JPS5890788A - 半導体発光ダイオ−ドの駆動装置 - Google Patents
半導体発光ダイオ−ドの駆動装置Info
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- JPS5890788A JPS5890788A JP56188809A JP18880981A JPS5890788A JP S5890788 A JPS5890788 A JP S5890788A JP 56188809 A JP56188809 A JP 56188809A JP 18880981 A JP18880981 A JP 18880981A JP S5890788 A JPS5890788 A JP S5890788A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 23
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/30—Driver circuits
- H05B45/395—Linear regulators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体発光ダイオード(以下 LEDと呼ぶ
)の駆動装置、特に入出力特性を改善させるための駆動
装置に関する。
)の駆動装置、特に入出力特性を改善させるための駆動
装置に関する。
近年の研究開発の進展によシ、半導体レーザやLED
を光源とした光通信システムが広く用いられる様になっ
てきた。特に発光部の半導体材料として、Aj x G
as −x A s (0<、 z<0.1 )を用い
九半導体レーザやIJDを光源とする光通信システムは
、既に実用段階に入り九と言える。又、光ファイバの伝
送損失が最小となる波長IP帯の光通信システムも実用
化研究が進み、光源としてInGaAgPを用いた半導
体レーずやLIDの研究、開発が進んでいる。ところで
ムLzQal−XAa系の光源では、IJ)の入力対光
出力特性の直線性が優れていることからアナログ変調方
式の光通信システムの光源としてIJDが多く用いられ
ている。しかし、InGaAsP系のLEDは、入力対
先出力特性の直線性が悪い丸め、アナログ変調方式の光
通信システムの光源として用いることは困難であった。
を光源とした光通信システムが広く用いられる様になっ
てきた。特に発光部の半導体材料として、Aj x G
as −x A s (0<、 z<0.1 )を用い
九半導体レーザやIJDを光源とする光通信システムは
、既に実用段階に入り九と言える。又、光ファイバの伝
送損失が最小となる波長IP帯の光通信システムも実用
化研究が進み、光源としてInGaAgPを用いた半導
体レーずやLIDの研究、開発が進んでいる。ところで
ムLzQal−XAa系の光源では、IJ)の入力対光
出力特性の直線性が優れていることからアナログ変調方
式の光通信システムの光源としてIJDが多く用いられ
ている。しかし、InGaAsP系のLEDは、入力対
先出力特性の直線性が悪い丸め、アナログ変調方式の光
通信システムの光源として用いることは困難であった。
この非直線性B、InGaAsP*LEDにおいて、一
般的に見られ、半導体材料固有の現象であると考えられ
ている。波長1μ犠帯の光通信システムは、伝送中継距
離を大きくとれることから、今後の光通信システムの中
心になると考えられるだけに、このInGcLAgPi
LEDの非直線性は重大な欠点であった。
般的に見られ、半導体材料固有の現象であると考えられ
ている。波長1μ犠帯の光通信システムは、伝送中継距
離を大きくとれることから、今後の光通信システムの中
心になると考えられるだけに、このInGcLAgPi
LEDの非直線性は重大な欠点であった。
このようなIJDの光出力の非直線性を改善する方法と
して、光出力をフィードバックさせる方法や、2つのL
EDを用い一方を主信号源に、他方を非直線性を補う信
号源として用いる方法などが考えられる。しかし前者の
場合、光出力をモニターする受光素子が必要となること
や、フィードバック回路で歪の原因となる位相シフトが
新らたに生じるといった欠点がある。また、後者の場合
、光出力をモニターする受光素子が必要となることやL
EDが2つ必要となるといった欠点がある。
して、光出力をフィードバックさせる方法や、2つのL
EDを用い一方を主信号源に、他方を非直線性を補う信
号源として用いる方法などが考えられる。しかし前者の
場合、光出力をモニターする受光素子が必要となること
や、フィードバック回路で歪の原因となる位相シフトが
新らたに生じるといった欠点がある。また、後者の場合
、光出力をモニターする受光素子が必要となることやL
EDが2つ必要となるといった欠点がある。
また、補償回路を設ける方法として、トランジスタの増
中度を入力信号の増大に伴ない増加させるようにした補
