JPS5890147A - 気体状物質の検知方式 - Google Patents
気体状物質の検知方式Info
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- JPS5890147A JPS5890147A JP18977381A JP18977381A JPS5890147A JP S5890147 A JPS5890147 A JP S5890147A JP 18977381 A JP18977381 A JP 18977381A JP 18977381 A JP18977381 A JP 18977381A JP S5890147 A JPS5890147 A JP S5890147A
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- Japan
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- concentration
- gas
- received light
- optical path
- light power
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の技術分野
本発明は光共鳴吸収現象を用いた気体状物質の検知方式
に係り、特に構成が簡単で取扱いが容易な気体状物質の
検知方式に関するものである。
に係り、特に構成が簡単で取扱いが容易な気体状物質の
検知方式に関するものである。
(2)技術の背景
近年、被測定物質、特に有害なガスの光(赤外線)共鳴
吸収現象を利用した濃度評定方法が盛んになって来てお
り、光源としては最近のレーザの発達に伴って、波長可
変なレーザ(以下単にレーザと称する)が、また光検出
手段としては、例えば水銀・カドミウム・テルル(Hy
CctTg ’)のような8元合金を材料とする受光素
子が用いられるよう[iになって来ている。
吸収現象を利用した濃度評定方法が盛んになって来てお
り、光源としては最近のレーザの発達に伴って、波長可
変なレーザ(以下単にレーザと称する)が、また光検出
手段としては、例えば水銀・カドミウム・テルル(Hy
CctTg ’)のような8元合金を材料とする受光素
子が用いられるよう[iになって来ている。
またガス濃度の評定方法に関しても、受光素子で検出さ
れる受光パワーPと微分受光パワーP′との比を求める
ことにより、検出される光量のゆらぎに基づく測定値の
あいまいさを避ける方法がすでに確立されていることは
周知のとおりであって重畳すると共に、受光素子の出力
を並列運転される第1および第2のロックイン増幅器に
導入し、例えば第1のロックイン増幅器出力で受光パワ
ーPを、また第2のロックイン増幅器出力で微分受光パ
ワーP′を、それぞれ求めた上で、両者を除算器に導き
、p’ /pを得る手法が常套手段として採用されてい
る。
れる受光パワーPと微分受光パワーP′との比を求める
ことにより、検出される光量のゆらぎに基づく測定値の
あいまいさを避ける方法がすでに確立されていることは
周知のとおりであって重畳すると共に、受光素子の出力
を並列運転される第1および第2のロックイン増幅器に
導入し、例えば第1のロックイン増幅器出力で受光パワ
ーPを、また第2のロックイン増幅器出力で微分受光パ
ワーP′を、それぞれ求めた上で、両者を除算器に導き
、p’ /pを得る手法が常套手段として採用されてい
る。
このために以下の実施例の説明中では、上記の微小交流
信号源ならびにロックイン増幅器などは省略して述べる
こととする。
信号源ならびにロックイン増幅器などは省略して述べる
こととする。
(3)従来技術とI¥!1顧点
第1図は従来の気体状物質の濃度検知方式を示すブロッ
クダイヤグラムであって、駆動電源1から供給される駆
動電流■によって駆動されるレーザ(半導体レーザ)L
から矢印イ方向に射出される光は第1のビームスプリッ
タBS、によって、矢印口および矢印凸方向に分岐され
る。このうち矢印口方向への光は光路H1に沿って進み
濃度がXなる未知の値を有する被測定気体状物質、例え
ば被測定ガスが封入された第1のガスセルGC1中を透
過し、該ガスセルGC,中の被測定ガスによる吸収を受
