JPS5899761A - 光による電界，磁界測定器 - Google Patents
光による電界，磁界測定器Info
- Publication number
- JPS5899761A JPS5899761A JP56198219A JP19821981A JPS5899761A JP S5899761 A JPS5899761 A JP S5899761A JP 56198219 A JP56198219 A JP 56198219A JP 19821981 A JP19821981 A JP 19821981A JP S5899761 A JPS5899761 A JP S5899761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electric field
- magnetic field
- measuring
- field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 17
- 230000005697 Pockels effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- JSILWGOAJSWOGY-UHFFFAOYSA-N bismuth;oxosilicon Chemical compound [Bi].[Si]=O JSILWGOAJSWOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 3
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ORCSMBGZHYTXOV-UHFFFAOYSA-N bismuth;germanium;dodecahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Ge].[Ge].[Ge].[Bi].[Bi].[Bi].[Bi] ORCSMBGZHYTXOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000005252 bulbus oculi Anatomy 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/24—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発叩は光を使って電界、磁界もしくは電流を非接触で
測定するものであり、さらに詳しくはポッケルス効果を
用いて電界を測定し、ファラデー効果を用いて磁界もし
くはそれを発生させる電流を測定するものである。
測定するものであり、さらに詳しくはポッケルス効果を
用いて電界を測定し、ファラデー効果を用いて磁界もし
くはそれを発生させる電流を測定するものである。
光による電界磁界測定器は光ファイバを伝送路として廟
いることＫより高電圧、大電力の送電線に対しても軽便
かつ安全な測定手段を提供するものである。
いることＫより高電圧、大電力の送電線に対しても軽便
かつ安全な測定手段を提供するものである。
従来光を用いて電界、磁界を測定する場谷、ポッケルス
効果を有するＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ＡＤＰＸＫ
ＤＰを用いて電界を測定し、ファラデー効果を有する鉛
ガラス等を用いて磁界すなわち電流を測定する方法が用
いられてきた。このため測定器の中心を成すセンサ部に
異なる材料を用い、別々に構成する必要があ゛す、−ま
た空間の同一点の電界、磁界を同時に測定することもで
きなかった。さらにセンサ部の材料が２種いるため測定
器として高価になるという欠点もあった。
効果を有するＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ＡＤＰＸＫ
ＤＰを用いて電界を測定し、ファラデー効果を有する鉛
ガラス等を用いて磁界すなわち電流を測定する方法が用
いられてきた。このため測定器の中心を成すセンサ部に
異なる材料を用い、別々に構成する必要があ゛す、−ま
た空間の同一点の電界、磁界を同時に測定することもで
きなかった。さらにセンサ部の材料が２種いるため測定
器として高価になるという欠点もあった。
本発明はこのような従来の測定方法の欠点を無くし、さ
らに特性が改善された電界磁界測定器を提供するもので
ある。
らに特性が改善された電界磁界測定器を提供するもので
ある。
以下本発萌について説明する。
本発明は、従来用いられて来た材料がそれぞれポッケル
ス効−塁かファラデー効果かいずれか一方しか顕著な効
果として持っていないのに対して、ｑれらの両効果を有
しかつそれぞれの効果特性が従来の材料のものより優れ
てるという画期的なビスマスシリコンオキサイド（Ｂｉ
１２ ＳｉＯｇｏ）もしくはビスマス・ゲルマニウム・
