JPS5896775A - 光電検出構体 - Google Patents
光電検出構体Info
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- JPS5896775A JPS5896775A JP57197878A JP19787882A JPS5896775A JP S5896775 A JPS5896775 A JP S5896775A JP 57197878 A JP57197878 A JP 57197878A JP 19787882 A JP19787882 A JP 19787882A JP S5896775 A JPS5896775 A JP S5896775A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
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- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は基板上に感光層を設け、該基板を可視光領域及
び近赤外領域の入射放射を透過しかつ入射放射の入射角
が１５°〜２０°を越えないように制限されている曲率
を持った平行平面板、凸面板又は凹面板形状の基板とし
て成る光電検出構体に関する。 本発明はガンマグラフィに有用な検出構体に特に適用さ
れるものである。また、本発明は例えば、光電池、像増
倍管、テレビジョン・カメラ及びツ６電子増倍管のよう
な光電子検出構体を入力部に具えるデバイスに使用され
るものである。斯様なデバイスに使用される九ｍ＠出構
体は基板に直接堆積させた感光層を有しているが、一般
にはこの１１←元層は基板に光学的に良好に適合してい
ないため、この基板に対する入射光のほとんどの部分が
光子対甫子夢換に使用されず、その結果この検出構体の
光重検出効率が悪い。 〔従来技術〕 米国特許第２１２５４２５δ号明細書から基板−感光層
境界で生ずる反射現象を低減することによってこの検出
効率を改善することは既知である。 この従来方法は入射光を透過しかつ屈折率が基板の材料
の屈折率（１，５）及び感光層の材料の屈折率（８）の
間の値を有する少なくとも１つの中間層をこの基板と感
光層との間に設けて検出効率の改善を図ろうとしたもの
である。この場合には、この中間層の厚さを調整して、
基板材料及び感光層材料の光学定数を考慮して基板−中
間層境界及び中１■１層−感光層境界で夫々反射される
光の振幅がほぼ同一となるようになしかつ両度射光の位
相が反対となって互いに干渉によって光量を補償し合う
ようにする必要がある。この中間層に正確に厚さを与え
ようとすると、この構体を構成することが困健となる。 基板と光電層すなわち感光層との間の境界での反射損を
最小限に押えるため、普通のガラスの屈折率よりも大き
な屈折率を有する基板を選定してもよい。この点につい
ては文献「Ａｃｔｕａｌｉｔｅｓ ＲＴ、ＯｏＪ 、Ａ
４ 、Ａｐｒｉｌ １９７８ｐｐ・２２−２８に部分
的に記載されており、その記載によれば光伝導ファイバ
の表面に光電層を設け、このファイバのコア・ガラスを
屈折率が１．９であるランタン・ガラスとしている。し
かしながら、このデバイスの欠点は２つあり、第一の欠
点はｍ体が、特に、元ファイバが設けられていてこの光
ファイバで像伝送の検出に適合するように構成されてお
り、この光ファイバを用いているため、この構体は像を
形成せずに定量的に検出するためには好適ではないとい
う点である。第二の欠点はコア・ガラスの屈折率が空気
に対し大きいので、構体の入力側での光学的適合性が悪
いという点にある。 〔発明の概要〕 本発明の目的は光電検出の効率を低減することなく基板
と感光層との間に中間層を設けないようにして容易に構
成出来るようになした光電検出構体を提供するにある。 本発明の他の目的は光電現像の定量的検出に使用して好
適な前述の構体を提供するにある。 この目的の達成を図るため、本発明によれば、感光層に
対する基板として屈折率が２程度の透明材料から成る固
