JPS59100162A - アントラキノン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液晶用の新規な二色染料に関し、さらに詳しく
は液晶中でネガチブ（芦）二色性を与えΣ薪規なアント
ラキノン誘導体、該ア７’　）う壽ノン誘導体の製造方
法、電子光学的装置用の液晶物質並び責電子工学的装置
に関する。□ 新規なアントラキノン誘導体は中間状態物質の製造にお
いて広範囲の使用が見出されており、その中間状態物質
は「ケ゛スト−ホスト（ｇｕｅｓｔ−ｈｏｓｔ）ｊ効果
をもたらす情報の提出及び加工の為の種々の１ｉ子工学
的装置に対して電子産業において有用である。

多数の二色染料、液晶中でポノチブ（正）二色性を表わ
すアントラキノン誘導体は公知である（　Ｃ，Ｈ，Ｈｅ
　ｉｌｍｅ　ｉｅｒ　＋　Ｌ、Ａ、Ｚａｎｏｎｊ　＋　
Ａｐｐｌ　、　Ｐｈｙｓ　、Ｌａｔｔ、。

１９６８、■、３　、９１ページ参照）。これらの二色
染料から、液晶材料が得られ、これらは異った種類の情
報（文字、図形等）の表示を確保する電子工学的□装置
に対し、強く着色した背景に対しわずかに着色したシン
ボルとして有用である。

わずかに着色した背景に対し深く着色したシンボル、他
の色の背景に対し一種のカラーのどンボル又は無色もし
くは所望の色の背景に対し最終的に黒色シンボルの形状
で情報の提示を確保する電子工学的装置を設ける為に、
液晶中で葦ガチブニ色性を表わす染料を得ることが必要
である。

今日液晶中でネガチブニ色性を表わす公知の染料の数は
、テトラジン及び２，２′−アゾイミダゾール誘導体に
限られている（Ｄ、　Ｄｅｍｕｓ、　Ｅ、　Ｋｒｕｃｋ
ｅ。

Ｆ、　Ｋｅｓｃｈｅｌ、　）ｉ、Ｕ、Ｎｏ’ｔｈｎｉｃ
ｋ＋　Ｇ、　Ｐｅ１ｚｌ　、　Ｈ，’Ｚａｓｃｈｋｅ「
３−ｎ−アルキル−６７／　４−　ｎ−アルキルオキシ
フェニル／］　−２，４，，５−テトラジン−液晶特性
を有する新規な安定性染料」、Ｍｏ　１　、　’　Ｃｒ
ｙｓ”ｔ。

Ｌｉｑ、　Ｃｒｙｓｔ、　（１９７９年）　Ｖ、　５６
　（Ｌｅｔｔｅｒｓ　）、１１５−＋２１−２−ジ、Ｇ
ｏｒｄｏｎ　ａｎｄ　Ｂｒｅａｃｈ　８ｃｉｅｎｃｅ□ 二色染料、テトラジン、誘導体は′５５０〜５７０　ｎ
ｍの範囲内′吸収シ有！か７′電子Ｉ〒的装置“ゝいて
、同色のわすかに着色した背景に妬１赤色−スミレ色シ
ンボル又ぽ他の色の背景に対し赤色−スミレ色シンボル
の生成を確保し、文字は液晶材料中に、液晶中でボノチ
ブニ色性を表わす別の適（Ｇ、　Ｐｅ　ｌｚｌ　、　Ｈ
，””’Ｓ’ｃｈｕｂｅ’ｒｔ　、　Ｈ，Ｚａｓｃｈｋ
ｅ　、”　’　Ｄ、　Ｄｅｍｕｓ「Ｋｒ１ｓｔａｌ　ａ
ｎｄ　Ｔｅｃｈｎｊｋ　Ｊｌ　、　Ｂｄ、　１４　＋　
Ｓ、　８１７−８２３　、ｘｃ＋７９年「液晶染料の誘
起場６色変化ｊ）。

□　しかして；ネガ皐ブニ色件（・−・・・・ンド）を
示すテトラジレの吸収・・・ドは低強度でｉその結果電
子工学的装置において明るいシンプル（記号）を得るた
めに、多量のこれらの染料を液□晶材ｉ中に導入す尿必
要がある。□たとえば、１０μへの晃工皐的セルめ厚さ
では、２０％以上の染料を液晶材料中に４人する必要が
ある。こめことは液晶材料の性能物件を実質的に低下さ
せることとなる。

このことは、二色染料の該範囲は何らかの実際的な適用
をこれまで見い出していないという事実を説明している
。

′２，２−アノイミグゾール誘導体はテトラ〉ン誘導体
主りもいく亦有利である。なぜな：らばそれらは可視ス
ペクトル範囲において二種の吸収パンド：４３０〜４４
０ｎｍ及び５３０−．５６０ｎｍを、有し、前者のバン
ドは液晶中ポジテプニ色性を示し、後者はネガチゾニ色
住を示す。これらのバンドは、それらがπ−π２遷移に
より得られるので、高強度の特性を示す。この理由で２
．２．２’、−アゾイミダゾール誘導体を混入する公卸
の液晶材料は、これらの染料をわずかに１〜２楚含有し
、しかも吸収バンドの必要な、光学密度が達成される。