オキサイド（ＢｉｕＧｅ０２ρ（以下それぞれＢＳＯ，
ＢＧＯと略記する）を用いて単一のセンサ部で電界と磁
界を同時に測定するものである。
ス効−塁かファラデー効果かいずれか一方しか顕著な効
果として持っていないのに対して、ｑれらの両効果を有
しかつそれぞれの効果特性が従来の材料のものより優れ
てるという画期的なビスマスシリコンオキサイド（Ｂｉ
１２ ＳｉＯｇｏ）もしくはビスマス・ゲルマニウム・
オキサイド（ＢｉｕＧｅ０２ρ（以下それぞれＢＳＯ，
ＢＧＯと略記する）を用いて単一のセンサ部で電界と磁
界を同時に測定するものである。
以下にその動作原理と構成例を示す。
図１、図２はそれぞれポッケルス効果による電界測定と
ファラデー効果による磁界測定の原理を示すものである
パ−０ 図１において、入射した光１ （たとえばＨｅ −Ｎｅ
レーザ光や発光ダイオード等の光）を検光子２で直線偏
光としλ／４波長板８を通して円偏光とし、ＢＳＯもし
くはＢＧＯ（７）単結−晶４（この例では（１００）板
）を通った後、その光学軸（図中のＸ、ｙ軸）と４５°
を成す方位に設定された検光子５を通す。
ファラデー効果による磁界測定の原理を示すものである
パ−０ 図１において、入射した光１ （たとえばＨｅ −Ｎｅ
レーザ光や発光ダイオード等の光）を検光子２で直線偏
光としλ／４波長板８を通して円偏光とし、ＢＳＯもし
くはＢＧＯ（７）単結−晶４（この例では（１００）板
）を通った後、その光学軸（図中のＸ、ｙ軸）と４５°
を成す方位に設定された検光子５を通す。
この配置で電界６を
Ｅ ＝ Ｅｏ ｓｉｎ ｗｔ （１
）で厚みｄの単結晶板に垂直に印加すると、ポッケルス
効果により光は位相変調を受け、検光子を出た光７の強
度は で与えられることは良く知られている。ここでＩｉは入
射光強度であり１、Ｖπは半波長電圧であり、たとえば
６３３ＩｌＮ光に対してＢＳＯで３９００ ｖｏｌｔｓ
１８ＧＯで５６００ ｖｏｌｔｓである。
）で厚みｄの単結晶板に垂直に印加すると、ポッケルス
効果により光は位相変調を受け、検光子を出た光７の強
度は で与えられることは良く知られている。ここでＩｉは入
射光強度であり１、Ｖπは半波長電圧であり、たとえば
６３３ＩｌＮ光に対してＢＳＯで３９００ ｖｏｌｔｓ
１８ＧＯで５６００ ｖｏｌｔｓである。
従って（２）式で表わされる光強度を光検出器（オート
ダイオード等）で検知し、第２項の交流会Ｅｄ−Ｅｏｄ
ｓｉｎｗｔ を取り出せば電界に比例した電気信号
が得られる。
ダイオード等）で検知し、第２項の交流会Ｅｄ−Ｅｏｄ
ｓｉｎｗｔ を取り出せば電界に比例した電気信号
が得られる。
以上は電界と光の進行方向が平行な縦型素子であるが電
界と光の進行方向が直行する横型でも同じ測定が可能で
あることは勿論であ・る。
界と光の進行方向が直行する横型でも同じ測定が可能で
あることは勿論であ・る。
図２において、入射光８を偏光子〇で一直線偏光とし、
長さ１のファラデー効果を有する材料（鉛ガラス等）１
０を通過した後、偏光子と４５°の方位角を成す検光子
１１を通す。金車結晶に外部磁界２ Ｈ＝ Ｈｏ ｓｉｎｗｔ （８）が光の
進行方向と平行に印加されると、単結晶を透過した光は
ファラデー効果により θ＝ＶｅノＨｏｓｉｎｗｔ （４）
’たけ偏光方向が回転する。従って検光子を出たあとの
光１３の強度Ｐｏは ｐｏ＋−）Ｐｉ （１−２０） ＝＋Ｐｉ （１−２Ｖ
ｅ）Ｈｏｓｉｎｗｔ） （５）となり、交流会を光検出
器より取り出せば磁界Ｈ。
長さ１のファラデー効果を有する材料（鉛ガラス等）１
０を通過した後、偏光子と４５°の方位角を成す検光子
１１を通す。金車結晶に外部磁界２ Ｈ＝ Ｈｏ ｓｉｎｗｔ （８）が光の
進行方向と平行に印加されると、単結晶を透過した光は
ファラデー効果により θ＝ＶｅノＨｏｓｉｎｗｔ （４）
’たけ偏光方向が回転する。従って検光子を出たあとの
光１３の強度Ｐｏは ｐｏ＋−）Ｐｉ （１−２０） ＝＋Ｐｉ （１−２Ｖ
ｅ）Ｈｏｓｉｎｗｔ） （５）となり、交流会を光検出
器より取り出せば磁界Ｈ。
に比例した電気信号を得ることができる。ＢＳＯ。
ＢＧＯはこのようなファラデー効果を有するため送電線
下に設置することにより電流を測定できる。
下に設置することにより電流を測定できる。
本発明はＢＳＯ，ＢＧＯの以上の２つの効果を有するこ
とを利用して電界磁界測定器を構成するものである。以
下の構成例に示子ように、本発明は、結晶の各面方位と
光の進行方向を適切に選定す−ることにより一電界を測
定する光はポッケルス効果のみを磁界を測定する光はフ
ァラデー効果のみを受けるように設定してあへり、光源
としてはＨｅ−Ｎｅレーザ光、発光ダイオードや半纏体
レーザの光等を用いており、光の伝送路と七では空間も
しくは光ファイバ等を適用しており、また結晶への光の
導入力法としては通常のレンズ、ロッドレンズ等で平行
光束にして入射させることが光損失を少くする上で望ま
しい。