体の板を使用することを提案する。 さらに構体の入力面側に光学的に患い状綿で適合してし
まうのを回避するために、この入力部での光の反射を低
減するための手段を設ける。これら手段を特に既知の材
料から成る反射防止層とする。 本発明の変更した好適実施例によれば、基板を屈折率が
約１．９のランタン・ガラスを以って構成する。 本発明の変更した他の好適実施例によれば、感光層に対
する基板の入力面への光学的適合手段をｆｆｌ［１１率
が１．８程度の材料であるガンマグラフィ用シンチレー
タ結晶ブロック例えば！晶（Ｏｓ、Ｉ。 Ｎａ ）又は（Ｏｓ 、 Ｉ 、 Ｔｚ ）ノーｙロッ
クｔｔ直接基板に結合して構成しており、このブロック
の材料の屈折率が基板の屈折率に近いことにより所望の
光学的適合性を得ることが可能となる。この場合、本発
明は例えばガンマグラフィ又はＸ線光子の分光測定に使
用し得る検出構体から成るものである。 〔実施例の請明〕 以下、図面により本発明の実施例を請明する。 第１図は本発明による光重検出構体を示し、この構体は
可視光及び近赤外の光（すなわちいわゆる放射を意味す
る）を透過する析１１から成る基板を具えその一方の側
面にｊｖさｅの感光層１２を設け、この基板の感光層と
は反対側の側面に反射防＋ｈＪ齢１８を設ける。第１図
において、板１１の両側面は平行平面とみなす。しかし
ながら、本発明はこれら側面が凹面又は凸面であって、
この面に入射する平行光線の入射角が１５°〜２０°を
越えないような曲率を有する面であっても適用可能であ
る。この構体は、図中矢印１４で示す方向に、構体の左
側に検出しようとする元が入射し、この構体の右側に真
空部分を有している光電管の入力部を構成、する。この
基板を可視光及び近赤外光を透過しほぼ２程度の大きさ
の屈折率を有する材料、例えば、ランタン・ガラス（こ
れに対し感光材料は３程度の大きさの屈折率を有してい
る）を以って構成する。この反射防止層］３の作用によ
って、例えば空気中従って屈折率が１程度の大きさの媒
質中
び近赤外領域の入射放射を透過しかつ入射放射の入射角
が１５°〜２０°を越えないように制限されている曲率
を持った平行平面板、凸面板又は凹面板形状の基板とし
て成る光電検出構体に関する。 本発明はガンマグラフィに有用な検出構体に特に適用さ
れるものである。また、本発明は例えば、光電池、像増
倍管、テレビジョン・カメラ及びツ６電子増倍管のよう
な光電子検出構体を入力部に具えるデバイスに使用され
るものである。斯様なデバイスに使用される九ｍ＠出構
体は基板に直接堆積させた感光層を有しているが、一般
にはこの１１←元層は基板に光学的に良好に適合してい
ないため、この基板に対する入射光のほとんどの部分が
光子対甫子夢換に使用されず、その結果この検出構体の
光重検出効率が悪い。 〔従来技術〕 米国特許第２１２５４２５δ号明細書から基板−感光層
境界で生ずる反射現象を低減することによってこの検出
効率を改善することは既知である。 この従来方法は入射光を透過しかつ屈折率が基板の材料
の屈折率（１，５）及び感光層の材料の屈折率（８）の
間の値を有する少なくとも１つの中間層をこの基板と感
光層との間に設けて検出効率の改善を図ろうとしたもの
である。この場合には、この中間層の厚さを調整して、
基板材料及び感光層材料の光学定数を考慮して基板−中
間層境界及び中１■１層−感光層境界で夫々反射される
光の振幅がほぼ同一となるようになしかつ両度射光の位
相が反対となって互いに干渉によって光量を補償し合う
ようにする必要がある。この中間層に正確に厚さを与え
ようとすると、この構体を構成することが困健となる。 基板と光電層すなわち感光層との間の境界での反射損を
最小限に押えるため、普通のガラスの屈折率よりも大き
な屈折率を有する基板を選定してもよい。この点につい
ては文献「Ａｃｔｕａｌｉｔｅｓ ＲＴ、ＯｏＪ 、Ａ
４ 、Ａｐｒｉｌ １９７８ｐｐ・２２−２８に部分
的に記載されており、その記載によれば光伝導ファイバ
の表面に光電層を設け、このファイバのコア・ガラスを
屈折率が１．９であるランタン・ガラスとしている。し
