JPS5891616A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本Ｊｉｌ＠は半導体層の形成方決を改良した一体電解コ
ンデンナの製造方法に関する。

従＊履体電解コンゾンデの対向電−である半導体層のｆ
＃成方決社陽−酸化で騎亀体酸化皮験を形成した一一禦
子をｉｉｍマンガン水溶筐中に浸液しこれを引上けて高
温で鋺成することによシ愉鹸！ンＩンを二酸化！ンガン
に熱分解し半導体層を形成していた。この場合二酸化！
ンガンが一電体酸化皮膜の表面に均一に密着し難いため
陽−酸化後に電解液中で測定した静電容量よ）も製品の
静電容量が小さく’＆）その減少分だけ＠＆ｌＥ子材料
を多く使用することにな夛しかもそのパツツ午が大暑（
亀るため静電容量許容差のきびしい製品の製造歩留が悪
い欠点があったりまた外装がｌ１１１被覆の場会該外装
から微小水分がｆＩ＆透しこれが一部二酸化マンガンに
被ｉＩ！されてい亀い―電体酸化皮膜に付−すると水分
が電鋳＊として伽〈ため静電容量か増加し高鰹雰履気て
紘静電箒量が経時的に増大する欠点があった・ 本轟＠社上記のよう亀夷曽に−みて１にされたもので半
導体層の形成ニーにおいて鍮＊マンガン水ｆＩＩ箇に一
分鋳夏応を促進させる効果があり、かっｍａｌマンガン
水ｆＩＩ筐に回部な物質を添加し駒成することによって
−ｍ特性の改善、静電容量のバッフ中減少による歩留の
向上およびｍ−鹸化電圧低減によるコス）引下げなどを
社かルうる絢体電解；ンデンナのｌｌ１１１方法を提供
せんとするものである・ 以下本発明の一実施例について説明する・すなわちタン
タル、チタン、アルセｌＬ？＾、ジルコン。

晶オプ亀どの陽＆酸化皮膜形成性金属の粉末を加圧成形
し真麿中で脱輪したａｈ嵩子を陽ａｍ化すゐことによっ
て表面に誘電体酸化皮膜を形成し、ついて−配陽ｍ＊子
に硝酸マンガン水溶液を奮浸しこれを引上けて高温で焼
成することによって鍮酸マンＩンを熱分解し一紀跡電体
鹸化皮−の表−に二酸化マンガンから取る半導体層を形
成し、その上層にダラ７アイ）層および部属導電層を順
次一層してなる画体電解コンデン賃の製造方法において
、＊Ｅｆｉｌｌｌｔｌｉマンガン水ｌＩ液に熱分解分路
を促進させる効果がＴｏル、かつｔｈ１鹸マンｌン水嬉
筐に１ｉｉＪｊ１１に物質を添加した水溶液を陽憾禦子
に含浸し焼成によタニ酸化！ンガンからなる牛＃Ｉｉ体
層を形成するものである・−ｒａｗン方ン水ｓｍに籐加
する熱分ｌ１ＩＩＬ応を促進させる効果があ多、かっ−
酸ギ酸アｙ毫ニウムなどのアンモニラ＾壌、ホルムアル
デｋ）″、アセ）アルデヒド、ジメチルヶシン’＆　ｌ
！　ｆＪ　ｌｈｅ　ｇニル化合物、ホルムアミド、モノ
メチル傘ルムアミド、ジメチルホル＾アミドなどの　□
アミｒ化舎物、ｒ−ブチＷラタトンなどのラタシンーの
うちの１ｍｌあるい社互いに化学反応を行わ１にいもの
であれぜ２穏以上を組合せて添加する・ま＊―配−１物
を添加する菖配鍮瞭！ンＩン水瀉筐の蟲度社Ｓ〜３０襲
が最過である。−毅！ンガン水１ｌｌｌ筐の濃度と二酸
化マンガンの彼−率との真偽を菖ｌ−に示す。１ｓ１−
において−線（転）は添加物としてｍｔａアンモエウ＾
ＪＳ富量憾を添加し一鹸マンガン水＊＊のｍＪｌを変え
た場合、−１但）は添纏物亀しで単に＃ａＩＩｍ！マン
ガに水＊液の濃度を変ええ場合のそれぞれにおける二酸
化マンガンの被置率を水すものである・これによれば添
加物によって二酸化マンガンの被鑑率が大きくなる一―
マンＩン水濤筐Ｏ濃を紘Ｓ〜３０弧の職層であることが
わかる。

本発＠紘固体電解コンデンナの誘電体酸化皮膜に対する
二酸化マンガンの被置串（外装後の―晶静電容量／陽１
１ＮＩＩ化後の電解液中ｉｉ＊静電容量（２））がｉＩ
霞マンガン水ｌＩ筐の熱分解速度に関連しこの速度がは
中ｖｈ龜と皺櫃率が大きくなることに−Ｈし被置皐を大
暑（するようにしえものである・焼成による硝酸マンガ
ンの熱分解の際の雰囲気温度を高くすれｄ熱分解速度が
大吉＜６ｊ１被曹皐−大暑（亀るがこの揚台温度が高く
亀るはど―電体―化皮膜の劣化がいちぢるしく’ａｎ漏
れ電流の増大。

信頼性の低下亀どの愚影Ｉｌ／Ｉが伴う。そこでｍ鎗マ
ンガｙ＊濤筐に熱分解速度を促進路せる一配の物質を添
加すると上記のよう亀愚影暑を伴わず二毅化マｙガンＯ
被櫃率を大きくすることが゛て龜ることがわかった。こ
の二酸化マフ１ンのｍａｔ串を大きくすることによって
■外装がｗｋ擬櫃の場合敵手水分の浸透があっても静電
容量の経時変化が少ない　０二鹸化マンｌンの皺櫨率が
一定であるため−ツシ内の静電容量バッフ中が小さく静
電容量許容差のきびしい場合も歩留がよい　■闘じ陽−
酸化電圧であっても製品静電容量が大きくなるので一極
嵩子材料が多電〈亀〕コスシ引下ぜを社か・る、ことが
てきる　■熱分解雰囲気温度を低くすることができるの
で陽＆酸化皮膜の劣化が少なくなゐ歇どの利点がある。

