JPS5893469A - スイツチング・レギユレ−タ - Google Patents
スイツチング・レギユレ−タInfo
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- JPS5893469A JPS5893469A JP56189768A JP18976881A JPS5893469A JP S5893469 A JPS5893469 A JP S5893469A JP 56189768 A JP56189768 A JP 56189768A JP 18976881 A JP18976881 A JP 18976881A JP S5893469 A JPS5893469 A JP S5893469A
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- Japan
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- magnetic
- saturable reactor
- series
- switching regulator
- transformer
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/22—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
- H02M3/24—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/28—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC
- H02M3/325—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/33569—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スイッチング・レギュレータの定電圧方式の
一つとしての磁気増幅器方式の特性改良に関する。
一つとしての磁気増幅器方式の特性改良に関する。
この種のスイッチング・レギュレータの一例を・第1図
に示す。
に示す。
図においてlはスイッチング素子、2は主トランス、3
.1は主トランス8の1次巻線および2次巻線である。
.1は主トランス8の1次巻線および2次巻線である。
6は可飽和リアクトル、6は整流回路7は定電圧制御回
路、8&、8t1は直流出力端子であるG 次にこの回路の動作を説明す、る・ 直流電圧が印加された一次巻l1I3に接続されたスイ
ッチング素子lの0N−OFJFにより主トランス8の
二次巻線番にパルス状の電圧が誘起される。この電圧は
可飽和リアクトル6を通って、整流回路費介し、出力端
子8a、8bに直流電圧となって現われる。この時、正
パルス電流i1により可飽和リアクトル6は第4図(&
)の飽和点ムまで達し、11が零になった時に1r点に
戻る。負パルス電流1■は、制−回路7によって出力直
流電圧の設定値にほば反比例して変化する。すなわち、
負パルス電流1言は制御電流であり、この値が大きくな
れば、リセットされる動作点はB点→O点へと次第に移
ってゆ。
路、8&、8t1は直流出力端子であるG 次にこの回路の動作を説明す、る・ 直流電圧が印加された一次巻l1I3に接続されたスイ
ッチング素子lの0N−OFJFにより主トランス8の
二次巻線番にパルス状の電圧が誘起される。この電圧は
可飽和リアクトル6を通って、整流回路費介し、出力端
子8a、8bに直流電圧となって現われる。この時、正
パルス電流i1により可飽和リアクトル6は第4図(&
)の飽和点ムまで達し、11が零になった時に1r点に
戻る。負パルス電流1■は、制−回路7によって出力直
流電圧の設定値にほば反比例して変化する。すなわち、
負パルス電流1言は制御電流であり、この値が大きくな
れば、リセットされる動作点はB点→O点へと次第に移
ってゆ。
く。1廊が大きくなり0点→ム点の間での動作を繰り返
した時が可飽和リアクトルのインビダンスは最大であり
、1圧降下も最大となる。このように制御亀@ L m
により可飽和リアクトルによる電圧降下を変化させ、出
力直流電圧を一定にする方式が磁気増幅器方式である。
