JPS588593B2 - ネツデンソシ - Google Patents
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- JPS588593B2 JPS588593B2 JP50085575A JP8557575A JPS588593B2 JP S588593 B2 JPS588593 B2 JP S588593B2 JP 50085575 A JP50085575 A JP 50085575A JP 8557575 A JP8557575 A JP 8557575A JP S588593 B2 JPS588593 B2 JP S588593B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は良好なる熱電能、電気伝導度を具え酸化雰囲気
中において１，５００℃まで安定した性能を示し得る熱
電素子に関する。
中において１，５００℃まで安定した性能を示し得る熱
電素子に関する。
従来使用されている熱電素子にはＰｂＴｅ，ＧｅＴｅ，
Ｂｉ２Ｔｅ３，Ｓｂ２Ｔｅ３，Ｂｉ２Ｓｅ，ＡｇＳｂＴ
ｅ２等の合金を用いるものがあるが、これらを熱電発電
に使用する場合、最高使用温度は１，０００℃に至らず
、しかもこれらの素子は高温度においての経時変化があ
るので、実際に使用される最高温度は５００℃程度にす
ぎない。
Ｂｉ２Ｔｅ３，Ｓｂ２Ｔｅ３，Ｂｉ２Ｓｅ，ＡｇＳｂＴ
ｅ２等の合金を用いるものがあるが、これらを熱電発電
に使用する場合、最高使用温度は１，０００℃に至らず
、しかもこれらの素子は高温度においての経時変化があ
るので、実際に使用される最高温度は５００℃程度にす
ぎない。
一般に、熱電発電効率ηは次式によって表わされる。
ここに、Ｔｈは高温側絶対温度、
Ｔｃは低温側絶対温度、
ｍ＝Ｒ／ｒでＲは外部抵抗、
ｒは熱電素子の内部抵抗、
Ｚ＝σα２／Ｋは性能指数を表わし、σは導電率、αは
熱電能、Ｋは熱伝導率。
熱電能、Ｋは熱伝導率。
（１）式によれば、熱電発電効率ηを高めるには当然Ｔ
ｈの値が大きいことが必要である。
ｈの値が大きいことが必要である。
しかしながら、従来の熱電素子は前述したように、５０
０℃以上では使用できないので高温側温度を高めること
はできず、従って熱電発電効率ηを上げることは不可能
であった。
０℃以上では使用できないので高温側温度を高めること
はできず、従って熱電発電効率ηを上げることは不可能
であった。
本発明は上記の従来素子の欠点を解決し、良好なる熱電
能、電気伝導度を具え酸化雰囲気中において１，５００
℃まで安定した性能を示し得る熱電素子を提供すべく開
発されたもので、その要旨とするところは、タングステ
ン、モリブデン、ニオブおよびバナジウムからなる群の
中から選ばれた一種を、タングステンまたはモリブデン
についでは金属の形で０．１〜５モル％、またニオブま
たはバナジウムについては五酸化ニオブまたは五酸化バ
ナジウムの形で０．１〜１０モル％を含む二酸化セリウ
ムの圧粉体を真空または中性雰囲気にで焼成しで得られ
る焼結体よりなることを特徴とするＮ型熱電素子、にあ
る。
能、電気伝導度を具え酸化雰囲気中において１，５００
℃まで安定した性能を示し得る熱電素子を提供すべく開
発されたもので、その要旨とするところは、タングステ
ン、モリブデン、ニオブおよびバナジウムからなる群の
中から選ばれた一種を、タングステンまたはモリブデン
についでは金属の形で０．１〜５モル％、またニオブま
たはバナジウムについては五酸化ニオブまたは五酸化バ
ナジウムの形で０．１〜１０モル％を含む二酸化セリウ
ムの圧粉体を真空または中性雰囲気にで焼成しで得られ
る焼結体よりなることを特徴とするＮ型熱電素子、にあ
る。
本発明においでは、前記タングステンを金属の形で０．
１〜５モル％含む酸化セリウムの圧粉体がさらに二オブ
またはバナジウムを五酸化ニオブまたは五酸化バナジウ
ムの形でそれぞれ０．１〜１０モル％含むことも可能で
あり、また前記モリブデンを金属の形で０．１〜５モル
％含む二酸化セリウムの圧粉体がさらにニオブまたはバ
ナジウムを五酸化ニオブまたは五酸化バナジウムの形で
それぞれ０．１〜１０モル％含むことも可能である。