かしながら、このデバイスの欠点は２つあり、第一の欠
点はｍ体が、特に、元ファイバが設けられていてこの光
ファイバで像伝送の検出に適合するように構成されてお
り、この光ファイバを用いているため、この構体は像を
形成せずに定量的に検出するためには好適ではないとい
う点である。第二の欠点はコア・ガラスの屈折率が空気
に対し大きいので、構体の入力側での光学的適合性が悪
いという点にある。 〔発明の概要〕 本発明の目的は光電検出の効率を低減することなく基板
と感光層との間に中間層を設けないようにして容易に構
成出来るようになした光電検出構体を提供するにある。 本発明の他の目的は光電現像の定量的検出に使用して好
適な前述の構体を提供するにある。 この目的の達成を図るため、本発明によれば、感光層に
対する基板として屈折率が２程度の透明材料から成る固
体の板を使用することを提案する。 さらに構体の入力面側に光学的に患い状綿で適合してし
まうのを回避するために、この入力部での光の反射を低
減するための手段を設ける。これら手段を特に既知の材
料から成る反射防止層とする。 本発明の変更した好適実施例によれば、基板を屈折率が
約１．９のランタン・ガラスを以って構成する。 本発明の変更した他の好適実施例によれば、感光層に対
する基板の入力面への光学的適合手段をｆｆｌ［１１率
が１．８程度の材料であるガンマグラフィ用シンチレー
タ結晶ブロック例えば！晶（Ｏｓ、Ｉ。 Ｎａ ）又は（Ｏｓ 、 Ｉ 、 Ｔｚ ）ノーｙロッ
クｔｔ直接基板に結合して構成しており、このブロック
の材料の屈折率が基板の屈折率に近いことにより所望の
光学的適合性を得ることが可能となる。この場合、本発
明は例えばガンマグラフィ又はＸ線光子の分光測定に使
用し得る検出構体から成るものである。 〔実施例の請明〕 以下、図面により本発明の実施例を請明する。 第１図は本発明による光重検出構体を示し、この構体は
可視光及び近赤外の光（すなわちいわゆる放射を意味す
る）を透過する析１１から成る基板を具えその一方の側
面にｊｖさｅの感光層１２を設け、この基板の感光層と
は反対側の側面に反射防＋ｈＪ齢１８を設ける。第１図
において、板１１の両側面は平行平面とみなす。しかし
ながら、本発明はこれら側面が凹面又は凸面であって、
この面に入射する平行光線の入射角が１５°〜２０°を
越えないような曲率を有する面であっても適用可能であ
る。この構体は、図中矢印１４で示す方向に、構体の左
側に検出しようとする元が入射し、この構体の右側に真
空部分を有している光電管の入力部を構成、する。この
基板を可視光及び近赤外光を透過しほぼ２程度の大きさ
の屈折率を有する材料、例えば、ランタン・ガラス（こ
れに対し感光材料は３程度の大きさの屈折率を有してい
る）を以って構成する。この反射防止層］３の作用によ
って、例えば空気中従って屈折率が１程度の大きさの媒
質中
【こ置かれた光電管の環境にこの基板を光学的に適
合させるので、基板と光電管の外界との境界での光の反
射を著しく低減させることが出来る。 この構体の第一実施例によれば、感光基１２を層Ｓ２０
又は８２５を形成する化学式５ｂＮａ、Ｋ ｔ Ｏｓ
１の３−アルカリ（ｔｒｉ −ａ、１ｋａｌｉｎｅ ）
材料（８個のアルカリ合端を含む材１！＋）から成る。 基板を高屈折率のガラス（例えば屈折率１．９を有する
ランタン・ガラス）とし、反射防止層を既知の性質のも
の（例えば、ＭｇＦ、 、 Ｎａ８ＡＩＦＢ、 ＯａＦ
、 、 ＳｒＦ、 。 ＢａＦ２． ＡｌＦ３． ＭｇＦ２． ＣｅＦ３． Ｔ
ｈＦ、 （１） ヨうな材料の層）とする。 第２図は横軸に感光層の厚ざｅをブロットン、縦軸に光
市検出幼来ρ２の相対値をプロットし、しかも赤、青及
び緑のスペクトル部分に夫々含まれる３つの波長””４
ｄＯｎｍ、 λ＝ ５２ （ｌ ｎｍ及びλ＝ ８０
Ｏｒ１ｍに対して測定した光重検出構体の、感光層の
厚ざの関数としての波長λにおける光電層１１ｕ効率を
示す曲線図である。各波長での効率を表わす曲線を実線
２４・２５・２６で夫々示す。これら曲線との比較のた