けて減衰した上で第2のビームスプリッタBS2を介し
て受光素子りで検出されるようなっているのであるが、
上記第1のビームスプリッタBS。
クダイヤグラムであって、駆動電源1から供給される駆
動電流■によって駆動されるレーザ(半導体レーザ)L
から矢印イ方向に射出される光は第1のビームスプリッ
タBS、によって、矢印口および矢印凸方向に分岐され
る。このうち矢印口方向への光は光路H1に沿って進み
濃度がXなる未知の値を有する被測定気体状物質、例え
ば被測定ガスが封入された第1のガスセルGC1中を透
過し、該ガスセルGC,中の被測定ガスによる吸収を受
けて減衰した上で第2のビームスプリッタBS2を介し
て受光素子りで検出されるようなっているのであるが、
上記第1のビームスプリッタBS。
によって矢印凸方向に分岐された光は第1の全反射ミラ
ーM、によって光路を矢印二方向に変えられて光路H2
に沿って進んだ後に第2の全反射ミラーH2によって再
たび矢印小方向に光路をかえられ、第2のビームスプリ
ッタBS2で反射されて受光素子りに入射するようにも
なされている。そして上記光路H2上では濃度がSなる
既知の値を有するガスが封入された第2のガスセル(標
準ガスセル)GC2と、濃度が零なる第3のガスセル(
標準ガス:セル。一般にはカラセルとも呼ばれる。実際
には窒素が充填されている)とが交換可能となるように
なされている。なお、Aは図示しない2つのロックイン
増幅器の前段に配置される増幅器である。
ーM、によって光路を矢印二方向に変えられて光路H2
に沿って進んだ後に第2の全反射ミラーH2によって再
たび矢印小方向に光路をかえられ、第2のビームスプリ
ッタBS2で反射されて受光素子りに入射するようにも
なされている。そして上記光路H2上では濃度がSなる
既知の値を有するガスが封入された第2のガスセル(標
準ガスセル)GC2と、濃度が零なる第3のガスセル(
標準ガス:セル。一般にはカラセルとも呼ばれる。実際
には窒素が充填されている)とが交換可能となるように
なされている。なお、Aは図示しない2つのロックイン
増幅器の前段に配置される増幅器である。
この従来の気体状物質の検出方式の操作は次のようであ
る。まず゛、光路H,上に配置されている光シヤツター
S2を閉じ、もう一方の光シヤツターs1を開いておく
。このようにすればレーザLからの光は光路H2のみを
通って受光素子りで受光されるのであるが、この場合、
該光路H2上には上記のカラセルを配置しておく。こう
しておけばガス濃度が零でも第2図に示した縦軸上で、
(P′/P)。なる値がプロットできる。そして次に同
じ光路H2上に上記の第2のガスセル(ガス濃度はSな
る既知の値)GC2を挿入すると、第2図中の横軸上の
Sなる値に対して縦軸上に(P′/P)Bなる値がプロ
ットできるから、ここに点QlとQ2とが求められるの
であるが、画点Q1.Q2を結んだ延長g+)を引くこ
とができる。
る。まず゛、光路H,上に配置されている光シヤツター
S2を閉じ、もう一方の光シヤツターs1を開いておく
。このようにすればレーザLからの光は光路H2のみを
通って受光素子りで受光されるのであるが、この場合、
該光路H2上には上記のカラセルを配置しておく。こう
しておけばガス濃度が零でも第2図に示した縦軸上で、
(P′/P)。なる値がプロットできる。そして次に同
じ光路H2上に上記の第2のガスセル(ガス濃度はSな
る既知の値)GC2を挿入すると、第2図中の横軸上の
Sなる値に対して縦軸上に(P′/P)Bなる値がプロ
ットできるから、ここに点QlとQ2とが求められるの
であるが、画点Q1.Q2を結んだ延長g+)を引くこ
とができる。
こうしておいた上で今度は光シヤツター81を閉じ、他
の光シヤツター82を開くと、光は光路H1に沿って第
1のガスセル(ガス濃度は未知の値Zを有する)GC1
中を通るために、第2図の縦軸上に(P′/P)xなる
値がプロットできるから、この値と延長IJ リとから
横軸上において未知のガス濃度Xが求められる。
の光シヤツター82を開くと、光は光路H1に沿って第
1のガスセル(ガス濃度は未知の値Zを有する)GC1
中を通るために、第2図の縦軸上に(P′/P)xなる
値がプロットできるから、この値と延長IJ リとから
