JPS5890788A - 半導体発光ダイオ−ドの駆動装置 - Google Patents

半導体発光ダイオ−ドの駆動装置

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JPS5890788A
JPS5890788A JP56188809A JP18880981A JPS5890788A JP S5890788 A JPS5890788 A JP S5890788A JP 56188809 A JP56188809 A JP 56188809A JP 18880981 A JP18880981 A JP 18880981A JP S5890788 A JPS5890788 A JP S5890788A
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JP
Japan
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circuit
input
output
led
linearity
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JP56188809A
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English (en)
Inventor
Toshio Takuji
宅治 俊男
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30Driver circuits
    • H05B45/395Linear regulators
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

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  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体発光ダイオード(以下 LEDと呼ぶ
)の駆動装置、特に入出力特性を改善させるための駆動
装置に関する。
近年の研究開発の進展によシ、半導体レーザやLED 
を光源とした光通信システムが広く用いられる様になっ
てきた。特に発光部の半導体材料として、Aj x G
as −x A s (0<、 z<0.1 )を用い
九半導体レーザやIJDを光源とする光通信システムは
、既に実用段階に入り九と言える。又、光ファイバの伝
送損失が最小となる波長IP帯の光通信システムも実用
化研究が進み、光源としてInGaAgPを用いた半導
体レーずやLIDの研究、開発が進んでいる。ところで
ムLzQal−XAa系の光源では、IJ)の入力対光
出力特性の直線性が優れていることからアナログ変調方
式の光通信システムの光源としてIJDが多く用いられ
ている。しかし、InGaAsP系のLEDは、入力対
先出力特性の直線性が悪い丸め、アナログ変調方式の光
通信システムの光源として用いることは困難であった。
この非直線性B、InGaAsP*LEDにおいて、一
般的に見られ、半導体材料固有の現象であると考えられ
ている。波長1μ犠帯の光通信システムは、伝送中継距
離を大きくとれることから、今後の光通信システムの中
心になると考えられるだけに、このInGcLAgPi
LEDの非直線性は重大な欠点であった。
このようなIJDの光出力の非直線性を改善する方法と
して、光出力をフィードバックさせる方法や、2つのL
EDを用い一方を主信号源に、他方を非直線性を補う信
号源として用いる方法などが考えられる。しかし前者の
場合、光出力をモニターする受光素子が必要となること
や、フィードバック回路で歪の原因となる位相シフトが
新らたに生じるといった欠点がある。また、後者の場合
、光出力をモニターする受光素子が必要となることやL
EDが2つ必要となるといった欠点がある。
また、補償回路を設ける方法として、トランジスタの増
中度を入力信号の増大に伴ない増加させるようにした補
償回路が、AJG”As LEDにおいて用いられてい
る。しかし、この補償回路は、LED の非直線性を表
わす定式に基づいた補償機能を有するものではないので
、調整が困難であるという欠点がある。さらにAjGc
LAs LEDに比べ桁違いに直線性の悪い、従って補
償度の大きなInG−AsP LEDKは適さなかった
本発明は、このような欠点を除くためになされたもので
、LEDの非直線性を補償する駆動回路を設けることに
より容易に入力対光出力特性の直線性を向上させ、歪の
小さいアナログ変調を可能にするものである。
本発明の特徴は、LEDの入力対光出力特性の非直線性
を統一的に表わす定式を見出し、この定式に基づいて非
直線性を補償するようにLEDを駆動させるととにある
