JPS5895231A - 温度検出素子 - Google Patents
温度検出素子Info
- Publication number
- JPS5895231A JPS5895231A JP19380681A JP19380681A JPS5895231A JP S5895231 A JPS5895231 A JP S5895231A JP 19380681 A JP19380681 A JP 19380681A JP 19380681 A JP19380681 A JP 19380681A JP S5895231 A JPS5895231 A JP S5895231A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- temperature detection
- inductance
- amorphous alloy
- alloy magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/36—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using magnetic elements, e.g. magnets, coils
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、温度検出素子KSシ、特に、被温度検出部の
温度が基準温度を越えているか否かを検出するときに用
いられる温度検出素子に関する。
温度が基準温度を越えているか否かを検出するときに用
いられる温度検出素子に関する。
発明の技術的背景
被温度検出部の温度が基準温度を越えたとき、いわゆる
出力を送出する温度検出素子としては、従来、機械式の
ものと電磁気式のものとが知られている。すなわち、機
械式の代表的なものとしては、バイメタル方式のものが
あげられ、また、電磁気式の代表的なものとしてはフェ
ライトコアにコイルを巻装しておきフェライトのキュー
9フ点でコイルのインダクタンスを変化させるよう和し
た本のがあげられる・ 背景技術の問題点 上記のような従来の温度検出素子にあっては次のような
問題があつ九、−すなわち、バイメタル方式を採用した
ものにあっては、機械的な変位置を利用しているため、
応答性が悪く、しかも、出力を堆)出す手段として機械
的な接点を用いているので、寿命が短かいばか夛か環境
等によって接点不良を起こし易い問題があった。
出力を送出する温度検出素子としては、従来、機械式の
ものと電磁気式のものとが知られている。すなわち、機
械式の代表的なものとしては、バイメタル方式のものが
あげられ、また、電磁気式の代表的なものとしてはフェ
ライトコアにコイルを巻装しておきフェライトのキュー
9フ点でコイルのインダクタンスを変化させるよう和し
た本のがあげられる・ 背景技術の問題点 上記のような従来の温度検出素子にあっては次のような
問題があつ九、−すなわち、バイメタル方式を採用した
ものにあっては、機械的な変位置を利用しているため、
応答性が悪く、しかも、出力を堆)出す手段として機械
的な接点を用いているので、寿命が短かいばか夛か環境
等によって接点不良を起こし易い問題があった。
また、電磁気式のものくあっても、7エツイトと云った
構造的に脆い磁性体コアを用いている関係上、振動や衝
撃に弱く、また、ある体積を有するコアを用いる必要が
あるので熱応答性が悪く、シかも全体が大型化し、その
うえ、基準温度の選択幅が狭いと云う問題があった。
構造的に脆い磁性体コアを用いている関係上、振動や衝
撃に弱く、また、ある体積を有するコアを用いる必要が
あるので熱応答性が悪く、シかも全体が大型化し、その
うえ、基準温度の選択幅が狭いと云う問題があった。
発明の目的
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、応答性に勝れ、使用自由度に富
み、量産性に勝れ、そのうえ小型で長寿命な温度検出素
子を提供することKある。
の目的とするところは、応答性に勝れ、使用自由度に富
み、量産性に勝れ、そのうえ小型で長寿命な温度検出素
子を提供することKある。
発明の概要
すなわち、本発明は、温度検出素子本体を、キューり点
を墳にして磁気特性の急変するアモルファス合金磁性材
そのもので形成されたインダクタンス値素で構成し九こ
とを特徴としている。
を墳にして磁気特性の急変するアモルファス合金磁性材
そのもので形成されたインダクタンス値素で構成し九こ
とを特徴としている。
発明の効果
本発明によれば、前記アモルファス合金磁性材として、
あるキューリ点のものを用いると、この磁性材の温度が
上記キューり点に至ったとき出力端間のインダクタンス
値が急変する。したがって、上記インダクタンス値の急
変から被温度検出部の温度が上記キューり点に至ったこ
とを検出できるととKなる。この場合、アモルファス合
金磁性材のキューリ点は、一般にその組成によって決を
夛、不変であシ、また、キューリ点に至ったときの磁気
特性の変化は急激であることからして応答性に勝れた検
出を行なわせることができる。さらに、アモルファス合
金磁性材のキューリ点は、上述の如く組成を変えるとと
によって一196〜250℃の範囲で変えることができ
るので、予め、被温度検出部の基準源fK一致したキュ
ーり点のアモルファス合金磁性材を用いるようKすれば
