JPS5888330A - １，１，１，３，３，３‐ヘキサフルオロ‐２‐プロパノールの製法 - Google Patents
１，１，１，３，３，３‐ヘキサフルオロ‐２‐プロパノールの製法Info
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- JPS5888330A JPS5888330A JP56186826A JP18682681A JPS5888330A JP S5888330 A JPS5888330 A JP S5888330A JP 56186826 A JP56186826 A JP 56186826A JP 18682681 A JP18682681 A JP 18682681A JP S5888330 A JPS5888330 A JP S5888330A
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- Japan
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- rhodium
- catalyst
- reaction
- hydrogen
- hfa
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特定の触媒の存在下にヘキサフルオロアセト
ン−〇ＦｇＣＯＣＦｍ （以下ＨＦＡと略記）を水素で
還元することからなる１、 １．１．３．３．３−ヘキ
サフルオロ−２−プロパツールＣＦｓ ＯＨＯＨＣＦｇ
（以下ＨＦＩＰＡと略記）の製法に関する。
ン−〇ＦｇＣＯＣＦｍ （以下ＨＦＡと略記）を水素で
還元することからなる１、 １．１．３．３．３−ヘキ
サフルオロ−２−プロパツールＣＦｓ ＯＨＯＨＣＦｇ
（以下ＨＦＩＰＡと略記）の製法に関する。
ＨＦＩＰＡは、界面活性剤、乳化剤、あるいはいくつか
のポリマーの溶媒として有用である。また、ＨＦＩＰＡ
は種々の含フツ素化合物の合成中間体としても価値があ
り、たとえばＨＦＩＰＡを出発原料として２、）ｉＦ工
ＰＡのアルコール基の水素をメチル、フルオロメチル、
エチル基で置換したエーテルは吸入麻酔剤としても提案
されている。
のポリマーの溶媒として有用である。また、ＨＦＩＰＡ
は種々の含フツ素化合物の合成中間体としても価値があ
り、たとえばＨＦＩＰＡを出発原料として２、）ｉＦ工
ＰＡのアルコール基の水素をメチル、フルオロメチル、
エチル基で置換したエーテルは吸入麻酔剤としても提案
されている。
かかるＩ（ＦＩＰＡの製法としては従来より各種の方法
が知られており、ＨＦＡを触媒の存在下に水素で還元す
ることからなる製法も提案されている。そして、かかる
還元反応触媒としてはｐｔ系触媒、Ｐｄ系触媒、０ｕ−
（３ｒｚＯｓ系触媒などが知られているが、いずれも原
料ＨＦＡの転化率が不充分であり、目的、とするＨＦＩ
ＰＡの収率が低く、高い反応温度や高い反応圧力を必要
とし、原料中の不純物や反応副生物により反応活性を阻
害され、あるいは触媒の耐久性に劣るなどの難点をもっ
ている。
が知られており、ＨＦＡを触媒の存在下に水素で還元す
ることからなる製法も提案されている。そして、かかる
還元反応触媒としてはｐｔ系触媒、Ｐｄ系触媒、０ｕ−
（３ｒｚＯｓ系触媒などが知られているが、いずれも原
料ＨＦＡの転化率が不充分であり、目的、とするＨＦＩ
ＰＡの収率が低く、高い反応温度や高い反応圧力を必要
とし、原料中の不純物や反応副生物により反応活性を阻
害され、あるいは触媒の耐久性に劣るなどの難点をもっ
ている。
即ち、米国特許３．４１８．３３７号公報にはｐｔｏ触
媒を用いる液相反応が示されているが、２００〜９００
気圧の極めて高い反応圧力を必要としている。また、米
国特許３，６０７，９５２号公報には同じ＜ ｐｔｏ触
媒を用いて液相反応をより低い反応圧力下で進行させる
方法が示されているが、目的生成物でりるＨＦＩＰＡを
反応当初より系に添加しておく必要がある。また、西独
特許２． ］ ｌ ３．５５１号公開公報によればＰｄ
／活性炭をＮａ２ＣＯｓなどのアルカリで処理した触媒
を用いる液相反応でｌ（Ｅ、ＴＰＡを得ているが、かか
る触媒の調製は複雑かつ煩瑣である。
媒を用いる液相反応が示されているが、２００〜９００
気圧の極めて高い反応圧力を必要としている。また、米
国特許３，６０７，９５２号公報には同じ＜ ｐｔｏ触
媒を用いて液相反応をより低い反応圧力下で進行させる
方法が示されているが、目的生成物でりるＨＦＩＰＡを
反応当初より系に添加しておく必要がある。また、西独