ｆｉｔ！Ｉ御回路を備えた、おのおの内表面に透明な電
極を有する光学的に透明な非伝導性プレートの間に設け
られた２、２′−アゾイミダゾール誘導体を含有する液
晶材料の層からなる二色作動体から構成される電子工学
的装置は薄い褐色の背景に対し赤色−スミレ色ンンボル
の生成を、確保する◇もしも二色作動体、すなわち液晶
材料、の層がポノテブニ色性を有する染料をさらに含有
するならば、背景は別の色を有し、・この色はボノチプ
ニ色性染料及び２，２′−アゾイミダゾール誘導体の全
体の吸収に相当する。

しかして２，２′−アゾイミダゾールに基づく二色作動
体を混入する装置は、赤色−スミレ色又はスミレ色のみ
のシンボルを得る□ことを可能にテるが、これはその適
用範囲を制限している。

本発明の目的は、門晶中ネガチブニ色性を示す一連のア
ントラキノン誘導体からの新規な染料を提供することに
あり、かつその製造方法を提！（し：光工学的装置に対
する該化合物、に基づく液晶１オ料を提供すること並び
に情報の再現及び処理や為の光工学的装置を提供するこ
と全目的とする。

前記主題は本発明にかかる、次の一般式（、Ｉ）を有す
る新規なアン、トラギノン誘導体を提供することにより
達成された：　　　。

式中、Ａ　、　Ｍ”’、、□ＢおよびＺはＲＩ）Ｘおよ
びＲ２ＥＹを意味する同一もしくは異った置換基であり
　ここで ＲおよびＲ２は同一もしくは異ったＣ４〜Ｃ１８アルキ
シであり、　・　　　　・ ＸおよびＹは［ＣＩｊ−もしくは異っておりそして谷各
成素又は基洲およびＮＲ−’♀表わし、又ｒ丁　Ｙ−１
−Ｅ＋Ｒ２眞ｒ　　Ｈｌ　　Ｃ１１，、Ｂｒ　　、　Ｎ
Ｏ２！　　ＮＲ３Ｒ’（式中、Ｒ３は０１〜Ｃ８アルキ
ルであり、Ｒ４は水累又はＣ４Ｈ２であり、Ｒ５＋　Ｒ
’は＋ＣＨ２＋５′である）であり、ｎは０，１であり
；ｍはｏ、ｉ、２セあり；但しＡ　−Ｍｓ＝Ｂ　＝Ｚ　
−Ｈ，Ｃ１’、　Ｂｒ、　Ｎｏ　　およびＮＲ３Ｒ’Ｉ 一般式をＩ）で表わされるアントラ阜ノン誘導体は、液
晶中□でネガチブニ色性を表わす黄□色□赤色又ｉ１ 本発明によれば、アントラキノン誘導体は（式中、””
’Ｗ、”Ｔ　、　Ｌ’：には同一および／又は異った置
換−であり、、門２．””ＮＨＲ’　、ＯＩ’（、Ｈ’
＋　Ｃｔ、Ｂｒ。

Ｎｏ子、井３Ｒ′４を表わ←、ことでＲ３はＣ１〜′Ｃ
８アルギルであり、Ｒ４ｈ水素、（：’４Ｈ２謄あジ、
Ｒ’−１−Ｒ’はで表わされるアントラキノン誘導体を
、一般式■：ＲＤＣｔ　　　　　　　　・　　　　（ｍ
）（式中、Ｒ１ばＣ４〜Ｃ４８アルキルであり、ＤはＱ ｎはＯｌｌであり；ｍは０，１．２である）で表わされ
る酸塩化物を用い、アシル化することからなり；但じ前
記一般式■で表わされる化合物が置換基としてＣ１，’
　Ｂｒ又はＮ０２を有する場合、アシル化して得られる
化合物を、 一般式■： Ｒ２１ＥＱ　　　　　’　　　　　　（ＩＶ）（式中　
Ｒ２は０４〜Ｃ１８アルキルであり、ＱはＮＨ２，Ｎｆ
（Ｒ６（式中、Ｒ３ハ０１〜ｃ８アルキルでおる）であ
り、ｎは０．１であり；ｍは０，１゜２である） で表わされる置換アミンと反応させる。

本発明は又液晶中ネガチプニ色性を表わす染料を含む一
般式（Ｉ）で表わされるアントラキノン誘導体を混入す
る液晶材料にも関し；本発明によれば、この材料は一般
式（１）で表わされるアントラキノン誘導体の少々くと
も一種をＯ＋１〜１０重量饅含有重量上含有残りは所望
によりコレステリックタイプの液晶及び／又は他の公知
の二色染料を含んでなるボジチブもしくはネガチブ誘電
異方性を有する液晶マド１ノツクスである。

本発明は、無色もしくはわずかに着色した背景又はシン
ボルの色とは異なる別の色を有する背景に対して光工学
的装・置において何らかの色を有するシンボルを精製す
ることを可能にする液晶材料を得ることを可能にしそし
て高い画像コントラストを得ることを可能にした。

・本発明は又動力供給源に接続する為にそれぞれの内側
に適用された透明な電極を有する非電動性フ０レートの
間に設けた一般式（Ｉ）のアントラキノン訪導捧の少な
くとも一種を０１〜１．０重量係含有する液晶材料の層
の形状にある二色作動体を含んで成る電子工学的装置に
関する。

