JPS5898826A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS5898826A JPS5898826A JP56196910A JP19691081A JPS5898826A JP S5898826 A JPS5898826 A JP S5898826A JP 56196910 A JP56196910 A JP 56196910A JP 19691081 A JP19691081 A JP 19691081A JP S5898826 A JPS5898826 A JP S5898826A
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- Japan
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- thin film
- magnetic head
- current
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3958—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition
- G11B5/3961—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement
- G11B5/3964—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement for transducing on a single track
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/399—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures with intrinsic biasing, e.g. provided by equipotential strips
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ッドと略す）において、各磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ
素子と略す）に３つの端子を設け、内一つを比較電極と
し工中点端子とし、他の２つの端子に互に逆方向の一定
電流を供給し逆相の再生出力を得、これを差動増幅する
ことによりヘッドおよびへ，ドからの配線等に飛び込む
外来ノイズの影響ｔｌｆｆｉ去することを目的とする。
素子と略す）に３つの端子を設け、内一つを比較電極と
し工中点端子とし、他の２つの端子に互に逆方向の一定
電流を供給し逆相の再生出力を得、これを差動増幅する
ことによりヘッドおよびへ，ドからの配線等に飛び込む
外来ノイズの影響ｔｌｆｆｉ去することを目的とする。
また、バイアス方法を誘導磁気異方性によるものとする
ことにより、媒体と薄膜ヘッドとの相互干渉、すなわち
媒体の消磁やＭＲヘッド特有の熱ノイズ等を除去し、信
号（Ｓ）対雑音（転）比の劣化のない良好な再生用ＭＲ
ヘッド全提供するものである。
ことにより、媒体と薄膜ヘッドとの相互干渉、すなわち
媒体の消磁やＭＲヘッド特有の熱ノイズ等を除去し、信
号（Ｓ）対雑音（転）比の劣化のない良好な再生用ＭＲ
ヘッド全提供するものである。
ｔｏ）
従来からの磁気抵抗効果型再生ヘッドを第１図に示す。
ＭＲ素子は短冊状に形成され、記録媒体１と垂直（Ｙ方
向）に強磁性薄板からなるＭＲ素子２ｉ当接または近接
させ、ＭＲ素子２の長手方向（Ｚ方向）の両端に電極３
，４を配置し、電極３．４間に定電流ｉｋ流し、記録媒
体ｌのＹ方向の信号磁界によりＸ方向の抵抗値変化を電
極３゜４同の′区圧変化により検出する。
向）に強磁性薄板からなるＭＲ素子２ｉ当接または近接
させ、ＭＲ素子２の長手方向（Ｚ方向）の両端に電極３
，４を配置し、電極３．４間に定電流ｉｋ流し、記録媒
体ｌのＹ方向の信号磁界によりＸ方向の抵抗値変化を電
極３゜４同の′区圧変化により検出する。
一般に再生用のＭＲヘッドは、記録用の誘導型薄膜磁気
ヘッドと同一デツキに組み込むか、同一基板上に蒸着形
成されるかして、接近した状態で使用される。このとき
、記録電流は再生出力にもれ込むため（フィードスルー
）、記録している信号を同時に再生するような同時モニ
ターでは、データ信号の再生が不可能となる。また、フ
ィードスルーを減じるためや短波長再生を行なうために
、ＭＲ素子の両側面に磁気空隙を置くシールド型のＭＲ
ヘッドでは、外部磁石によって・ぐイアス全加える場合
、シールドされているためＭＲ素子に十分な磁界を与え
るには大きな外部磁場が必要となり、その結果、媒体に
記録された信号が消磁され、また、シールド効果もフィ
ードスルーに対しては十分でなく記録時の同時モニタが