、組立時に調整等を行なわなくても、被温度検出部の温
度が基準温度を越えようとしたとき出力端インダクタン
ス値を確実に急変させることができる。し九がって、量
産性に富んだものを得ることができる。また、純電気磁
気学的構成で検出できるので、環境によって特性が変化
する虞れがなく、しかも長寿命なものを得ることができ
る。さらFciた、大型の要素を全く必要としないので
、全体の小型化を図れる。またアモルファス合金磁性材
は一般に可撓性に富んでいるので耐振動性や耐衝撃性に
富んだものを得ることができる。
あるキューリ点のものを用いると、この磁性材の温度が
上記キューり点に至ったとき出力端間のインダクタンス
値が急変する。したがって、上記インダクタンス値の急
変から被温度検出部の温度が上記キューり点に至ったこ
とを検出できるととKなる。この場合、アモルファス合
金磁性材のキューリ点は、一般にその組成によって決を
夛、不変であシ、また、キューリ点に至ったときの磁気
特性の変化は急激であることからして応答性に勝れた検
出を行なわせることができる。さらに、アモルファス合
金磁性材のキューリ点は、上述の如く組成を変えるとと
によって一196〜250℃の範囲で変えることができ
るので、予め、被温度検出部の基準源fK一致したキュ
ーり点のアモルファス合金磁性材を用いるようKすれば
、組立時に調整等を行なわなくても、被温度検出部の温
度が基準温度を越えようとしたとき出力端インダクタン
ス値を確実に急変させることができる。し九がって、量
産性に富んだものを得ることができる。また、純電気磁
気学的構成で検出できるので、環境によって特性が変化
する虞れがなく、しかも長寿命なものを得ることができ
る。さらFciた、大型の要素を全く必要としないので
、全体の小型化を図れる。またアモルファス合金磁性材
は一般に可撓性に富んでいるので耐振動性や耐衝撃性に
富んだものを得ることができる。
発明の実施例
第1図は、本発明の一実施例に係る温度検出素子を示す
もので、この素子Xは次のように構成されている。
もので、この素子Xは次のように構成されている。
すなわち、図中1はアル1−=−ラム、銅などの熱伝導
性に富んだ金属材で内径数■の有底筒状に形成されたケ
ースであり、′このケース1内には所定のキューり点の
アモルファス合金磁性線2がそ0表面を絶縁処理されて
2つ折り状態に収容されている。上記アモルファス合金
磁性線2は、九とえばF・、 Nl 、 St 、 B
からなる組軟−例として(Ni0.25 F’@0.2
5 ) ya Sis B14 )のもので、その両端
はケース1の開口端に装着された栓3を貫通して設けら
れ九リード線4の芯線d m +4bK半田付けによっ
て接続されている。上記のように2つ折シ状態に設けら
れたアモルファス合金磁性線2はキューり温度以下の条
件下で芯線4m、4bl!lにおいて数声Hのインダク
タンス値を示し、またキューり温度を越えた条件では非
常に小さなインダクタンス値を示す、これは、アモルフ
ァス合金磁性材の場合、主成分が金属で導電率が高く、
また透磁率が非常和犬きいと云う両性質に基づくもので
、普通の導線とは異なシ、−回折シ返した程度でも比較
的大きなインダクタンス値を示し、また、キューり温度
で磁性を失なうとそのインダクタンス値が極端に小さく
なる0本発明は、この現象を利用したものである。すな
わち、本発明に係る温度検出素子xFi、キューり点を
塊にして磁気特性が急便するアモルファス合金磁性材そ
のもの、で形成されたインダクタンス要素を素子本体と
しているのである。
性に富んだ金属材で内径数■の有底筒状に形成されたケ
ースであり、′このケース1内には所定のキューり点の
アモルファス合金磁性線2がそ0表面を絶縁処理されて
2つ折り状態に収容されている。上記アモルファス合金
磁性線2は、九とえばF・、 Nl 、 St 、 B
からなる組軟−例として(Ni0.25 F’@0.2
5 ) ya Sis B14 )のもので、その両端
はケース1の開口端に装着された栓3を貫通して設けら
れ九リード線4の芯線d m +4bK半田付けによっ
て接続されている。上記のように2つ折シ状態に設けら
れたアモルファス合金磁性線2はキューり温度以下の条
件下で芯線4m、4bl!lにおいて数声Hのインダク
タンス値を示し、またキューり温度を越えた条件では非
常に小さなインダクタンス値を示す、これは、アモルフ
ァス合金磁性材の場合、主成分が金属で導電率が高く、
また透磁率が非常和犬きいと云う両性質に基づくもので
、普通の導線とは異なシ、−回折シ返した程度でも比較
的大きなインダクタンス値を示し、また、キューり温度
で磁性を失なうとそのインダクタンス値が極端に小さく
なる0本発明は、この現象を利用したものである。すな
わち、本発明に係る温度検出素子xFi、キューり点を
塊にして磁気特性が急便するアモルファス合金磁性材そ
のもの、で形成されたインダクタンス要素を素子本体と
しているのである。
しかして、上記のように構成された温度検出素子Xを用
いて実際に被温度検出部の温度が所定値を越えたか否か
を検出するKは、たとえば@2図に示すようにする。
いて実際に被温度検出部の温度が所定値を越えたか否か
を検出するKは、たとえば@2図に示すようにする。
すなわち、図中11は被温度検出部であり、こO被温度
検出部1ノの表面に温度検出米子Xを密着して設け、こ
の温度検出素子Xのリード線4の芯線4*e4bを発振