め、屈折率が約１．５のガラス上に同一の感光層を堆積
して成る光電検出構体の光電検出効率を光電層すなわち
感光ｊ曽の厚さの関数として同一波長に対して測定した
曲線を破＠２１．２２．２８で夫々示す。これら効率を
表工に比軟して示す。 表 １ 厚さｅ−２００人に対するいわゆる８２０層の場合には
、青色での増摩（１ｎｔｅｎｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ ）
は２０％程度である。厚ざｅ＝１２００人に対応する８
２５層の場合には、緑及び赤色でのそれぞれの増摩は１
５％及び１０％である。 第３図は第一実施例の構体のスペクトル感度を８２０層
及び８２５層に対して示すと共に、比較のため普通のガ
ラス上に同一の８２０層及び同一の３２５層を夫々堆積
した既知構体のスペクトル感度を示す曲線図である。本
発明による構体で得られた曲線を８２０層及び８２５層
に対して実線８１及び３２で夫々示す。これに対し従来
既知の。 構体で得られた曲線を破線８８及び８４で夫々示す。 本発明の第二実施例によれは、２−アルカリ光電子放出
層すなわち感光Ｎ＃】２のタイプをＳｂＫ、Ｏｓとし、
基板を屈折率の大きいガラス（例えば１．９１の屈折率
を有するランタン・ガラス）とするが、反射防止ｒＶ１
１３を従来既知の反射防止層とする。 第４図は第２図と同様な光電検出効率を示す曲線であっ
て、この場合には本発明による構体及び ′屈折率
が１．５のガラス上に同一の感光層を堆積させて成、る
構体の、波長λ＝ ４８０ ｎｍ及びλ−５２０゜ｎｍ
に対するそれぞれの光電検出効率をそれぞれ示す。同図
において、本発明による構体に対する、層厚の関数とし
ての光電検出効率もへ〜（λを実線的ｉ４１．４２で示
し既知構体に対する光電検出効率を破線的Ｍ４８．４４
でそれぞれ示す。この場合の比軟結果も又大工に示し、
この大工かられかるように、感光ＩｆＦの厚ざ８＝１７
５八とした場合に青色の場合には８％の増摩及び緑色の
場合には６％の増摩をそれぞれ得た。 第５図は本発明による第三実施例を示す線図である。こ
の実施例による構体は基板の入力面側に光シンチレータ
結晶６１を具えていて、これに例えばＸ＃ｉｌとからγ
線が入射する。この結晶６１は平行平面板の形状をして
いるが、この結晶及び光・電陰ｆｉＪｉ（構体）の基板
の入力側の而を別の形状としてもよい。例えば、平面、
球面、凸面、四面その他寺々とし得る。その材料を１．
８程度の高屈折率を有する、例えば、化学式（０８Ｉ・
Ｎａ １（ＯｓＩ 、 Ｔｌ ）の材料とする。従って
、この構体によれば、前述した本発明の他の実施例の場
合のように、反射防止層を必要とせずに光電陰極の基板
とシンチレータ結晶との間の境界で良好なｙＣ学的適合
を得る。
合させるので、基板と光電管の外界との境界での光の反
射を著しく低減させることが出来る。 この構体の第一実施例によれば、感光基１２を層Ｓ２０
又は８２５を形成する化学式５ｂＮａ、Ｋ ｔ Ｏｓ
１の３−アルカリ（ｔｒｉ −ａ、１ｋａｌｉｎｅ ）
材料（８個のアルカリ合端を含む材１！＋）から成る。 基板を高屈折率のガラス（例えば屈折率１．９を有する
ランタン・ガラス）とし、反射防止層を既知の性質のも
の（例えば、ＭｇＦ、 、 Ｎａ８ＡＩＦＢ、 ＯａＦ
、 、 ＳｒＦ、 。 ＢａＦ２． ＡｌＦ３． ＭｇＦ２． ＣｅＦ３． Ｔ
ｈＦ、 （１） ヨうな材料の層）とする。 第２図は横軸に感光層の厚ざｅをブロットン、縦軸に光
市検出幼来ρ２の相対値をプロットし、しかも赤、青及
び緑のスペクトル部分に夫々含まれる３つの波長””４
ｄＯｎｍ、 λ＝ ５２ （ｌ ｎｍ及びλ＝ ８０
Ｏｒ１ｍに対して測定した光重検出構体の、感光層の
厚ざの関数としての波長λにおける光電層１１ｕ効率を
示す曲線図である。各波長での効率を表わす曲線を実線
２４・２５・２６で夫々示す。これら曲線との比較のた
め、屈折率が約１．５のガラス上に同一の感光層を堆積
して成る光電検出構体の光電検出効率を光電層すなわち
感光ｊ曽の厚さの関数として同一波長に対して測定した
