JPS5885988A - 磁気バブル転送回路 - Google Patents
磁気バブル転送回路Info
- Publication number
- JPS5885988A JPS5885988A JP56182272A JP18227281A JPS5885988A JP S5885988 A JPS5885988 A JP S5885988A JP 56182272 A JP56182272 A JP 56182272A JP 18227281 A JP18227281 A JP 18227281A JP S5885988 A JPS5885988 A JP S5885988A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- magnetic bubble
- gap
- transfer circuit
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は磁気バブル転送回路に係わるものであ）、特に
磁気バブルの耘送方肉を変えるコーナ部転送回路に関す
るものである。 一般に磁気バブル転送回路として、バー！ロイ駆動方式
の回路が−良く用いられている。これは磁気バブルを形
成する磁性薄膜上にパーｉロイ薄調からなる微細パター
ンを形成し、これらのパターン面内で回転する外部回転
磁界で磁化することによル、−気パプルを転送する方式
であ〕、本発明による転送回路もこの方式に関するもの
である。 磁気バブルメモリ素子を構成する磁気バブル転送回路に
社各穏のパターンが用いられている。第１図は直線転送
回路の例を示す図であ〕、同図（ａ）Ｆ１基本Ａターン
１に非対称シェブロンパターンを用いた例、同図−】は
基本パターン１にｍ−７ディスクパターンを用いた例、
同図
磁気バブルの耘送方肉を変えるコーナ部転送回路に関す
るものである。 一般に磁気バブル転送回路として、バー！ロイ駆動方式
の回路が−良く用いられている。これは磁気バブルを形
成する磁性薄膜上にパーｉロイ薄調からなる微細パター
ンを形成し、これらのパターン面内で回転する外部回転
磁界で磁化することによル、−気パプルを転送する方式
であ〕、本発明による転送回路もこの方式に関するもの
である。 磁気バブルメモリ素子を構成する磁気バブル転送回路に
社各穏のパターンが用いられている。第１図は直線転送
回路の例を示す図であ〕、同図（ａ）Ｆ１基本Ａターン
１に非対称シェブロンパターンを用いた例、同図−】は
基本パターン１にｍ−７ディスクパターンを用いた例、
同図
【ｃ】は基本パターン１にＣ形パターンを用いた例
である。これらの図において、ｔは隣接配置された基本
パターン１相互間の最小パターン間ギャップ、Ｗは基本
パターン１の最小パターン寸法（＠）である。これらの
基本パターン１においては、従来ではｔ−Ｗｌすなわち
Ｗ／ｆ＝１．ｏＯものが用いられていた。 また、第２図はコーナ部の磁気バブル転送回路の例を示
したものである。同図−】、―】は９０コ一ナ回路の一
例を示す図、同図（ｅ）は１８０コ一ナ回路の一例を示
す図である。これらの図にシいても、１１ｗＪと同様に
最小パターン間ギャップｔ、最小／（／−ン寸法Ｗとし
て従来パターンの鳩脅、ｖｉ７ｔロ１．０のものが用い
られていた。 ところが、辺部、−気バプルメモリ菓子の高集積度化、
高！ＩＩ’化が畳求嘔れ、これに伴なって磁気バブル転
送回路も高集積縦比、高密度化したものが用いられるよ
うになった。この結果、第１図に示すように基本パター
ン１の周期をλとすると、このλが従来では１２〜１６
μｍであったものが、最近では６〜８μ鴨程１１に微小
化してｉる。そして、上記基本パターン１のパターン間
ギャップｔ。 パターン寸法Ｗとして、ホトリソグラフィー技術の限界
である約１−０４＊以下のパターンが用いられるように
な）、今後さらにこれらのパターンが微小化される傾向
にある。 このようにパターンが微小化されると、パターン作製プ
ロセスのわずかな偏差（バラツキ）で実際の出来上シの
パターンが大きく変形するという問題が生じてきた。特
ＫＩＩ２Ｅ（旬、伽〕に示す９０コ一ナ回路パターンの
９０コ一ナ部分で大きく変形した。第３図はこの９０：
ｆｆ−す部におけるパターン変形の従来例を示し喪もの
であｐ１同Ｅ（＠）ａの一例である。これらＯＥにおい
て、実−で示すｊＥ＊なパターン１ａに対して点−で示
したような変形したパターン１ｂが形成される。これら
はいずれも最小パターン寸法ｗｔ有する基本パターン１