特許２． ］ ｌ ３．５５１号公開公報によればＰｄ
／活性炭をＮａ２ＣＯｓなどのアルカリで処理した触媒
を用いる液相反応でｌ（Ｅ、ＴＰＡを得ているが、かか
る触媒の調製は複雑かつ煩瑣である。
一方、気相法によるＨＦＡの水素還元で）ＪＦＩＰＡを
得る触媒としてはＯｕ−Ｏｒｇｙｓ−Ｃａ’Ｆ宜触媒（
特公昭３９−８２１０号公報）、Ｐｄ／Ａ１！０！触媒
（米国特許３，４６８，９６４号公報）、Ｐｄ／Ｃ触媒
（特公昭４８−２１９２５号公報）が知られているが、
高い反応温度を必要としたシ、触媒の活性、耐久性に不
満足であるなどの難点を有している。
得る触媒としてはＯｕ−Ｏｒｇｙｓ−Ｃａ’Ｆ宜触媒（
特公昭３９−８２１０号公報）、Ｐｄ／Ａ１！０！触媒
（米国特許３，４６８，９６４号公報）、Ｐｄ／Ｃ触媒
（特公昭４８−２１９２５号公報）が知られているが、
高い反応温度を必要としたシ、触媒の活性、耐久性に不
満足であるなどの難点を有している。
本発明者は、）（ＦＡの水素によるＨＦＩＰＡへの接触
還元反応について、これらの難点を解決し、優れた触媒
を提供すべく種々の研究を重ねた結果、次の如き新規知
見を得、かかる知見に基づいて本発明を完成したもので
ある。即ちロジウム触媒はこの還元反応に対し高活性を
有すると共に目的ＨＦ工ＰＡの生成率の点でも優れてお
り、さらに耐久性や不純′ト、・・に影響されにくい点
におい１ても優れるものである。かくして、本発明は、
ＨＦＡをロジウム触媒の存在下に水素で還元することを
特徴とするＨＦＸＰＡの製法を新規°に提供するもので
ある。
還元反応について、これらの難点を解決し、優れた触媒
を提供すべく種々の研究を重ねた結果、次の如き新規知
見を得、かかる知見に基づいて本発明を完成したもので
ある。即ちロジウム触媒はこの還元反応に対し高活性を
有すると共に目的ＨＦ工ＰＡの生成率の点でも優れてお
り、さらに耐久性や不純′ト、・・に影響されにくい点
におい１ても優れるものである。かくして、本発明は、
ＨＦＡをロジウム触媒の存在下に水素で還元することを
特徴とするＨＦＸＰＡの製法を新規°に提供するもので
ある。
本発明においては、ロジウム触媒を使用することが重要
である。ロジウム触媒としては還元ロジウム、または酸
化ロジウム、水酸化ロジウム、塩化ロジウムなどのロジ
ウム化合物があげられ、ロジウムを含有する錯体であっ
てもよく、いずれもロジウムの酸化数は特には問わない
。
である。ロジウム触媒としては還元ロジウム、または酸
化ロジウム、水酸化ロジウム、塩化ロジウムなどのロジ
ウム化合物があげられ、ロジウムを含有する錯体であっ
てもよく、いずれもロジウムの酸化数は特には問わない
。
なかでも０価のロジウムが効果的で、還元ロジウムは好
ましい例である。また、還元ロジウムは反応当初から存
在していても、反応中にたとえば過渡的に存在してもよ
い。かかるロジウム触媒をたとえば液相反応系によるこ
の還元反応に使用する場合にはそのまま反応系に懸濁あ
るいは溶解させて用゛いてもよいが、通常は適宜の担体
に担持させて気相反応系あるいは液相反応系に使用する
のが好便である。担体としては、活性炭、アルミナ、シ
リカ、ノリカーアルミナ、マグネシア、アスベスト、ケ
イソウ土、その他の酸化物、硫酸塩、炭酸塩、フッ化物
などが採用でき、なかでも活性炭、アルミナが好便であ
る。相持触媒におけるロジウム分の担持ぎは特には限定
されないが、金属ロジウム換算で担体重量に対し０．１
〜２０重量％、特には０５〜１０重量％が好ましい。担
体の粒径は特には限定されないが、触媒を懸濁させた液
相反応系などを採用する場合には、触媒の系内での分布
の均一化を容易にし反応物と触媒との接触を多くするよ
うに、微粉末状の担体を使用するのが一般に好ましい。
ましい例である。また、還元ロジウムは反応当初から存
在していても、反応中にたとえば過渡的に存在してもよ
い。かかるロジウム触媒をたとえば液相反応系によるこ
の還元反応に使用する場合にはそのまま反応系に懸濁あ
るいは溶解させて用゛いてもよいが、通常は適宜の担体
に担持させて気相反応系あるいは液相反応系に使用する
のが好便である。担体としては、活性炭、アルミナ、シ
リカ、ノリカーアルミナ、マグネシア、アスベスト、ケ
イソウ土、その他の酸化物、硫酸塩、炭酸塩、フッ化物
などが採用でき、なかでも活性炭、アルミナが好便であ
る。相持触媒におけるロジウム分の担持ぎは特には限定
されないが、金属ロジウム換算で担体重量に対し０．１
〜２０重量％、特には０５〜１０重量％が好ましい。担
体の粒径は特には限定されないが、触媒を懸濁させた液
相反応系などを採用する場合には、触媒の系内での分布