とを利用して電界磁界測定器を構成するものである。以
下の構成例に示子ように、本発明は、結晶の各面方位と
光の進行方向を適切に選定す−ることにより一電界を測
定する光はポッケルス効果のみを磁界を測定する光はフ
ァラデー効果のみを受けるように設定してあへり、光源
としてはＨｅ−Ｎｅレーザ光、発光ダイオードや半纏体
レーザの光等を用いており、光の伝送路と七では空間も
しくは光ファイバ等を適用しており、また結晶への光の
導入力法としては通常のレンズ、ロッドレンズ等で平行
光束にして入射させることが光損失を少くする上で望ま
しい。
以下に本発明のいくつかの構成例について説明するが、
へ本発明はこれら記載例に限定されるものではない。な
おここで各図において記号は図１、図２と同一のものを
示す。
へ本発明はこれら記載例に限定されるものではない。な
おここで各図において記号は図１、図２と同一のものを
示す。
構成例１゜
図８は＜１００）方向に透過する光で電界を検出しく縦
型）ポッケルス効゛果を全く受けない＜０１０）もしく
は＜’００１）方向に透過する光で磁界を検出するもの
である。ここセ各方位は代表的なものを示しく１００）
、 ＜０１０）、 ＜００１）は互に互換性が有る。
型）ポッケルス効゛果を全く受けない＜０１０）もしく
は＜’００１）方向に透過する光で磁界を検出するもの
である。ここセ各方位は代表的なものを示しく１００）
、 ＜０１０）、 ＜００１）は互に互換性が有る。
これは以下の例においても同様である。
構成例２゜
図４は（構成例１）をさらに高感度化するために結晶端
面に反射膜１４を設けたものであ−リ、反射回数は必要
とする感度に対して決定される。もちろん電界、磁界の
どちらか一方だけを反射型にすることも可能である。
面に反射膜１４を設けたものであ−リ、反射回数は必要
とする感度に対して決定される。もちろん電界、磁界の
どちらか一方だけを反射型にすることも可能である。
このように反射型にすることは高感度化の他にＢＳＯ，
ＢＧＯの有する旋光能による角度のずれを打ち消すため
に′も有用である。
ＢＧＯの有する旋光能による角度のずれを打ち消すため
に′も有用である。
構成例８゜
図５は入力光束を１本とし、偏光プリズム（２）で紙面
に平行な成分と直角な成分に分割し、これらをプリズム
ミラー１５で反射させ前者で電界を、後者で磁界をそれ
ぞれ測定することにより、たとえば光ファイバで入射光
を伝送した場合、構成例１．２よりも光ファイバ及びロ
ッドレンズ等の結合系が１式、不要となり、８本のファ
イバで済むというコスト上の、利点を有する。
に平行な成分と直角な成分に分割し、これらをプリズム
ミラー１５で反射させ前者で電界を、後者で磁界をそれ
ぞれ測定することにより、たとえば光ファイバで入射光
を伝送した場合、構成例１．２よりも光ファイバ及びロ
ッドレンズ等の結合系が１式、不要となり、８本のファ
イバで済むというコスト上の、利点を有する。
構成倒毛
図６は電界が、（１１０）方向に印加され、これと直角
の方向＜１１０）に進む光によって電界を検出する（横
型）ものである。この時−界を測定する光はポッケルス
効果を全く受け、ない＜００１）方向に透過λ する。簡単化のため偏検光子、■・板は図示していない
。この方式においても（構成例２）と同じく少なくとも
１方の光が結晶中を往復させることは可能であり、かつ
同様の効果を持つ。
の方向＜１１０）に進む光によって電界を検出する（横
型）ものである。この時−界を測定する光はポッケルス
効果を全く受け、ない＜００１）方向に透過λ する。簡単化のため偏検光子、■・板は図示していない
。この方式においても（構成例２）と同じく少なくとも
１方の光が結晶中を往復させることは可能であり、かつ
同様の効果を持つ。
構成例５゜
図７は（構成例４）において入射光を１光束としたもの
であり（構成例３゛）と同じ効果を有する。
であり（構成例３゛）と同じ効果を有する。
構成例６゜
図８は（構成例１及び構成例４）が４式の光ファイバと
結合系を必要とするのに対して２式の光ファイバと結合
系で済むものであり、低価格化、小型化に有用である。
結合系を必要とするのに対して２式の光ファイバと結合
系で済むものであり、低価格化、小型化に有用である。
すなわち光源を２波長としくたとえば発光ダイオードの
８３０Ｂ光と８７’Ｏｎ光）光ファイバで導ひき、分波
器１６で分光して１波長で電界を残る１波長で磁界を測
定し各々に最適な角度に設定された検光子５，１１を通
って金波器１７で合波され１本のファイバー、で、導び
かれて受光器側へ戻る。受光器側で再度分波した後それ
ぞれ光検出器に−よって電気信号と−なる。
８３０Ｂ光と８７’Ｏｎ光）光ファイバで導ひき、分波
器１６で分光して１波長で電界を残る１波長で磁界を測
定し各々に最適な角度に設定された検光子５，１１を通
って金波器１７で合波され１本のファイバー、で、導び
かれて受光器側へ戻る。受光器側で再度分波した後それ