１〜５モル％含む酸化セリウムの圧粉体がさらに二オブ
またはバナジウムを五酸化ニオブまたは五酸化バナジウ
ムの形でそれぞれ０．１〜１０モル％含むことも可能で
あり、また前記モリブデンを金属の形で０．１〜５モル
％含む二酸化セリウムの圧粉体がさらにニオブまたはバ
ナジウムを五酸化ニオブまたは五酸化バナジウムの形で
それぞれ０．１〜１０モル％含むことも可能である。
本発明では、このような二酸化セリウムの圧粉体を真空
または中性雰囲気で焼成して焼結体とするのであるが、
上記圧粉体をつくるときの成型圧は５００〜１，２００
Ｋｇ／ｃｍ２の範囲が好ましく、また該圧粉体の焼成温
度は１，３００〜１，５００℃の範囲が好適である。
または中性雰囲気で焼成して焼結体とするのであるが、
上記圧粉体をつくるときの成型圧は５００〜１，２００
Ｋｇ／ｃｍ２の範囲が好ましく、また該圧粉体の焼成温
度は１，３００〜１，５００℃の範囲が好適である。
このようにしで得られた焼結体からなる本発明の素子は
金属酸化物を主体とし、タングステンまたはモリブデン
を金属の形で含む場合でもこれらタングステンまたはモ
リブデンは焼成によって安定な固溶形態を形成するので
、酸化雰囲気１，５ ０ ０℃においでも安定した性能
を示し、しかも熱電能αが５００μＶ／°Ｋと従来素子
よりはるかに高くかつ１，５００℃における性能指数Ｚ
が０．４ないし０．５×１０−４°Ｋ−１のすぐれたＮ
型熱電素子である。
金属酸化物を主体とし、タングステンまたはモリブデン
を金属の形で含む場合でもこれらタングステンまたはモ
リブデンは焼成によって安定な固溶形態を形成するので
、酸化雰囲気１，５ ０ ０℃においでも安定した性能
を示し、しかも熱電能αが５００μＶ／°Ｋと従来素子
よりはるかに高くかつ１，５００℃における性能指数Ｚ
が０．４ないし０．５×１０−４°Ｋ−１のすぐれたＮ
型熱電素子である。
本発明の二酸化セリウムの圧粉体中のタングステンまた
はモリブデンの含有量は金属の形で０．１〜５モル％の
範囲であることを必要とし、該含有量が０．１モル％以
下または５モル％以上ではそれぞれ性能指数が低下する
。
はモリブデンの含有量は金属の形で０．１〜５モル％の
範囲であることを必要とし、該含有量が０．１モル％以
下または５モル％以上ではそれぞれ性能指数が低下する
。
また、ニオブまたはバナジウムの含有量は五酸化ニオブ
または五酸化バナジウムの形で０．１〜１０モル％の範
囲であることを必要とし、該含有量が０．１モル％以下
または１０モル％以上の場合は同じく性能指数の低下を
もたらす。
または五酸化バナジウムの形で０．１〜１０モル％の範
囲であることを必要とし、該含有量が０．１モル％以下
または１０モル％以上の場合は同じく性能指数の低下を
もたらす。
本発明の素子は原料として単価の安い二酸化セリウムを
主体とするため、原料単価の高い従来素子に比べて安価
であり、しかも簡単に製造できるのでコスト的にきわめ
て有利である。
主体とするため、原料単価の高い従来素子に比べて安価
であり、しかも簡単に製造できるのでコスト的にきわめ
て有利である。
本発明の素子は、上記の特性によって、適当なＰ型熱電
素子と組み合わせることによって高効率の熱電発電を可
能ならしめるものである。
素子と組み合わせることによって高効率の熱電発電を可
能ならしめるものである。
本発明は以上のごとく、熱電能が５００μＶ／°Ｋと従
来素子に比べてはるかに高く、かつ良好な電気伝導度を
有し、しかも酸化雰囲気中においても１，５００℃まで
安定した性能を示すきわめて安価な熱電素子を提供する
もので、その工業的価値はきわめて大きい。
来素子に比べてはるかに高く、かつ良好な電気伝導度を
有し、しかも酸化雰囲気中においても１，５００℃まで
安定した性能を示すきわめて安価な熱電素子を提供する
もので、その工業的価値はきわめて大きい。
次に、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本
発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。
発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。