した時が可飽和リアクトルのインビダンスは最大であり
、1圧降下も最大となる。このように制御亀@ L m
により可飽和リアクトルによる電圧降下を変化させ、出
力直流電圧を一定にする方式が磁気増幅器方式である。
本方式の設計上の重要な問題は、可飽和リアクトルの材
料の選択である。材料性能としては、中部4 (a)に
おける残留磁束Brが大きく角型比Br/Bmが大きい
こと(II)保磁力Haが小さいこと(IiDできるだ
。
料の選択である。材料性能としては、中部4 (a)に
おける残留磁束Brが大きく角型比Br/Bmが大きい
こと(II)保磁力Haが小さいこと(IiDできるだ
。
け薄い板であること等が要求される。これまでは前記性
能を満足するものとして、主に50%M1糸のパーマ賞
イが主流であった。この種の磁芯は第2図に示すように
約25μ程度の薄板を渦巻状に巻き込ミド田イダル状の
形状である。これは、渦巻状のまま約1oooCの高温
で熱部!されるため、渦巻状にする前に電気泳動法等に
より表面に鞭が塗布されている。これは最終的には、渦
巻状したパーマ1イ板の上下層間の絶縁体となり、高周
波動作時の渦電流損を減少させる役目がある゛。磁芯は
、第3図に示すようにlOのようなトpイダルポビンの
中に収納され、巻線11による巻線時の応力が直接磁芯
に伝わらないように工夫されている。この框の材料のB
−1曲線は、第4図(&)に示すようにgO=αgo・
であるが、数m程度までは充分に実用可能な材料である
。しかし、スイッチング・レギュレータの周波数が数1
01c1に〜数100]cImと高くなるにつれて鉄損
の増加がひどく、激しい温度上昇を防ぐことができなく
なった。また渦流損も無視することが困難となり、15
μ以下の極薄材の要求が強くなった。そのため、熱処理
等7の際の取扱い上の困難さが目立ってきたのみならず
素材の大巾なコストアップを引き越すに到った。
能を満足するものとして、主に50%M1糸のパーマ賞
イが主流であった。この種の磁芯は第2図に示すように
約25μ程度の薄板を渦巻状に巻き込ミド田イダル状の
形状である。これは、渦巻状のまま約1oooCの高温
で熱部!されるため、渦巻状にする前に電気泳動法等に
より表面に鞭が塗布されている。これは最終的には、渦
巻状したパーマ1イ板の上下層間の絶縁体となり、高周
波動作時の渦電流損を減少させる役目がある゛。磁芯は
、第3図に示すようにlOのようなトpイダルポビンの
中に収納され、巻線11による巻線時の応力が直接磁芯
に伝わらないように工夫されている。この框の材料のB
−1曲線は、第4図(&)に示すようにgO=αgo・
であるが、数m程度までは充分に実用可能な材料である
。しかし、スイッチング・レギュレータの周波数が数1
01c1に〜数100]cImと高くなるにつれて鉄損
の増加がひどく、激しい温度上昇を防ぐことができなく
なった。また渦流損も無視することが困難となり、15
μ以下の極薄材の要求が強くなった。そのため、熱処理
等7の際の取扱い上の困難さが目立ってきたのみならず
素材の大巾なコストアップを引き越すに到った。
本発明の目的は、上記従来技術の限界に排戦し温度上昇
の少ない組立て容易な高効率、磁気増幅器方式を用いた
スイッチング・レギュレータを提供することである。′
□ − 上記目的を達成するために、本発明のスイッチング・レ
ギュレータは、)ランスの一体巻線に直列に接続されt
周期的に断続するスイッチング素子、前記トランスの出
力の二次巻線に直列に接続される可飽和リアクトル、さ
らに前記可飽和リアクトルを直列に接続される整流回路
、前記整流回路の出力端の直流電圧を一定にするための
制御回路により前記可飽和リアクトルの制御電流を制御
する磁気増幅器方式を用いたスイッチング・レギュレー
タにおいて、前記可飽和リアクトル用の磁芯として、そ
の主たる直流磁気特性が角里比95〜98%の範囲内に
あり、かつ11CHzにおける初透磁率声・m以上にあ
るアモルファス金属磁性材料を用いたことを特徴として
いる。
の少ない組立て容易な高効率、磁気増幅器方式を用いた
スイッチング・レギュレータを提供することである。′
□ − 上記目的を達成するために、本発明のスイッチング・レ
ギュレータは、)ランスの一体巻線に直列に接続されt
周期的に断続するスイッチング素子、前記トランスの出