ぞれ光検出器に−よって電気信号と−なる。
次に本発明の一つの具体的実施例として図４に示す構成
例２に示す場合についそ述べる。
例２に示す場合についそ述べる。
図４においてＢＳＯの（１００）板を偏検光プリズムア
イバとロッドレンズにより光の入射山部の結合を行った
。用いた光の波長は発光ダイオードの８７０歯光である
。★験用送電線下に配置し電界と磁界すなわち電流の測
定を行ったところ電界の検出値は電流値に影響されず、
電流の測定値は送電線の印加電圧すなわち電界に影響さ
れないことが明らかとなった。
イバとロッドレンズにより光の入射山部の結合を行った
。用いた光の波長は発光ダイオードの８７０歯光である
。★験用送電線下に配置し電界と磁界すなわち電流の測
定を行ったところ電界の検出値は電流値に影響されず、
電流の測定値は送電線の印加電圧すなわち電界に影響さ
れないことが明らかとなった。
他の構成例でＢＧＯを用ｔ）た場合も同様であり、他の
構成例においても本発明の特徴は同様に確認された。
構成例においても本発明の特徴は同様に確認された。
以上述べた如く、本発明の光による電界、磁界測定器に
よれば （１）単一のセンサ部に構成することが出来るので高価
なセーンサ部が低価格になる、電界、磁界とセンサ部の
アライメントが一度ですむ、空間中の同一点の電界磁界
が測定できる、使用法もセンサ部が１個であるため簡便
である等の特長を有する。
よれば （１）単一のセンサ部に構成することが出来るので高価
なセーンサ部が低価格になる、電界、磁界とセンサ部の
アライメントが一度ですむ、空間中の同一点の電界磁界
が測定できる、使用法もセンサ部が１個であるため簡便
である等の特長を有する。
（２）さらにＢＳＯ，ＢＧＯを用いることは次のような
利点がある。
利点がある。
■まず電界測定器としては、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ
３のような自然複屈折を持たないため温度補償せずに安
定な測定ができるし、ＡＤＰ、 ＫＤＰのような潮解性
のない安定な材料であるため特別、な密閉等が必要ない
という利点をもつ。
３のような自然複屈折を持たないため温度補償せずに安
定な測定ができるし、ＡＤＰ、 ＫＤＰのような潮解性
のない安定な材料であるため特別、な密閉等が必要ない
という利点をもつ。
■さらに磁界測定器としては鉛ガラスと同じく温度依存
性がほとんどない上に、゛鉛ガラスの約２倍のベルデ定
数（Ｖｅ−０，２而ｎ／優・錆、波長λ＝６３８ｎｍ）
を持ち高感度でかつ単結晶材料であるため光吸収損が少
いという利点を有する。
性がほとんどない上に、゛鉛ガラスの約２倍のベルデ定
数（Ｖｅ−０，２而ｎ／優・錆、波長λ＝６３８ｎｍ）
を持ち高感度でかつ単結晶材料であるため光吸収損が少
いという利点を有する。
図１は電界測定の原理図、図２は磁界測定の原理図、図
３、図４、図５、図６、図７、図８は本発明の測定器の
構成例を示す一為の図である。 図中 １，８ ・・・・・・入射光 ２．９ ・・・・・偏光子 ３・・・・・・・・・・・・ λ４波長板４．１０・・
・・・・ ＢＳＯもしくはＢＧＯ単結晶５．１１・・・
・・検光子 ６・・・・・・・・・・・電界− ７，１３・・・ 出射光 １２・・・・・・・・・磁界 １４・・・・・・・・・ 光反射層 １５・・・・・・・・・ プリズムミラー１６・・・・
・・・・・ 分波器 １７・・・・・・・・・ 合波器 Ｅ・・・・・・・・・・・・電界 Ｈ・・・・・・・・・・・・磁界
３、図４、図５、図６、図７、図８は本発明の測定器の
構成例を示す一為の図である。 図中 １，８ ・・・・・・入射光 ２．９ ・・・・・偏光子 ３・・・・・・・・・・・・ λ４波長板４．１０・・
・・・・ ＢＳＯもしくはＢＧＯ単結晶５．１１・・・
・・検光子 ６・・・・・・・・・・・電界− ７，１３・・・ 出射光 １２・・・・・・・・・磁界 １４・・・・・・・・・ 光反射層 １５・・・・・・・・・ プリズムミラー１６・・・・
・・・・・ 分波器 １７・・・・・・・・・ 合波器 Ｅ・・・・・・・・・・・・電界 Ｈ・・・・・・・・・・・・磁界
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ポッケルス効果とファラデー効果を共に有す（２
）前記光学材料がビスマスシリコンオキサイド（Ｂ、ｉ
１２５ｉＯ２ｏ） モ’Ｌ、 ＜ ハヒスマス・ゲル
マニウム・−オキサイド（Ｂｉ１２ＧｅＯ２ｏ）である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記、截の光）ζ
よる電界、磁界−測定器。 （３）電界を測定する光が前記Ｂｉ＋２ＳｉＯｇｏもし
くは −Ｂｉ＋ｇＧｅＯｚｏの＜１００）方向を進行し
磁界を測定する光が（０１０）もしくは＜００１）方向