横軸上において未知のガス濃度Xが求められる。
方式では主光路たるHoの他に副光路たるH2を作を作
る必要があるために、ビームスプリッタBS、。
る必要があるために、ビームスプリッタBS、。
BS2および全反射ミラーMl −M2が必要であって
、そのために装置全体が大型となってしまう。加うるに
光路が2つあるために光軸調整を精密に行わねばならず
、操作手順が非常に複雑になるという欠点があった。
、そのために装置全体が大型となってしまう。加うるに
光路が2つあるために光軸調整を精密に行わねばならず
、操作手順が非常に複雑になるという欠点があった。
(4)発明の目的
そこで本発明は上記従来の欠点に鑑みてなされたもので
、ビームスプリッタBS1.BS2ならびに全反射ミラ
ーM1. M2をなくして、複光路であった所を単光路
とし、寸法が小でしかも光軸調整の簡単な気体状物質の
検知方式を構成することを目的とする。
、ビームスプリッタBS1.BS2ならびに全反射ミラ
ーM1. M2をなくして、複光路であった所を単光路
とし、寸法が小でしかも光軸調整の簡単な気体状物質の
検知方式を構成することを目的とする。
(5)発明の構成
そしてこの目的は、本発明によれば、波長可変なレーザ
と受光素子間を結ぶ光路を形成し、該光路上に濃度が未
知なる気体状物質を介在させた第1の状態でレーザ駆動
電流対受光パワー特性を得して、気体状物質が存在して
いない状態における微分受光パワ一対受光パワー値を求
め、この値を零濃度基準とする一方、前記気体状物質の
介在空間に既知濃度の気体状物質が封入されたセルを挿
入し、この第2の状態におりる総計の微分受光パワ一対
受光パワー値ならびに上記第1の状態での直線補間前の
微分受光パワ一対受光パワー値の差と前記セル中に討入
された気体状物質の濃度から勾配を決定して、当該勾配
と先に求めた零濃度基準値とを用いて描かれるガス濃度
吸収曲線より、気体状物質の未知なる濃度を求めるよう
にしたことを特徴とする気体状物質の検知方式を提供す
ることによって達成される。
と受光素子間を結ぶ光路を形成し、該光路上に濃度が未
知なる気体状物質を介在させた第1の状態でレーザ駆動
電流対受光パワー特性を得して、気体状物質が存在して
いない状態における微分受光パワ一対受光パワー値を求
め、この値を零濃度基準とする一方、前記気体状物質の
介在空間に既知濃度の気体状物質が封入されたセルを挿
入し、この第2の状態におりる総計の微分受光パワ一対
受光パワー値ならびに上記第1の状態での直線補間前の
微分受光パワ一対受光パワー値の差と前記セル中に討入
された気体状物質の濃度から勾配を決定して、当該勾配
と先に求めた零濃度基準値とを用いて描かれるガス濃度
吸収曲線より、気体状物質の未知なる濃度を求めるよう
にしたことを特徴とする気体状物質の検知方式を提供す
ることによって達成される。
(6)発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によって詳述する。
第8図は本発明に係る気体状物質の検知方式に用いられ
る装置のブロックダイヤグラムであって第1図と同等部
位には同一符号を付して示しである。この装置の取扱い
操作について次に述べる。
る装置のブロックダイヤグラムであって第1図と同等部
位には同一符号を付して示しである。この装置の取扱い
操作について次に述べる。
まず光路H,上に、カラセルGC3をガスセルGclと
直列に挿入し、レーザLの駆動電流Iを後述するIlな
る値からI2なる値まで掃引して受光パワーPの曲線を
描かせる。この場合掃ぢIする電流範囲はガスセルGC
1中の濃度が未知なるガスによる吸収に基づいた曲線の
くぼみがまだ現われない値(これをI、とする)から始
まり、吸収によるくぼみが生ずる領域をil“^ぎて、
再び吸収によるくぼみがなくなる値(これをI2とする
)までとする。
直列に挿入し、レーザLの駆動電流Iを後述するIlな
る値からI2なる値まで掃引して受光パワーPの曲線を
描かせる。この場合掃ぢIする電流範囲はガスセルGC
1中の濃度が未知なるガスによる吸収に基づいた曲線の
くぼみがまだ現われない値(これをI、とする)から始
まり、吸収によるくぼみが生ずる領域をil“^ぎて、