実施例 １
二酸化セリウムに金属タングステンを粉末の形で第１表
のように配合し、ポットミルで充分混合し、１，０００
ｋｇ／ｃｍ２で加圧成型して圧粉体とし、この圧粉体を
アルゴンガス雰囲気中で１，４００℃で３時間焼成して
焼結体を得た。
のように配合し、ポットミルで充分混合し、１，０００
ｋｇ／ｃｍ２で加圧成型して圧粉体とし、この圧粉体を
アルゴンガス雰囲気中で１，４００℃で３時間焼成して
焼結体を得た。
この焼結体の導電率σ、熱電能α、熱伝導率Ｋを空気中
で室温から１，５００℃まで常法により測定し、それら
の測定値から性能指数Ｚ＝σα２／Ｋを求めた。
で室温から１，５００℃まで常法により測定し、それら
の測定値から性能指数Ｚ＝σα２／Ｋを求めた。
各試料の１，５００℃および１，０００℃における性能
指数Ｚ１５００およびＺ１０００をそれぞれ第１表に示
す。
指数Ｚ１５００およびＺ１０００をそれぞれ第１表に示
す。
第１表はこれらの焼結体が熱電素子としてすぐれた性能
を有することを示す。
を有することを示す。
これらの焼結体を空気中において１，５００℃の温度で
１週間加熱したが、上記性能は変化せず安定であった。
１週間加熱したが、上記性能は変化せず安定であった。
実施例 ２
二酸化セリウムに金属モリブデンを粉末の形で第２表の
ように配合し、実施例１と同様に処理しで焼結体を得た
。
ように配合し、実施例１と同様に処理しで焼結体を得た
。
これらの焼結体の導電率σ、熱電能α、熱伝導率Ｋを実
施例１と同様に測定して求めた１，５００℃および１，
０００℃における性能指数Ｚ１ ５００およびＺ１００
０をそれぞれ第２表に示す。
施例１と同様に測定して求めた１，５００℃および１，
０００℃における性能指数Ｚ１ ５００およびＺ１００
０をそれぞれ第２表に示す。
第２表はこれらの焼結体が熱電素子としてすぐれた性能
を示すことを示す。
を示すことを示す。
これらの焼結体を空気中において１，５００℃の温度で
１週間加熱したが、上記性能は変化せず安定であった。
１週間加熱したが、上記性能は変化せず安定であった。
実施例 ３
二酸化セリウムに五酸化ニオブを粉末の形で第３表に示
すように配合し、実施例１き同様に処理して焼結体を得
た。
すように配合し、実施例１き同様に処理して焼結体を得
た。
これらの焼結体の導電率σ、熱電能α、熱伝導率Ｋを実
施例１と同様に測定して求めた１，５００℃および１，
０００℃における注能指数Ｚ１５００およびＺ１０００
をそれぞれ第３表に示す。
施例１と同様に測定して求めた１，５００℃および１，
０００℃における注能指数Ｚ１５００およびＺ１０００
をそれぞれ第３表に示す。
第３表はこれら焼結体が熱電素子としてすぐれた性能を
有することを示す。
有することを示す。
＊ これらの焼結体を空気中においで１，５００℃の温
度で１週間加熱したが、上記性能は不変で安定であった
。
度で１週間加熱したが、上記性能は不変で安定であった
。
実施例 ４
二酸化セリウムに五酸化バナジウムを粉末の形で第４表
に示すように配合し、実施例１と同様に処理して焼結体
を得た。
に示すように配合し、実施例１と同様に処理して焼結体
を得た。
これらの焼結体の導電率σ、熱電能α、熱伝導率Ｋを実
施例１と同様に測定して求めた１，５００℃および１，
０００℃における性能指数Ｚ１５００およびＺ １００
０をそれぞれ第４表に示す。
施例１と同様に測定して求めた１，５００℃および１，
０００℃における性能指数Ｚ１５００およびＺ １００
０をそれぞれ第４表に示す。
第４表はこれらの焼結体が熱電素子としですぐれた性能
を有することを示す。
を有することを示す。
これらの焼結体を空気中において１，５００℃の温度で
１週間加熱したが上記性能は変化せず安定であった。
１週間加熱したが上記性能は変化せず安定であった。
実施例 ５
二酸化セリウム、金属タングステン、五酸化ニオブを粉
末の形で第５表のように配合し、実施例１と同様に処理
して焼結体を得た。
末の形で第５表のように配合し、実施例１と同様に処理
して焼結体を得た。
これら焼結体の導電率σ、熱電能α、熱伝導率Ｋを実施
例１と同様に測定しで得た１，５００℃および１，００