情報の供給及び処理を意図した本発明に係る電子工学的
装置は無色もしくはわずかに着色した背景又はシンビル
及び記号のそれとは異なる色を有する背景に対して画像
の高いコントラストを備えて何らかの色のシンボル又は
記号を精製することを可能にしている。必要ならば、こ
の装置は一個又は二個のポラロイドに供給され得る。

、本発明は下記の詳細な説明でさらに明らかにされるで
あろう。

前述の昧に、本発明は次式（Ｉ）： Ｍ　　　ＯＺ （式中Ａ、Ｍ、Ｂ及び２は先に定義された意味を有する
） で表わされる新規なアントラキノン誘導体に関する。

上記式（１）Ｖｒｌおいて置換基の次の組み合わせが可
能である： Ａ＝Ｍ＝ＲＤＸ、　　　　　　　　　　Ｂ　＝　Ｚ−水
素Ａ＝Ｚ＝Ｒ１ＤＸ、　　　　　　　　　　　Ｍ＝Ｂ　
−水素Ａ　＝Ｂ＝Ｒ’ＤＸ、　　　　　　　　　　Ｍ＝
　Ｚ−水素Ａ二Ｍ−＝−Ｂ＝Ｒ１Ｄｘ、　　　　　　　
　　　　　ｚ−水素Ａ　＝：Ｍ＝　Ｂ　＝　Ｚ−Ｒ１Ｄ
Ｘ　：Ａ＝Ｒ’］）Ｘ、　Ｍ＝Ｒ２ＥＹ、　　　　、　
　　Ｂ＝Ｚ＝水素Ａ＝Ｒ１ＤＸ、Ｚ＝Ｒ２ＥＹ、　　　
　　　Ｍ＝Ｂ＝水素Ａ＝ＲＩＤＸ、　Ｉｖ１＝’Ｚ＝Ｒ
２ＥＹ、　　　　　’　　Ｂ−水素Ａ＝ＲｊＤＸ；　Ｂ
＝Ｚ＝Ｒ２ＥＹ、　　　　　　Ｍ＝水素Ａ＝Ｒ’ＤＸ、
　Ｍ’＝Ｂ＝Ｒ２ＥＹ、　　　　　　　Ｚ−水素Ａ＝Ｒ
ＩＤＸ、　Ｍ＝Ｂ＝Ｚ＝Ｒ２ＥＹ；Ａ−Ｊ＋−＝Ｒ”Ｄ
Ｘ＋　　Ｂ＝Ｒ２Ｅｙ、　　　　　　　ｚ−水素Ａ＝Ｍ
＝Ｒ”ＤＸ、　Ｂ＝Ｚ＝Ｒ２ＥＹ；Ａ＝Ｚ＝’Ｒ１ＤＸ
、　Ｍ＝Ｒ２ＥＹ、’　　　”　　　　Ｂ＝水累Ａ＝Ｚ
＝Ｒ’ＤＸ、　Ｍ＝Ｂ＝Ｒ２ＥＹ：Ａ　＝Ｂ−Ｒ’ＤＸ
、、　Ｍ＝Ｒ２ＥＹ、　　　　　　　Ｚ＝水素Ａ＝Ｂ＝
Ｒ’ＤＸ、　Ｍ＝Ｚ＝Ｒ２ＥＹ；Ａ、７Ｍ７１３−Ｒｌ
ＤＸ、　Ｚ７Ｒ２ＥＹ。

ネガチプニ色性色素として最も有利な竺性を有すや化合
物は、たとえば次の通りである：。

びら０色票０特性１第總Ｋｙｒ、ｌする・。

第１表 −０，３６ ２５８０′−〇、３５ ３　　　　　　４７０　　　′　−一〇、３′６″５　
　　　　　　．５３６　　　　　　　−０．３６第１表
は、４−アルキル−及び４−アルコキシ−４−シアノジ
ンエニルの混合物を含んでなる液晶マトリックスＺｈＫ
−８０７中の化合物１〜・５の１チの溶液に対して吸収
）々ンド（λ、ｎｍ）及びそれらの二色性（Ｓ）の値を
示す。二色性（Ｓ’）の定義式においてＤＩｌ及びＤｌ
は液晶方向に垂直（Ｄｌ）及び千行くＤＩｌ）で測定し
た光学濃度を意味する。

一般式（Ｉ）で表わされ力アントラキノン誘導体を製造
する為に、上記一般式（Ｉ［［）で表わされる対応する
有機酸の塩化物を用いて塩素化ベンゼン又はニトロベン
ゼン媒体中で、１，４．５及び８位にアミノ、ヒドロキ
シもしくはヒドロキシ及びアミン基を含有する式（ｎ）
で表わされる相自するアントラキノンをアシル化すると
とが提案□される。

出発アントラキノンが、アミン、ヒドロキシもし７くは
アミン及びヒドロキシ基と共に置換基として塩素、臭素
又はニトロを有する場合には、塩素。

！又はニトロを有するアントラキノンのアシル誘導体を
反応せしめ次いで置換もしくは未置換アミンを用いて対
応する出発７ントラキノンのアシル化を行なわしめるこ
とにょシそれらを対応するアミノ基と置換することが好
ましい。反応は置換もしくは未置換アミン、塩素化ベン
ゼン類又はニトロベンゼン媒体中で加熱□：しながら行
なわれる。

