JPS5895979A - 誘導性負荷クランプ・ダイオ−ド用リアクテイブ・スナツバ回路 - Google Patents

誘導性負荷クランプ・ダイオ−ド用リアクテイブ・スナツバ回路

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JPS5895979A
JPS5895979A JP57182249A JP18224982A JPS5895979A JP S5895979 A JPS5895979 A JP S5895979A JP 57182249 A JP57182249 A JP 57182249A JP 18224982 A JP18224982 A JP 18224982A JP S5895979 A JPS5895979 A JP S5895979A
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デイビツド・ジヨン・オスタ−ハウト
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、誘導性負荷を有した半導体の電力スイッチン
グ回路に関し、さらに詳しくは、誘導性電圧をクランプ
するのに使用する電力用ダイオードに対するスナツバ技
術の改良に関する。
たとえば、スイッチング電源等の用途において、スイッ
チを制御した割合で開閉することにより、誘導性負荷を
流れる電流が調整される。スイッチは機械的なものもし
くはトランジスタあるいはサイリスタ等の固体半導体で
もよい。スイッチが非導通である期間の間、通常負荷に
接続されたフリして電流が流れ続ける。ダイオードは電
流路を与えると共に、負荷によって生じた誘導性電圧を
制限すなわちクランプする役割を果たす。
スイッチがゲート駆動されて導通すると、クランプ0ダ
イオードを流れていた負荷電流がダイオードからスイッ
チに転流される。この転流速度は、ダイオードの尖頭逆
電流に達するまで、電源電圧と回路のインダクタンスと
によってのみ制限される。この尖頭逆電流に達した時点
において、ダイオードはさらに速い電流変化速度でオフ
に切換わオ る傾向にあり、フリーホイーリング電流路の遅遊インタ
クタンスに蓄積されたエネルギによって高い過渡電圧を
発生する。急速にターンオフするダイオードの場合、こ
の過渡電圧はダイオードの容量とリンギングするネ遊イ
/ダクタンスニ起因シてしばしば振動的である。スナツ
パ回路を用いない電力回路においては、このような過渡
電圧は相当な電磁障害(EMI)を発生し、またダイオ
ードの逆阻止電圧を超えて自己破壊を起こすこともある
ダイオードの回復特性が第1図のグラフの実線によって
示されている。転流中の電流変化速度はdi 従う。ここで−は電流変化速度、Eは印加電圧よ の大きさ、そしてLは全直列インダクタンスをあられす
完全なターンオフが達成される前に、ダイオードの蓄積
電荷を除去するためにダイオード電流を逆転しなければ
ならない。所定の電荷に対してグラフの負の部分の面積
ははシ一定であるから、尖頭逆回復電流(Irr)は電
流変化速度に正比例する。
高速スイ・lチング回路において、尖頭逆電流が過剰に
大きくなることがあり、一般に種々の回路変形を用いて
尖頭逆電流を抑制している。
尖頭逆電流を減少させるひとつの技術は、電流レベルが
零に近づく時の電流変化速度を減少させることである。
これは可飽和リアクトルをダイオードに直列に接続する
ことによって達成できる。
低電流レベルで可飽和りアクトルが磁気飽和から脱する
ので、大きな直列インダクタンスを挿入したこととなり
、電流波形を第1図の点線で示すように変形させる。第
一図の回路図はこの方法を用いた従来のスイッチング回
路である。スィッチ12ノスイツチンク機能を行うもの
として種々のデバイスが使用できるが、普通バイポーラ
電力用トランジスタが使用されている。スイッチ12は
りアクティブ負荷11と電源18との間に直列に接続さ
れている。制御回路(図示せず)は、当該技術で周知の
方法によってスイッチ12のオンならびにオフの時間を
調整する制御信号を供給する。スイッチ12が閉じられ
ると、直列接続されたりアクティブ負荷11と制御スイ
ッチ12とを介して電源1Bから電流が流れる。スイッ
チ12が開かれると、負荷のリアクティブな部分に蓄積
されたエネルギが、負荷11の両端間に接続された直列
のクランプφダイオード13と可飽和リアクトル14を
介して徐々に放電する。スイッチ12が再び閉じられる
と、負荷電流はクランプ・ダイオード13からスイッチ
12に転流さレル。スイッ′チ12は負荷電流に加えて
、クランプ・ダイオード13をターンオフするのに必要
な逆回復電流をも通す。この転流が終了する直前に、リ
アクトル14は飽和から脱し、クランプ・ダイオード1
3に直列にさらに大きなインダクタンスを挿入するので