０°Ｃにおける性能指数Ｚ１５００およびＺ１０００を
それぞれ第５表に示す。
例１と同様に測定しで得た１，５００℃および１，００
０°Ｃにおける性能指数Ｚ１５００およびＺ１０００を
それぞれ第５表に示す。
次に、第１図に五酸化ニオブを１モル％一定とし、金属
タングステンを０〜１５モル％まで変化させ、残部を二
酸化セリウムとした場合の上記焼結体の１，５００℃お
よび１，０００℃における性能指数をそれぞれ点線およ
び実線で示す。
タングステンを０〜１５モル％まで変化させ、残部を二
酸化セリウムとした場合の上記焼結体の１，５００℃お
よび１，０００℃における性能指数をそれぞれ点線およ
び実線で示す。
さらに、第２図に金属タングステンを２モル％一定とし
、五酸化ニオブを０〜１５モル％まで変化させ、残部を
二酸化セリウムとした場合の上記焼結体の１，５００℃
および１，０００℃における性能指数をそれぞれ点線お
よび実線で示す。
、五酸化ニオブを０〜１５モル％まで変化させ、残部を
二酸化セリウムとした場合の上記焼結体の１，５００℃
および１，０００℃における性能指数をそれぞれ点線お
よび実線で示す。
また、第３図に試料１３について熱電能αと温度との関
係を示す。
係を示す。
以上の第５表、第１図、第２図、第３図から、タングス
テンを金属の形で０．１〜５モル％含み、かつニオブを
五酸化ニオブの形で０．１〜１０モル係含む二酸化セリ
ウムよりなる焼結体が熱電素子としてすぐれた性能を有
することは明らかである。
テンを金属の形で０．１〜５モル％含み、かつニオブを
五酸化ニオブの形で０．１〜１０モル係含む二酸化セリ
ウムよりなる焼結体が熱電素子としてすぐれた性能を有
することは明らかである。
また、これらの焼結体を空気中において１，５００℃の
温度で１週間加熱したが、上記性能は変化せ＊ず安定で
あった。
温度で１週間加熱したが、上記性能は変化せ＊ず安定で
あった。
実施例 ６
二酸化セリウム，金属モリブデン、五酸化二オブを粉末
の形で第６表のように配合し、実施例１と同様に処理し
て焼結体を得た。
の形で第６表のように配合し、実施例１と同様に処理し
て焼結体を得た。
これらの焼結体の導電率σ、熱電能α、熱伝導率Ｋを実
施例１と同様に測定して得た１，５００°Ｃおよび１，
０００°Ｃにおける性能指数Ｚ１５００およびＺ １
０００をそれぞれ第６表に示す。
施例１と同様に測定して得た１，５００°Ｃおよび１，
０００°Ｃにおける性能指数Ｚ１５００およびＺ １
０００をそれぞれ第６表に示す。
次に、第４図に五酸化ニオブを１モル％一定とし、金属
モリブデンを０〜１５モル％まで変化させ、残部を二酸
化セリウムとした場合の焼結体の１，５００℃および１
，０００℃における性能指数をそれぞれ点線および実線
で示す。
モリブデンを０〜１５モル％まで変化させ、残部を二酸
化セリウムとした場合の焼結体の１，５００℃および１
，０００℃における性能指数をそれぞれ点線および実線
で示す。
さらに、第５図に金属モリブデンを２モル％一定とし、
五酸化ニオブを０〜１５モル％まで変化させ、残部を二
酸化セリウムとした場合の焼結体の１，５００℃および
１，０００℃における性能指数をそれぞれ点線および実
線で示す。
五酸化ニオブを０〜１５モル％まで変化させ、残部を二
酸化セリウムとした場合の焼結体の１，５００℃および
１，０００℃における性能指数をそれぞれ点線および実
線で示す。
また、第６図に試料１８についで熱電能αと温度との関
係を示す。
係を示す。
以上の第６表、第４図、第５図、第６図から、モリブデ
ンを金属の形で０．１〜５モル％含み、かつニオブを五
酸化ニオブの形で０．１〜１０モル％含む二酸化セリウ
ムよりなる焼結体が熱電素子としてすぐれた性能を有す
ることは明らかである。
ンを金属の形で０．１〜５モル％含み、かつニオブを五
酸化ニオブの形で０．１〜１０モル％含む二酸化セリウ
ムよりなる焼結体が熱電素子としてすぐれた性能を有す
ることは明らかである。
また、これらの焼結株を空気中において１，５ ００℃
の温度で１週間加熱したが、上記性能は変化せず安定で
あった。
の温度で１週間加熱したが、上記性能は変化せず安定で
あった。
実施例 ７