本発明によって得られる好ましい生成物は、以下に述べ
る化学技術における公知の手段を用いて反応体から分離
出来る；たとえば溶剤の部分的蒸留、濾過及び連続的再
結晶、又はクロマトグラ気−処理によ本精製；他の薄削
を用いて反応体の希釈□、濾過及び連続的結晶化法又は
クロマトゲランイー処理による精１；反応体のクロ毎ト
ゲラフイー処理等。

液晶材料に関する本発明を行々うのに最も良好な形式は
、この液晶材料例１重量％の式（１）のアントラキノン
ｉ導体、１重量−０式（■）のアントラキノン誘導体、
及び４−アルキル−及び４−アルコキシーシアノジブエ
ニルからねる液晶マトリッ多スｚｈＫ−′８０７もしく
は液晶アゾキシ化合物及び４−フル＊ル妥ｍ香ｍ４−ア
シアノンエニルエス゛チルからなる液ａｆｆ）リッ）ス
ＺｈＫ−６５４の残部からなる。

本発明によれば、明るい深紅色物質が式（Ｉ）のアント
ラキノン誘導体の少なくとも１種に（１，ｉ　−Ｌ１０
重量係の量で混入出来そして残部は必要ならばコレステ
リックタイプの液晶及び／又は他の通常の二色染料を含
むポジチブもしくはネガチブニ色異方性を有する液晶マ
トリックスである。

式（１）のアントラキノて誘導体の顔料の上限は、電子
工学的装置において、１０μｍ以下の薄いセル中で混合
色、たとえば緑色、青色−スミレ色、赤色−刈Ｙ色・又
悴黒色を有するシン１′甲形成を確保する液晶材料を作
製する可能性に依存している。

下限は１．着色背景に対して明るく着色したシンボル（
ポジチプニ色異方性を有する液晶材料の場合）又は薄い
背景に対壁て着色シンがル（ネガチプニ色異方性を有す
る液晶材料の場合）の製造を確保するポジチブニ色性を
有する染料を混入する液晶材料□の製造の可能性に依存
しニ一般式（１）に対応する□アントラキノン誘導体の
少量は、無色（明るい灰色）背景又は無色（明るい灰色
）のシンカ〃ヲ製造することを可能けしている。

本発明に係る液晶材料はアントラキノン誘導体に加えて
、又他の公知アモ色染料、たとえばポンチブニ色性を有
する・、蘂料を混入することが出来る。

それらの使用は、電子工学的装置において他の色の背景
に対して一つの色を有するシンボルの形成を確保する液
晶材料を製造する可能性によって条件づけられる。ポジ
テプニ色性番有する染料と式（Ｉ）で表わされるアント
ラキノン誘導体との種々の組み合わせは、電子工学的装
置において、実質的に他の色を有する背景に対して実質
的に何らかの色のシンボルを形成することを可能にして
いる。

本発明に係る液晶材料は優先的に液晶にある化合物の混
合物でおる液晶マド、リックスを含んで成る。後者は最
も異り＊　種類を与定得る：アゾベンゼン８４４．フェ
ニルベンゾエート類、ビフェニル類、ターフェニル類、
ンエニルートランスーシクロヘキサン類、フェニル−２
，２，２−ビシクロオクタン類等。最も簡易な具体例は
、液晶−＝ｒトｖツクスとして、液晶及びそれらに基づ
く材料の製造を専栗にする普通の・会社から商業的に入
手出来る公・知の液晶混合物、を使用することが出来る
。　・木兄明忙よれば、液晶材料はコレステリックダイ
ブの液晶を混入出来る。このことハ、「コレステリシ久
−ネマツティック」遷移の効果・を操作する装置に対し
中間状態の材料を製造する可能性に関係している。さら
に、コレステリック・タイプの液晶は１．電子工学的装
置、たとえば「トウライスト（ｔｗｉｇ、ｔ）ｊ＝表示
器においてその適応全改善する目的の為に本発明に係る
液晶材料に混入貞れ得る。後者の場合において、コレス
テリックタイプの液晶の変わりに最も異った光学的に活
性な化合物を使用することが出来る。。

本発明に係る電子工学的装置はその原理図を示す添付図
面によって説明され条。この装置は互いに向い合って配
置される二種のガラスもしくは他の透明な悲電動性ゾ、
１７／ト２の間に介装された二色作動体１（液晶埜料の
層）から成る。イレート。

２の内側には透明な電極３が適用され、動力供給源（図
示せず）に接続する為の導線４を備えている。

電子工学的装置において、一定方向の分子：を有する厚
さ１０μｍ”　Ｆ）二色作動体１が使用され、これはそ
、の内宍面に適用される電極βを有する光、、学的に透
明なプレート２間に介装され、これらの電極は５ｎ０２
から作られ、特定のシンボルとして造形され、そして動
力供給源に接続され・１．る。電極３に対し、液晶材、
料の式Ｉ電圧以上の電圧が与えられる場合、所望の色の
シンプルが、異、った色を有する背景に対して表われる
。電圧が除去されると、シンボルは消失する。シンボル
及び背景の色はすでに前に言及、した・様に、式Ｉのア
ントラキノン誘導体とポジチブニ色性を有する染料との
組み合わせによシ決定される。