曲線を破＠２１．２２．２８で夫々示す。これら効率を
表工に比軟して示す。 表 １ 厚さｅ−２００人に対するいわゆる８２０層の場合には
、青色での増摩（１ｎｔｅｎｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ ）
は２０％程度である。厚ざｅ＝１２００人に対応する８
２５層の場合には、緑及び赤色でのそれぞれの増摩は１
５％及び１０％である。 第３図は第一実施例の構体のスペクトル感度を８２０層
及び８２５層に対して示すと共に、比較のため普通のガ
ラス上に同一の８２０層及び同一の３２５層を夫々堆積
した既知構体のスペクトル感度を示す曲線図である。本
発明による構体で得られた曲線を８２０層及び８２５層
に対して実線８１及び３２で夫々示す。これに対し従来
既知の。 構体で得られた曲線を破線８８及び８４で夫々示す。 本発明の第二実施例によれは、２−アルカリ光電子放出
層すなわち感光Ｎ＃】２のタイプをＳｂＫ、Ｏｓとし、
基板を屈折率の大きいガラス（例えば１．９１の屈折率
を有するランタン・ガラス）とするが、反射防止ｒＶ１
１３を従来既知の反射防止層とする。 第４図は第２図と同様な光電検出効率を示す曲線であっ
て、この場合には本発明による構体及び ′屈折率
が１．５のガラス上に同一の感光層を堆積させて成、る
構体の、波長λ＝ ４８０ ｎｍ及びλ−５２０゜ｎｍ
に対するそれぞれの光電検出効率をそれぞれ示す。同図
において、本発明による構体に対する、層厚の関数とし
ての光電検出効率もへ〜（λを実線的ｉ４１．４２で示
し既知構体に対する光電検出効率を破線的Ｍ４８．４４
でそれぞれ示す。この場合の比軟結果も又大工に示し、
この大工かられかるように、感光ＩｆＦの厚ざ８＝１７
５八とした場合に青色の場合には８％の増摩及び緑色の
場合には６％の増摩をそれぞれ得た。 第５図は本発明による第三実施例を示す線図である。こ
の実施例による構体は基板の入力面側に光シンチレータ
結晶６１を具えていて、これに例えばＸ＃ｉｌとからγ
線が入射する。この結晶６１は平行平面板の形状をして
いるが、この結晶及び光・電陰ｆｉＪｉ（構体）の基板
の入力側の而を別の形状としてもよい。例えば、平面、
球面、凸面、四面その他寺々とし得る。その材料を１．
８程度の高屈折率を有する、例えば、化学式（０８Ｉ・
Ｎａ １（ＯｓＩ 、 Ｔｌ ）の材料とする。従って
、この構体によれば、前述した本発明の他の実施例の場
合のように、反射防止層を必要とせずに光電陰極の基板
とシンチレータ結晶との間の境界で良好なｙＣ学的適合
を得る。
第１図は本発明による光電検出構体を示す図式第２図は
感光層を化学式（５ｂＮａ２Ｋ 、 （３ｓ ）を有す
る８−アルカリとした場合の、本発明による第一実施例
による光電検出構体の感光層の厚さの関数としての光電
検出効率と、比軟のために普通のガラス上に堆積された
同一の感ｙＣ層の光電検出効率とを示す曲線図、 第８図は層８２０又は８２５を有する第一実施例による
光電検出構体、及び普通のガラス上に堆積された同一の
層の夫々のスペクトル感度を示す曲線図、 第４図は感光層を化学式５ｂＫ２Ｏ６を有する２−アル
カリ（ｂｉ −ａｌｋａｌｉｎｅ ） トＬ／ タ場合
ノ、本発明による第二実施例による光電検出構体の感光
層の厚さの関数としての光電検出効率と、比軟のために
普通のガラス上に堆積された同一の感光層の光電検出効
率とを示す曲線図、 第５図は、出力部にシンチレータ結晶を具える本発明の
第三実施例を示す図式的断面図である。 １１・・・板 １２・・・感光層１８・・
・反射防止Ｎ １４・・・矢印１５・・・真空部
６】・・・シンチレータ結晶時ｆＦ［１１人
エヌ・べ−・フィリップス・フルーイランペンフ
ァブリクン 手続補正書 昭和５８年 １ 月１１日 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第１９７８７８号２゜発明の名
称 光電検出構体 ３、補正をする者 事件との関係 名称 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランベ
ンファブリケン 外 １名 ５゜ ７、補正の内容 （別紙の通り） （１）明細書第１頁第３行〜第３頁第４行の特許請求の
範囲を次のとおりに訂正する。 ［２特許請求の範囲 １、 基板上に感光層を設け、該基板を可視光領域及び
近赤外領域の入射放射を透過しかつ入射放射の入射角が
１５°〜２０°を越えないように制限されている曲率を
持った平行平面板、凸面板又は凹面板形状の基板として
成る光電検出構体において、該基板の材料の前記放射に
対する屈折率を２又はほぼ２とし、及び前記基板の前記
放射の入射面に該入射面に対する入射放射の反射を低減
する反射低減手段を具えることを特徴とする光電検出構
体。 λ 前記基板に入射する放射の反射を低減する反射低減
手段を基板Ｇこ備えられかつ前記放射に対する屈折率が
１．８近くのシンチレータ結晶の板を以って構成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲ｌ記載の光電検出構体Ｏ ８、前記基板に入射する放射の反射を低減する反射低減
手段を反射防止層を以って構成することを特徴とする特
許請求の範囲ｌ記載の光電検出構体。 表 前記基板の材料を屈折率が１゜９程度のガラスとす
ることを特徴とする特許請求の範囲１〜３のいずれか一
つに記載の光電検出構体。 ５ 前記感光層の材料を化学式（５ｂＮａ、Ｋ 、 Ｏ
ｓ ）を有する３−アルカリ材料とすることを特徴とす
る特許請求の範囲１〜４のいずれか一つに記載の光電検
出構体。 ６ 前記感光層の材料を化学式（５ｂＫ２０Ｓ ） 。 （５ｂＲｂ２Ｏ８）又は（ＳｂＯｓ８）を有する２−ア
ルカリ材料とすることを特徴とする特許請求の範囲１〜
４のいずれか一つに記載の光電検出構体。 ７、 前記感光層の厚さをタイプ８２０又はＳ２５の層
に対応させたことを特徴とする特許請求の範囲５記載の
光電検出構体。 ８ 前記感光層の厚さを１７５Ａ程度としたことを特徴
とする特許請求の範囲６記載の光電検出構体。」
感光層を化学式（５ｂＮａ２Ｋ 、 （３ｓ ）を有す
る８−アルカリとした場合の、本発明による第一実施例
による光電検出構体の感光層の厚さの関数としての光電
検出効率と、比軟のために普通のガラス上に堆積された
同一の感ｙＣ層の光電検出効率とを示す曲線図、 第８図は層８２０又は８２５を有する第一実施例による
光電検出構体、及び普通のガラス上に堆積された同一の
層の夫々のスペクトル感度を示す曲線図、 第４図は感光層を化学式５ｂＫ２Ｏ６を有する２−アル
カリ（ｂｉ −ａｌｋａｌｉｎｅ ） トＬ／ タ場合
ノ、本発明による第二実施例による光電検出構体の感光
層の厚さの関数としての光電検出効率と、比軟のために
普通のガラス上に堆積された同一の感光層の光電検出効
率とを示す曲線図、 第５図は、出力部にシンチレータ結晶を具える本発明の
第三実施例を示す図式的断面図である。 １１・・・板 １２・・・感光層１８・・
・反射防止Ｎ １４・・・矢印１５・・・真空部
６】・・・シンチレータ結晶時ｆＦ［１１人
エヌ・べ−・フィリップス・フルーイランペンフ
ァブリクン 手続補正書 昭和５８年 １ 月１１日 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第１９７８７８号２゜発明の名
称 光電検出構体 ３、補正をする者 事件との関係 名称 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランベ
ンファブリケン 外 １名 ５゜ ７、補正の内容 （別紙の通り） （１）明細書第１頁第３行〜第３頁第４行の特許請求の
範囲を次のとおりに訂正する。 ［２特許請求の範囲 １、 基板上に感光層を設け、該基板を可視光領域及び
近赤外領域の入射放射を透過しかつ入射放射の入射角が
１５°〜２０°を越えないように制限されている曲率を
持った平行平面板、凸面板又は凹面板形状の基板として
成る光電検出構体において、該基板の材料の前記放射に
対する屈折率を２又はほぼ２とし、及び前記基板の前記
放射の入射面に該入射面に対する入射放射の反射を低減