の脚Ｓが大−に変形している。この結果、同図（す、
（ｂ）に示すようにａｌｌ接する基本パターン１相１間
の最小パターン関ギャップＣ″Ｃ″示す実質的なギャッ
プが大ｌｉｄ拡大洛れ、このギャップの発生によシ、−
気パプル転送譬ｔ！！が大＠に低下するとｉう欠点が生
じていた。 したがって本発明紘、上述しに従来の磁気バブル転送回
路の：２−ｔｓＯ間組点を解消し、パターンが微小化し
ても作製プロセスＯ偏ｌ！！（バラツキ）に対して安定
かつパターン変形の起重にくい発気バブル転送回路な提
供することを目的としている。 このような目的を達成するために本発明による磁気パズ
ル転送回路は、コーナ回路部において、９０ギャップｓ
ｔ−形成する磁気バブル送ρ匈パターンと受は入れ側パ
ターンＯうち、少なくとも受は入れ側パターン寸法’ｉ
Ｗ、最小パターン間ギャップをｔとしたと亀、Ｗｉｔ−
１，２と、受は入れ側パターン寸法を大暑くした点に特
徴がある。 このように構成することによって、磁気バブル受は入れ
側パターンの変形が起多にくくなル、実質的なギャップ
の広がｐｔ小さく抑えることができる。 以下本発明の詳細な説明する。 まず、本発明による磁気バブル転送回路ｔａ明する前に
本晃＠Ｏ’ＪＭ解會容易にするためにコーナ回路部にお
ける１本パターン寸法（ＩＩＩ）Ｗと最小パターン間ギ
ャップｔとの関係についてさらに詳細に説明する。 従来、磁気バブル転送（ロ）路において、パターン作製
プロセスの偏ｍｌ（バラツキ）に対して不安定でかつパ
ターン変形が大きく発生する部分は、第３図（１） 、
（ｂ）に例示しえよｊＫｌ＆気バブルの転送方向ｔ−
変える９０コ一ナ部でありた。これらの部分は、第４１
！３に１１部拡大平面図で示すようなパターン形状ｔ−
肩して−る。このようなＩＩ分′ｔ９０ギャップ部分と
呼ぶことにする。この９０ギャップ部分社、互いにＩ［
ヌするパー状（棒状）パターン木片１’ 、 １’から
形ｘされている。そして、パー状パターン木片１′の中
心１ＩＩａ −ａ’は９０′ギ’ｒツブｔｅａＯ中心細
ｈ −ｈ’と平行であシ、こ０９０ギヤツプｆｓｏｌ（
対して中心線ｈ−ｈ″と平行に位置するパー状パターン
素片１′を鼻気バブル送り側パターンと名付ける。これ
に対してパー状パターン素片１１の中心＠ｂ−ｂ’は９
０ギヤツプｆ９Ｇの中心線ｈ−ｈ’とＩ！交してｊＩＰ
ｊｌ、９０ギヤツプｔｅａに対してこのように中心＠ｈ
−ｈ’とａｌｌ［に位置するバー状パグーン票片ｉ’ｔ
ａ気バブル受は入れ匈パターンと称することにする。と
ころで、これらのパターン木片１’ 、 １’のパター
ン寸法（暢）ｔそれぞれＷ１′。 Ｗｚ’とすると、従来パターンの場合、″前述したよ５
にｔ■Ｗ１’ｍＷｚ’であった。そして、第３図（す。 −〕てｌＩ！明したように受は入れ側パターンであるＩ
（−状パターン素片１′が作製プロセスの１ｉｕｉによ
９点−で示すようにパターン木片１１ｂのように涙形し
て９０ギヤツプｆ９０が実質的に拡大して碑気パプル転
送＊＊を低下１せる問題となっていた。 すなわち、従来ＯＡ−−ンの問題は磁気−プル受は入れ
側パターンのｇＲ形にあったと考えられる。 したがって、従来パターンの間慝は受は入れ儒バー状パ
グーン累片１′の変形を小さくすることにより対策で亀
る。そして、この素片ＩＩｏ姫パターン変形対策として
Ｗ＊’／ｌｅａ □値にＭ目してＷｌ’／ｌｓｏの値を
変え穴☆穏の転送回路を試作し、パターン変ｙ＃に伴な
う特性変動範囲を評価した。この結果を鶴５ｇに示す。 同図は横軸に’Ｗ１１／１ｇ６０設計値、縦軸に転送４
Ｉ性をそれぞれとｐ１プロセスの偏差による％性変動を
求めた結果である。この場合、％Ｉｔ！Ａ質動の饅表示
の意味は、出来上りのパターンが設計値通ルＯ場合の転
送４Ｉ性！１００うとして規格化している。この結果か
ら明らかなようにＷｌ’／ｆ９０を１・２以上とすると
、転送％性の低下が少なく、プロセス偏１１に対するパ
ターン変形を少なくすることがで龜ることがわかりえ。 したがって木兄１１による磁気バブル転送回路は、Ｗｌ
’／ｆ９Ｇの値ｔ１４以上に構成する％０である。 １．０であった。 以下ｌｌＩ論例を用いて詳細に説明する。 第６図は本発明による磁気バブル転送回路に係わる９０
コ一ナ回路の一例を説明するための第２Ｈ（ａ）に相幽
するｌＩｍ拡大平面図である。ｆｉ！Ｆ］Ｉｍにおいて
、基本パターン１の最小パターン寸法（＠）Ｗｌ’と最
小パターン間ギャップｔ９０とがＷｌ’、＃９０謬１・