を進むようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光による電界磁界測定器！ （４）電界を測定する光が前記Ｂ１１ｇ ５ｉＯ２ｏも
しくはＢｉ＋ｇＧｅ０２ｏ（７）＜１１０．＞方向を進
行し磁界を測定する光が（ＯＯｒ ＞方向を進むように
したことを特徴とする特許請求範囲第１項記載の光によ
る電界磁界測定器。 （５）入射光を偏光ビームスプリッタ−で２つの互に直
交する偏光成分に分割しその一方で電界を、残る一方で
磁界を測定することを特徴とする特許請求の範囲第１項
乃至特許請求の範囲第４項記載の光による電界磁界測定
器。 （６）入射光が２一つの異なる波長の光より成り、これ
を光分波器で分光して一方の波長光で電界を、残る一方
の波長光で磁界を測定することを特徴とする特許請求の
範囲第１項乃至特許請求の範囲第４項記載の光による電
界、磁界測定器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198219A JPH0237545B2 (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | Hikarinyorudenkai*jikaisokuteiki |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198219A JPH0237545B2 (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | Hikarinyorudenkai*jikaisokuteiki |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5899761A true JPS5899761A (ja) | 1983-06-14 |
| JPH0237545B2 JPH0237545B2 (ja) | 1990-08-24 |
Family
ID=16387476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56198219A Expired - Lifetime JPH0237545B2 (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | Hikarinyorudenkai*jikaisokuteiki |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237545B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4933629A (en) * | 1988-07-09 | 1990-06-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Method and apparatus for optically measuring electric and magnetic quantities having an optical sensing head exhibiting the Pockel's and Faraday effects |
| US5272433A (en) * | 1990-05-25 | 1993-12-21 | Pirelli Cavy S.P.A. | Polarmetric electric field sensor with electro-optical crystal cut disposed to measure electric field direction |
| WO2000005590A1 (de) * | 1998-07-23 | 2000-02-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und einrichtung zur messung einer elektrischen spannung mit hilfe des pockelseffektes |
| JP2007315894A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Ntt Docomo Inc | 電界測定装置 |
-
1981
- 1981-12-08 JP JP56198219A patent/JPH0237545B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4933629A (en) * | 1988-07-09 | 1990-06-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Method and apparatus for optically measuring electric and magnetic quantities having an optical sensing head exhibiting the Pockel's and Faraday effects |