する反射低減手段を具えることを特徴とする光電検出構
体。 λ 前記基板に入射する放射の反射を低減する反射低減
手段を基板Ｇこ備えられかつ前記放射に対する屈折率が
１．８近くのシンチレータ結晶の板を以って構成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲ｌ記載の光電検出構体Ｏ ８、前記基板に入射する放射の反射を低減する反射低減
手段を反射防止層を以って構成することを特徴とする特
許請求の範囲ｌ記載の光電検出構体。 表 前記基板の材料を屈折率が１゜９程度のガラスとす
ることを特徴とする特許請求の範囲１〜３のいずれか一
つに記載の光電検出構体。 ５ 前記感光層の材料を化学式（５ｂＮａ、Ｋ 、 Ｏ
ｓ ）を有する３−アルカリ材料とすることを特徴とす
る特許請求の範囲１〜４のいずれか一つに記載の光電検
出構体。 ６ 前記感光層の材料を化学式（５ｂＫ２０Ｓ ） 。 （５ｂＲｂ２Ｏ８）又は（ＳｂＯｓ８）を有する２−ア
ルカリ材料とすることを特徴とする特許請求の範囲１〜
４のいずれか一つに記載の光電検出構体。 ７、 前記感光層の厚さをタイプ８２０又はＳ２５の層
に対応させたことを特徴とする特許請求の範囲５記載の
光電検出構体。 ８ 前記感光層の厚さを１７５Ａ程度としたことを特徴
とする特許請求の範囲６記載の光電検出構体。」
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に感光層を設け、該基板を川柳光領域及び近
赤外領域の入射放射を透過しかつ入射放射の入射角が１
５°−２０°を越えないように制限されている曲率を持
った平行平面板、凸面板又は凹面板形状の基板として成
、る光電検出構体において、該基板の材料の前記放射に
対する屈折率を２又はＦ！！は２とし、及び前記基板の
前記放射の入射面に該入射面に対する入射放射の反射を
低減する反射低減手段を具えることを特徴とする光電検
出構体。 λ 前記基板に入射する放射の反射を低減する反射低減
手段を基板に備えられかつ前記放射に対する屈折率が１
．８近くの、例えば、化学式（ＯｓＩ ＋ Ｎａ ）
＋ （ＯｓＩ 、 Ｔｌ）を有するシンチレータ結晶の
板を以って構成することを特徴とする特Ｗｆ請求の範囲
１記載の光電検出構体。 ８ 前記基板に入射する放射の反射を低減する反射低減
手段を反射防止層を以ってｆＭ成することを特徴とする
特許請求の範囲１記載の光電検出病体。 瓜 前記基板の材料を屈折率が１．９程度のランタン・
ガラス、バリウム・ガラス又はチタン・ガラスとするこ
とを特徴とする特許請求の範囲１〜４のいずれか一つに
記載の光電検出構体。 翫 前記感光層の材料を化学式（ＳｂＮａｇＫ 、Ｏ８
）・を有する８−アルカリ材料とすることを特徴とする
特許請求の範囲１〜４のいずれか一つに記載の光電検出
構体。 ６ 前記感光層の材料を化学式（ＳｂＫ、Ｏｓ ） 。 （５ｂＲｂ２０ｓ ）又は（５ｂｃｓ８）を有する２−
アルカリ材料とすることを特徴とする特許請求の範囲１
〜４のいずれか一つに記載の光電検出構体。 ？、 前記感光層のＷｌざをタイプＳ２０又はＳ２５の
層に対応させたことを特徴とする特許請求の範囲５記載
の光電検出構体。 ８． 前記感光層の厚さを１７５λ程度としたことを特
徴とする特肝請求の範囲６記載の光電検出構体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8121249A FR2516705A1 (fr) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | Structure de detection photoelectrique |
| FR8121249 | 1981-11-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5896775A true JPS5896775A (ja) | 1983-06-08 |
Family