困難で実用にならない。
ヘッドと同一デツキに組み込むか、同一基板上に蒸着形
成されるかして、接近した状態で使用される。このとき
、記録電流は再生出力にもれ込むため（フィードスルー
）、記録している信号を同時に再生するような同時モニ
ターでは、データ信号の再生が不可能となる。また、フ
ィードスルーを減じるためや短波長再生を行なうために
、ＭＲ素子の両側面に磁気空隙を置くシールド型のＭＲ
ヘッドでは、外部磁石によって・ぐイアス全加える場合
、シールドされているためＭＲ素子に十分な磁界を与え
るには大きな外部磁場が必要となり、その結果、媒体に
記録された信号が消磁され、また、シールド効果もフィ
ードスルーに対しては十分でなく記録時の同時モニタが
困難で実用にならない。
まだ、電流バイアス法の一構造であるシャントバイアス
法は短波長内生用として応用するシールド型であり、構
造は第２図に示したが、共通アース端子２１全含む３端
子２１．２２．２３全持ち、ＭＲ素子２４はＴｉ等の抵
抗素子２５によって短絡されており、抵抗素子に流す電
流によってＭＲ素子２４にバイアス磁界を加えている。
法は短波長内生用として応用するシールド型であり、構
造は第２図に示したが、共通アース端子２１全含む３端
子２１．２２．２３全持ち、ＭＲ素子２４はＴｉ等の抵
抗素子２５によって短絡されており、抵抗素子に流す電
流によってＭＲ素子２４にバイアス磁界を加えている。
ＭＲ素子２４には、共通アース端子に流れ込むように他
の２端子から定電流＄が加えられており、ＭＲ素子は第
２図に示すように逆方向の・ぐイアス磁界ＨＢが加えら
れている。このような状態に保たれたＭＲ素子に信号磁
界が入力されると、信号磁界は、共通アース端子を間に
はさんだΔＩＩ Ｒ素子の二つの部分には電流方向が逆
であるため逆相として感磁される。二つの′電極に出力
される畜４圧の差信号を取ると、シャントバイアス法で
は一１＆’に出力はアンダバイアスであるが一方の出力
がアンタハイアスで再生出力に歪があっても、他の出力
と相互に歪成分を打ち消し補うので再生出力は良好とな
り、外来ノイズも打ち消すが、素子の均一性や記録信号
の均一性、および機器間での互換性で問題となるアジマ
スの一致が他の構造のヘッドを比較するときびしく要求
され、実用的でない。まだ、ＭＲ素子と抵抗素子双方に
電流を流すことから、ＭＲ素子特有のザーマルノイズの
発生も多くなシ実用的でない。
の２端子から定電流＄が加えられており、ＭＲ素子は第
２図に示すように逆方向の・ぐイアス磁界ＨＢが加えら
れている。このような状態に保たれたＭＲ素子に信号磁
界が入力されると、信号磁界は、共通アース端子を間に
はさんだΔＩＩ Ｒ素子の二つの部分には電流方向が逆
であるため逆相として感磁される。二つの′電極に出力
される畜４圧の差信号を取ると、シャントバイアス法で
は一１＆’に出力はアンダバイアスであるが一方の出力
がアンタハイアスで再生出力に歪があっても、他の出力
と相互に歪成分を打ち消し補うので再生出力は良好とな
り、外来ノイズも打ち消すが、素子の均一性や記録信号
の均一性、および機器間での互換性で問題となるアジマ
スの一致が他の構造のヘッドを比較するときびしく要求
され、実用的でない。まだ、ＭＲ素子と抵抗素子双方に
電流を流すことから、ＭＲ素子特有のザーマルノイズの
発生も多くなシ実用的でない。
本発明は、このような従来のＭＲヘッドの欠点全解消し
ようとするものである。
ようとするものである。
第３図に本発明の一実施例を示す。ＭＲ素子６にはＭＲ
電流供給及び再生出力取り出しのだめの端子を３つ、つ
ま、９７，８．９’を設けこの内の端子９を接地する。
電流供給及び再生出力取り出しのだめの端子を３つ、つ
ま、９７，８．９’を設けこの内の端子９を接地する。
ＭＲ素子が多数ある場合には、この端子９は共通にして
共通端子として取シ出し接地すれば配線のための端子数
が少なくできる。
共通端子として取シ出し接地すれば配線のための端子数
が少なくできる。
端子７、端子８よｐＭＲ電流を供給し再生出力を電圧と
して得る。ここで、端子７側のＭＲ素子に（５） は、端子７より端子９（接地）側へ流れるＭＲ電流１０
、端子８側のＭＲ素子には端子９より端子８へ流れるＭ
Ｒ電流１１をそれぞれ定電流回路１２．１３より供給す
る。ＭＲ電流１０．１１は同じ値に設定する。磁気記録
媒体からの信号磁界によりＩＶＴ Ｒ素子の抵抗値が変
化するが、端子７側、端子８側の抵抗変化は同一方向で
、Ｍ Ｒ電流１０゜１１が信号取り出し端子７，８から
見ると互いに逆方向であるので、端子７，８に現われる
再生電圧は互いに逆相となる。この端子７，８に現われ
た出力を差動増幅器１４の＋側、−個入力にそれぞれ供
給し、差動増幅すれば、ＭＲ素子６よりの内生出力が得
られる。以上の例では、バイアス磁界は、外部磁石や電
流によるものである。
して得る。ここで、端子７側のＭＲ素子に（５） は、端子７より端子９（接地）側へ流れるＭＲ電流１０