回路12に接続し、上記発振回路12の出力端12*、
12bから電気信号として検出出力Pを送出するように
する。
検出部1ノの表面に温度検出米子Xを密着して設け、こ
の温度検出素子Xのリード線4の芯線4*e4bを発振
回路12に接続し、上記発振回路12の出力端12*、
12bから電気信号として検出出力Pを送出するように
する。
前記発振回路12はたとえば具体的には第3図に示すよ
うに構成されたものが用いられる。
うに構成されたものが用いられる。
すなわち、直流電源210両端両端間抗22゜2jから
なる直列回路を接続し、上記抵抗22゜23との接続点
をNPN形トランゾスタ24のペース・コレクタおよび
コイル25および温度検出素子Xを介して直流電源21
の正極に接続し、上記トランジスタ24のニオツタを抵
抗26を介して直流電源2ノの負極に接続している。そ
して、コイル25と温度検出素子Xとの直夕1回路の両
端間にコンデンf21と28とを直列に接続し、両コン
デンサの接続点を抵抗19によび可変抵抗30を介して
前記トランシス!24のエミッタに接続している。tた
、トランジスタ24のコレクタを抵抗31およびスピー
ドアクグコンデンサ32からなる並列回路を介してPN
P形トランゾスタ33のベースに接続し、このトランジ
スタ33のエミッタを直流電源z1の正極に1また同ト
ランジスタS3のコレクタを抵抗34を介して直流電源
21の負極に接続している。そして、上記抵抗340両
端を出力端12h、12bに接続している。
なる直列回路を接続し、上記抵抗22゜23との接続点
をNPN形トランゾスタ24のペース・コレクタおよび
コイル25および温度検出素子Xを介して直流電源21
の正極に接続し、上記トランジスタ24のニオツタを抵
抗26を介して直流電源2ノの負極に接続している。そ
して、コイル25と温度検出素子Xとの直夕1回路の両
端間にコンデンf21と28とを直列に接続し、両コン
デンサの接続点を抵抗19によび可変抵抗30を介して
前記トランシス!24のエミッタに接続している。tた
、トランジスタ24のコレクタを抵抗31およびスピー
ドアクグコンデンサ32からなる並列回路を介してPN
P形トランゾスタ33のベースに接続し、このトランジ
スタ33のエミッタを直流電源z1の正極に1また同ト
ランジスタS3のコレクタを抵抗34を介して直流電源
21の負極に接続している。そして、上記抵抗340両
端を出力端12h、12bに接続している。
このような構成であると、発振回路12は、コイル25
および温度検出素子Xのインダクタンス要素とコンデン
サ21.zxとでり、C共振回路を構成し、この共振回
路と抵抗zi、s。
および温度検出素子Xのインダクタンス要素とコンデン
サ21.zxとでり、C共振回路を構成し、この共振回
路と抵抗zi、s。
からなる帰還抵抗、抵抗22.23からなるバイアス抵
抗およびトランジスタ24とでコルピッツ発振回路を、
構成していることになる。そして、このコルピッツ発振
回路は、温度検出素子Xとコイル25との合成インダク
タンス値トコンデンサ1r、Igの合成容量値とで決定
される周波数で発振する。
抗およびトランジスタ24とでコルピッツ発振回路を、
構成していることになる。そして、このコルピッツ発振
回路は、温度検出素子Xとコイル25との合成インダク
タンス値トコンデンサ1r、Igの合成容量値とで決定
される周波数で発振する。
今、被温度検出部11の温度が何らかの原因で上昇し、
これ忙伴なって温度検出素子Xのアモルファス合金磁性
線2の温度も上昇し、この温度がアモルファス合金磁性
線2のキューリ点を越えようとすると、同磁性線2の透
磁率が急9KIK低下する。この結果、アモルファス合
金磁性線2のインダクタンス値が急変し、コイル25と
温度検出素子Xとの直列回路の選択度Qが変化する。こ
のため、発振回路12の発振周波数が変化すると同時に
出力端12m、12b間で得られる出力Pの振幅も大幅
に変化する。
これ忙伴なって温度検出素子Xのアモルファス合金磁性
線2の温度も上昇し、この温度がアモルファス合金磁性
線2のキューリ点を越えようとすると、同磁性線2の透
磁率が急9KIK低下する。この結果、アモルファス合
金磁性線2のインダクタンス値が急変し、コイル25と
温度検出素子Xとの直列回路の選択度Qが変化する。こ
のため、発振回路12の発振周波数が変化すると同時に
出力端12m、12b間で得られる出力Pの振幅も大幅
に変化する。
し九がって、出力Pの変化から被温度検出部1ノの温度
がアモルファス合金磁性線2のキューリ点く至ったこと
、換言すると、同磁性線2のキューり点を基準温度とす
ると、被温度検出部11の温度が基準温度を越えたこと
を検出できることになる。
がアモルファス合金磁性線2のキューリ点く至ったこと
、換言すると、同磁性線2のキューり点を基準温度とす
ると、被温度検出部11の温度が基準温度を越えたこと
を検出できることになる。
そして、この場合には、機械的な動きをなす要素を用い
ていないので、応答性に勝れ、また信頼性の高い出力特
性が得られる、また、アモルファス合金磁性線2のキュ
ーリ点は、組成によって決まシ、ある素材をもとにして
形成された複数の磁性線のキューり点は全て等しいこと
からして、組立時に細かい調整を行なうことなしく同一
特性の装置を自動的に組立てることめよ可能であシ、し
たがって、量産性に富んだものが得られ、しかも、多種