再び吸収によるくぼみがなくなる値(これをI2とする
)までとする。
このようにして得られた駆動電流〜受光パワー特性(以
下1〜2曲線と呼ぶ)が第4図の実線オであって上記電
流値I1. I2に対応する受光パワーPをそれぞれp
、、p2 とする。ここで実線オ上の2点P1゜22間
をW線補間する破線ワを引くと、これが光路H1上にガ
スが無い場合(すなわちガス濃度は零Ppm)のI −
P曲線となる。この破線ワ上の点ROoから、実際に測
定を行う場合に用いるレーザ駆動電流IDに対するガス
無し状態での受光パワーpDoが決定できる。なお、こ
の場合の微分受光パワーP′Doは、この直線ワの傾斜
から算出できる。
下1〜2曲線と呼ぶ)が第4図の実線オであって上記電
流値I1. I2に対応する受光パワーPをそれぞれp
、、p2 とする。ここで実線オ上の2点P1゜22間
をW線補間する破線ワを引くと、これが光路H1上にガ
スが無い場合(すなわちガス濃度は零Ppm)のI −
P曲線となる。この破線ワ上の点ROoから、実際に測
定を行う場合に用いるレーザ駆動電流IDに対するガス
無し状態での受光パワーpDoが決定できる。なお、こ
の場合の微分受光パワーP′Doは、この直線ワの傾斜
から算出できる。
そして曲線オ上の点RD&から、駆動電流がrDである
場合における未知のガス濃度Xに対する受光パワーPD
、fが第4図の縦軸上に求められるのであるが、この場
合の微分受光パワーp’orは、従来法で行なったと同
じ方法、すなわち、レーザ駆動電流に微小交流信号を重
畳し、受光素子りの出力をロックイン増幅器で増幅して
、上記微小交流信号を当該ロックイン増幅器の参照信号
に用いた状態で求められるロックイン増幅器の出力を求
める方法によって決定でき、ここに零濃度基準値が決定
できる。
場合における未知のガス濃度Xに対する受光パワーPD
、fが第4図の縦軸上に求められるのであるが、この場
合の微分受光パワーp’orは、従来法で行なったと同
じ方法、すなわち、レーザ駆動電流に微小交流信号を重
畳し、受光素子りの出力をロックイン増幅器で増幅して
、上記微小交流信号を当該ロックイン増幅器の参照信号
に用いた状態で求められるロックイン増幅器の出力を求
める方法によって決定でき、ここに零濃度基準値が決定
できる。
次に今までガスセルGC,と直列に挿入されていたカラ
セルGC3を光に!?iHtからはずし、そのかわりに
濃度が既知のガスが封入されたガスセルGC2を光路H
1中に捜大してガスセルGC1と直列に配置する。この
ようにすれば光の吸収分の総計はガスセルGC1中の未
知なるガス濃度Xによる分と、ガスセルGC2中の既知
なるガス濃度Sによる分との和になるから、この場合の
1〜2曲線は第4図中の1点鎖線力のようになって光吸
収による曲線のく光パワーは、上記1点鎖線力士の点P
D(r+s)がら第4図の細軸上の値Pp(、r+s)
として求められる。
セルGC3を光に!?iHtからはずし、そのかわりに
濃度が既知のガスが封入されたガスセルGC2を光路H
1中に捜大してガスセルGC1と直列に配置する。この
ようにすれば光の吸収分の総計はガスセルGC1中の未
知なるガス濃度Xによる分と、ガスセルGC2中の既知
なるガス濃度Sによる分との和になるから、この場合の
1〜2曲線は第4図中の1点鎖線力のようになって光吸
収による曲線のく光パワーは、上記1点鎖線力士の点P
D(r+s)がら第4図の細軸上の値Pp(、r+s)
として求められる。
そしてこの状態での駆動電流IDにおける微分受光パワ
ーP’o(r+s)は、やはり従来法、すなわち駆動電
流に微小交流信号を重畳してロックイン増ll11器の
出力を求める方法から決定できる。
ーP’o(r+s)は、やはり従来法、すなわち駆動電
流に微小交流信号を重畳してロックイン増ll11器の
出力を求める方法から決定できる。
以上からまとめて見ると次のようなデータが測定または
抑定し得たことになる。すなわち、1) ガス濃度が零
ppmの場合の受光パワーPD。
抑定し得たことになる。すなわち、1) ガス濃度が零
ppmの場合の受光パワーPD。
とその微分値p/ n01
1I) ガス濃度が”PPm(未知)の場合の受光パ
ワーPDacとその微分値p/Dへ 111)ガス濃度がz+Sppmの場合の受光パワーP