、端子８側のＭＲ素子には端子９より端子８へ流れるＭ
Ｒ電流１１をそれぞれ定電流回路１２．１３より供給す
る。ＭＲ電流１０．１１は同じ値に設定する。磁気記録
媒体からの信号磁界によりＩＶＴ Ｒ素子の抵抗値が変
化するが、端子７側、端子８側の抵抗変化は同一方向で
、Ｍ Ｒ電流１０゜１１が信号取り出し端子７，８から
見ると互いに逆方向であるので、端子７，８に現われる
再生電圧は互いに逆相となる。この端子７，８に現われ
た出力を差動増幅器１４の＋側、−個入力にそれぞれ供
給し、差動増幅すれば、ＭＲ素子６よりの内生出力が得
られる。以上の例では、バイアス磁界は、外部磁石や電
流によるものである。
ところで、記録電流のフィードスルー等の外来ノイズは
、ヘッド及びヘッドからの配線には接地側へ流れるよう
に混入する。つまり、外来ノイズは、端子７側のＭＲ素
子、配線への混入と、端子８側のＭＲ素子、配線への混
入とは同相となる。
、ヘッド及びヘッドからの配線には接地側へ流れるよう
に混入する。つまり、外来ノイズは、端子７側のＭＲ素
子、配線への混入と、端子８側のＭＲ素子、配線への混
入とは同相となる。
それゆえ、これを差動増幅すれば相殺されて、増（６）
幅器出力には外来ノイズは現われて来ない。一方、再生
信号成分は、ＭＲ定電流向きが逆であるので、端子７と
端子８とに逆相で現われて来るので、これを差動増幅す
れば、相殺されずに増幅器出力に現われてくるので、外
来ノイズの影響を全く受けない再生出力を得ることがで
きる。
信号成分は、ＭＲ定電流向きが逆であるので、端子７と
端子８とに逆相で現われて来るので、これを差動増幅す
れば、相殺されずに増幅器出力に現われてくるので、外
来ノイズの影響を全く受けない再生出力を得ることがで
きる。
本発明をより効果的に実施するだめに、媒体の消磁やノ
イズ発生のない、すなわち信号（Ｓ）ノイズ（Ｎ）ヲ劣
化させない本発明による他の実施例を第４図に示した。
イズ発生のない、すなわち信号（Ｓ）ノイズ（Ｎ）ヲ劣
化させない本発明による他の実施例を第４図に示した。
第４図と第３図の相異点は、ＭＲ素子のバイアス磁界が
、第３図の場合には外部磁石や電流等による外来的な手
段で印加されていたのに対し、第４図では磁化が誘導磁
気異方性によって、最適バイアス方向に向けられている
点である。
、第３図の場合には外部磁石や電流等による外来的な手
段で印加されていたのに対し、第４図では磁化が誘導磁
気異方性によって、最適バイアス方向に向けられている
点である。
この誘導磁気異方性は、次のようにして設ける。
ＭＲ素子が蒸着される基板の表面をラッピングテープ等
により一方向に研摩すると基板表面の荒さは、ラップ条
痕にならって、一定方向だけ異方的に荒れる。ラップ条
痕と条痕との間隔はランダムであるが、このラップ条痕
に沿って磁区が発生し、磁区は細分化されるとともに配
向性が良好となり大きな、誘導磁気異方性が得られる。
により一方向に研摩すると基板表面の荒さは、ラップ条
痕にならって、一定方向だけ異方的に荒れる。ラップ条
痕と条痕との間隔はランダムであるが、このラップ条痕
に沿って磁区が発生し、磁区は細分化されるとともに配
向性が良好となり大きな、誘導磁気異方性が得られる。
また、別の方法として水晶（Ｓ１０２）、ルチル（Ｔ’
ｉ０ ）、Ａｔ２０３等の単結晶は、第１表に示すよう
に結晶軸方向によって熱膨張係数に異方性があり、ＭＲ
素子蒸着時に加熱された基板は異方的に熱収縮する。
ｉ０ ）、Ａｔ２０３等の単結晶は、第１表に示すよう
に結晶軸方向によって熱膨張係数に異方性があり、ＭＲ
素子蒸着時に加熱された基板は異方的に熱収縮する。
第 １ 表
この熱収縮が異方的であることから、ＭＲ素子には異方
的な磁歪が発生し磁歪による誘導磁気異方性が得られる
。
的な磁歪が発生し磁歪による誘導磁気異方性が得られる
。
以上のようにして伺与された誘導磁気異方性によって、
ＭＲ素子には外的な手段でもってバイアス磁界を印加す
る必要性がなくなり、媒体の消磁のない捷た、バイアス
電流による発熱等でＭＲ素子に発生する熱ノイズのない
ＭＲヘッドを提供することができる。
ＭＲ素子には外的な手段でもってバイアス磁界を印加す
る必要性がなくなり、媒体の消磁のない捷た、バイアス
電流による発熱等でＭＲ素子に発生する熱ノイズのない
ＭＲヘッドを提供することができる。
第１図、第２図は従来例の祝明図、
第３図は本発明による一実施例を示す図、第４図は本発
明による他の実施例を示す図である。 ６・・ＭＲ素子、７，８．９・・・端子、１０．１１・
・・Ｍ Ｒ電流、１２．１３・・・定電流回路、１４・
・・差動増幅器。 （９） 第１図 第２図
明による他の実施例を示す図である。 ６・・ＭＲ素子、７，８．９・・・端子、１０．１１・
・・Ｍ Ｒ電流、１２．１３・・・定電流回路、１４・
・・差動増幅器。 （９） 第１図 第２図
Claims (4)