、ダイオード13をターンオフするに必要な尖頭回復電
流を低くする。この特徴は、スイッチ12として低電流
定格のものを使用可能にする。
並列接続されたダイオード15と抵抗17と、直列接続
されたキャパシタ16とより成るスナツバ回路がスイッ
チ12の両端間に接続されて示されている。
コノスナツバ回路は、スイッチ12がターンオフする毎
に生じる電力損のいくらかを吸収するために時たま使用
されている。もし、スイッチ12がスインチングミ力損
を吸収できるならば、この並列スナツバは必ずしも必要
でない。
この技術、すなわち簡単な可飽和リアクトルを使用する
ことの主たる欠点は、スイッチ12がターンオフする瞬
間にりアクトル14が飽和していないことであり、従っ
てクランプ・ダイオードの電流路が高い誘導性インピー
ダンスを呈する。負荷電流をスイッチ12からダイオー
ド13に転流させるために、スイッチ12と負荷11と
の接続点の電圧は、飽和していないりアクトル14のイ
ンダクタンスを克服するのに充分な値に増加していなけ
ればならない。この電圧は、りアクトル14が呈するイ
ンダクタンスに比例して電源電圧よりも超えていなけれ
ばならず、そのためスイッチ12として大きな電圧定格
なものを必要とする。
本発明の目的は、スイッチング回路に用いられた電力用
クランプダイオードに対する改良スナツバ技術を提供す
ることである。
本発明の他の目的は、クランプ・ダイオードのター/オ
フ特性を改善するために可飽和りアクトルを使用した時
、電力用クランプ・ダイオードのターンオン速度を改善
することである。
本発明−のさらに他の目的は、可飽和りアクトルと直列
接続された電力用ダイオードのターン速度を改善するた
めに、適当な時間に充分な大きさを持つ一時的なエネル
ギ源を提供することである。
上述の本発明の目的は、リアクトルに第2の飽和制御入
力を設けて、従来の可飽和りアクトルを変形することに
よって達成される。この制御入力はりアクトルの鉄心上
の2次巻線により与えられる。代表的なスイッチング回
路においては、スイノチ保護用の普通の並列スナツバ回
路から得られる外部電流パルスを2次巻線に結合させる
。並列スナツバ回路の電流パルスは所望の機能を行うた
めの正確な時間ならびに大きさを有して発生する。
並列スナツバ回路が使用されない時は、スイッチング制
御信号と同期した外部電流パルスを2次巻線に結合でき
る。2次巻線の電流パルスはりアクドルの鉄心を飽和さ
せ、クランプ期間の始まりにおいてクランプ・ダイオー
ド回路が低インピーダンスを呈するようにする。
本発明の特性ならびに他の目的、特徴、用途、利点は以
下の説明ならびに添付の図面から明白となろう。
まず第3図を参照して説明する。図において、第2図の
従来の回路図に示されたと同一もしくは同様の素子に対
しては同一参照数字が用いられている。スナツバ回路は
、ダイオード15と直列接続された2次巻線14aをリ
アクトル14の鉄心に追加することによって変形されて
いる。たとえば、チヨツパやインバータ等の代表的な電
力スイッチング回路において、スイッチング周波数は、
通常、負荷に連続的な電流を流しておくのに充分なぐら
い高く、例えば数千サイクルである。スイッチ12がオ
ンとなると、電流が電源18、負荷11、およびスイッ
チ12を介して流れ、電源電圧と負荷インピーダンスに
よって決定されるある最−大値に向って増加する。スイ
ッチ12が開くと、負荷電流は、スイッチ12を迂回し
て、りアクドル14の2 次巻線14a1ダイオード1
5およびキャパシタ16を介して流れ、いくらかの電流
は抵抗17にも流れる。負荷電流のこの流路は、キャパ
シタ16が電源18の電圧の大きさより少し高い値に充
電されるまで維持される。キャパシタが充電されたとき
、ダイオード13は順方向バイアスされて急速に電流を
導き、負荷電流をスナツバ回路からクランプ・ダイオー
ド13の流路に転向する。リアクトル14の2個の巻線
、すなわち/次巻線14bとコ次巻線14aは鉄心が飽
和していないとき変圧器を構成するので、回路図に丸い
点で示されている様な巻線の極性に注意しなければなら
ない。丸い点で示された図示の極性の場合、2次巻線1
4aの初期増加負荷電流により/次巻線14bに誘起さ
れた電圧はダイオード13を逆バイアスする極性であり
、このダイオードをオフに保つ。/次巻線14bの誘起
電圧は、2次巻線14aを流れる負荷電流がリアクトル
14の鉄心を飽和させるのに充分な大きさになるやいな
や消滅する。負荷11とスイッチ12との接続点の電圧
が電源1Bの電圧を超える前にりアクドル14力と飽和
するので、ダイオード13は順方向バイアスされるとた
だちに電流を通しはじめる。ダイオード13が導通する
と、負荷電流はコ次巻線14aから1次巻線14bに急
速に移り、正味のアンペアターンによって、磁束密度が