D(r+B)とその微分値P’ D(r+s )。
ワーPDacとその微分値p/Dへ 111)ガス濃度がz+Sppmの場合の受光パワーP
D(r+B)とその微分値P’ D(r+s )。
上記したl)、 Il)、 liDよりp’ /pの各
場合に対するそれぞれの値、すなわち、P′員、P′D
、、/PDt。
場合に対するそれぞれの値、すなわち、P′員、P′D
、、/PDt。
Pa’ (r+s )/P D(、r+s )がここに
得られたことが判る。
得られたことが判る。
この場合に対するp’ /pの値を縦軸に、また、各場
合に対するガス濃度の値を横軸に、それぞれとヨが得ら
れ、そしてこの直線ヨを表わす式が得られれば、測定し
たp’/pから、求めんとする未知のガス濃度xか得ら
れることになる。
合に対するガス濃度の値を横軸に、それぞれとヨが得ら
れ、そしてこの直線ヨを表わす式が得られれば、測定し
たp’/pから、求めんとする未知のガス濃度xか得ら
れることになる。
これを行うには直線の傾きと切片が得られればよいが、
このうち切片としてはガス濃度が零(Oppm )の場
合のP′r)。/PDoがすでに得られている。
このうち切片としてはガス濃度が零(Oppm )の場
合のP′r)。/PDoがすでに得られている。
そしてp’D(f+1+ )/PD(、T+8 )、P
′DJ”/pD、rのそれぞれに対する濃度は未知では
あるが、濃度の差としては、(x +s )r−8pp
m %すなわちガスセルGC2中の既知なるガス濃度で
あるので、直線ヨの傾きは、(P’駒〆1)D(x+a
) P’Drβo、r)sによって得ることができる
。
′DJ”/pD、rのそれぞれに対する濃度は未知では
あるが、濃度の差としては、(x +s )r−8pp
m %すなわちガスセルGC2中の既知なるガス濃度で
あるので、直線ヨの傾きは、(P’駒〆1)D(x+a
) P’Drβo、r)sによって得ることができる
。
従って濃度がy pprnなる場合におけるP/ 78
才1、・・・・・・・・・・・・・・・・・(1)の関
係が成立するので第8図の装置を用いてp/ /Pが測
定されれば欲しい未知なるガス濃度yは上記(1)式を
用いて逆に求めることができる。
才1、・・・・・・・・・・・・・・・・・(1)の関
係が成立するので第8図の装置を用いてp/ /Pが測
定されれば欲しい未知なるガス濃度yは上記(1)式を
用いて逆に求めることができる。
(7)発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明に係る気体状物質の
検知方式は、従来まで複光路を必要とした所を単光路で
済むようになされるために、形状分法が小となる上に調
整が簡単となるのでそれだけ信頼性が増大し、このため
に実用上多大の効果が期待できる。
検知方式は、従来まで複光路を必要とした所を単光路で
済むようになされるために、形状分法が小となる上に調
整が簡単となるのでそれだけ信頼性が増大し、このため
に実用上多大の効果が期待できる。
第1図は従来の気体状物質の検知方式に用いられる装置
のブロックダイヤグラム、第2図は該装置を用いて未知
のガス濃度を求める方法を示す同第8図は本発明に係る
気体状物質の検知方式に用いられる装置のブロックダイ
ヤグラム、第4図および第5図は当該装置を用いて未知
のガス濃度を求める方法を示す図である。 図においては、■はレーザLの駆動電源、Aは増幅器、
Dは受光素子、GC4、GC2+ GO]はガスセルH
1,H2は光路をそれぞれに示す。 () 、C+ ε B 8:ワ5Qフづづと 只
ジ q 三 Σ X Σ ×(1−OIJ
vQ7 ’l−(n 石・ご手続補正書 昭−17年2月1日 特許庁長官 殿 1事件の表示 昭和5G 年持許ei 第1 !R’l ’773 号
2発明の名称 諏イ半−友才勿偏′の腰欠d式 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中1015番地(5
22)名称富士通株式会社 代表者山本卓眞 4 代 理 人 住所 神奈川県川崎市中
京区上小田中1015番地富士通株式会社内− (7259)氏名弁理士 井 桁 貞 −1連烙先 電