二酸化セリウム、金属タングステン、五酸化バナジウム
を粉末の形で第７表のように配合し、実施例１と同様に
処理して焼結体を得た。
を粉末の形で第７表のように配合し、実施例１と同様に
処理して焼結体を得た。
これらの焼結体の導電率σ、熱電能α、熱伝導率Ｋを実
施例１と同様に測定しで得た１，５００℃および１，０
００℃における性能指数Ｚ１ ５００およびＺ１０００
をそれぞれ第７表に示す。
施例１と同様に測定しで得た１，５００℃および１，０
００℃における性能指数Ｚ１ ５００およびＺ１０００
をそれぞれ第７表に示す。
次に、第７図に五酸化バナジウムを１モル％一定とし、
金属タングステンを０〜１５モル％まで変化させ、残部
を二酸化セリウムとした場合の焼結体の１，５００℃お
よび１，０００℃における性能指数をそれぞれ点線およ
び実線で示す。
金属タングステンを０〜１５モル％まで変化させ、残部
を二酸化セリウムとした場合の焼結体の１，５００℃お
よび１，０００℃における性能指数をそれぞれ点線およ
び実線で示す。
さらに、第８図に金属タングステンを２モル％一定とし
、五酸化バナジウムを０〜１５モル％まで変化させ、残
部を二酸化セリウムとした場合の焼結体の１，５００℃
および１，０００℃における性能指数をそれぞれ点線お
よび実線で示す。
、五酸化バナジウムを０〜１５モル％まで変化させ、残
部を二酸化セリウムとした場合の焼結体の１，５００℃
および１，０００℃における性能指数をそれぞれ点線お
よび実線で示す。
また、第９図に試料２３についで熱電能αと温度との関
係を示す。
係を示す。
以上の第７表、第７図、第８図および第９図はタングス
テンを金属の形で０，１〜５モル係含み、かつバナジウ
ムを五酸化バナジウムの形で０．１〜１０モル％含む二
酸化セリウムよりなる焼結体が熱電素子としてすぐれた
注能を有することを示す。
テンを金属の形で０，１〜５モル係含み、かつバナジウ
ムを五酸化バナジウムの形で０．１〜１０モル％含む二
酸化セリウムよりなる焼結体が熱電素子としてすぐれた
注能を有することを示す。
また、これらの焼結体を空気中において１，５００℃の
温度で１週間加熱したが、上記訃能は変化せ＊＊ず安定
であった。
温度で１週間加熱したが、上記訃能は変化せ＊＊ず安定
であった。
実施例 ８
二酸化セリウム、金属モリブデン、五酸化バナジウムを
粉末の形で第８表のように配合し、実施例１と同様に処
理して焼結体を得た。
粉末の形で第８表のように配合し、実施例１と同様に処
理して焼結体を得た。
これらの焼結体の導電率σ、熱電能α、熱伝導率Ｋを実
施例１と同様に測定しで得た１，５００℃および１，０
００℃における性能指数Ｚ１５００およびＺ１０００を
それぞれ第８表に示す。
施例１と同様に測定しで得た１，５００℃および１，０
００℃における性能指数Ｚ１５００およびＺ１０００を
それぞれ第８表に示す。
次に、第１０図に五酸化バナジウムを１モル％一定とし
、金属モリブデンを０〜１５モル％まで変化し、残部を
二酸化セリウムとした場合の焼結体の１，５００℃およ
び１，０００℃における性能指数をそれぞれ点線および
実線で示す。
、金属モリブデンを０〜１５モル％まで変化し、残部を
二酸化セリウムとした場合の焼結体の１，５００℃およ
び１，０００℃における性能指数をそれぞれ点線および
実線で示す。
さらに、第１１図に金属モリブデンを２モル％一定とし
、五酸化バナジウムを０〜１５モル％まで変化させ、残
部を二酸化セリウムとした場合の上記焼結体の１，５０
０℃および１，０００℃における性能指数をそれぞれ点
線および実線で示す。
、五酸化バナジウムを０〜１５モル％まで変化させ、残
部を二酸化セリウムとした場合の上記焼結体の１，５０
０℃および１，０００℃における性能指数をそれぞれ点
線および実線で示す。
また、第１２図に試料２８について熱電能αと温度との
関係を示す。
関係を示す。
以上の第８表、第１０図、第１１図および第１２図はモ
リブデンを金属の形で０．１〜５モル％含み、かつバナ
ジウムを五酸化バナジウムの形で０．１〜１０モル％含
む二酸化セリウムよりなる焼結体が熱電素子としてすぐ
れた性能を有することを示す。
リブデンを金属の形で０．１〜５モル％含み、かつバナ