巻数比に比例した量だけさらに飽和に向かって増加する
負荷11から7次巻線14bに流れる電流は、スイッチ
12が再びターンオンするまでリアクトル14の飽和を
維持している。スイッチ12が導通すると、jL[電流
は、クランプ・ダイオード13の流路からスイッチ12
の流路に急速に移り変る。7次巻線14bの電流が零に
近づくと、リアクトル14の鉄心は飽和から脱して1次
巻線14bのイ、ンダクタンスを増加させ、従来の簡単
なりアクドルと同様に転流電流の変化速度を遅くする。
りアクドル14が飽和から脱する時に7次巻線14bの
両端間に生じる電圧は、2次巻線14Hに変圧される。
この2次巻線の電圧は、誘起電圧を逓降するように1次
巻線14bとユ次巻線14aの巻数比を適切に選択する
ことによって、スナツバ・ダイオード15の逆バイアス
に打ち勝つには小さすぎるようになされている。
キャパシタ16の電荷により供給されるダイオード15
の逆バイアスは、スイッチ12がターンオンされて抵抗
17とスイッチ12を介してキャパシタ16を放電する
ことによって、低くなる。この放電時定数は、負荷電流
のクランプ・ダイオード13からスイッチ12への転流
時間よりもずっと遅くなるように作られており、このた
め転流の間、ダイオード15の重要な逆バイアスを保持
する。
可飽和リアクトルのパラメータは、スナツバ・ダイオー
ド15と直列のインダクタンスを最小にし、且つ転流前
にスナツバ流路を流れる負荷電流によっで飽和するよう
に選択されている。1次巻線の巻回数は、リアクトル1
4の鉄心が不飽和のときに、クランプ・ダイオード13
の回復特性の充分なスナツパ作用を与えるように選択さ
れている。抵抗17はキ(バシタ16の放電を行うため
にのみ備えられ、ダイオード15の両端間にのみ接続す
ることもできる0 半ブリッジ・インバータ方式に適用した本発明の特定な
実施例を第4図に示す。図において、第3図と同一ある
いは同様の機能を行うものには同一の参照数字が用いら
れている。各スイッチング・デバイス12aおよび12
bには、基本周波数の交互の半サイクル毎に、オン/オ
フ・スイッチング指令信号が供給される。”a”の表示
のある素子は、すべて、基本周波数の交互の半サイクル
の一方の間第3図に説明した機能を行い、”b”の表示
のある素子は、すべて、基本周波数の他方の7つおきの
サイクルの間開様な機能を行う。第4図の半ブリッジ・
インバータの各半部は、夫々独立に第3図に関して説明
したように動作するので、第グ図の回路に対してはこれ
以上の説明は不要と信する。しかしながら、スイッチ1
2aが開くと、従来の半ブリッジ・インバータで典型的
なように、負荷電流が電源18bを介して循環すること
に注意されたい。各スイッチ12のスイッチング周波数
は、典型的には基本周波数の数倍であり、また、スイッ
チ12は、負荷11が所望の基本周波数で動作するよう
にパルス幅変調モードで動作さ゛せることもできる。
当業者にとって、第4図は半ブリツジ構成であり、その
電源のセンタータップをさらに二個の個別の電力用スイ
ッチで単に置きかえることによって全ブリッジ構成を提
供することが可能であることは認められよう。同様に、
この基本回路を、多相システムに拡張することも可能で
あって、単に各電力相を負荷11に適切な時間に接続す
るように更にスイッチング・デバイス12を追加すれば
よい。
【図面の簡単な説明】
第1口出代表的な電力用ダイオードの回復時間における
電流波形を示す波形図、第2図は、従来の可飽和リアク
トルを有した従来の電力スイッチング回路の回路図、第
3図は、本発明による電力スイッチング回路の回路図、
そして第4図は、本発明を半ブリツジ電力用インバータ
・スイッチング回路に適用した一実施例を示す簡略回路
図である。 11−・・負荷、12.12a、12b ・・・スイッ
チ、13.13a、13b・・・クランプ・ダイオード
、14・・・可飽和1)アクトル、 IS、ISa、1
5b・・・スナツパダイオード、16.16a、16b
・・・キャパシタ、17.17a、17b 、・、抵抗
、1B、18a、18b −1・電源。 FIG、)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 / 少なくとも1個の電力用スイッチと電力用クランプ
    −ダイオードを含み、かつ、制御信号に応じて誘導性負
    荷を電源に接続したり電源から切離したりする電力スイ
    ッチング回路に用いる改良スナツバ回路であって、a)
    /次巻線と2次巻線を有し、/次巻線を前記負荷の両端
    間にクランプ・ダイオードと直列に接続し、且つクラン
    プ・ダイオードを、負荷が電力用スイッチによって電源
    から切離された時に負荷電流を連続的に流すことが出来