話 明石(078)936−12215、補正品性の日
1寸 り゛し 6 補正しこより増加する発明の数 す(7、補正の
対象 叩才Pl訃 rをを千廿介本i石崩ヨ^巾に+ ネ・
2ひ1叉j血(1) 明細省筆1頁に記載の「特許請
求の範囲」を別紙のとおり補正する。 (2) 図面を別紙のとおり補正する。 9、添付書類の目録 (1)特許請求の範囲 1通(2)
図 面 1通8、補正の内容 特許請求の範囲 [波長可変なレーザと受光素子間を結ぶ光路を形成し、
該光路上に濃度が未知なる気体状物質を介在させた第1
の状態二レーザ駆動電流対受光パワー特性を得るととも
に、上記特性上の光吸収領域を直線補間して、気体状物
質が存在していない状態における微分受光パワ一対受光
パワー値を求めこの値を零濃度基準値とする一方、前記
気体状物質の介在空間に既知濃度へλ体状物質が封入さ
れたセルを挿入し、この第2の状態における総計の微分
受光パワ一対受光パワー値ならびに上記第1の状態での
直線補間前の微分受光パワ一対受光パワー僅の差と前記
セル中に封入された気体状物質の濃度から勾配を決定し
て、当該勾配と先に求めた零濃度基準値とを用いて描か
れるガス濃度吸収曲線より、気体状物質の未知なる濃度
を求めるようにしたことを特徴とする気体状物質の検知
方式。 」 第1図 第2図 P′
のブロックダイヤグラム、第2図は該装置を用いて未知
のガス濃度を求める方法を示す同第8図は本発明に係る
気体状物質の検知方式に用いられる装置のブロックダイ
ヤグラム、第4図および第5図は当該装置を用いて未知
のガス濃度を求める方法を示す図である。 図においては、■はレーザLの駆動電源、Aは増幅器、
Dは受光素子、GC4、GC2+ GO]はガスセルH
1,H2は光路をそれぞれに示す。 () 、C+ ε B 8:ワ5Qフづづと 只
ジ q 三 Σ X Σ ×(1−OIJ
vQ7 ’l−(n 石・ご手続補正書 昭−17年2月1日 特許庁長官 殿 1事件の表示 昭和5G 年持許ei 第1 !R’l ’773 号
2発明の名称 諏イ半−友才勿偏′の腰欠d式 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中1015番地(5
22)名称富士通株式会社 代表者山本卓眞 4 代 理 人 住所 神奈川県川崎市中
京区上小田中1015番地富士通株式会社内− (7259)氏名弁理士 井 桁 貞 −1連烙先 電
話 明石(078)936−12215、補正品性の日
1寸 り゛し 6 補正しこより増加する発明の数 す(7、補正の
対象 叩才Pl訃 rをを千廿介本i石崩ヨ^巾に+ ネ・
2ひ1叉j血(1) 明細省筆1頁に記載の「特許請
求の範囲」を別紙のとおり補正する。 (2) 図面を別紙のとおり補正する。 9、添付書類の目録 (1)特許請求の範囲 1通(2)
図 面 1通8、補正の内容 特許請求の範囲 [波長可変なレーザと受光素子間を結ぶ光路を形成し、
該光路上に濃度が未知なる気体状物質を介在させた第1
の状態二レーザ駆動電流対受光パワー特性を得るととも
に、上記特性上の光吸収領域を直線補間して、気体状物
質が存在していない状態における微分受光パワ一対受光
パワー値を求めこの値を零濃度基準値とする一方、前記
気体状物質の介在空間に既知濃度へλ体状物質が封入さ
れたセルを挿入し、この第2の状態における総計の微分
受光パワ一対受光パワー値ならびに上記第1の状態での
直線補間前の微分受光パワ一対受光パワー僅の差と前記
セル中に封入された気体状物質の濃度から勾配を決定し
て、当該勾配と先に求めた零濃度基準値とを用いて描か
れるガス濃度吸収曲線より、気体状物質の未知なる濃度
を求めるようにしたことを特徴とする気体状物質の検知
方式。 」 第1図 第2図 P′
Claims (1)
- 波長可変なレーザと受光素子間を結ぶ光路を形成し、該
光路上に濃度が未知なる気体状物質を介在させた第1の
状態どレーザ駆動電流対受光パワー特性を得るとともに
、上記特性上の光吸収領域を直線補間して、気体状物質
が存在していない状態における微分受光パワ一対受光パ
ワー値を求めこの値を等濃度基準値とする一方、前記気
体状物質の介在空間に既知濃度の基体状物質が封入され
たセルを挿入し、この第2の状態における総計の微分受