- （１）基板上に被着形成された強磁性体よりなる磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子）を持つ薄膜磁気ヘッドにおいて
、該ＭＲ素子の磁化を一定方向にバイアスし、該ＭＲ素
子に信号磁界を印加し、該ＭＲ素子に設けられた中点端
子と他の２端子との間の抵抗値の変化を両端子間に同一
方向に流した電流によりそれぞれ再生電圧としてとり出
し、該町生電圧を差動的に取り出すことを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。 - （２） 前記一定方向の磁化のバイアスが、該ＭＲ素
子に設けた誘導磁気異方性によって保持されていること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜磁気
ヘッド。 - （３） 前記ＭＲ素子に設けた磁気異方性が、）ＶＩ
Ｒ索子の少なくとも一面に異方的な線状で設けた表面
凹凸により誘導されていることを特徴とする特（１） 許ｄ肯求の範囲第（２）項記載の薄膜磁気ヘッド。 - （４） 前記ＭＲ素子に設けた磁気異方性が、ＭＲ素
子を被着する基板の熱膨張係数の異方性と、ＭＲ素子の
磁歪によって誘導されていることを特徴とする特許請求
の範囲第（２）項記載の薄膜磁気へソ ド ０
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56196910A JPS5898826A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 薄膜磁気ヘツド |
| EP82111355A EP0081240B1 (en) | 1981-12-09 | 1982-12-08 | Thin film magnetic head |
| DE8282111355T DE3279790D1 (en) | 1981-12-09 | 1982-12-08 | Thin film magnetic head |
| US06/448,058 US4660113A (en) | 1981-12-09 | 1982-12-09 | Magnetoresistive thin film head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56196910A JPS5898826A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898826A true JPS5898826A (ja) | 1983-06-11 |
Family
ID=16365683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56196910A Pending JPS5898826A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5898826A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4647992A (en) * | 1984-11-26 | 1987-03-03 | International Business Machines Corporation | Combined magnetic channel signal sensor and servo control track following system and method |
| US5825593A (en) * | 1994-02-18 | 1998-10-20 | Seagate Technology, Inc. | Electric field modulated MR sensor |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP56196910A patent/JPS5898826A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4647992A (en) * | 1984-11-26 | 1987-03-03 | International Business Machines Corporation | Combined magnetic channel signal sensor and servo control track following system and method |
| US5825593A (en) * | 1994-02-18 | 1998-10-20 | Seagate Technology, Inc. | Electric field modulated MR sensor |
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