JPS5886781A - 多結晶シリコンウエハの製造方法 - Google Patents
多結晶シリコンウエハの製造方法Info
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- JPS5886781A JPS5886781A JP56184812A JP18481281A JPS5886781A JP S5886781 A JPS5886781 A JP S5886781A JP 56184812 A JP56184812 A JP 56184812A JP 18481281 A JP18481281 A JP 18481281A JP S5886781 A JPS5886781 A JP S5886781A
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- Japan
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/008—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method using centrifugal force to the charge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/605—Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は太陽電池その他の光電変換素子等に用いられて
いる多結晶シリコンウニ／Ｘの製造方法に関する。
いる多結晶シリコンウニ／Ｘの製造方法に関する。
従来から多結晶シリコン結晶粒λは各種の方法によって
製造されており、最も一般的にはシリコン母材により一
たん所定形状のインゴットを鋳造し、これをスライスす
ることによってウェハを得るようにしているが、これで
はスライ゛ス作業に大変な時間をかけなければならない
だけでなく、インゴットの約５０％がスライス時のロス
となってしまうため、製品がコスト高につき大量生産も
不可能である。
製造されており、最も一般的にはシリコン母材により一
たん所定形状のインゴットを鋳造し、これをスライスす
ることによってウェハを得るようにしているが、これで
はスライ゛ス作業に大変な時間をかけなければならない
だけでなく、インゴットの約５０％がスライス時のロス
となってしまうため、製品がコスト高につき大量生産も
不可能である。
そこでスライスによらない方法としてリボン法とキャス
ティング法（＆＃造法）が既に実施されているが、リボ
ン法は例えば回転ドラムの周面に溶融シリコンを噴当さ
せ、当該周面にリボン状のウェハを形成するものであシ
、同法によるときは実際上リボン幅が敷部程度のものし
か製造することができず、大形の太陽電池素材等が得ら
れない難点がある。
ティング法（＆＃造法）が既に実施されているが、リボ
ン法は例えば回転ドラムの周面に溶融シリコンを噴当さ
せ、当該周面にリボン状のウェハを形成するものであシ
、同法によるときは実際上リボン幅が敷部程度のものし
か製造することができず、大形の太陽電池素材等が得ら
れない難点がある。
また上記キャスティング法と呼ばれているものは、シリ
コン母材を加熱して融液となし、これを製品ウェハの寸
法に応じた鋳型に流し込み、さらに当該型の可動部分に
より融液を抑圧成型して固化させるものであるが、同法
によるときは、一度に所定形状のウェハが得られ、量産
性の点で望ましい結果が期待できるもの＼、上記のよう
に当該融液は四方から型押しされることになる。
コン母材を加熱して融液となし、これを製品ウェハの寸
法に応じた鋳型に流し込み、さらに当該型の可動部分に
より融液を抑圧成型して固化させるものであるが、同法
によるときは、一度に所定形状のウェハが得られ、量産
性の点で望ましい結果が期待できるもの＼、上記のよう
に当該融液は四方から型押しされることになる。
このため上記方法では鋳型の上下面と側面が融液の同化
に際し、シリコン結晶粒（グレイン）の成長を抑制して
しまうこと＼なシ、固化製品の前記各面と接する部分近
１ｇが、非常に細かい結晶粒となって大きなグレインが
得られず、太陽電池用シリコンウニ八等にあって望まし
いとされている大結晶粒生成の要請を満足させることが
できないため、当該ウェハによって得られた太陽電池の
光電変換効率も２〜３％と極度に悪化してしまう欠陥を
もっている０ 本発明は上記従来法の諸問題に鑑み検討の結宋開発され
たもので、第１発明の特徴とするところは、所望雰囲気
内にあって、立上り周縁を有する横向板上にシリコン母
材の融液を配在させ、当該融液に対し、ノズルよりガス
を吹きつけることにより同融液を上記立上り周縁方向へ
流動せしめて、当該立上シ周縁により外周端縁が規定さ
れる所要・１法の融液薄層を形成し、これを適時冷却す