償回路が、AJG”As LEDにおいて用いられてい
る。しかし、この補償回路は、LED の非直線性を表
わす定式に基づいた補償機能を有するものではないので
、調整が困難であるという欠点がある。さらにAjGc
LAs LEDに比べ桁違いに直線性の悪い、従って補
償度の大きなInG−AsP LEDKは適さなかった
。
中度を入力信号の増大に伴ない増加させるようにした補
償回路が、AJG”As LEDにおいて用いられてい
る。しかし、この補償回路は、LED の非直線性を表
わす定式に基づいた補償機能を有するものではないので
、調整が困難であるという欠点がある。さらにAjGc
LAs LEDに比べ桁違いに直線性の悪い、従って補
償度の大きなInG−AsP LEDKは適さなかった
。
本発明は、このような欠点を除くためになされたもので
、LEDの非直線性を補償する駆動回路を設けることに
より容易に入力対光出力特性の直線性を向上させ、歪の
小さいアナログ変調を可能にするものである。
、LEDの非直線性を補償する駆動回路を設けることに
より容易に入力対光出力特性の直線性を向上させ、歪の
小さいアナログ変調を可能にするものである。
本発明の特徴は、LEDの入力対光出力特性の非直線性
を統一的に表わす定式を見出し、この定式に基づいて非
直線性を補償するようにLEDを駆動させるととにある
。即ち、m−v化合物半導体から成゛る発光部を有する
半導体発光ダイオードを駆動する駆動装置において、入
力信号Isに対し出力信号IDが、 In=CtIs+CgIsr(但しCs、巳は比例定数
、1〈γ〈4)となる様に骸入力信号IIを該出力信号
IDに変換する補償回路を有し、該出力信号IDに比例
し九駆動電流で該半導体発光ダイオードを駆動させるこ
とを特徴とする半導体発光ダイオードの駆動装置である
。
を統一的に表わす定式を見出し、この定式に基づいて非
直線性を補償するようにLEDを駆動させるととにある
。即ち、m−v化合物半導体から成゛る発光部を有する
半導体発光ダイオードを駆動する駆動装置において、入
力信号Isに対し出力信号IDが、 In=CtIs+CgIsr(但しCs、巳は比例定数
、1〈γ〈4)となる様に骸入力信号IIを該出力信号
IDに変換する補償回路を有し、該出力信号IDに比例
し九駆動電流で該半導体発光ダイオードを駆動させるこ
とを特徴とする半導体発光ダイオードの駆動装置である
。
LEDとしてInGaAaP/TnPダブルへテロ構造
面発光型LED (以下略してInGaAsP LED
と叶ぶ)を例にとって本発明について説明する。
面発光型LED (以下略してInGaAsP LED
と叶ぶ)を例にとって本発明について説明する。
第1図はInG−AiP LEDの典型的な入力電流対
光出力特性(図中実線で示した)を示した図である。図
から分る様に、入力電流が増大するとともに、光出力の
直線(第1図中の点線)からのずれが大きくなυ、光出
力が飽和する。この様な光出力の飽和現象はA1.Ga
As系LEDでは与られず、InGaAsP LgDに
特徴的である。この飽和現象がオージェ再結合による非
発光電流に起因していることが、本発明者らの研究によ
シ、次のようにして実験的に明らかになった。即ち第1
図の様な飽和は、光出力に比例した発光電流Iitの他
に光出力の直線からのずれに比例した非発光電流INR
の存在を示している。そこで、IR及びINKに対する
活性層の注入キャリヤ濃度(n)依存性を調べた結果、
第2図に示した様にIRはnの約2乗に比例し、INR
I′inの約3乗に比例していることが分った。さらに
種々の活性層厚d及び発光面積Sを有するLEDにつ
いて同様に調べた結果、LEDの入力電流Iは、IRと
INKの和で、第(1)式の様に表わされることが明ら
かになった。
光出力特性(図中実線で示した)を示した図である。図
から分る様に、入力電流が増大するとともに、光出力の
直線(第1図中の点線)からのずれが大きくなυ、光出
力が飽和する。この様な光出力の飽和現象はA1.Ga
As系LEDでは与られず、InGaAsP LgDに
特徴的である。この飽和現象がオージェ再結合による非
発光電流に起因していることが、本発明者らの研究によ
シ、次のようにして実験的に明らかになった。即ち第1
図の様な飽和は、光出力に比例した発光電流Iitの他
に光出力の直線からのずれに比例した非発光電流INR
の存在を示している。そこで、IR及びINKに対する
活性層の注入キャリヤ濃度(n)依存性を調べた結果、
第2図に示した様にIRはnの約2乗に比例し、INR
I′inの約3乗に比例していることが分った。さらに
種々の活性層厚d及び発光面積Sを有するLEDにつ
いて同様に調べた結果、LEDの入力電流Iは、IRと
INKの和で、第(1)式の様に表わされることが明ら
かになった。
I=edSBn/+adSAn”、β=1〜2.α=>
4r a:]〉β・・・・・(1)(1)式において、