４の関係を満たすように構ａ逼れている。すなわち、最
小パターン間ギャップｔｅａに対して最小パターン寸法
ＷＩＩか１−４倍に拡大されて形Ｉｉｔされている。 １４７１１は本発明による磁気バブル転送回路に係わる
１８０コ→回路の一力ｔｌ！明するための第２Ｈ（＠）
に＠幽する機部拡大平面図である。同図に訃いて、基本
パターン１０最小パターン寸法（＠）Ｗｌ’と最小パタ
ーン間ギャップｔｅａとがＷｌ’／１９０−１．２０関
係を満たすように形成されている。 なお、上記興ｊＨＦＩＫかいて、本発明を９０コ一ナ回
路、１８０ コーナ回路の特定のパターンに適用した
場合について説明したが、木兄ＷＡ唸これに限定される
ものではなく、＊ｏｍ＠ｏ＠気バブル転送回路に適用し
ても前述と全く同＠０効来が得られることは言うまでも
なｉｏ また、上述し九ｍ４図にシいて、受は入れ側パターン素
片ＩＩのパターン寸法ＷＩＩと同１１に送り側パターン
１′のパターン寸法Ｗｌ’ ＠大きくし良場金について
も前述と全＜ Ｐ＠４１０効果２１１！得られることは
勿−である。 以上ａ明したように木兄＠によれば、パターンが微小化
しても、作臘プロセスの偏差（バラツキ）に対して安定
かつパターン変形が発生しない高品質の磁気パズル転送
回路が得られるという極めて優れた効果を有する。
である。これらの図において、ｔは隣接配置された基本
パターン１相互間の最小パターン間ギャップ、Ｗは基本
パターン１の最小パターン寸法（＠）である。これらの
基本パターン１においては、従来ではｔ−Ｗｌすなわち
Ｗ／ｆ＝１．ｏＯものが用いられていた。 また、第２図はコーナ部の磁気バブル転送回路の例を示
したものである。同図−】、―】は９０コ一ナ回路の一
例を示す図、同図（ｅ）は１８０コ一ナ回路の一例を示
す図である。これらの図にシいても、１１ｗＪと同様に
最小パターン間ギャップｔ、最小／（／−ン寸法Ｗとし
て従来パターンの鳩脅、ｖｉ７ｔロ１．０のものが用い
られていた。 ところが、辺部、−気バプルメモリ菓子の高集積度化、
高！ＩＩ’化が畳求嘔れ、これに伴なって磁気バブル転
送回路も高集積縦比、高密度化したものが用いられるよ
うになった。この結果、第１図に示すように基本パター
ン１の周期をλとすると、このλが従来では１２〜１６
μｍであったものが、最近では６〜８μ鴨程１１に微小
化してｉる。そして、上記基本パターン１のパターン間
ギャップｔ。 パターン寸法Ｗとして、ホトリソグラフィー技術の限界
である約１−０４＊以下のパターンが用いられるように
な）、今後さらにこれらのパターンが微小化される傾向
にある。 このようにパターンが微小化されると、パターン作製プ
ロセスのわずかな偏差（バラツキ）で実際の出来上シの
パターンが大きく変形するという問題が生じてきた。特
ＫＩＩ２Ｅ（旬、伽〕に示す９０コ一ナ回路パターンの
９０コ一ナ部分で大きく変形した。第３図はこの９０：
ｆｆ−す部におけるパターン変形の従来例を示し喪もの
であｐ１同Ｅ（＠）ａの一例である。これらＯＥにおい
て、実−で示すｊＥ＊なパターン１ａに対して点−で示
したような変形したパターン１ｂが形成される。これら
はいずれも最小パターン寸法ｗｔ有する基本パターン１
の脚Ｓが大−に変形している。この結果、同図（す、
（ｂ）に示すようにａｌｌ接する基本パターン１相１間
の最小パターン関ギャップＣ″Ｃ″示す実質的なギャッ
プが大ｌｉｄ拡大洛れ、このギャップの発生によシ、−
気パプル転送譬ｔ！！が大＠に低下するとｉう欠点が生
じていた。 したがって本発明紘、上述しに従来の磁気バブル転送回
路の：２−ｔｓＯ間組点を解消し、パターンが微小化し
ても作製プロセスＯ偏ｌ！！（バラツキ）に対して安定
かつパターン変形の起重にくい発気バブル転送回路な提
供することを目的としている。 このような目的を達成するために本発明による磁気パズ
ル転送回路は、コーナ回路部において、９０ギャップｓ
ｔ−形成する磁気バブル送ρ匈パターンと受は入れ側パ
ターンＯうち、少なくとも受は入れ側パターン寸法’ｉ
Ｗ、最小パターン間ギャップをｔとしたと亀、Ｗｉｔ−
１，２と、受は入れ側パターン寸法を大暑くした点に特
徴がある。 このように構成することによって、磁気バブル受は入れ
側パターンの変形が起多にくくなル、実質的なギャップ
の広がｐｔ小さく抑えることができる。 以下本発明の詳細な説明する。 まず、本発明による磁気バブル転送回路ｔａ明する前に
本晃＠Ｏ’ＪＭ解會容易にするためにコーナ回路部にお
ける１本パターン寸法（ＩＩＩ）Ｗと最小パターン間ギ