本発明をさらに理解するため以下に本発明の例を掲げる
。

例１北４３は式■に対応する新規なアントラキノン誘導
体の製造・を説明しておシ、例４４〜８７は新規な液晶
材料を説明しそして例８８〜９５は本発明に係不新規な
電子工学的装置の機能を説明する。

、以下余白 照去 ニトロベンゼン１０ｍ１に溶解した１−アミノアントラ
キノン０．５．９（０，００２モル）、ブチルジフェニ
ルカルボニルクロリド０．７５　ｇ、（０，００２，，
７５モル）を１０分間加熱還流し、しかるのち反応、混
合物の温度を６０℃に低下し次いで熱インプロパツール
（５０〜６０℃）３ｏｍｚを攪拌しながら該温度で添加
する。反応山合物を約２０℃の温度に冷却し、濾過し、
インゾロパノールで洗浄する。

沈殿物をベンゼンに溶解し次いでグレードクマポ−＃　
（Ｃｈｅｍａｐｏｌ　）　、Ｌ　、４０／１００μのシ
リカゲルを有するカラムを用いてクロマトグラフィー処
理した。溶離液はベンゼンでりる。溶剤を蒸笛して、１
−、　（，４，、、−（４−グチルフェニレン）−ベン
ズアミド）−アントラキノン０．２５　ｇ　（理論値の
２４、．７５％）を得る。融点２５９〜２６０℃　。

実験値１％：Ｃ８１，１５，Ｎ５．３２．Ｎ２．９７Ｃ
３１Ｈ２５ＮＯ６゜ 理論値２％：Ｃ８１，０４、Ｎ５．４８．１’Ｎ３．０
５以下余白 牙」− ニトロがンゼン１．５−に溶解した１でアミイー４−ク
ロロアントラキノン２．！７（０，００７７モル）及ヒ
ヘゾチルベン、ゼ、ンカル？ニルクロ１，１　、）”　
２８．Ｆ（０，０１１７モル）を２０分間加熱還流し次
いで先の例１でのべた類似の手順に従って回堅した。沈
殿物をヘゲタンから結、晶化し１−　（４−へプチルベ
ンズアドド）−，４−り、ロロアントラキノン　　。

２１２！を得、る。収率は理論値の５９．３８％でおる
。融点、］４Ｃ〜１４１℃１ 実験値、、楚：Ｃ７３，０２，Ｎ５．９１　、Ｃ１７，
７９゜、、　　　　Ｎ、３．．１．５．Ｃ２８す、６ｃ
ｔＮＯ５゜理論値、係：　Ｃ７３，１１、Ｎ５．７．Ｃ
ｔ７．７．Ｎ３．０４゜例３ 例２でのべ力・、と同様の手順に従い、１−アミノ−４
−ブロモアントラキノン１．．５　ｊ、９　（０，０，
０５モル）及びオクチルジフェニル、カル、ボニルクロ
リド２．４７２（、、ｃ、　、００７．５モル）から、
１、．７　、＜　４−オクチルフェ、ラレンー４−ベン
ズアミド）−４−ブロモアントラキノン１，９６ｉ理論
値の６５．８６チ）を得る。□ 実験値、％：Ｃ７０，８８，Ｈ５，３１，Ｂｒ１３．５
２゜Ｎ　２．２１．　Ｃ，’５Ｈ３２ＢｒＮＯ３’。

理論値１％：Ｃ７０，７，Ｉ（５，４２，’Ｂｒ’１３
．４．４’。

２３５ 例４ ニトロベンゼン２ｃ）ｍｔに溶解しだ１，４−ノアミノ
アン［−ラキノンｉ４３　ｉ（ｏ、ｏ　ｏ　ｃ、モＡ／
）及びｐ−オクヂルジフェニル力ルポニルクロリド４．
７７’９　（０，０２モル）を３０分間加熱する。反応
体の温度を約６０℃に低下し次いで熱イソプロパツール
（約６０℃）４０’ｍｌを攪拌しながら該昆度で該反応
体に添加する。反応混合物を室温で冷却し、濾過し、イ
ンプロパノー・ル２”ＱＴＬｌそ洗浄する。沈殿物をベ
ンゼンに溶解し、シリカダルＬ４０／１００μのカラム
クロマトグラフ茫−処□理に委ねる。溶離液はベンゼン
である。１，４−ビス＝（４−オクチルフェニレン−４
−ペンノアミート）−アントラキノン２．９（理論値の
４０．４’１％５′□を得る。融点２７４−２７６℃。

　　′　　　□１　′実験値、％：Ｃ８１，９５，Ｈ７
，２１，Ｎ３．１５゜′Ｃ５６Ｈ５８Ｎ２０４・ 理論値２％二Ｃ８１，７２＋Ｈ７，１、Ｎ３．４例５　
　　　　　。

例４に記載した手順に従い、１，４−ジアミノアントラ
キノン、ｉ、１９．！ｉ’（０，００５モル）及びｐ−
ｎ−へジチルベンゼン力ルポニルクロＩＪ　、）’　３
．６．９【０□０１５モル）から、１．．４−ビス−（
４−へブチルベンズアミド）−アントラキノン１．１２
１ｅ与えこれはベンゼンから再結晶され、融点２０７〜
２１０℃を有する生成物を与える。