。即ち、m−v化合物半導体から成゛る発光部を有する
半導体発光ダイオードを駆動する駆動装置において、入
力信号Isに対し出力信号IDが、 In=CtIs+CgIsr(但しCs、巳は比例定数
、1〈γ〈4)となる様に骸入力信号IIを該出力信号
IDに変換する補償回路を有し、該出力信号IDに比例
し九駆動電流で該半導体発光ダイオードを駆動させるこ
とを特徴とする半導体発光ダイオードの駆動装置である
LEDとしてInGaAaP/TnPダブルへテロ構造
面発光型LED (以下略してInGaAsP LED
と叶ぶ)を例にとって本発明について説明する。
第1図はInG−AiP LEDの典型的な入力電流対
光出力特性(図中実線で示した)を示した図である。図
から分る様に、入力電流が増大するとともに、光出力の
直線(第1図中の点線)からのずれが大きくなυ、光出
力が飽和する。この様な光出力の飽和現象はA1.Ga
As系LEDでは与られず、InGaAsP LgDに
特徴的である。この飽和現象がオージェ再結合による非
発光電流に起因していることが、本発明者らの研究によ
シ、次のようにして実験的に明らかになった。即ち第1
図の様な飽和は、光出力に比例した発光電流Iitの他
に光出力の直線からのずれに比例した非発光電流INR
の存在を示している。そこで、IR及びINKに対する
活性層の注入キャリヤ濃度(n)依存性を調べた結果、
第2図に示した様にIRはnの約2乗に比例し、INR
I′inの約3乗に比例していることが分った。さらに
 種々の活性層厚d及び発光面積Sを有するLEDにつ
いて同様に調べた結果、LEDの入力電流Iは、IRと
INKの和で、第(1)式の様に表わされることが明ら
かになった。
I=edSBn/+adSAn”、β=1〜2.α=>
4r a:]〉β・・・・・(1)(1)式において、
eは電子電荷、Bは発光再結合定数、人は非発光再結合
定数を示している。また(1)式の関係はtoo’k 
〜soO°にの範囲で成立っておシα及びβの値は、温
度によらず一定で′ある乙とが分った。このようにIn
GaAaP LEDの飽和の原因である非発光電流IN
I!が、注入キャリヤ誘度の約3乗に比例し、しかも電
流工が(1)式の碌な表式で表わされることから、この
INRはオージェ再結合に起因していることが分った。
さらに、非発光再結合定数Aの温度依存性も、オージェ
再結合の理論的解析結果とよく一致していた。以上の様
にInG−AsP LEDの光出力の飽和の原因がオー
ジェ再結合であることが明らかにな9た。
さて、LEDの入力電流工が、注入キャリヤ浸度nによ
シ(1)式の様に統一的に表わせることが分りたので、
次に本発明の原理について述べる。(1)式でIR= 
edsBnβであるので、(1)式を工λを用いて表わ
すと、(2)式の様になる。
光出力Pは1凰に比例するのでP=RIisとすると、
(2)式は、 特性即ち非直線性を統一的に表わす定式である。
そこで非直線性を補償してLEDを駆動する丸めに、入
力信号IIを、Isの関数である駆動電流IDに変換し
光出力Pが、入力信号Isに対し直線性を有する(即ち
P=mIs)様に■Dを決める。
駆動電流iDはLEDに直接注入する電流であるので、
(3)式よシ光出力Pと、次式の関係にある。
又、入力信号IIと光出力Pが比例関係に林のでP=m
I纂         ・・・・・・(5)従って、入
力信号、Izと、駆動電流Inは、(4)、(5)式よ
シ、次式の一係にある。
ID=Cl11+CllIr ・・・・・・(6) ここで(1)式よりα=2〜4、β=1〜2、α〉βで
あるのでrは、1(r(4となる。
即ち、入力信号IIを、(6)式の関数形で、駆動電流
InK変換する仁とKよ) 、InG−AaP LED
の入力対光出力特性の非直線性を補償することができ、
直線性の優れた入力対光出力特性が得られ、歪の小さい
アナログ変調を実現する仁とが可能となる。又、温度が
変ってもa及びlの値は一定であるので(6)式のrの
値を変えることなく、非直線性を補償することができる
次に、本発明の一実施例について述べる。第3図は本実
施例のブロック図であり、1lFi補償回路、15はI
nGaAsP LEDを示す。入力信号Isを、回路1
2及び回路13でそれぞれCIIm及びCsI畠rに変
換する。次いで回路14で加算し、駆動電iIo、In
=C1111+C怠Isr、に変換する。このIDfr
LED15に印加することによシ、入力信号Isに比例
した光出力Pが得られる。ここで回路12は、単なる増
巾であるので、アンプやトランジスタで容易に構成でき
る。又、回路13は、べき乗と増巾機能を有するが、こ
れも現在ではICとして容易に入手できる掛算関数増巾
回路とアンプ等で構成することができる。
例えは第3図には、γ=1.5の場合の例を示している
。回路16.17.19は、掛算回路で入力X、Yに対
し、積(X、Y)を出力する。回路18.20は、例え