ることにより固化するようにしたことにあり、第２の発
明にあっては上記所要ＳＪ法の融液薄層を形成するに際
し、ノズルをｈ振り円運動させることにより、当該ノズ
ルから吹きつけられるガスを、シリコン母材の融液にお
ける外周側縁−囃線と斜交状に回動放射し、これを適時
冷却することにより固化するようにしたことを特徴とす
ることにより、結晶粒の大きな、しかも均一層厚を有す
る所望サイズの多結晶ウェハが、簡易な設備によシ母材
のロスなく、陵産し得るようにすると八に、シリコン母
材を融液状態から固化状態とするまでに要する時間を短
縮して、不純物の混入を抑＋Ｌ Ｌ 、かつ生産性をも
向上させようとするものでるる。
に際し、シリコン結晶粒（グレイン）の成長を抑制して
しまうこと＼なシ、固化製品の前記各面と接する部分近
１ｇが、非常に細かい結晶粒となって大きなグレインが
得られず、太陽電池用シリコンウニ八等にあって望まし
いとされている大結晶粒生成の要請を満足させることが
できないため、当該ウェハによって得られた太陽電池の
光電変換効率も２〜３％と極度に悪化してしまう欠陥を
もっている０ 本発明は上記従来法の諸問題に鑑み検討の結宋開発され
たもので、第１発明の特徴とするところは、所望雰囲気
内にあって、立上り周縁を有する横向板上にシリコン母
材の融液を配在させ、当該融液に対し、ノズルよりガス
を吹きつけることにより同融液を上記立上り周縁方向へ
流動せしめて、当該立上シ周縁により外周端縁が規定さ
れる所要・１法の融液薄層を形成し、これを適時冷却す
ることにより固化するようにしたことにあり、第２の発
明にあっては上記所要ＳＪ法の融液薄層を形成するに際
し、ノズルをｈ振り円運動させることにより、当該ノズ
ルから吹きつけられるガスを、シリコン母材の融液にお
ける外周側縁−囃線と斜交状に回動放射し、これを適時
冷却することにより固化するようにしたことを特徴とす
ることにより、結晶粒の大きな、しかも均一層厚を有す
る所望サイズの多結晶ウェハが、簡易な設備によシ母材
のロスなく、陵産し得るようにすると八に、シリコン母
材を融液状態から固化状態とするまでに要する時間を短
縮して、不純物の混入を抑＋Ｌ Ｌ 、かつ生産性をも
向上させようとするものでるる。
本発明を図面によって詳細に説示すれば、第１図に示す
設備例にあっては、ｒ↓空またはアルゴン等の不活性ガ
スなどによる所望雰囲気（１）内に、電気ヒータ等によ
る溶融用熱源（２）が配され、当該熱源（２）による加
熱空間（２）′ に、穎降自在なるよう横向板（３）が
配設されている。
設備例にあっては、ｒ↓空またはアルゴン等の不活性ガ
スなどによる所望雰囲気（１）内に、電気ヒータ等によ
る溶融用熱源（２）が配され、当該熱源（２）による加
熱空間（２）′ に、穎降自在なるよう横向板（３）が
配設されている。
こ＼で上記横向板（３）は平板部（３１′ の外周より
立上り周縁（４）を突設すると共に、）Ｌ板部（３）′
の軸線位置に支持パイプ（５）が下向きに突設された
もノテ、当該横向板（３）の素材としてはシリコンとの
反応性が少ない石英、グラファイト等を用いるのがよく
、マた上記熱源（２）としては高周波加熱装置を用いる
こともでき、もちろん適時加熱を停止したり、加熱条件
を制御ＦｆＪ能にしておくのが望ましい〇 そこで第１図にあっては金属縁シリコン、′Ｖ。
立上り周縁（４）を突設すると共に、）Ｌ板部（３）′
の軸線位置に支持パイプ（５）が下向きに突設された
もノテ、当該横向板（３）の素材としてはシリコンとの
反応性が少ない石英、グラファイト等を用いるのがよく
、マた上記熱源（２）としては高周波加熱装置を用いる
こともでき、もちろん適時加熱を停止したり、加熱条件
を制御ＦｆＪ能にしておくのが望ましい〇 そこで第１図にあっては金属縁シリコン、′Ｖ。
導体縁高純度シリコンなどによるシリコンｆす拐（６）
を、ＡｆＪ記横向板（３）の平板部（３）′にめって、
その中央位置に載せておき、当該母材（６）を溶融用熱
源（２）によシ加熱融解するようにしておシ、かくして
得られた融液（７）に対し、ノズル（８）からガス（９
）を吹きつけるのである。
を、ＡｆＪ記横向板（３）の平板部（３）′にめって、
その中央位置に載せておき、当該母材（６）を溶融用熱
源（２）によシ加熱融解するようにしておシ、かくして
得られた融液（７）に対し、ノズル（８）からガス（９
）を吹きつけるのである。
こ＼で平板部（３）′上の融液（７）を得る丁段として
は、上記の如く固形のシリコン母材（６）を平板部＋３
１’ ｆ：で溶融するようにしてもよいが、予め図示し
ない坩堝などにより溶融したものを平板部上に流下させ
てもよく、このような場合には前記熱源（２）によって
融液（７）の固化が生じないよう加熱することが望まし
い。
は、上記の如く固形のシリコン母材（６）を平板部＋３
１’ ｆ：で溶融するようにしてもよいが、予め図示し