の均一化を容易にし反応物と触媒との接触を多くするよ
うに、微粉末状の担体を使用するのが一般に好ましい。
まだ、固定床触媒による気相反応系または液相反応系な
どを採用する場合には、触媒層に触媒を保持でき、かつ
流体流通抵抗を適切な圧力損失範囲に維持できるように
、１訪以上の粒径の担体を使用するのが一般に好ましい
。
どを採用する場合には、触媒層に触媒を保持でき、かつ
流体流通抵抗を適切な圧力損失範囲に維持できるように
、１訪以上の粒径の担体を使用するのが一般に好ましい
。
さらにｌた、流動床方式による反応なども適宜の粒径の
触媒を用いて採用できる。
触媒を用いて採用できる。
かかるロジウム触媒の調製には担持方法も含めて公知乃
至周知の各栴方法が採用でき、また市販の各種のロジウ
ム触媒も使用しうる。訓製済の触媒をその１ま使用した
り、あるいは適宜活性化処理して使用してさしつがえな
い。
至周知の各栴方法が採用でき、また市販の各種のロジウ
ム触媒も使用しうる。訓製済の触媒をその１ま使用した
り、あるいは適宜活性化処理して使用してさしつがえな
い。
本発明に使用するＨＦＡは各種の方法により調製しうる
が、調製に伴なう不純物が混入されていても本発明の原
料として使用しうる。たとえばヘキサクロルアセトンか
ら得られ、したがってモノクロルペンタフルオロアセト
ンなトラ不純物として含むＨＦＡであってもよく、ある
いはへキサフルオロプロペン（以下ＨＦ’Ｐ、！：略記
）から直接に、またはヘキサフルオロプロペンエポキシ
ドを経由して得られ、したがって）ＴＦＰ、ヘキサフル
オロプロペンエポキシド、ペンタフルオロプロピオニル
フルオリトナトラ不純物として含むＨＦＡであってもよ
い。さらにまた、他の含フッ素あるいは含塩素の化合物
を不純物として含んでいてもさしつかえない。
が、調製に伴なう不純物が混入されていても本発明の原
料として使用しうる。たとえばヘキサクロルアセトンか
ら得られ、したがってモノクロルペンタフルオロアセト
ンなトラ不純物として含むＨＦＡであってもよく、ある
いはへキサフルオロプロペン（以下ＨＦ’Ｐ、！：略記
）から直接に、またはヘキサフルオロプロペンエポキシ
ドを経由して得られ、したがって）ＴＦＰ、ヘキサフル
オロプロペンエポキシド、ペンタフルオロプロピオニル
フルオリトナトラ不純物として含むＨＦＡであってもよ
い。さらにまた、他の含フッ素あるいは含塩素の化合物
を不純物として含んでいてもさしつかえない。
適宜な精製法でこれらの不純物を減少もしくは除去した
ものでも使用しうろことは言うまでもない。
ものでも使用しうろことは言うまでもない。
本発明は液相法、気相法のいずれの方法で行なってもよ
い。本発明を液相法で行なう場合には齢媒または希釈剤
を用いてもよいし、用いなくてもよい。使用しうる溶媒
または希釈剤としてはＨＦＩＰＡ 、 ＣＦ３ＣＨ２０
Ｈ、メタノール、エタノール、シクロヘキサノールナト
のアルコール類、ＣＦ２ＣＩＣ！ＰＣＩ！ 、 ０Ｆ２
Ｃ１２，ＲＦＰなどのハロゲン化炭化水素類、ヘプタン
、シクロヘキサンなどの炭化水素類、ヘキサフルオロプ
ロペンエポキシド、ジオキサンなどのニーテール類など
を挙げることができるが、目的生成物でもあるＨＦＩＰ
Ａを溶媒とすることは好適である。水を溶媒とし、ある
いは混入させることは、ＨＦＡが水と反応して、還元を
受けにくい（ＣＦｍ）、 ０（ＯＨ）、となるので、ど
ちらかといえは好適でない。反応温度、反応圧力などの
反応条件については特には限定がなく、従来より公知乃
至周知の条件が採用できる。反応開始時に原料ＨＦＡの
全量を仕込むバッチ式またはセミバッチ式液相反応に例
をとれば、反応圧力は水素分圧を含めて０５〜７０気圧
、特には１〜５０気圧が好ましく、反応温度は０〜２０
０℃、特には２０〜１００℃が好ましい。触媒の使用量
は金斡ロジウム換算で供給ＨＦＡ重量に対し０．０００
１〜１ ｗｔ％、特には０．００１〜Ｏ，”１ｗｔ％が
好ましい。反応時間は反応温度など他の反応条件あるい
は操作条件にもよるが、例えば１分〜５００時間程度が
採用しうる。水素は単独で供給してもよく、窒素などの
不活性ガスと混合して供給してもよい。水素分圧は０３
〜５０気圧、特には０５〜３０気圧が好ましい。水素供
給総量は原料Ｉ（ＦＡと等モル以上であればよく、これ
より過剰に水素を供給してもさしつかえない。また、厚
相ＨＦＡモル数より少ないモル数の水素を供給すること
によりＨＦＩＰＡへの転化率を１００チ以下の適宜の数
値にとどめたり、反応速度や反応温度を適宜調整するこ
とも可能で弗る。水素供給総量を反応開始時に一度に反
応系に供給してもよく、反応進行ととＣ′に複数回に分