eは電子電荷、Bは発光再結合定数、人は非発光再結合
定数を示している。また(1)式の関係はtoo’k
〜soO°にの範囲で成立っておシα及びβの値は、温
度によらず一定で′ある乙とが分った。このようにIn
GaAaP LEDの飽和の原因である非発光電流IN
I!が、注入キャリヤ誘度の約3乗に比例し、しかも電
流工が(1)式の碌な表式で表わされることから、この
INRはオージェ再結合に起因していることが分った。
4r a:]〉β・・・・・(1)(1)式において、
eは電子電荷、Bは発光再結合定数、人は非発光再結合
定数を示している。また(1)式の関係はtoo’k
〜soO°にの範囲で成立っておシα及びβの値は、温
度によらず一定で′ある乙とが分った。このようにIn
GaAaP LEDの飽和の原因である非発光電流IN
I!が、注入キャリヤ誘度の約3乗に比例し、しかも電
流工が(1)式の碌な表式で表わされることから、この
INRはオージェ再結合に起因していることが分った。
さらに、非発光再結合定数Aの温度依存性も、オージェ
再結合の理論的解析結果とよく一致していた。以上の様
にInG−AsP LEDの光出力の飽和の原因がオー
ジェ再結合であることが明らかにな9た。
再結合の理論的解析結果とよく一致していた。以上の様
にInG−AsP LEDの光出力の飽和の原因がオー
ジェ再結合であることが明らかにな9た。
さて、LEDの入力電流工が、注入キャリヤ浸度nによ
シ(1)式の様に統一的に表わせることが分りたので、
次に本発明の原理について述べる。(1)式でIR=
edsBnβであるので、(1)式を工λを用いて表わ
すと、(2)式の様になる。
シ(1)式の様に統一的に表わせることが分りたので、
次に本発明の原理について述べる。(1)式でIR=
edsBnβであるので、(1)式を工λを用いて表わ
すと、(2)式の様になる。
光出力Pは1凰に比例するのでP=RIisとすると、
(2)式は、 特性即ち非直線性を統一的に表わす定式である。
(2)式は、 特性即ち非直線性を統一的に表わす定式である。
そこで非直線性を補償してLEDを駆動する丸めに、入
力信号IIを、Isの関数である駆動電流IDに変換し
光出力Pが、入力信号Isに対し直線性を有する(即ち
P=mIs)様に■Dを決める。
力信号IIを、Isの関数である駆動電流IDに変換し
光出力Pが、入力信号Isに対し直線性を有する(即ち
P=mIs)様に■Dを決める。
駆動電流iDはLEDに直接注入する電流であるので、
(3)式よシ光出力Pと、次式の関係にある。
(3)式よシ光出力Pと、次式の関係にある。
又、入力信号IIと光出力Pが比例関係に林のでP=m
I纂 ・・・・・・(5)従って、入
力信号、Izと、駆動電流Inは、(4)、(5)式よ
シ、次式の一係にある。
I纂 ・・・・・・(5)従って、入
力信号、Izと、駆動電流Inは、(4)、(5)式よ
シ、次式の一係にある。
ID=Cl11+CllIr
・・・・・・(6)
ここで(1)式よりα=2〜4、β=1〜2、α〉βで
あるのでrは、1(r(4となる。
あるのでrは、1(r(4となる。
即ち、入力信号IIを、(6)式の関数形で、駆動電流
InK変換する仁とKよ) 、InG−AaP LED
の入力対光出力特性の非直線性を補償することができ、
直線性の優れた入力対光出力特性が得られ、歪の小さい
アナログ変調を実現する仁とが可能となる。又、温度が
変ってもa及びlの値は一定であるので(6)式のrの
値を変えることなく、非直線性を補償することができる
。
InK変換する仁とKよ) 、InG−AaP LED
の入力対光出力特性の非直線性を補償することができ、
直線性の優れた入力対光出力特性が得られ、歪の小さい
アナログ変調を実現する仁とが可能となる。又、温度が
変ってもa及びlの値は一定であるので(6)式のrの
値を変えることなく、非直線性を補償することができる
。
次に、本発明の一実施例について述べる。第3図は本実
施例のブロック図であり、1lFi補償回路、15はI
nGaAsP LEDを示す。入力信号Isを、回路1
2及び回路13でそれぞれCIIm及びCsI畠rに変
換する。次いで回路14で加算し、駆動電iIo、In
=C1111+C怠Isr、に変換する。このIDfr
LED15に印加することによシ、入力信号Isに比例
した光出力Pが得られる。ここで回路12は、単なる増
巾であるので、アンプやトランジスタで容易に構成でき
る。又、回路13は、べき乗と増巾機能を有するが、こ
れも現在ではICとして容易に入手できる掛算関数増巾
回路とアンプ等で構成することができる。
施例のブロック図であり、1lFi補償回路、15はI
nGaAsP LEDを示す。入力信号Isを、回路1
2及び回路13でそれぞれCIIm及びCsI畠rに変
換する。次いで回路14で加算し、駆動電iIo、In
=C1111+C怠Isr、に変換する。このIDfr