ジウムを五酸化バナジウムの形で０．１〜１０モル％含
む二酸化セリウムよりなる焼結体が熱電素子としてすぐ
れた性能を有することを示す。
また、これらの焼結体を空気中において１、５００℃の
温度で１週間加熱したが、上記性能は変化せず安定であ
った。
温度で１週間加熱したが、上記性能は変化せず安定であ
った。
第１図は五酸化ニオブを１モル％一定とし、金属タング
ステンを０〜１５モル％まで変化させ、残部を二酸化セ
リウムとした場合の圧粉体の焼成によって得られた焼結
体の１，５００℃および１，０００℃における金属タン
グステンのモル％と性能指数との関係図、第２図は金属
タングステンを２モル％一定とし、五酸化ニオブを０〜
１５モル％まで変化させ、残部を二酸化セリウムとした
場合の圧粉体の焼成によって得られた焼結体の１，５０
０℃および１，０００℃における五酸化ニオブのモル％
と性能指数との関係図、第３図は実施例５の試料１３の
温度と熱電能αとの関係図、第４図は五酸化ニオブを１
モル％一定とし、金属モリブデンを０〜１５モル％まで
変化させ、残部を二酸化セリウムとした場合の圧粉体の
焼成焼結体の１，５００℃および１，０００℃における
金属モリブデンのモル係と性能指数との関係図、第５図
は金属モリブデンを２モル係一定とし、五酸化二オブを
０〜１５モル％まで変化させ、残部を二酸化セリウムと
した場合の圧粉体の焼成によって得られた焼結体の１，
５００℃およびｉ，ｏｏｏ゜Ｃにおける五酸化ニオブの
モル係と性能指数との関係図、第６図は実施例６の試料
１８の温度と熱電能αとの関係図、第７図は五酸化バナ
ジウムを１モル％一定とし、金属タングステンを０〜１
５モル％まで変化させ、残部を二酸化セリウムとした場
合の圧粉体の焼成によって得られた焼結体の１，５００
℃および１，０００℃における金属タングステンのモル
％と性能指数との関係図、第８図は金属タングステンを
２モル％一定とし、五酸化バナジウムを０〜１５モル％
まで変化させ、残部を二酸化セリウムとした場合の圧粉
体の焼成によって得られた焼結体の１，５００°Ｃおよ
び１，０００℃における五酸化バナジウムのモル％と性
能指数との関係図、第９図は実施例７の試料２３の温度
と熱電能αとの関係図、第１０図は五酸化バナジウムを
１モル％一定とし，金属モリブデンを０〜１５モル％ま
で変化し、残部を二酸化セリウムとした場合の圧粉体の
焼成によって得られた焼結体の１，５００℃および１，
０００℃における金属モリブデンのモル％と性能指数と
の関係図、第１１図は金属モリブデンを２モル％一定と
し、五酸化バナジウムを０〜１５モル％まで変化させ、
残部を二酸化セリウムとした場合の圧粉体の焼成によっ
て得られた焼結体の１，５００℃および１，０００℃に
おける五酸化バナジウムのモル％と性能指数との関係図
、第１２図は実施例８の試料２８の温度と熱電能αとの
関係図である。
ステンを０〜１５モル％まで変化させ、残部を二酸化セ
リウムとした場合の圧粉体の焼成によって得られた焼結
体の１，５００℃および１，０００℃における金属タン
グステンのモル％と性能指数との関係図、第２図は金属
タングステンを２モル％一定とし、五酸化ニオブを０〜
１５モル％まで変化させ、残部を二酸化セリウムとした
場合の圧粉体の焼成によって得られた焼結体の１，５０
０℃および１，０００℃における五酸化ニオブのモル％
と性能指数との関係図、第３図は実施例５の試料１３の
温度と熱電能αとの関係図、第４図は五酸化ニオブを１
モル％一定とし、金属モリブデンを０〜１５モル％まで
変化させ、残部を二酸化セリウムとした場合の圧粉体の
焼成焼結体の１，５００℃および１，０００℃における
金属モリブデンのモル係と性能指数との関係図、第５図
は金属モリブデンを２モル係一定とし、五酸化二オブを
０〜１５モル％まで変化させ、残部を二酸化セリウムと
した場合の圧粉体の焼成によって得られた焼結体の１，
５００℃およびｉ，ｏｏｏ゜Ｃにおける五酸化ニオブの
モル係と性能指数との関係図、第６図は実施例６の試料
１８の温度と熱電能αとの関係図、第７図は五酸化バナ
ジウムを１モル％一定とし、金属タングステンを０〜１
５モル％まで変化させ、残部を二酸化セリウムとした場