割供給してもよく、また連続的に供給してもよい。
い。本発明を液相法で行なう場合には齢媒または希釈剤
を用いてもよいし、用いなくてもよい。使用しうる溶媒
または希釈剤としてはＨＦＩＰＡ 、 ＣＦ３ＣＨ２０
Ｈ、メタノール、エタノール、シクロヘキサノールナト
のアルコール類、ＣＦ２ＣＩＣ！ＰＣＩ！ 、 ０Ｆ２
Ｃ１２，ＲＦＰなどのハロゲン化炭化水素類、ヘプタン
、シクロヘキサンなどの炭化水素類、ヘキサフルオロプ
ロペンエポキシド、ジオキサンなどのニーテール類など
を挙げることができるが、目的生成物でもあるＨＦＩＰ
Ａを溶媒とすることは好適である。水を溶媒とし、ある
いは混入させることは、ＨＦＡが水と反応して、還元を
受けにくい（ＣＦｍ）、 ０（ＯＨ）、となるので、ど
ちらかといえは好適でない。反応温度、反応圧力などの
反応条件については特には限定がなく、従来より公知乃
至周知の条件が採用できる。反応開始時に原料ＨＦＡの
全量を仕込むバッチ式またはセミバッチ式液相反応に例
をとれば、反応圧力は水素分圧を含めて０５〜７０気圧
、特には１〜５０気圧が好ましく、反応温度は０〜２０
０℃、特には２０〜１００℃が好ましい。触媒の使用量
は金斡ロジウム換算で供給ＨＦＡ重量に対し０．０００
１〜１ ｗｔ％、特には０．００１〜Ｏ，”１ｗｔ％が
好ましい。反応時間は反応温度など他の反応条件あるい
は操作条件にもよるが、例えば１分〜５００時間程度が
採用しうる。水素は単独で供給してもよく、窒素などの
不活性ガスと混合して供給してもよい。水素分圧は０３
〜５０気圧、特には０５〜３０気圧が好ましい。水素供
給総量は原料Ｉ（ＦＡと等モル以上であればよく、これ
より過剰に水素を供給してもさしつかえない。また、厚
相ＨＦＡモル数より少ないモル数の水素を供給すること
によりＨＦＩＰＡへの転化率を１００チ以下の適宜の数
値にとどめたり、反応速度や反応温度を適宜調整するこ
とも可能で弗る。水素供給総量を反応開始時に一度に反
応系に供給してもよく、反応進行ととＣ′に複数回に分
割供給してもよく、また連続的に供給してもよい。
水素供給総量を反応開始時に一度に供給する場合には、
反応圧力および水素分圧は水素供給直後に上述した圧力
範囲であることが好ましいが、反応終了時にはこの圧力
範囲を下回ってもよい。これは、Ｌ！１１ち反応進行に
より水素が消費され、蒸気圧の大きいＨＦＡが減少し、
蒸気圧の小さいＨＦＩＰＡが増加し、結果として反応圧
力′、水素分圧とも低下するからである。この点は水素
を複数回に分割して間欠的に供給する場合も同様である
。また、水素、ＨＦＡ、さらに必要に応じて溶媒または
希釈剤を連続的に反応系に供給する流通式液相反応、あ
るいは原料の一部もしくは全部をリサイクルして反応系
に供給する循環式液相反応なども適宜採用しうる。
反応圧力および水素分圧は水素供給直後に上述した圧力
範囲であることが好ましいが、反応終了時にはこの圧力
範囲を下回ってもよい。これは、Ｌ！１１ち反応進行に
より水素が消費され、蒸気圧の大きいＨＦＡが減少し、
蒸気圧の小さいＨＦＩＰＡが増加し、結果として反応圧
力′、水素分圧とも低下するからである。この点は水素
を複数回に分割して間欠的に供給する場合も同様である
。また、水素、ＨＦＡ、さらに必要に応じて溶媒または
希釈剤を連続的に反応系に供給する流通式液相反応、あ
るいは原料の一部もしくは全部をリサイクルして反応系
に供給する循環式液相反応なども適宜採用しうる。
なお、上記記載において液相反応とは反応系において判
然としだ液相が存在する場合のみならず、凝液相、即ち
、気相と液相との判然とした区別が不能の臨界γ黒度以
上の温度における物質の状態にある場合をも包含するも
のである。
然としだ液相が存在する場合のみならず、凝液相、即ち
、気相と液相との判然とした区別が不能の臨界γ黒度以
上の温度における物質の状態にある場合をも包含するも
のである。
本発明を気相法で行なう場合には、水素およびＨＦＡを
連続的に固定触媒層に通ずる気相流通反応法は好適な一
例である。反応ガスには窒素などの不活性ガスや、ＨＦ
Ｐ 、 ＣＦｚＯＩＣＦＯｌｚなどの希釈剤を同時に、
あるいは間欠的に通じても差しつかえない。反応条件は
特には限定されないが、反応温度は５０〜４００℃、特
には１５０〜３００℃が好ましく、反応圧力は０．５〜
１０気圧、特には１〜４気圧が好ましい。ＨＦＡに対す
る水素の供給モル比は１以上であることが好ましく、特
には１．５〜５の範囲であることが好ましい。接触時間
は、たとえば担持触媒を使用する場合にあってはロジウ
ム分の担持率などによって変えうるが０．１〜１０００