実験値５％：Ｃ７８，６０、Ｎ７．３５．Ｎ４．２８゜
□　−′Ｃ４２Ｈ４６Ｎ２０４・　□ 理論値２％：Ｃ７８，４７，Ｉ（７，２１、Ｎ４．３６
゜例６：□　　　　　　　　、、　・ 例４の条件の下、１・、４−ジアミノアントラキノン４
．９　（”　０．０１　］、　６６１モル′及びｐ−ｎ
　−ヘキシルベンゼンカルボニルクロリド１．２．９　
（０，Ｏ、ｊ、３モル）から、１．４−ビス−（４□−
ヘキシル村ンにアミド）−アントラキノン３．３１・Ｉ
を得る（理論値の３３’、　６４潰）。生成物の融点は
１９８〜２００℃である。

実験値、チ：Ｃ７８，１３，Ｈ６，９５，Ｎ４．６７゜
Ｃ４０Ｈ４２Ｎ２０４゜ 理論値１％二ｃ　７８．２’ｌ　、　Ｈ６，８８、Ｈ４
，’５５゜見り 例４の条件の下、１，４−ジアミノアントラキノン１．
４３．！９（０，００６モル）及びｐ−ｎ−ブチルベン
ゼンカルボニルクロリド２．９５　ｇ（０，０’１５モ
ル）から１，４−ビス＝（４−プチルベレズアばド）−
アントラキノン１．８３．９を得る（理論値の５４．７
０％）。融点２１７〜２１９℃である。

実験値、％：Ｃ７７，６２，Ｈ５，８３，Ｈ５，１７゜
Ｃ３６”５２Ｎ２０４゜ 理論値２％：Ｃ７７，３９，Ｈ６，１３，Ｈ５，０１゜
例８ 例４に伸べた反応条件の下１，４−ジアミノアントラキ
ノン１．’４　’３　ｇ（’Ｏ，ＯＯ６モル）及びノニ
ルベンゼンアルボニルクロリド４　Ｆ’（０，０’１３
モル）から’１．４−ビスー（４−ノニルベンズアミド
）−アントラキノン２．０２Ｆを得る（理論値の４８．
２１チ）。融点１９３〜１９５℃。

実験値、％：　Ｃ７’９．’２１　、’Ｈ７，６３、Ｈ
４，２５゜Ｃ４６Ｈ５４Ｎ２０４・ 理論値２％：Ｃ７９，０５，Ｈ７，７９，Ｈ４，０１゜
例９ 例４で記載した反応条件の下、ノアミノアントラキノン
１．４３　ｇ　（’Ｏ，ｏ　Ｏ６モル）及びアミルオキ
シベンゼンカルボニルクロリド３．４ｙｃｏ、ｏ１ｓモ
ル）から、１．４＝（ビス−４−アミルオキシベンズア
ミド）−アントラキノン２．３６．９を得る（理論値の
６３．６１％）。融点２２９へ２３１℃実験値２％：Ｃ
７３，５９、）Ｈ６，０８、Ｈ４，６７゜′Ｃ３８Ｈ３
ＢＮ２０６゜ 理論値、チ：Ｃ７３，７７、Ｈ６，］　９　、Ｈ４，５
３゜例１０ 例４で記載した反応条件の下、１．４−ジアミノアント
ラキノン１．４３．９（０，００６モル）及びオクタデ
シルオキシベンゼンカルボニルクロリド６、’５’５’
＆”七〇、’０１６モル）から、１．４−ビス−（４−
オクタデシルオキシベンズアミド）−アントラキノン３
．６！ｌを得る（、理論値の６４．７３％）。

融点１７７〜１７８℃（ベンゼンカラ）。

実験値、俸：Ｃ７８，４２，Ｈ９，２８，Ｎ２．７５Ｃ
６４Ｈ９ＯＮ２０６・ 理論値、チ：（：１７８．２．Ｈ９，１６，Ｎ２８５゜
例１１ 例４で記載した反応条件の下、１，４−ジアミノアント
ラキノン１．１９．９（０，００５モル）及びｎ−プテ
ルートランスーシクロヘキ酸カルボニルクロリド２．９
．９（Ｑ、０１５モル）から、１，４−ビスー／４−ブ
チルートランスーシクロへキシルアミド／−アントラキ
ノンＱ、　６９．　、！９を得る（理論値の２４．１２
％）。融点２５０℃以上。

実験値、係：Ｃ７５，８８、Ｈ８０２、Ｈ４，７６゜Ｃ
３６Ｈ４６Ｎ２０４゜ 理論値、係：Ｃ７５，７６、・Ｈ８，１２、Ｈ４，９１
゜例１２ 例４で記載した反応条件の下、１，４−ジアミノアント
ラキノン０．９５．１０．００４モル）及びｎ−ヘキシ
ルートランスーシクロヘキ酸カルボニルクロリド２．１
　ｇ（０，０，０９モル）から１，４−ビス−（４−ヘ
キシル−シクロへキシルアミド）−アントラキノン０．
５．９を得る。融点２６９〜２７０℃（ベンゼン）。