合の圧粉体の焼成によって得られた焼結体の１，５００
℃および１，０００℃における金属タングステンのモル
％と性能指数との関係図、第８図は金属タングステンを
２モル％一定とし、五酸化バナジウムを０〜１５モル％
まで変化させ、残部を二酸化セリウムとした場合の圧粉
体の焼成によって得られた焼結体の１，５００°Ｃおよ
び１，０００℃における五酸化バナジウムのモル％と性
能指数との関係図、第９図は実施例７の試料２３の温度
と熱電能αとの関係図、第１０図は五酸化バナジウムを
１モル％一定とし，金属モリブデンを０〜１５モル％ま
で変化し、残部を二酸化セリウムとした場合の圧粉体の
焼成によって得られた焼結体の１，５００℃および１，
０００℃における金属モリブデンのモル％と性能指数と
の関係図、第１１図は金属モリブデンを２モル％一定と
し、五酸化バナジウムを０〜１５モル％まで変化させ、
残部を二酸化セリウムとした場合の圧粉体の焼成によっ
て得られた焼結体の１，５００℃および１，０００℃に
おける五酸化バナジウムのモル％と性能指数との関係図
、第１２図は実施例８の試料２８の温度と熱電能αとの
関係図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ タングステン、モリブデン、ニオブおよびバナジウ
ムからなる群の中から選ばれた一種を、タングステンま
たはモリブデンについては金属の形で０．１〜５モル％
、またニオブまたはバナジウムについては五酸化ニオブ
または五酸化バナジウムの形で０．１〜１０モル％を含
む二酸化セリウムの圧粉体を真空または中性雰囲気にて
焼成して得られる焼結体よりなることを特徴とするＮ型
熱電素子。 ２ 前記タングステンを金属の形で０．１〜５モル％含
む二酸化セリウムの圧粉体がさらにニオブまたはバナジ
ウムを五酸化ニオブまたは五酸化バナジウムの形でそれ
ぞれ０．１〜１０モル％含む特許請求の範囲１に記載の
Ｎ型熱電素子。 ３ 前記モリブデンを金属の形で０．１〜５モル％含む
二酸化セリウムの圧粉体がさらにニオブまたはバナジウ
ムを五酸化ニオブまたは五酸化バナジウムの形でそれぞ
れ０．１〜１０モル％含む特許請求の範囲１に記載のＮ
型熱電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50085575A JPS588593B2 (ja) | 1975-07-12 | 1975-07-12 | ネツデンソシ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50085575A JPS588593B2 (ja) | 1975-07-12 | 1975-07-12 | ネツデンソシ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS529385A JPS529385A (en) | 1977-01-24 |
| JPS588593B2 true JPS588593B2 (ja) | 1983-02-16 |
Family
ID=13862601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50085575A Expired JPS588593B2 (ja) | 1975-07-12 | 1975-07-12 | ネツデンソシ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588593B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227778A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 熱電素子の製造方法 |
-
1975
- 1975-07-12 JP JP50085575A patent/JPS588593B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS529385A (en) | 1977-01-24 |
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