秒、特には１〜１００秒が好ましい。また、この還元反
応は発熱反応であるので不活性ガスその他の希釈剤をあ
わせ通ずることにより触媒温度が過度８に上昇すること
を防止または抑制するのはしばしば触媒寿命の延長など
につながって有効であシ、同様な目的などから触媒を不
活性または低活性の充填体と混合して用いるなどの手法
も採用できる。なお、固定床反応方式に限定されず、移
動床方式または流動床方式なども適宜採用しつる。
連続的に固定触媒層に通ずる気相流通反応法は好適な一
例である。反応ガスには窒素などの不活性ガスや、ＨＦ
Ｐ 、 ＣＦｚＯＩＣＦＯｌｚなどの希釈剤を同時に、
あるいは間欠的に通じても差しつかえない。反応条件は
特には限定されないが、反応温度は５０〜４００℃、特
には１５０〜３００℃が好ましく、反応圧力は０．５〜
１０気圧、特には１〜４気圧が好ましい。ＨＦＡに対す
る水素の供給モル比は１以上であることが好ましく、特
には１．５〜５の範囲であることが好ましい。接触時間
は、たとえば担持触媒を使用する場合にあってはロジウ
ム分の担持率などによって変えうるが０．１〜１０００
秒、特には１〜１００秒が好ましい。また、この還元反
応は発熱反応であるので不活性ガスその他の希釈剤をあ
わせ通ずることにより触媒温度が過度８に上昇すること
を防止または抑制するのはしばしば触媒寿命の延長など
につながって有効であシ、同様な目的などから触媒を不
活性または低活性の充填体と混合して用いるなどの手法
も採用できる。なお、固定床反応方式に限定されず、移
動床方式または流動床方式なども適宜採用しつる。
液相法にあっても気相法にあっても、一度反応に供した
触媒を水素処理、減圧脱気処理その他の適宜の方法で再
活性化することも採用できる。
触媒を水素処理、減圧脱気処理その他の適宜の方法で再
活性化することも採用できる。
かくして本発明の方法によれば、ＨＦＡ’ＩＯ水素還元
により）ＩＦＩＰＡが好便な反応条件により高活性、高
収率で得られ、また、触媒の耐久性にすぐれ、ないしは
不純物に形勢されにくいなどの効果を奏するものである
が、さらに本発明の実施例について具体的に説明する。
により）ＩＦＩＰＡが好便な反応条件により高活性、高
収率で得られ、また、触媒の耐久性にすぐれ、ないしは
不純物に形勢されにくいなどの効果を奏するものである
が、さらに本発明の実施例について具体的に説明する。
なお、かかる説明によって本発明が何、ら限定されるも
のでないことは言うまでもない。
のでないことは言うまでもない。
実施例１゜
千力計、導入口およびニードルパルプを有する内容横約
５０ ｍｌのＳＵＳ製たて型円筒状耐圧容器に、ロジウ
ム担持率２ｗｔ％の金属ロジウム／活性炭微粉末担持触
媒（日本エンケルノ・ルド社製）。、２．２とテフ・！
被覆攪拌子を入れたのち、系内を宰温で真空脱気した。
５０ ｍｌのＳＵＳ製たて型円筒状耐圧容器に、ロジウ
ム担持率２ｗｔ％の金属ロジウム／活性炭微粉末担持触
媒（日本エンケルノ・ルド社製）。、２．２とテフ・！
被覆攪拌子を入れたのち、系内を宰温で真空脱気した。
ついで、この耐圧容器を１２０℃に加熱しながら約３０
分間真空脱気をつづけて、活性炭担体に吸着している水
分などを除去した。ついで、この耐圧容器を閉じたまま
ドライアイス／アセトン浴で冷却し、ＨＦＡ容器と接続
して２５２の粗ＨＩＩＩ’Ａを導入した。この粗ＨＦＡ
は純度約９−０チで主たる不純物はＲＦＰであった。つ
いで、この耐圧容器を水素ボンベと接続すると共に、ウ
ォーターバスに入れて約６５℃に加熱し、あわせて電磁
攪拌機により耐圧容器内容物を攪拌した。
分間真空脱気をつづけて、活性炭担体に吸着している水
分などを除去した。ついで、この耐圧容器を閉じたまま
ドライアイス／アセトン浴で冷却し、ＨＦＡ容器と接続
して２５２の粗ＨＩＩＩ’Ａを導入した。この粗ＨＦＡ
は純度約９−０チで主たる不純物はＲＦＰであった。つ
いで、この耐圧容器を水素ボンベと接続すると共に、ウ
ォーターバスに入れて約６５℃に加熱し、あわせて電磁
攪拌機により耐圧容器内容物を攪拌した。
圧力は２９気圧を示した。浴温をこの温度に維持し、か
つ攪拌をつづけながら水素を導入して圧力を３４気圧と
した。ただちに圧力が３５気圧まで上昇したのち、約１
分後には３０気圧まで低下した。再び水素を導入して圧
力を３５気圧とした。圧力は３６気圧まで上昇したのち
、その約１，５分後には２９気圧まで低下した。このよ
うにして圧力が２９〜３０気圧に低下するごとに間欠的
に水素を導入して圧力を３５〜３６気圧にすることを反
復して第１回の水素導入後１時間で計１１回の水素導入