力の二次巻線に直列に接続される可飽和リアクトル、さ
らに前記可飽和リアクトルを直列に接続される整流回路
、前記整流回路の出力端の直流電圧を一定にするための
制御回路により前記可飽和リアクトルの制御電流を制御
する磁気増幅器方式を用いたスイッチング・レギュレー
タにおいて、前記可飽和リアクトル用の磁芯として、そ
の主たる直流磁気特性が角里比95〜98%の範囲内に
あり、かつ11CHzにおける初透磁率声・m以上にあ
るアモルファス金属磁性材料を用いたことを特徴として
いる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
第4図(b)は、本発明のスイッチング・レギュレータ
に用いられた2Bp厚のアモルファス金属磁性:材料の
B−1曲線である。この図から明らかなように角型比9
7%、11c1iwにおける初透磁率μ・−1050の
本材料を可飽和リアクトルとして用いた場合には、aO
%Mi系のパーマ菅イに比して著しく鉄損が減少するこ
とが予想される。
に用いられた2Bp厚のアモルファス金属磁性:材料の
B−1曲線である。この図から明らかなように角型比9
7%、11c1iwにおける初透磁率μ・−1050の
本材料を可飽和リアクトルとして用いた場合には、aO
%Mi系のパーマ菅イに比して著しく鉄損が減少するこ
とが予想される。
ここでいうアモルファス金属磁性材料とは、1・、20
111、 Oo等の金属と11,81.O等を混合した
溶融液を高速に回転する片ロールあるいは両p−ルの表
面に射出名せ、急速冷却することにより一時に薄板状に
作成し、その構造が結晶学的にアモルファス状であるも
のを言う。
111、 Oo等の金属と11,81.O等を混合した
溶融液を高速に回転する片ロールあるいは両p−ルの表
面に射出名せ、急速冷却することにより一時に薄板状に
作成し、その構造が結晶学的にアモルファス状であるも
のを言う。
また急速冷却後に磁場中もしくは普通の熱処理が必要で
あるが、その温度は高々300pN500Cの範囲であ
り、従来材に比較すると著しく低い。−゛そのため、従
来の50%Ni系パー!ロイのように溶着を防ぐための
層間絶縁物は必要ないが、渦流損を減少させるためには
絶縁物を層間に入れてもよい。一般に、アモルファス金
属磁性材料は急速冷却凝固の際に、表面が僅かに酸化さ
れるので層間絶縁物が必要でない場合が多い。最終的に
は、従来技揄と同じように、第3図のト胃イダル状のボ
ビンlOの中に収納し、巻線して可飽和リアクトルとす
るが、応力に対して従来品はど敏感ではないので、これ
も含めて全体として組立作業が極めて簡便となる。第5
図は、B(XRgのスイッチング周波数にて動作させ可
飽和リアクトルの表rj77I温度を測定した結果であ
る。14は従来の50%M1糸パーマロイを、15は本
発明に使用したチー1+ルフアス金属材料をそれぞれ用
いた場合のボビン部の表面の温度上昇を示す@この図か
られかるように、従来の25μ厚の50%Ii系パーq
rttイは約10分間で80Cの温度上昇を越すのに対
して、本発明に使用した25μ厚のアモルファス金属磁
性材料の場合には、前者の約騒〜シの温度上昇に抑えら
れることがわかる。これは第4図伽)にアモルファス金
属磁性材料のB−1曲線に示されるように、HOzα0
40・で従来品の約02倍であるだけでなく、1xHj
iにおける初透磁率μ・が従来品の約6〜フであること
が主な原因である。
あるが、その温度は高々300pN500Cの範囲であ
り、従来材に比較すると著しく低い。−゛そのため、従
来の50%Ni系パー!ロイのように溶着を防ぐための
層間絶縁物は必要ないが、渦流損を減少させるためには
絶縁物を層間に入れてもよい。一般に、アモルファス金
属磁性材料は急速冷却凝固の際に、表面が僅かに酸化さ
れるので層間絶縁物が必要でない場合が多い。最終的に
は、従来技揄と同じように、第3図のト胃イダル状のボ
ビンlOの中に収納し、巻線して可飽和リアクトルとす
るが、応力に対して従来品はど敏感ではないので、これ
も含めて全体として組立作業が極めて簡便となる。第5
図は、B(XRgのスイッチング周波数にて動作させ可
飽和リアクトルの表rj77I温度を測定した結果であ
る。14は従来の50%M1糸パーマロイを、15は本