類の被温度検出部についてそのまま使用できるので使用
自由度に富んだものが得られ、結局、前述し九効果や(
得られる・ なお上述した実施例では、線状のアモルファス合金磁性
材を用いているが帯状のものでもよい、tた、インダク
タンスの変化を取り出す手段は堀麹例のものに限定され
るものではない。
ていないので、応答性に勝れ、また信頼性の高い出力特
性が得られる、また、アモルファス合金磁性線2のキュ
ーリ点は、組成によって決まシ、ある素材をもとにして
形成された複数の磁性線のキューり点は全て等しいこと
からして、組立時に細かい調整を行なうことなしく同一
特性の装置を自動的に組立てることめよ可能であシ、し
たがって、量産性に富んだものが得られ、しかも、多種
類の被温度検出部についてそのまま使用できるので使用
自由度に富んだものが得られ、結局、前述し九効果や(
得られる・ なお上述した実施例では、線状のアモルファス合金磁性
材を用いているが帯状のものでもよい、tた、インダク
タンスの変化を取り出す手段は堀麹例のものに限定され
るものではない。
を九、使用する場所によってはケースを省略することも
できる。
できる。
以上詳述し友ように、本発明によれば、応答性に勝れ、
使用自由[に富み、量産性に勝れ、小蓋で長寿命な温度
検出素子を提供できる。
使用自由[に富み、量産性に勝れ、小蓋で長寿命な温度
検出素子を提供できる。
第1図は本発明の一実施例に係る温度検出素子の縦断面
図、第2図は同素子の使用例を!ロック的に示す図、第
3図は同使用例における発振回路の構成図である。 X・・・温度検出素子、2・・・アモルファス合金磁性
線、11・・・被温度検出部、12・・・発振回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦特開昭58−9
5231(4)
図、第2図は同素子の使用例を!ロック的に示す図、第
3図は同使用例における発振回路の構成図である。 X・・・温度検出素子、2・・・アモルファス合金磁性
線、11・・・被温度検出部、12・・・発振回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦特開昭58−9
5231(4)
Claims (4)
- (1) キューり点を境にして磁気特性の急変するア
毫ルファス合金磁性材そのもので形成されたインダクタ
ンス要素で温度検出素子本体が構成されていることを特
徴とする温度検出素子。 - (2) ll1r記磁性材は、丸線状に形成されたも
のであることを特徴とする特許請求の範囲tX1項記載
の温度検出素子。 - (3) 前記磁性材は、帯状に形成されたものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の一度検出
素子。 - (4) 前記インダクタンス要素は、前記磁性材を2
つ折シにして形成されたものであることを413黴とす
る特許請求の範囲第1項乃至第3項め何れか1項記載の
温度検、出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19380681A JPS5895231A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 温度検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19380681A JPS5895231A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 温度検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895231A true JPS5895231A (ja) | 1983-06-06 |
Family
ID=16314073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19380681A Pending JPS5895231A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 温度検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895231A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4869598A (en) * | 1988-03-11 | 1989-09-26 | Mcdonald Donald G | Temperature-sensitive multiple-layer thin film superconducting device |
-
1981
- 1981-12-02 JP JP19380681A patent/JPS5895231A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4869598A (en) * | 1988-03-11 | 1989-09-26 | Mcdonald Donald G | Temperature-sensitive multiple-layer thin film superconducting device |
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