LED15に印加することによシ、入力信号Isに比例
した光出力Pが得られる。ここで回路12は、単なる増
巾であるので、アンプやトランジスタで容易に構成でき
る。又、回路13は、べき乗と増巾機能を有するが、こ
れも現在ではICとして容易に入手できる掛算関数増巾
回路とアンプ等で構成することができる。
例えは第3図には、γ=1.5の場合の例を示している
。回路16.17.19は、掛算回路で入力X、Yに対
し、積(X、Y)を出力する。回路18.20は、例え
ばオペアンプなどのアンプである。回路16の入力X1
とYを、同じ値、”%にしておくと、出力e61.はe
lになる。このe&11を回路17の一方に入力し、e
↓を17 の他方に入力すると、回路18の出力e9マ
は、elとなる。側路22は開平(ルート)回路を構成
しており、入力(−X)に対し、平方根Wを出力する。
。回路16.17.19は、掛算回路で入力X、Yに対
し、積(X、Y)を出力する。回路18.20は、例え
ばオペアンプなどのアンプである。回路16の入力X1
とYを、同じ値、”%にしておくと、出力e61.はe
lになる。このe&11を回路17の一方に入力し、e
↓を17 の他方に入力すると、回路18の出力e9マ
は、elとなる。側路22は開平(ルート)回路を構成
しており、入力(−X)に対し、平方根Wを出力する。
回路18の出力Jxをアンプ18によ如符号を逆転させ
、−eθ2とし、回路22に入力する。回路22の出力
はソロ;−となるので回路13の入力tAに対し、出力
・=t、Sを得ることができる。他のrの値についても
べき乗回路21と、開平回路220組合せによシ同様に
して得ることができる。
、−eθ2とし、回路22に入力する。回路22の出力
はソロ;−となるので回路13の入力tAに対し、出力
・=t、Sを得ることができる。他のrの値についても
べき乗回路21と、開平回路220組合せによシ同様に
して得ることができる。
又、Iγを得るのに第4図の様に対数変換回路を用いて
、構成することもできる。回路41は対数変換回路で、
入力Xに対し、出力KsJすIIICIXが得られる。
、構成することもできる。回路41は対数変換回路で、
入力Xに対し、出力KsJすIIICIXが得られる。
又、回路42は逆対数変換回路で、入力Xに対し、出力
C5Anti LtIB・(−)が得られに重 る。第4図に示したように、回路41の出力を回路42
に入力するような構成にすると、回路41の入力6bに
対し、回路41の出力1f)iはKIJ−tyl。
C5Anti LtIB・(−)が得られに重 る。第4図に示したように、回路41の出力を回路42
に入力するような構成にすると、回路41の入力6bに
対し、回路41の出力1f)iはKIJ−tyl。
(CftA)となる。これを回路42に入力すると、回
路42の出力”dlは、 91 e07 =CgAntljすn (,7,)≦1 =C@LK* とな9、Cγ(r = KIAr、* )が得られる。
路42の出力”dlは、 91 e07 =CgAntljすn (,7,)≦1 =C@LK* とな9、Cγ(r = KIAr、* )が得られる。
K1、K!の値は、抵抗43.44により変えるととが
できゐ。
できゐ。
このようにして、入力isに対し、出力Isγを得るこ
とができる。この実施例では、rの調整が容易にできる
という利点がある。このように本発明の駆動装#により
第5図の曲線(イ)で示すように直線性の優れた入力対
光出力特性が得られた。
とができる。この実施例では、rの調整が容易にできる
という利点がある。このように本発明の駆動装#により
第5図の曲線(イ)で示すように直線性の優れた入力対
光出力特性が得られた。
なお、第5図の曲線(ロ)は本発明の補償回路を用いな
い場合の光出力特性を示す。
い場合の光出力特性を示す。
これまで、LEDとして、InGzAgPを発光層とす
るものについて述べてきたカヘ例えばAJGαpsb。
るものについて述べてきたカヘ例えばAJGαpsb。
AJGaAaSo 、GJnAaSb %ルlInAs
5Sb 、 AJGaInPといつた他の4元化合物半
導体や、InAaP %InA1Sb AJG−8b
GaAsSb GaInSbといった3元化合物半
導体を発光層とするLEDでもオージェ再結合がみられ
ると言われてお’) 、InGaAaPLEDと同様に
不発明を適用することができる。以上述べた様に、本発
明の駆動装置によシ、IJDの入力対光出力特性の非直
線性を補償し、fi綜性の優れた入力対光出力特性を、
容易に、しかも、他の光素子を用いることなく得ること
か可能になった。
5Sb 、 AJGaInPといつた他の4元化合物半
導体や、InAaP %InA1Sb AJG−8b
GaAsSb GaInSbといった3元化合物半
導体を発光層とするLEDでもオージェ再結合がみられ
ると言われてお’) 、InGaAaPLEDと同様に