    るような極性に接続した、可飽和リアクトルと、b)負
    荷が電力用スイッチによって電源から切離された時に前
    記可飽和りアクドルを急速に磁気−飽和させるように前
    ii1″2次巻線に電流パルスを供給する手段と、で構
    成されたスナツパ回路〇2 特許請求の範囲第1項記載
    のスナツパ回路に於て、前記2次巻線に電流パルス、を
    供給する手段が電力用スイッチの両端間に接続された並
    列スナツバ回路であり、該回路が、イ)ダイオードと、
    口)キャハ/りと、ノ9前記電力用スイッチと並列に、
    前記ダイオード、キャパシタおよびΩ次巻線を直列電流
    路として接続し、且つ前記ダイオードを、前記負荷を通
    る連続的な電流の電流路となるような極性に接続する手
    段と、→抵抗と、ホ)前記2次巻線とダイオードとの直
    列組合せと並列に前記抵抗を接続して、電力用スイッチ
    が導通している時に前記キャパシタの放電電流路を与え
    る手段とで構成され、もって、電力用スイッチの導通が
    終了することにより、前記2次巻線、ダイオードおよび
    キャパシタによって形成された電流路に電流パルスが流
    れて、前記りアクドルを飽和させることからなるスナツ
    パ回路。 3、 特許請求の範囲第2項記載のスナソノく回路に於
    て前記電力用スイッチがバイポーラトランジスタより成
    るスナツパ回範。 ダ 直列接続された第7および第コスイソチング・デバ
    イスと、これらデバイスを交互に導通させる手段と、こ
    れらデバイスの両端間に結合され、且つ直列接続された
    第1および第2の電源とを有し、前配電源間の接続点と
    前記スイッチング・デバイス間の接続点との間に接続さ
    れた誘導性負荷の電流を制御する半ブリッジ・インバー
    タ形式ニ構成された電力スイッチング調整器に用いる改
    良スナツバ回路であって。 a)各々7次およびλ次巻線を有する第1および第一の
    可飽和りアクトルと、b)第1および第一のクランプ・
    ダイオードと、C)前記第7の可飽和リアクトルの7次
    巻線と前記第1のクランプ・ダイオードとを前記第一の
    スイッチングφデバイスの両端間に直列に接続する手段
    と、d)前記第2の可飽和りアクトルの/次巻線と前記
    第一のクランプ・タイオパ−ドとを前記第1のスイッチ
    ング・デバイスの両端間に直列に接続する手段と、C)
    前記第7のスイッチング・デバイスが開くと同時に、前
    記第1の可飽和りアクトルの2次巻線に電流パルスを供
    給し、前記第1の可飽和りアクトルを急速に飽和させて
    前記第1のクランプ0ダイオードを通る電流路に電流を
    急速に転流させる手段とf)前記第2のスイッチング・
    デバイスが開くと同時に、前記第一の可飽和リアクトル
    のλ次巻線に電流パルスを供給し、前記第一の可飽和り
    アクトルラ急速に飽和させて前記第一のクランプ・ダイ
    オードを通る電流路に電流を急速に転流させる手段とで
    構成されているスナツパ回路。 ふ 特許請求の範囲第4項記載のスナツバ回路に於て、
    前記電流パルスを供給する手段の各々が、イ)抵抗と、
    口)キャパシタと、ハ)ダイオードと、→前記抵抗とキ
    ャパシタとを、対応する前記スイッチング・デバイスの
    両端間に直列回路に接続する手段と、→前記ダイオード
    と、対応する前記2次巻線とを、前記抵抗の両端間に直
    列回路に接続する手段とで構成され、もって対応するス
    イッチング・デバイスの導通が終了することにより、前
    記ダイオード、コ次巻線およびキャパシタによって形成
    された直列電流路を介して電流パルスが発生されるスナ
    ツパ回路。 ム 特許請求の範囲第5項のスナツパ回路に於て、前記
    スイッチング・デバイスがバイポーラトランジスタより
    成るスナツパ回路。
JP57182249A 1981-10-19 1982-10-19 誘導性負荷クランプ・ダイオ−ド用リアクテイブ・スナツバ回路 Pending JPS5895979A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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US06/312,526 US4392172A (en) 1981-10-19 1981-10-19 Reactive snubber for inductive load clamp diodes
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