ャップｔとの関係についてさらに詳細に説明する。 従来、磁気バブル転送（ロ）路において、パターン作製
プロセスの偏ｍｌ（バラツキ）に対して不安定でかつパ
ターン変形が大きく発生する部分は、第３図（１） 、
（ｂ）に例示しえよｊＫｌ＆気バブルの転送方向ｔ−
変える９０コ一ナ部でありた。これらの部分は、第４１
！３に１１部拡大平面図で示すようなパターン形状ｔ−
肩して−る。このようなＩＩ分′ｔ９０ギャップ部分と
呼ぶことにする。この９０ギャップ部分社、互いにＩ［
ヌするパー状（棒状）パターン木片１’ 、 １’から
形ｘされている。そして、パー状パターン木片１′の中
心１ＩＩａ −ａ’は９０′ギ’ｒツブｔｅａＯ中心細
ｈ −ｈ’と平行であシ、こ０９０ギヤツプｆｓｏｌ（
対して中心線ｈ−ｈ″と平行に位置するパー状パターン
素片１′を鼻気バブル送り側パターンと名付ける。これ
に対してパー状パターン素片１１の中心＠ｂ−ｂ’は９
０ギヤツプｆ９Ｇの中心線ｈ−ｈ’とＩ！交してｊＩＰ
ｊｌ、９０ギヤツプｔｅａに対してこのように中心＠ｈ
−ｈ’とａｌｌ［に位置するバー状パグーン票片ｉ’ｔ
ａ気バブル受は入れ匈パターンと称することにする。と
ころで、これらのパターン木片１’ 、 １’のパター
ン寸法（暢）ｔそれぞれＷ１′。 Ｗｚ’とすると、従来パターンの場合、″前述したよ５
にｔ■Ｗ１’ｍＷｚ’であった。そして、第３図（す。 −〕てｌＩ！明したように受は入れ側パターンであるＩ
（−状パターン素片１′が作製プロセスの１ｉｕｉによ
９点−で示すようにパターン木片１１ｂのように涙形し
て９０ギヤツプｆ９０が実質的に拡大して碑気パプル転
送＊＊を低下１せる問題となっていた。 すなわち、従来ＯＡ−−ンの問題は磁気−プル受は入れ
側パターンのｇＲ形にあったと考えられる。 したがって、従来パターンの間慝は受は入れ儒バー状パ
グーン累片１′の変形を小さくすることにより対策で亀
る。そして、この素片ＩＩｏ姫パターン変形対策として
Ｗ＊’／ｌｅａ □値にＭ目してＷｌ’／ｌｓｏの値を
変え穴☆穏の転送回路を試作し、パターン変ｙ＃に伴な
う特性変動範囲を評価した。この結果を鶴５ｇに示す。 同図は横軸に’Ｗ１１／１ｇ６０設計値、縦軸に転送４
Ｉ性をそれぞれとｐ１プロセスの偏差による％性変動を
求めた結果である。この場合、％Ｉｔ！Ａ質動の饅表示
の意味は、出来上りのパターンが設計値通ルＯ場合の転
送４Ｉ性！１００うとして規格化している。この結果か
ら明らかなようにＷｌ’／ｆ９０を１・２以上とすると
、転送％性の低下が少なく、プロセス偏１１に対するパ
ターン変形を少なくすることがで龜ることがわかりえ。 したがって木兄１１による磁気バブル転送回路は、Ｗｌ
’／ｆ９Ｇの値ｔ１４以上に構成する％０である。 １．０であった。 以下ｌｌＩ論例を用いて詳細に説明する。 第６図は本発明による磁気バブル転送回路に係わる９０
コ一ナ回路の一例を説明するための第２Ｈ（ａ）に相幽
するｌＩｍ拡大平面図である。ｆｉ！Ｆ］Ｉｍにおいて
、基本パターン１の最小パターン寸法（＠）Ｗｌ’と最
小パターン間ギャップｔ９０とがＷｌ’、＃９０謬１・
４の関係を満たすように構ａ逼れている。すなわち、最
小パターン間ギャップｔｅａに対して最小パターン寸法
ＷＩＩか１−４倍に拡大されて形Ｉｉｔされている。 １４７１１は本発明による磁気バブル転送回路に係わる
１８０コ→回路の一力ｔｌ！明するための第２Ｈ（＠）
に＠幽する機部拡大平面図である。同図に訃いて、基本
パターン１０最小パターン寸法（＠）Ｗｌ’と最小パタ
ーン間ギャップｔｅａとがＷｌ’／１９０−１．２０関
係を満たすように形成されている。 なお、上記興ｊＨＦＩＫかいて、本発明を９０コ一ナ回
路、１８０ コーナ回路の特定のパターンに適用した
場合について説明したが、木兄ＷＡ唸これに限定される
ものではなく、＊ｏｍ＠ｏ＠気バブル転送回路に適用し
ても前述と全く同＠０効来が得られることは言うまでも
なｉｏ また、上述し九ｍ４図にシいて、受は入れ側パターン素
片ＩＩのパターン寸法ＷＩＩと同１１に送り側パターン
１′のパターン寸法Ｗｌ’ ＠大きくし良場金について
も前述と全＜ Ｐ＠４１０効果２１１！得られることは
勿−である。 以上ａ明したように木兄＠によれば、パターンが微小化
しても、作臘プロセスの偏差（バラツキ）に対して安定
かつパターン変形が発生しない高品質の磁気パズル転送
回路が得られるという極めて優れた効果を有する。
第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （１）は磁気バブル直