実験値２％：Ｃ７６，４８、Ｈ８，９１、Ｈ４，３９゜
Ｃ４０Ｈ５４Ｎ２０４゛ 理論値１条：Ｃ７６，６４、Ｈ８，６８、Ｈ４，４７゜
例１３ 例４で記載した反応条件の下、ｘ、４−）アばノアント
ラキノン０．７　Ｉｉ（０，０，０２９モル）及びステ
アリン酸クロリド２．：２５．９　（０，００７４モル
）から、１，４−ビス−ステアリルアミドアントラキノ
ン０４ｇ（理論値の１８．０２％）を得る。融点１１３
−、−１１．５℃（ベンゼン）。

実験値１％：Ｃ７８，１１，Ｈ９，５°４．　、　Ｎ　
３．７８゜Ｃ３０Ｈ７４Ｎ２０４゜ 理論値、％：Ｃ７８，２８，Ｈ９，７２，Ｎ３．６５゜
例１４ １＋４−ノクロロー５．８−ジヒドロキシアンドラキノ
ン３１（ｏ、ｏｘｉモル及びオクタデシルアミン２６．
ｃ＋、ｐ（ｏ、ｉモル）を、１５５℃の温度に加熱し次
いで１５５〜１６０・℃の温度範囲で１．５時間保持す
る。反応混合物を６０℃の温度に冷却し、次いで６０℃
の温度に保ちながらメタノール２０Ｍを添加する。反応
混合物を６０℃で１時間攪拌し次いで熱時に濾過する。

残留物をメタノールで数回洗浄し、圧搾しベンゼンに溶
解し次いでグレードＬ４０／１００μのシリカを充填し
たカラムでクロマトグラフィー処理して精製する。溶離
液はクロロホルムである。青緑色の分画を集める。

溶剤を蒸留除去して、残留物をエタノールから結晶化し
１．４−ビス−オクタデシルアミンー５，８−ジヒドロ
キシアントラキノンｏ、ｅｆｉヲ得る。

実験値１％：Ｃ７７，６４、Ｈｌｏ、５３　、Ｎ３．４
７、′Ｃ３０Ｈ８２Ｎ２０４“ 理論値１％：Ｃ７７，４７、Ｈｌｏ、６６　、Ｎ３．６
１゜例１５ 例２において記載したごとく得られたＬ−”（４−ヘビ
チルベンズアミド）−４−クロロアントラキノン０．７
５’、９　（０，００１６モル）、オクタ”デシルアミ
ン１．３９　（’Ｏ，’００４８モル）、酢酸ナトリウ
ム０６ｇ及び銅粉末０．００３ｇを攪拌しながら１５５
℃の温度に加□熱し１、：次いで１５５〜１６０℃の範
囲内の温度で１時間保持する。反応物を６０℃の温度に
冷却し、メタノール２５’ｍＪを添加し、３０分間攪拌
し次い□で濾過する。残留物をアルコールで洗浄し、乾
燥し、ベンゼンに溶解し次いでシリカを充填したカラム
でクロマトグラフィー処理を行なう。溶離液□はベンゼ
ンである。かくして１−（４−へプチルベンズアばド）
−４−オクタデシルアミノアントラキノン０３ｇを得る
。

実験値、係：Ｃ７９，８６、Ｈ９，４１、Ｎ３．９６゜
ＣＨＮ。

４６　６４　２　３” 理論値１％：Ｃ７９，７２，）（９，３１、Ｈ４，０４
゜例１６ １−（４−へブチルベンズアミド）−４−クロロアント
ラキノン０．３５．！９（０，０００８モル）、ピペリ
ジジｘｊ２．！ｉ＋（０，ｏ２モル）を酢酸ナトリウ□
ム０１３ｇ友び銅粉末ｏ、ｏＯｘｙの存在下で１時間煮
沸し、次いで反応混合物を冷却し次いでアルコール＋希
釈する。沈殿物を濾過し、アルコールで洗浄し・ベンゼ
ンに溶解し、次いでシリカを充−シたカラムに通じる。

溶離液はベンゼンである。

カくシて１−（・４−へブチルベンズアミド）−４−ビ
啄すジノアントラキノンＯ’、’　２　Ｆ　’＆’得る
。融点１４０℃。

実験値２％：Ｃ７７，７２，Ｈ７，３５、Ｈ５，６１Ｃ
３６Ｈ３６Ｎ２０３・ 理論値、悌：Ｃ７７，９２、Ｈ７，１３、Ｈ５，５０゜
西土ユ 例１５で記載した条件の下、酢酸カリウム及び銅粉末の
存□在下１−（４−へブチルベンズアミド）＝４−クロ
ロアントラキノン０．５　ｇ（Ｑ、、ＯＯ１モルＬヶ。

ニオ、、・７　ｆ　７　ｈｌ？　’　ｌ’。ヤツア＝１
，７’１．１５ｇ（０，００”３モル）から、融点７９
〜８０℃を有する１−（４−へブチルベンズアミド）−
’４’−’（３’−オクタデシルヒドロキシアニリノ）
−アントラキル０．２ｇを得る。