を行なうことができだ。反応時間の経過と共に圧力低下
速度は遅くなり、したがって導入回数を重ねる毎に導入
間隔は長くなった。１時間後に耐圧容器をウオーク−バ
スからとシ出し、ドライアイス／アセトン浴で冷却し、
残存する水素をゆっくりと放出した。ついで系を閉じた
まま温水で解凍し、氷水で冷却したなかで溶存していた
水素、未反応ＨＦＡ、ＨＦＰなどをゆっくりと放出した
のち、耐圧容器を開いて生成物を回収した。
つ攪拌をつづけながら水素を導入して圧力を３４気圧と
した。ただちに圧力が３５気圧まで上昇したのち、約１
分後には３０気圧まで低下した。再び水素を導入して圧
力を３５気圧とした。圧力は３６気圧まで上昇したのち
、その約１，５分後には２９気圧まで低下した。このよ
うにして圧力が２９〜３０気圧に低下するごとに間欠的
に水素を導入して圧力を３５〜３６気圧にすることを反
復して第１回の水素導入後１時間で計１１回の水素導入
を行なうことができだ。反応時間の経過と共に圧力低下
速度は遅くなり、したがって導入回数を重ねる毎に導入
間隔は長くなった。１時間後に耐圧容器をウオーク−バ
スからとシ出し、ドライアイス／アセトン浴で冷却し、
残存する水素をゆっくりと放出した。ついで系を閉じた
まま温水で解凍し、氷水で冷却したなかで溶存していた
水素、未反応ＨＦＡ、ＨＦＰなどをゆっくりと放出した
のち、耐圧容器を開いて生成物を回収した。
Ｆ −ＮＭＲおよびガスクロマトクラフで分析したと
ころ、得られた生成物はほとんどがＨＦ Ｉ ＰＡで、
供給した正味のＨＦＡを基準とするＨＦＩＰＡのモル収
率は９５％であった。
ころ、得られた生成物はほとんどがＨＦ Ｉ ＰＡで、
供給した正味のＨＦＡを基準とするＨＦＩＰＡのモル収
率は９５％であった。
比較例１゜
主として触媒を変えた他は実施例１とほぼ同様にして粗
ＨＦＡのＨ２による液相接触還元反応を行なった結果を
次表に示す。いずれの場合も圧力低下速度は実施例１の
場合より遅く、かつパラジウム／活性炭触媒の場合の他
は当初の１〜２回の水素導入後はほとんど圧力低下が認
められなくなった。まだ、パラジウム／活性炭触媒の場
合は、１時間の反応時間に水素供給は６回しかできなか
った。
ＨＦＡのＨ２による液相接触還元反応を行なった結果を
次表に示す。いずれの場合も圧力低下速度は実施例１の
場合より遅く、かつパラジウム／活性炭触媒の場合の他
は当初の１〜２回の水素導入後はほとんど圧力低下が認
められなくなった。まだ、パラジウム／活性炭触媒の場
合は、１時間の反応時間に水素供給は６回しかできなか
った。
×金属Ｐｄ／活性炭微粉末触媒（ｐａ担持率２ ｗｔ％
）をＮａｚＯＯｓ水溶液で処理してＮａ担持率０．４
ｗｔチとした触媒。
）をＮａｚＯＯｓ水溶液で処理してＮａ担持率０．４
ｗｔチとした触媒。
実施例２
内径８埴φのＵ字型ＳＵｓ製反応管にロジウム相持率２
ｗｔ％の金属ロジウム／粒状活性炭（１０〜２０メツ
シユ）担持触媒（日本エンケルハルト社製）１０−を充
填した。系内をＮ２でＩＮ換したのち、反応管を１８０
’Ｃの地温に入れて加熱°した。窒素、ついで水素を通
じて前処理したのち、実施例１に用いたと同様の粗ＨＦ
Ａと水素とをそれぞれ１０〜］ ５ ｄ ／ １ｎｉＲ
（室温換算、以下同じ）、約３０７／ｘｉの流量になる
ように混合して反応系に供給した。反応管出口ガスは２
段の氷水浴トラップを経てベントに放出した。凝縮物の
多くは第１段の氷水浴トラップに捕促され、実質的にそ
のすべてがＨＦ’ Ｉ Ｐ Ａであった。１時間毎にト
ラップを交換して凝縮物を分析したところ３．０〜３時
間までのＨＦ工ＰＡモル収率は実質的に１００チであり
、っぎの１時間のＨＦＩＰＡモル収率は９８チそあった
。
ｗｔ％の金属ロジウム／粒状活性炭（１０〜２０メツ
シユ）担持触媒（日本エンケルハルト社製）１０−を充
填した。系内をＮ２でＩＮ換したのち、反応管を１８０
’Ｃの地温に入れて加熱°した。窒素、ついで水素を通
じて前処理したのち、実施例１に用いたと同様の粗ＨＦ
Ａと水素とをそれぞれ１０〜］ ５ ｄ ／ １ｎｉＲ
（室温換算、以下同じ）、約３０７／ｘｉの流量になる
ように混合して反応系に供給した。反応管出口ガスは２
段の氷水浴トラップを経てベントに放出した。凝縮物の
多くは第１段の氷水浴トラップに捕促され、実質的にそ
のすべてがＨＦ’ Ｉ Ｐ Ａであった。１時間毎にト
ラップを交換して凝縮物を分析したところ３．０〜３時
間までのＨＦ工ＰＡモル収率は実質的に１００チであり
、っぎの１時間のＨＦＩＰＡモル収率は９８チそあった
。
比較例２゜
触媒をパラジウム担持率２ｗｔ％の金輛パラジウム／粒