ない坩堝などにより溶融したものを平板部上に流下させ
てもよく、このような場合には前記熱源（２）によって
融液（７）の固化が生じないよう加熱することが望まし
い。
また上記ノズル（８）は第１図のよりに平板部（３ン′
の中央部直上に配置しておき、当該ノズル（８）から円
錐状に拡径するガス（９）を融液（７）に吹きつければ
よく、このことにより当該融液（７）は速やかに立上り
周縁（４）方向に流動して１．この立上り周縁（４）に
より外周端縁Ａが規定される所要寸法の融液薄層Ｂが均
一４に形成されること＼なるのであり、この際用いられ
るガス（９）としてはＡ「、Ｈｅ等の不活性ガスを用い
るのがよい。
の中央部直上に配置しておき、当該ノズル（８）から円
錐状に拡径するガス（９）を融液（７）に吹きつければ
よく、このことにより当該融液（７）は速やかに立上り
周縁（４）方向に流動して１．この立上り周縁（４）に
より外周端縁Ａが規定される所要寸法の融液薄層Ｂが均
一４に形成されること＼なるのであり、この際用いられ
るガス（９）としてはＡ「、Ｈｅ等の不活性ガスを用い
るのがよい。
このようにして融液薄層Ｂが得られたならば、これを冷
却固化することになるが、冷却ト段としては横向板（３
）を下降させることにより、凹板（３）を加熱空間（２
）′ から脱するようにしてもよく、この際当該下降操
作は融液薄層Ｂが得られた後でらっても、また下降操作
を先行さ°せながら融液４ｅＢを形成していくようにし
てもよく、また溶融用熱源（２）への電流供給を遮断し
て、横向板（３）を静置したま＼冷却することもできる
が、固化を短時間に完了させるには、前記の如く横向板
（３）を下降させると共に、凹板（３）に不活性ガスや
水などによる冷媒０〔を供給するのがよい。
却固化することになるが、冷却ト段としては横向板（３
）を下降させることにより、凹板（３）を加熱空間（２
）′ から脱するようにしてもよく、この際当該下降操
作は融液薄層Ｂが得られた後でらっても、また下降操作
を先行さ°せながら融液４ｅＢを形成していくようにし
てもよく、また溶融用熱源（２）への電流供給を遮断し
て、横向板（３）を静置したま＼冷却することもできる
が、固化を短時間に完了させるには、前記の如く横向板
（３）を下降させると共に、凹板（３）に不活性ガスや
水などによる冷媒０〔を供給するのがよい。
このように冷媒Ｑｌを送入しようとするときは、例えば
第３図の如き横向板（３）を使用すればよく、冷媒αＱ
は支持パイプ（５）に嵌挿されている送入パイプＯＤを
上昇した後 ｉ１Ｚ板部（３）′ 内に設けられた画壁
により形成の往路α２を経、さらに＼χ上り周壁（４）
の折返し口部から帰路側を通過し、支持パイプ（５）の
外周環路０５から放出される。
第３図の如き横向板（３）を使用すればよく、冷媒αＱ
は支持パイプ（５）に嵌挿されている送入パイプＯＤを
上昇した後 ｉ１Ｚ板部（３）′ 内に設けられた画壁
により形成の往路α２を経、さらに＼χ上り周壁（４）
の折返し口部から帰路側を通過し、支持パイプ（５）の
外周環路０５から放出される。
次に第２図に示したものは、第２の発明を実施するため
に用い得る設備例であシ、こ＼で第１図のものと相違す
るのは、前記ノズル（８）が単に静置されたものでなく
、当該ノズル（８）が軸線に対して斜交状に設置され、
しかもこの斜交状態にて矢印Ｃのように回転運動させ、
これによりノズル（８）から吹きつけられるガス（９）
を、シリコン母材（６）の融液（７）における外周縁側
へ軸線と斜交状に回動放射させるようにした点にある〇
尚こ＼で第１１第２図につき説示した本発明の実施に際
し、第２図の矢印りにより示した通り横向板（３）が支
持パイプ（５）を軸心として回転するようにし、当該回
転による遠心力によっても、シリコン母材（６）の融液
（７）を立上り周壁（４）へ向は流動させるようにして
もよい。
に用い得る設備例であシ、こ＼で第１図のものと相違す
るのは、前記ノズル（８）が単に静置されたものでなく
、当該ノズル（８）が軸線に対して斜交状に設置され、
しかもこの斜交状態にて矢印Ｃのように回転運動させ、
これによりノズル（８）から吹きつけられるガス（９）
を、シリコン母材（６）の融液（７）における外周縁側
へ軸線と斜交状に回動放射させるようにした点にある〇
尚こ＼で第１１第２図につき説示した本発明の実施に際
し、第２図の矢印りにより示した通り横向板（３）が支
持パイプ（５）を軸心として回転するようにし、当該回
転による遠心力によっても、シリコン母材（６）の融液
（７）を立上り周壁（４）へ向は流動させるようにして
もよい。
こ＼で実際上、５６ｇのシリコンを１５００℃の加熱条
件下で融解させ、アルゴンガス雰囲気中にて１ｗｎ１の
ノズルから不活性ガスたるＡｒガスを第１図の装置によ
り吹きつけながら、横向板を下降させると共に、Ａｒガ
スによる冷媒を横向板に供給して強制冷却させ、直径２
５−１厚さ０．５ ｍの多結晶シリコンウェハを製造し