発明に使用したチー1+ルフアス金属材料をそれぞれ用
いた場合のボビン部の表面の温度上昇を示す@この図か
られかるように、従来の25μ厚の50%Ii系パーq
rttイは約10分間で80Cの温度上昇を越すのに対
して、本発明に使用した25μ厚のアモルファス金属磁
性材料の場合には、前者の約騒〜シの温度上昇に抑えら
れることがわかる。これは第4図伽)にアモルファス金
属磁性材料のB−1曲線に示されるように、HOzα0
40・で従来品の約02倍であるだけでなく、1xHj
iにおける初透磁率μ・が従来品の約6〜フであること
が主な原因である。
しかし1直流磁化特性における良好な角型比と高透磁率
の両方を満足する材料を実現することは。
の両方を満足する材料を実現することは。
難しい。jI6図は、種々異なる角型比を有するアモル
ファス材を用いて、磁気増幅器として動作させた場合の
スイッチング電源の全体の効率を測定した結果である。
ファス材を用いて、磁気増幅器として動作させた場合の
スイッチング電源の全体の効率を測定した結果である。
角型比が100%近傍の従来品に近いものは急速にコア
の損失が増え、効率が低下することがわかる。また、角
型比が小さくなるにつtで効率は向上するが角型比が余
り小さくなると磁気増幅器の制御範囲が狭くなり、これ
を広げるためには主トランスの設計に無理が生じ1逆に
効率の低下を促し好ましくない。したがって償頼性を加
味して高効率を維持するためには角型比は95〜98%
の範囲内におさえることが望ましい。
の損失が増え、効率が低下することがわかる。また、角
型比が小さくなるにつtで効率は向上するが角型比が余
り小さくなると磁気増幅器の制御範囲が狭くなり、これ
を広げるためには主トランスの設計に無理が生じ1逆に
効率の低下を促し好ましくない。したがって償頼性を加
味して高効率を維持するためには角型比は95〜98%
の範囲内におさえることが望ましい。
また、IKBmにおける初透磁率μ・は角型比と密接な
関係を持つだけでなく、全体の効率とも強い関係がある
。第7図はこの関係を見たものである。
関係を持つだけでなく、全体の効率とも強い関係がある
。第7図はこの関係を見たものである。
11[11mにおける初透磁率声・の増加とともに効率
は徐々に増加するがμ・く卿では効率が低下しすぎて好
ましくない。
は徐々に増加するがμ・く卿では効率が低下しすぎて好
ましくない。
この他にアモルファス金属磁性材料の固有電気抵抗が1
30(/JΩ−傷〕と50%H1系バーvoイの61)
(/lΩ−傷〕に比較して数倍大きいこと、またアモ
ルファス金属の表面には薄い酸化物被服が作成されてい
るために、巻鉄芯とした場合の層間絶縁が保たれ渦流損
がかなり減少することがもう一つの大きな理由である。
30(/JΩ−傷〕と50%H1系バーvoイの61)
(/lΩ−傷〕に比較して数倍大きいこと、またアモ
ルファス金属の表面には薄い酸化物被服が作成されてい
るために、巻鉄芯とした場合の層間絶縁が保たれ渦流損
がかなり減少することがもう一つの大きな理由である。
以上、本発明の実施例を用いて説明した通り、前記性能
を有したアモルファス金属磁性材料を用いた本発明の方
式を用いれは、高信頼性、高効率な磁気増幅器方式のス
イッチング・レギュレータを実現することができる。
を有したアモルファス金属磁性材料を用いた本発明の方
式を用いれは、高信頼性、高効率な磁気増幅器方式のス
イッチング・レギュレータを実現することができる。
図面の簡単なW4F!4
第1wJは公知の回路図、第2図は公知の磁芯形状、第
3mは公知の可飽和リアクトル形状、第4vtJに)は
公知の磁芯の特性、第4図伽)は本発明の方式に用いら
れたアモルファへ材料の特性、第5図は本発明と公知例
との温度特性比較図、第6図、第7図は本発明の根拠と
なる特性図である。
3mは公知の可飽和リアクトル形状、第4vtJに)は
公知の磁芯の特性、第4図伽)は本発明の方式に用いら
れたアモルファへ材料の特性、第5図は本発明と公知例
との温度特性比較図、第6図、第7図は本発明の根拠と
なる特性図である。
際4図
効
享
率
(%)
・角型比(%)
初達扁率ノe
6□
特許庁長官殿
11件の表示
昭和!56年特許願第189768 号発明の名称
スイッチング・レギュレータ補正をする者 名 称 150U 日立金属株式会社代!・者河野