ID=9263965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57197878A Pending JPS5896775A (ja) | 1981-11-13 | 1982-11-12 | 光電検出構体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4611114A (ja) |
| EP (1) | EP0079651B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5896775A (ja) |
| DE (1) | DE3279819D1 (ja) |
| FR (1) | FR2516705A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2662036B1 (fr) * | 1990-05-14 | 1993-06-25 | Centre Nat Rech Scient | Camera a balayage de fente. |
| CN104076385B (zh) * | 2014-07-04 | 2017-01-04 | 中国科学院高能物理研究所 | γ射线辐射量检测装置及其检测方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2768265A (en) * | 1954-04-19 | 1956-10-23 | Jr James R Jenness | Infrared detector cell |
| US2997590A (en) * | 1959-06-26 | 1961-08-22 | Ibm | Infrared radiation entrance window |
| GB1005708A (en) * | 1960-12-14 | 1965-09-29 | Emi Ltd | Improvements relating to photo electrically sensitive devices |
| US4047804A (en) * | 1973-12-26 | 1977-09-13 | Polaroid Corporation | Anti-reflection coatings for photographic bases |
| JPS55129782A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-07 | Hitachi Medical Corp | Radiant ray detector |
-
1981
- 1981-11-13 FR FR8121249A patent/FR2516705A1/fr active Granted
-
1982
- 1982-11-10 EP EP82201421A patent/EP0079651B1/fr not_active Expired
- 1982-11-10 DE DE8282201421T patent/DE3279819D1/de not_active Expired
- 1982-11-12 JP JP57197878A patent/JPS5896775A/ja active Pending
-
1985
- 1985-10-04 US US06/785,087 patent/US4611114A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3279819D1 (en) | 1989-08-17 |
| FR2516705B1 (ja) | 1984-05-11 |
| FR2516705A1 (fr) | 1983-05-20 |
| EP0079651B1 (fr) | 1989-07-12 |
| EP0079651A1 (fr) | 1983-05-25 |
| US4611114A (en) | 1986-09-09 |
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