線転送回路の一例を示すＩ１１部面図、鶴２図ないし第
４図は従来ｏ＠気Ａプにコ−を部転：Ｉｉａ路ｔａ―す
るｌｌｓ拡大平面図、ＩＩ＆５Ｅは本発明による磁気バ
ブル転送回路の効果ｔＩＫ明するため０４１！１．園、
第６図。 弟７ｍは本発明による磁気バブル転送回路の一例な示す
畳部拡大平面図である。 １●●●−基１｛ターン、１ａ●●●●正富パターン、
１ｂ●●●●変形パターン、１’＃１’●●●●パ一状
バターン木片。 第１図 （０） （ｂ） （Ｃ） 第２図 （０） 第３図 （（１） （ｂ） 第４図 す 第５図 Ｗ＋”／９９０
線転送回路の一例を示すＩ１１部面図、鶴２図ないし第
４図は従来ｏ＠気Ａプにコ−を部転：Ｉｉａ路ｔａ―す
るｌｌｓ拡大平面図、ＩＩ＆５Ｅは本発明による磁気バ
ブル転送回路の効果ｔＩＫ明するため０４１！１．園、
第６図。 弟７ｍは本発明による磁気バブル転送回路の一例な示す
畳部拡大平面図である。 １●●●−基１｛ターン、１ａ●●●●正富パターン、
１ｂ●●●●変形パターン、１’＃１’●●●●パ一状
バターン木片。 第１図 （０） （ｂ） （Ｃ） 第２図 （０） 第３図 （（１） （ｂ） 第４図 す 第５図 Ｗ＋”／９９０
Claims (1)
- 磁気バブル送ル側パグーン累片と鋏磁気バブル受は側パ
ターン素片とを９０ギヤツプを介して配置されてなるコ
ーナ回路部′ｔｍえた磁気バブル転送回路において、前
記磁気バブル受は側パターン木片のパターン寸法′ｔＷ
、９０ギャップｔ−ｔとしたとき、Ｗ／９が１．２以上
となるように前記磁気バブル受は儒パターン素片を大き
くしたことで特徴とする磁気バブル転送回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182272A JPS5885988A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 磁気バブル転送回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182272A JPS5885988A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 磁気バブル転送回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885988A true JPS5885988A (ja) | 1983-05-23 |
| JPS6362834B2 JPS6362834B2 (ja) | 1988-12-05 |
Family
ID=16115358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56182272A Granted JPS5885988A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 磁気バブル転送回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885988A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183887U (ja) * | 1984-11-06 | 1986-06-03 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01279250A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-09 | Nikon Corp | フイルム保存用カートリッジ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53114622A (en) * | 1977-03-16 | 1978-10-06 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble extension transfer pattern |
| JPS5769581A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble transfer circuit |
-
1981