状活性炭（１０〜２０メツシユ）担持触媒（日本エンゲ
ルハイド社製）に代えた他は実施例２とほぼ同様にして
粗ＨＦＡの還元反応を行なった。０〜３時間までのＨＦ
ＩＰＡモル収率は９０チであり、つぎの１時間のＨＦＩ
ＰＡモル収率は７５チであった。また、粗ＨＦＡＯ代り
に小型ボンベ入りの高純度試薬ＨＦＡを用いてほぼ同様
−の還元反応を行なった。′０〜３時間までのＨＦ工Ｐ
Ａモル収率は８４〜９４チであった。この結果はパラジ
ウム／活性炭系触媒はかなり高活性であり、かつＨＦＡ
中の不純物にも比較的影響されにくいが、ロジウム系触
媒の方がさらに活性、耐久性にまさり、かつ不純物にも
影響されないことを示している。
状活性炭（１０〜２０メツシユ）担持触媒（日本エンゲ
ルハイド社製）に代えた他は実施例２とほぼ同様にして
粗ＨＦＡの還元反応を行なった。０〜３時間までのＨＦ
ＩＰＡモル収率は９０チであり、つぎの１時間のＨＦＩ
ＰＡモル収率は７５チであった。また、粗ＨＦＡＯ代り
に小型ボンベ入りの高純度試薬ＨＦＡを用いてほぼ同様
−の還元反応を行なった。′０〜３時間までのＨＦ工Ｐ
Ａモル収率は８４〜９４チであった。この結果はパラジ
ウム／活性炭系触媒はかなり高活性であり、かつＨＦＡ
中の不純物にも比較的影響されにくいが、ロジウム系触
媒の方がさらに活性、耐久性にまさり、かつ不純物にも
影響されないことを示している。
比較例３゜
触媒をパラジウム担持率０．５ｗｔ％の金属パラジウム
／粒状活性Ａ１２０１ （１０〜２０メツシユ）相持触
媒（日本エンゲルハルト社製）に代え、反応温度を１２
０℃に代えた他は実施例２とほぼ同様にして粗ＨＦＡお
よび高純度試薬ＨＦ Ａの還元反応を行なった。高純度
試薬ＨＦＡを用いた場合には０〜２時間までのＨＦＩＰ
Ａモル収率は９２％であり、粗ＨＦＡを用いた場合には
０〜２時間までのＨＦ工ＰＡモル収率は５チ以下であっ
た。この結果はパラジウム／活性アルミナ系触媒はＨＦ
Ａ中の不純物にきわめて大きく影響されることを示して
いる。同様にして銅−酸化クロム系触媒（反応温度２０
０℃）、ニッケルーケイソウ土系触媒（反応温度１５０
℃）もＨＦＡ中の不純物にきわめて大きく影響され、Ｈ
ＦＩＰＡのモル収率は高純度試薬ＨＦＡでは９０〜９５
％であったのに対し、粗ＨＦＡでは６０チ以下であった
。
／粒状活性Ａ１２０１ （１０〜２０メツシユ）相持触
媒（日本エンゲルハルト社製）に代え、反応温度を１２
０℃に代えた他は実施例２とほぼ同様にして粗ＨＦＡお
よび高純度試薬ＨＦ Ａの還元反応を行なった。高純度
試薬ＨＦＡを用いた場合には０〜２時間までのＨＦＩＰ
Ａモル収率は９２％であり、粗ＨＦＡを用いた場合には
０〜２時間までのＨＦ工ＰＡモル収率は５チ以下であっ
た。この結果はパラジウム／活性アルミナ系触媒はＨＦ
Ａ中の不純物にきわめて大きく影響されることを示して
いる。同様にして銅−酸化クロム系触媒（反応温度２０
０℃）、ニッケルーケイソウ土系触媒（反応温度１５０
℃）もＨＦＡ中の不純物にきわめて大きく影響され、Ｈ
ＦＩＰＡのモル収率は高純度試薬ＨＦＡでは９０〜９５
％であったのに対し、粗ＨＦＡでは６０チ以下であった
。
２５
Claims (1)
- １、ヘキサフルオロアセトンをロジウム触媒の存在下に
水素で還元することを特徴とするＪ、１゜］、 ３．３
．３−ヘキサフルオロ−２−プロパツールの製法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186826A JPS6054931B2 (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | １，１，１，３，３，３‐ヘキサフルオロ‐２‐プロパノールの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186826A JPS6054931B2 (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | １，１，１，３，３，３‐ヘキサフルオロ‐２‐プロパノールの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5888330A true JPS5888330A (ja) | 1983-05-26 |
| JPS6054931B2 JPS6054931B2 (ja) | 1985-12-03 |
Family