| US5272433A (en) * | 1990-05-25 | 1993-12-21 | Pirelli Cavy S.P.A. | Polarmetric electric field sensor with electro-optical crystal cut disposed to measure electric field direction |
| WO2000005590A1 (de) * | 1998-07-23 | 2000-02-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und einrichtung zur messung einer elektrischen spannung mit hilfe des pockelseffektes |
| JP2007315894A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Ntt Docomo Inc | 電界測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0237545B2 (ja) | 1990-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6122415A (en) | In-line electro-optic voltage sensor | |
| US5987195A (en) | Fiber optics apparatus and method for accurate current sensing | |
| US4560932A (en) | Magneto-optical converter utilizing Faraday effect | |
| US5731579A (en) | Electro-optical voltage sensor head | |
| JPH0123067B2 (ja) | ||
| US5939711A (en) | Electro-optic voltage sensor head | |
| US5229834A (en) | Sensor for detecting and measuring the angle of rotation of a plane of light polarization | |
| JPS5899761A (ja) | 光による電界，磁界測定器 | |
| US12270753B2 (en) | Device for polarimetrically characterising the anisotropy of a medium, and corresponding imaging system | |
| JP2509692B2 (ja) | 光学式測定装置 | |
| JPS59107273A (ja) | 光電流・磁界センサ | |
| Dakin et al. | A passive all-dielectric field probe for RF measurement using the electro-optic effect | |
| JPS59166873A (ja) | 光応用電圧・電界センサ | |
| JPH063375A (ja) | 電気光学効果を利用した電界分布測定装置 | |
| JP3494525B2 (ja) | 光ファイバ電流計測装置 | |
| SU1157416A1 (ru) | Многолучевой интерференционный эллипсометр | |
| JPH09274056A (ja) | 光ファイバ電流計測装置 | |
| KR860000389B1 (ko) | 전계 검출 장치 | |
| SU757990A1 (ru) | Оптико-электронный измеритель тока 1 | |
| JPS58146858A (ja) | 光電流・磁界計測装置 | |
| GB1570802A (en) | Measuring apparatus employing an electro-optic transducer | |
| JP3235301B2 (ja) | 光電圧センサー | |
| Peek | Dynamic polarization detection | |
| JP3314525B2 (ja) | 波面分割素子 | |
| TAKAHASHI et al. | A rotating linearly polarized light source and its applications for optical measurements |