不発明を適用することができる。以上述べた様に、本発
明の駆動装置によシ、IJDの入力対光出力特性の非直
線性を補償し、fi綜性の優れた入力対光出力特性を、
容易に、しかも、他の光素子を用いることなく得ること
か可能になった。
特に、本発明の補償回路は、非直線性の関数形に適合し
た関数変換を行なうようにしであるので、従来の方法に
比べ補償機能が極めて優れてお9、しかも、温度変化中
、個々のLEDに対する調整が容易にできるといった利
点を有する駆動装置である。
た関数変換を行なうようにしであるので、従来の方法に
比べ補償機能が極めて優れてお9、しかも、温度変化中
、個々のLEDに対する調整が容易にできるといった利
点を有する駆動装置である。
第1図a、LEDの入力電流対光出力特性を、第2図は
、発光電流Il及び非発光電流Ixmと注入キャリヤ濃
度nの関係を、籐3図、第4図は、本発明の実施例のプ
ロ、り図を、第S図は、本発明の駆動装置で駆動したI
JDの入力信号対先出力の関係をそれぞれ示す。 図中、11は補償回路、21はべき東回路、22は開平
回路、1番は加算回路、41は対数変換回路、42は逆
対数変換回路を示す。 ′$I図 入力電シ亀 (mA) ′$Z図 シ主入キ菅すマ濃度ル(C洸−う 第3図 第5図 λカイ富号 Is
、発光電流Il及び非発光電流Ixmと注入キャリヤ濃
度nの関係を、籐3図、第4図は、本発明の実施例のプ
ロ、り図を、第S図は、本発明の駆動装置で駆動したI
JDの入力信号対先出力の関係をそれぞれ示す。 図中、11は補償回路、21はべき東回路、22は開平
回路、1番は加算回路、41は対数変換回路、42は逆
対数変換回路を示す。 ′$I図 入力電シ亀 (mA) ′$Z図 シ主入キ菅すマ濃度ル(C洸−う 第3図 第5図 λカイ富号 Is
Claims (1)
- 半導体発光ダイオードを駆−する駆動装置において、入
力信号IIに対し、出力信号IDがID=C,I% +
C! II’ (fflLcs、G ハ比例定e、
Kr<4)となる様に鉄人力信号■8を皺出力信号I
IIに変換する補償回路を有し、該出力信号IDに比例
した駆動電流で該半導体発光ダイオードを駆動させるこ
とを特徴とする半導体発光ダイオードの駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188809A JPS5890788A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 半導体発光ダイオ−ドの駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56188809A JPS5890788A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 半導体発光ダイオ−ドの駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890788A true JPS5890788A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=16230181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56188809A Pending JPS5890788A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 半導体発光ダイオ−ドの駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890788A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62272631A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujitsu Ltd | 歪発生回路 |
| JPH02127048U (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-19 |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56188809A patent/JPS5890788A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62272631A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujitsu Ltd | 歪発生回路 |
| JPH02127048U (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-19 |
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