たところ、当該製品の変換効率は１０％と極めて良好で
あった。
件下で融解させ、アルゴンガス雰囲気中にて１ｗｎ１の
ノズルから不活性ガスたるＡｒガスを第１図の装置によ
り吹きつけながら、横向板を下降させると共に、Ａｒガ
スによる冷媒を横向板に供給して強制冷却させ、直径２
５−１厚さ０．５ ｍの多結晶シリコンウェハを製造し
たところ、当該製品の変換効率は１０％と極めて良好で
あった。
本発明は上記のようにして多結晶シリコンウェハを製造
するものであるから、融液に対するガスの吹きつけによ
り、極めて迅速に融液を強制流動させることができ、こ
のため生−産性が飛躍的に向上すると共に、不純物が混
入する機会を可及的に短縮でき、横向板の立上り周縁に
よって所要寸法の製品が労せずして得られ、当該周縁ま
で流動して形成された融液薄層は、横向板の平板部を水
平に保てば、これまた労せずに均一厚のウェハが得られ
、しかも固化に際し、融液薄層の上面が開放状態である
から、従来のインゴットスライス法やリボン法の短点が
解消されるのはもちろん、既応キャスティング法のよう
に鋳型の各面による制限を受けず、従って融液は縦軸方
向に対して自由な状態で固化でき、結晶粒の成長が大き
く明害される要素がないため、比較的均一に大きな粒径
の結晶粒が成長し変換効率のよい製品を得ることができ
る。
するものであるから、融液に対するガスの吹きつけによ
り、極めて迅速に融液を強制流動させることができ、こ
のため生−産性が飛躍的に向上すると共に、不純物が混
入する機会を可及的に短縮でき、横向板の立上り周縁に
よって所要寸法の製品が労せずして得られ、当該周縁ま
で流動して形成された融液薄層は、横向板の平板部を水
平に保てば、これまた労せずに均一厚のウェハが得られ
、しかも固化に際し、融液薄層の上面が開放状態である
から、従来のインゴットスライス法やリボン法の短点が
解消されるのはもちろん、既応キャスティング法のよう
に鋳型の各面による制限を受けず、従って融液は縦軸方
向に対して自由な状態で固化でき、結晶粒の成長が大き
く明害される要素がないため、比較的均一に大きな粒径
の結晶粒が成長し変換効率のよい製品を得ることができ
る。
しかも設備としても比較的簡易にして小形なものですみ
、その稼動操作にも難度がなく、量産性の点でも自動化
要素の導入が容易なため、従来法よフも優っている〇 そして第２の発明では、さらにノズルを首振９円運動さ
せるようにしたから、融液の流動をより一層円滑に行な
わせることができると共に、回動放射され、るガスによ
って、全周にわたり均一な流動となり、製品の均一厚化
を助長させることができる。
、その稼動操作にも難度がなく、量産性の点でも自動化
要素の導入が容易なため、従来法よフも優っている〇 そして第２の発明では、さらにノズルを首振９円運動さ
せるようにしたから、融液の流動をより一層円滑に行な
わせることができると共に、回動放射され、るガスによ
って、全周にわたり均一な流動となり、製品の均一厚化
を助長させることができる。
第１図と第２図は、夫々第１、第２発明に係る方法の実
施に用い得る設備例を示した正面説明図、第３図は同設
備例の横向板につき詳細を示した縦断正面説明図である
。 ｔｌ ｌ・・・・・所望雰囲気 （３）・・・−・横向板 （４）・・・・・立上り周縁 ＋６１−・・・・シリコン母材 （７）・・・・・融液 （８）・−・・・ノズル （９）・ｅ・・・ガス Ｏｌ・・・・・冷媒 Ａ・・・・・外周端縁 Ｂ・・・・・融液薄層 特許出願人 代理人 弁理士 井 藤 誠
施に用い得る設備例を示した正面説明図、第３図は同設
備例の横向板につき詳細を示した縦断正面説明図である
。 ｔｌ ｌ・・・・・所望雰囲気 （３）・・・−・横向板 （４）・・・・・立上り周縁 ＋６１−・・・・シリコン母材 （７）・・・・・融液 （８）・−・・・ノズル （９）・ｅ・・・ガス Ｏｌ・・・・・冷媒 Ａ・・・・・外周端縁 Ｂ・・・・・融液薄層 特許出願人 代理人 弁理士 井 藤 誠
Claims (5)
- （１）所望雰囲気内にあって、立上り周縁を有する横向
板上にシリコン母材の融液を配在させ、当該融液に対し
、ノズルよりガスを吹きつけることｌこより同融液を上
記立上り周縁方向へ流動せしめて、当該立上り周縁によ
シ外周端縁が規定される所要寸法の融液薄層を形成し、
これを適時冷却することにより同化するようにしたこと
を特徴とする多結晶シリコンウェハの製造方法。 - （２）所望雰囲気が真空または不活性気体であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多結晶シリコン
ウェハの製造方法。 - （３）横向板が水、不活性ガス等の冷媒によシ冷却自在
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多