つぎに本発明の実ｊ１１何と従来の参考例との特性比較
を蕃士棄妃示す・試料はいずれもつ「のような無量方法
によるものである。

す亀わち１ｇのタンタル粉末に夕ン夕Ｊｈｖ−ド一を麿
込んで円柱賦に加圧成形し１６００’ｌ）＃）温”度で
真空議細し、ついで０．１憾リン酸液中で８０Ｖ、ＤＣ
の電圧で３時一定電圧一―鹸化を行い個々の一一電子Ｏ
ＩＩ亀審量を１０襲ツン鹸濠申で測定した・ついで−一
マンガン水嬉筐に添加物を鰯加した水Ｓ＊ち■配陽伽嵩
子じ書讃しこれを引上けて２００℃の温度で一蹴した。

この＠Ｊｉ１ｍ鹸化、含讃、＊戚の機作をｍｒ７７ｉ１
−ル返したのち６ｏ弧鍮鹸！ンガン単独水ｉＩ波を用い
６−食淡、腕戚を−９返し二酸化マンＩンかもなる半導
体層を形成しその上層にダラ７アイ）■および銀ベース
Ｆから亀る愈＾導電層を順次一層しエポキシ＊ｍで外装
したｗｌ格□　ｚｏｖ、Ｄｃ−１ｏｏ１０ｎンタル固体
電解コンデンナで第１表に示す条件で製造したものであ
る・Ｃ以下金白） り 菖１表の条件で無量した試料各２０個の特性沈着を第諺
表に示す。

上記実施例ｌと参考＠６の試料をｍ度４０℃、ｉ１度９
０−１８１１１１１の恒温恒温−にＩＩＬ置した場合の
一渥寿会試馳にお轄る静電容量変化率を第２ｗ４に示す
＠　１１ｍ１１＆イテ１ａｌａｌ（ｉｎ実ｍ＃　１　、
曲ａｉｌ（６）は参考−６０それぞれ重置時間に対応す
る静電春量変化率ｔＩＩＪＩＩＩ値に対する変化率）を
示すものである。篇３表および第ｆ！−から明らか亀よ
うに実論鉤１〜４社参考鉤５．６と比較して二酸化マン
゛ガンの＊＊率が大亀＜ｍｉｇ＋特性がよく静電容量の
ペラツキ訃よび変化率が小さく損失、―れ電流も小壜〈
費電した特性を示す仁とがわかる・以上評述したように
本発−によれば―電体鹸化皮膜を廖戚した陽−電子に温
度５〜３０襲のｉＩｍ酸！ンガン水溶波に熱分解反応を
促進させる効果があ）、かつ−酸！ンガン水＊＊に１Ｊ
Ｉ１１′＆物質、たとえばアンモ凰つム塩、カルボニル
化合物、アセト化合物ｉ大はツタ）ン顯のうちの１種ま
た＃ｉ意−以上をＳ加した水溶液を食浸し焼成により熱
分解して二酸化マンＩンかもなる半導体層を被覆しつい
でその上層にダラ７アイシ層および金属導電層を欺次穢
ｊｉｌｔ形成したことによって耐海特性がよく静電容量
のパラフキおよび変化率が小さく歩留が向上し損失、１
ＩｉｌＩＩれ電ｔＩＬ′ｔＬ、ｌ！″も小さく安定した
電気約特性を示しコスシ引下けなと実用性の火攻る馬体
電解コンデン賃の製最方法を提供する仁とができる・

【図面の簡単な説明】

第１閣は一酸マンガン水＃液の誦度と二酸化マンＩンの
被覆皐との関係を示す特性−！Ｉ−１第８図＃ｉ耐渥寿
命試験における静電容量変化率を示す特性−線図である
。 特許出願人 ！ルコン電子株式金社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｅｌ）ｉｌｌ櫨酸化ＩＩｌ展形成性盆馬の粉末を威滲、
   驚結した陽惚嵩子に―電体鹸化皮験を１＃威したのち濃
   度５〜ｓＯ憾の一酸マンガン水Ｓ値に熱分解反応を促進
   させる効果があり、かつ腋＠＠ｖンＩン水ａ＊にＩＩＩ
   なアンモエラ＾塩、カルボニル化金物、アミド化金物ま
   た紘うク）ンｈのうちのｌｌｌオえａＸ聰以上を添加し
   た水溶液を含浸し脱酸によｅｓ分鋳して二酸化！ンＩン
   かも取る半導体層を装置し、ついでその上層にダツファ
   イＦ層および金属導電層を麺次穢層形成したことを特徴
   とする尉体亀ｓ１：Ｉンデンｔの製造方法・ （２）アンモ墨つム壊がｍｓ！γンモエウム、炭酸アン
   モニウム　ｉｉｍアン毫慕ウムつ塩化アンモニウ＾、ギ
   鹸アン４ＪＬｗ）ム、カルボニル化合物がホルムＴルデ
   にド、ア−ｋ）アルデヒド、ジメチルケシン、アセト化
   合物が本ルムアセド、モノメナルホルムｙｔド、ジメチ
   ルホルムアミド、ラタ）ン験がｔ−プチロラタシンであ
   ることを特徴とする特許請求のｆｌＩＡｓ第ａ）項記載
   の画体電鋳ツンデンｔＯｍ造方決。