典夫 代 理 人 居 所 東京都千代「」置火の内覧下目1番2河
8立金属株式会社内電鮎東京2B4−4642“補正の
内容 ! 明細書の「特許請求の範囲」の欄の記載を次の通り
訂正する。
スイッチング・レギュレータ補正をする者 名 称 150U 日立金属株式会社代!・者河野
典夫 代 理 人 居 所 東京都千代「」置火の内覧下目1番2河
8立金属株式会社内電鮎東京2B4−4642“補正の
内容 ! 明細書の「特許請求の範囲」の欄の記載を次の通り
訂正する。
「 トランスの一次巻線に直列に接続され、周期的に断
続するスイッチング素子、前記トランスの出力の二次巻
線に直列に接続される可飽和リアクトル、さらに前記可
飽和リアクトルに直列に接続される整流回路、前記整流
回路の出力端の直流電圧を一定にするための制御回路に
より前記可飽和リアクトルの制御電流を制御する磁11
11幅器方式を用いたスイッチング・レギュレータにお
いて、前記可飽和リアクトル用の磁芯として、その主た
る直流磁気特性が角型比95〜98%の範囲内にあり、
かつ11cHzにおける初透磁率μ・が800以上にあ
るアモルファス金属磁性材料を用いたことを特徴とする
スイッチング・レギュレータ。」 以 上
続するスイッチング素子、前記トランスの出力の二次巻
線に直列に接続される可飽和リアクトル、さらに前記可
飽和リアクトルに直列に接続される整流回路、前記整流
回路の出力端の直流電圧を一定にするための制御回路に
より前記可飽和リアクトルの制御電流を制御する磁11
11幅器方式を用いたスイッチング・レギュレータにお
いて、前記可飽和リアクトル用の磁芯として、その主た
る直流磁気特性が角型比95〜98%の範囲内にあり、
かつ11cHzにおける初透磁率μ・が800以上にあ
るアモルファス金属磁性材料を用いたことを特徴とする
スイッチング・レギュレータ。」 以 上
Claims (1)
- トランスの一次審線に直列に接続され、周期的に断続す
るスイッチング素子、前記トランスの出力の二次巻線に
直列に接続される可飽和リアクトル、名らに前記可飽和
リアクシルを直列に接続される整流回路、前記整流回路
の出力端の直−梳電圧を一走にするための制御回路によ
り前記可飽和リアクトルの制御電流を制御する磁気増幅
器方式を用いたスイッチング・レギュレータにおいて、
前記可飽和リアクトル用の磁芯として、その主たる直流
磁気特性が角型比ea〜98%の範囲内にあり、かつ1
IcI!IIにおける初透磁率μ・がaOO以上にある
アモルファス金属磁性材料を用いたことを特徴とするス
イッチング・レギュレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189768A JPS5893469A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | スイツチング・レギユレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56189768A JPS5893469A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | スイツチング・レギユレ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893469A true JPS5893469A (ja) | 1983-06-03 |
Family
ID=16246859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56189768A Pending JPS5893469A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | スイツチング・レギユレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893469A (ja) |
-
1981
- 1981-11-26 JP JP56189768A patent/JPS5893469A/ja active Pending
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