ばオペアンプなどのアンプである。回路16の入力X1
とYを、同じ値、”%にしておくと、出力e61.はe
lになる。このe&11を回路17の一方に入力し、e
↓を17 の他方に入力すると、回路18の出力e9マ
は、elとなる。側路22は開平(ルート)回路を構成
しており、入力(−X)に対し、平方根Wを出力する。
回路18の出力Jxをアンプ18によ如符号を逆転させ
、−eθ2とし、回路22に入力する。回路22の出力
はソロ;−となるので回路13の入力tAに対し、出力
・=t、Sを得ることができる。他のrの値についても
べき乗回路21と、開平回路220組合せによシ同様に
して得ることができる。
又、Iγを得るのに第4図の様に対数変換回路を用いて
、構成することもできる。回路41は対数変換回路で、
入力Xに対し、出力KsJすIIICIXが得られる。
又、回路42は逆対数変換回路で、入力Xに対し、出力
C5Anti LtIB・(−)が得られに重 る。第4図に示したように、回路41の出力を回路42
に入力するような構成にすると、回路41の入力6bに
対し、回路41の出力1f)iはKIJ−tyl。
(CftA)となる。これを回路42に入力すると、回
路42の出力”dlは、 91 e07 =CgAntljすn (,7,)≦1 =C@LK* とな9、Cγ(r = KIAr、* )が得られる。
K1、K!の値は、抵抗43.44により変えるととが
できゐ。
このようにして、入力isに対し、出力Isγを得るこ
とができる。この実施例では、rの調整が容易にできる
という利点がある。このように本発明の駆動装#により
第5図の曲線(イ)で示すように直線性の優れた入力対
光出力特性が得られた。
なお、第5図の曲線(ロ)は本発明の補償回路を用いな
い場合の光出力特性を示す。
これまで、LEDとして、InGzAgPを発光層とす
るものについて述べてきたカヘ例えばAJGαpsb。
AJGaAaSo 、GJnAaSb %ルlInAs
5Sb 、 AJGaInPといつた他の4元化合物半
導体や、InAaP %InA1Sb  AJG−8b
 GaAsSb  GaInSbといった3元化合物半
導体を発光層とするLEDでもオージェ再結合がみられ
ると言われてお’) 、InGaAaPLEDと同様に
不発明を適用することができる。以上述べた様に、本発
明の駆動装置によシ、IJDの入力対光出力特性の非直
線性を補償し、fi綜性の優れた入力対光出力特性を、
容易に、しかも、他の光素子を用いることなく得ること
か可能になった。
特に、本発明の補償回路は、非直線性の関数形に適合し
た関数変換を行なうようにしであるので、従来の方法に
比べ補償機能が極めて優れてお9、しかも、温度変化中
、個々のLEDに対する調整が容易にできるといった利
点を有する駆動装置である。
【図面の簡単な説明】
第1図a、LEDの入力電流対光出力特性を、第2図は
、発光電流Il及び非発光電流Ixmと注入キャリヤ濃
度nの関係を、籐3図、第4図は、本発明の実施例のプ
ロ、り図を、第S図は、本発明の駆動装置で駆動したI
JDの入力信号対先出力の関係をそれぞれ示す。 図中、11は補償回路、21はべき東回路、22は開平
回路、1番は加算回路、41は対数変換回路、42は逆
対数変換回路を示す。 ′$I図 入力電シ亀 (mA) ′$Z図 シ主入キ菅すマ濃度ル(C洸−う 第3図 第5図 λカイ富号  Is

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体発光ダイオードを駆−する駆動装置において、入
    力信号IIに対し、出力信号IDがID=C,I% +
     C! II’ (fflLcs、G ハ比例定e、 
     Kr<4)となる様に鉄人力信号■8を皺出力信号I
    IIに変換する補償回路を有し、該出力信号IDに比例
    した駆動電流で該半導体発光ダイオードを駆動させるこ
    とを特徴とする半導体発光ダイオードの駆動装置。
JP56188809A 1981-11-25 1981-11-25 半導体発光ダイオ−ドの駆動装置 Pending JPS5890788A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62272631A (ja) * 1986-05-20 1987-11-26 Fujitsu Ltd 歪発生回路
JPH02127048U (ja) * 1989-03-28 1990-10-19

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62272631A (ja) * 1986-05-20 1987-11-26 Fujitsu Ltd 歪発生回路
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