A (ja) | 半導体装置の絶縁膜形成方法 | |
| JPH0511655B2 (ja) | ||
| JPS6235571A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61116820A (ja) | 半導体のアニ−ル方法 | |
| JPS61145819A (ja) | 半導体薄膜の熱処理方法 | |
| JP2545777B2 (ja) | 絶縁物層の界面改質方法 | |
| JP4672319B2 (ja) | 有機半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS5852473A (ja) | 金属材料の表面処理法 | |
| JPS61226916A (ja) | 多結晶またはアモルファスの半導体材料を単結晶半導体材料に転化する方法 | |
| JPS59208065A (ja) | レ−ザ金属堆積方法 | |
| JPS6313339B2 (ja) | ||
| JPH10135148A5 (ja) | ||
| JPS62222073A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS5852330B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5979531A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS58197827A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60211843A (ja) | 絶縁膜パタ−ンの形成方法 | |
| JPS60234343A (ja) | 膜形成装置 | |
| JPS6054277B2 (ja) | 非単結晶半導体層の単結晶化方法 | |
| JPS57103333A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5835917A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62136044A (ja) | 三次元集積回路の製造方法 |