光パワ一対受光パワー値ならびに上記第1の状態での直
線補間前の微分受光パワ一対受光パワー値の差と前記セ
ル中に封入された気体状物質の濃度から勾配を決定して
、当該勾配と先に求めた等濃度基準値とを用いて描かれ
るガス濃度吸収曲線より、気体状物質の未知なる濃度を
求めるよ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18977381A JPS5890147A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 気体状物質の検知方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18977381A JPS5890147A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 気体状物質の検知方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890147A true JPS5890147A (ja) | 1983-05-28 |
Family
ID=16246947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18977381A Pending JPS5890147A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 気体状物質の検知方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890147A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217446A (ja) * | 1988-05-12 | 1990-01-22 | General Motors Corp (Gm) | 同位体富化によるプロセス評価方法 |
| WO2007136124A1 (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | ガス分析装置及びガス分析装置におけるレーザの波長掃引制御方法 |
| CN102007397A (zh) * | 2008-04-15 | 2011-04-06 | 株式会社岛津制作所 | 装载有校正用气室的气体分析装置 |
| US8208143B2 (en) | 2005-04-28 | 2012-06-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust gas analyzer |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP18977381A patent/JPS5890147A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217446A (ja) * | 1988-05-12 | 1990-01-22 | General Motors Corp (Gm) | 同位体富化によるプロセス評価方法 |
| US8208143B2 (en) | 2005-04-28 | 2012-06-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust gas analyzer |
| WO2007136124A1 (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | ガス分析装置及びガス分析装置におけるレーザの波長掃引制御方法 |
| JP2009216385A (ja) * | 2006-05-19 | 2009-09-24 | Toyota Motor Corp | ガス分析装置及びガス分析装置におけるレーザの波長掃引制御方法 |
| CN102007397A (zh) * | 2008-04-15 | 2011-04-06 | 株式会社岛津制作所 | 装载有校正用气室的气体分析装置 |
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