- 1981-11-16 JP JP56182272A patent/JPS5885988A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53114622A (en) * | 1977-03-16 | 1978-10-06 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble extension transfer pattern |
| JPS5769581A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble transfer circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183887U (ja) * | 1984-11-06 | 1986-06-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6362834B2 (ja) | 1988-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105609629B (zh) | 一种制备集成电路的复合硬掩模图案化方法 | |
| JPS5885988A (ja) | 磁気バブル転送回路 | |
| WO2021212779A1 (zh) | 自旋轨道力矩磁存储器件及其制备方法 | |
| CN103181024B (zh) | 通过蚀刻制造自动补偿天线结构的方法 | |
| Ko et al. | Highly Reliable and Manufacturable MRAM embedded in 14nm FinFET node | |
| TW507320B (en) | Optical proximity correct method of rectangular contact | |
| US6998205B2 (en) | Optical proximity correction method | |
| JPS63170981A (ja) | 強磁性体磁気抵抗素子 | |
| WO2021027167A1 (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN110230059A (zh) | 显示面板的金属图案制作方法 | |
| TW201214670A (en) | Dynamic array architecture | |
| JPS5878150A (ja) | ガラスマスク | |
| CN214411189U (zh) | 一种高密度引线框架 | |
| CN100541241C (zh) | 反射型光电式编码器用刻度尺及反射型光电式编码器 | |
| TWM679340U (zh) | 可浮動之蝕刻液吸刀 | |
| TW419778B (en) | Self-aligned source (SAS) process of flash memory | |
| TW399306B (en) | One time programmable read only memory | |
| US5114532A (en) | Process of etching iron-silicon-aluminum trialloys and etchant solutions used therefor | |
| WO2019033752A1 (zh) | 石墨烯电路图案的制备方法、基板和电子产品 | |
| TW410476B (en) | Method for manufacturing one time programmable read only memory | |
| TW436913B (en) | Correction method of photomask pattern by using logic computation to improve the optical proximity effect | |
| TW201927092A (zh) | 微型化線路的製法及其製品 | |
| JP2637175B2 (ja) | 半導体用多ピンリードフレームの製造方法 | |
| GB952986A (en) | Composite thermostatic electrical resistance elements and their method of manufacture | |
| KR20210108681A (ko) | 임프린트용 레진 구조체 |