結晶シリコンウェハの製造方法。 - （４） ノズルから吹きつけられるガスが不活性ガス
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多
結晶シリコンウェハの製造方法。 - （５） 所望雰囲気内にあって、立上り周縁を有する
横向板上にシリコン母材の融液を配在させ、当該融液に
対し、ノズルよりガスを吹きつけることにより同融液を
上記立上り周縁方向へ流動せしめて、当該立上り周縁に
より外周端縁が規定される所要寸法の融液薄層を形成す
る際、上記ノズルを首振り円運動させることにより、当
該ノズルから吹きつけられるガスを、上記シＩＪ ｊン
母材の融液における外周側へ斜向状に回動放射し、当該
融液薄層を適時冷却すること・により固化するようにし
たことを特徴とする多結晶シリコンウェハの製造方法Ｏ （６ン ノズルが横向板の中心直上にて斜向状態に配
設されていることを特徴とする特許請求の範囲第５項記
載の多結晶シリコンウェハの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184812A JPS5886781A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 多結晶シリコンウエハの製造方法 |
| AU83147/82A AU562656B2 (en) | 1981-04-30 | 1982-04-29 | Fabricating polycrystalline silicon wafers |
| US06/373,039 US4561486A (en) | 1981-04-30 | 1982-04-29 | Method for fabricating polycrystalline silicon wafer |
| DE8282302246T DE3277974D1 (en) | 1981-04-30 | 1982-04-30 | Method fabricating a polycrystalline silicon wafer |
| EP82302246A EP0065373B1 (en) | 1981-04-30 | 1982-04-30 | Method fabricating a polycrystalline silicon wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184812A JPS5886781A (ja) | 1981-11-18 | 1981-11-18 | 多結晶シリコンウエハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5886781A true JPS5886781A (ja) | 1983-05-24 |
| JPH0328818B2 JPH0328818B2 (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=16159714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56184812A Granted JPS5886781A (ja) | 1981-04-30 | 1981-11-18 | 多結晶シリコンウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5886781A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9147786B2 (en) | 2008-05-05 | 2015-09-29 | Dow Global Technologies Llc | Photovoltaic device assembly and method |
-
1981
- 1981-11-18 JP JP56184812A patent/JPS5886781A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9147786B2 (en) | 2008-05-05 | 2015-09-29 | Dow Global Technologies Llc | Photovoltaic device assembly and method |
| US10121911B2 (en) | 2008-05-05 | 2018-11-06 | Dow Global Technologies Llc | Photovoltaic device assembly and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0328818B2 (ja) | 1991-04-22 |
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