ID=16195282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56186826A Expired JPS6054931B2 (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | １，１，１，３，３，３‐ヘキサフルオロ‐２‐プロパノールの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054931B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459142A (en) * | 1991-05-01 | 1995-10-17 | Otsuka Pharmaceutical Co., Ltd. | Pyrazinyl and piperazinyl substituted pyrazine compounds |
| WO2002026679A1 (fr) * | 2000-09-27 | 2002-04-04 | Asahi Glass Company, Limited | Procede de production d'alcool fluore |
| JP2003089666A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Asahi Glass Co Ltd | ハロゲン化アルコ−ルの製造方法 |
| JP2009051798A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Central Glass Co Ltd | ヘキサフルロイソプロパノールの製造方法 |
| US7524995B1 (en) | 2008-06-12 | 2009-04-28 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Continuous process to produce hexafluoroisopropanol |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03115824U (ja) * | 1989-11-28 | 1991-12-02 | ||
| WO2018139441A1 (ja) | 2017-01-27 | 2018-08-02 | 住友化学株式会社 | 組成物及び該組成物を用いて得られる発光素子 |
-
1981
- 1981-11-24 JP JP56186826A patent/JPS6054931B2/ja not_active Expired
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459142A (en) * | 1991-05-01 | 1995-10-17 | Otsuka Pharmaceutical Co., Ltd. | Pyrazinyl and piperazinyl substituted pyrazine compounds |
| WO2002026679A1 (fr) * | 2000-09-27 | 2002-04-04 | Asahi Glass Company, Limited | Procede de production d'alcool fluore |
| JPWO2002026679A1 (ja) * | 2000-09-27 | 2004-02-05 | 旭硝子株式会社 | フッ素化アルコールの製造方法 |
| JP2003089666A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Asahi Glass Co Ltd | ハロゲン化アルコ−ルの製造方法 |
| JP2009051798A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Central Glass Co Ltd | ヘキサフルロイソプロパノールの製造方法 |
| US7524995B1 (en) | 2008-06-12 | 2009-04-28 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Continuous process to produce hexafluoroisopropanol |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6054931B2 (ja) | 1985-12-03 |
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