以下余白 実験値９％：Ｃ７９，７６、Ｈ８，６５、Ｎ３．４７゜
Ｃ５２Ｈ６８Ｎ２０４　’ 理論値１％：Ｃ７９，５５、Ｈ８，７３、Ｎ３．５７゜
例１８ ヒＩＪノン５０ガに溶解したキニザリン２．４Ｉ！（０
，０１モル）及ヒプチルジフェニルヵルがン酸クロリド
８．１６．９　（０，０３モル・）を６０℃に加熱し次
いでこの温度で２時間保持する。反応混合物を冷却し、
１０チの塩酸溶液に注加する。得られた沈殿物を濾過し
、５％の塩酸で洗浄し、次いで全目的試験紙によって反
応が中性を示すまで水で洗浄する。乾燥□した残留物を
ベンゼンに溶解し次いでシリカ、（Ｓｊ・０２）を充填
したカラムに通ずる。

染料“をベンゼン−、クロロホ、ルム混合、物Ｃ１：　
１　）で溶離し、ベンゼン−アセトン混合物（２：１）
から再結晶Ｌ、１　、４−ビス−（，４−ｆチルノフェ
ニル力ルボキシ）−アントラキノン１．６．！ｉｌ（理
論値の２．２．４’７％）を得る・。融点２・２２・、
７〜２２３．９℃。

以下余白　　　　　・ 実験値、　％　：　Ｃ８０，６９、Ｈ５，８１，Ｃ４８
Ｈ４ｏＯ６゜理論値７係：Ｃ８０，８８、Ｈ５，６６゜
例、］９　　　　　。

ニトロベンゼン３．０ＴＬｌに溶解した１　、５＝ソヒ
ドロキシアントラキノン０．７６．．９　（０，０１０
：３モル）、ヘプチルベンゾイルクロリド）、７６　ｆ
Ｉ（０，、（１０７モル）を１時間加熱還流し、６０℃
の温度に冷却し次いでイソプロ・ぐノールを添加すや。

沈殿物を濾過し、イソプロ・七ノールで洗浄する。生成
物をノクロロエタンから再結晶し、融点２９５５〜２９
７℃を有する１、５−ビス−（４−へブチルベンズアミ
ド）−アントラキノン１．０５　ｇ、　（理論値の５４
４％）を得る。

実験値２％：Ｃ７８，２９、Ｈ７，４０、Ｈ４，２９゜
Ｃ４２Ｈ４６Ｎ２０４・ 理論値１％：Ｃ７８，４７、Ｈ７，２１、Ｈ４，３６例
２０ ニトロベンゼン１ｏｒｎｌに溶解した１−アミノ−４−
ヒドロキシアントンキノン０．１９　ｇ（０，０００８
モル）ｐ−オクチルジ？エニルカルデニルクロリド（１
９ｇ、、　（０，Ｏ，０，２７モル）を２時間加熱還流
する。反応混、合物を約２０℃に冷却し次いでイソゾロ
パノールで希釈す壜。残留物を濾過し、アルコールで洗
浄し、ベンゼンで溶解し、次いでンリカダルを充填した
力？ムでクロマトグラフィー処理して精製する。、溶離
液は、ベンゼンである。１．−（４−オクチルフェニレ
イー４−フェニルア（、ド）−４−（４−オクチルジフ
ェニルカルボキシ）−アント２キノン０．１５．９を得
る（理論値の４２３チ）・　　　　・　　　・。

実験値２．％：Ｃ８１，４２，Ｈ６，８８，Ｎ１．５８
゜Ｃ５ｇＨ，５７，０５Ｎ・ 理論値、饅：Ｃ８１，６２、Ｈ６，９７、Ｎ１．７゜例
２１゜ ニド、ロベンゼント５ｍｌに溶解した１−アミノ−４−
クロロアントラキノンｏ、４１　（０，００ｉ　５モル
）、・ｐ−オクチルジフェニルカルがン酸クロリド０．
！ｌ（０，００２７モル）を２時間煮沸し次い　　　　
　□で生成物を例２０で示したよう（単離する。、残留
物をヘノタンから再結晶し、融点１５７℃を有する１’
−’（４−オクチルフェニレン−４，−ベンズアミド）
−４−クロロアントラキノン０．６　Ｆ　Ｃ理論値の７
’２．７２係）を得る。　　　　　　　　、・実験値、
チ：　Ｃ７６，２１、Ｈ５，９８、Ｎ′２．３９゜Ｃ！
、、、Ｈ３２ＣＡＮＯ５＋ 理論値、受：　Ｃ７６，４２、Ｈ５，８６、ＣＬ６．４
４゜Ｎ２．５５゜ 例２２　　　・ 先の例２１において記載したごとくして得られ’１１−
（４−・オクチルフェニレン、−４−ベンズアミド）−
４−クロロアントラキノン（１Ｂｇ・（０，０００５モ
ル）及びｍ−オクタデシル、オキシアニリツ１．８ｇ１
ｌ（’（１’ｏ”０５モルつから、例５の条件の下（滞
留時間は３時間）融点１１５〜１１７℃を有する１−１
１（４−オクチルフェニレンベンズアミド）−４−（３
−オクタデシルベンズアミド）−アントラキノンθ、１
ｙを得る。　　　　　　　。

実験値、係：　Ｃ，ｓ　Ｏ，’７９　、Ｈ８，６＋４・
、　ＩＮ３．３２゜Ｃ５９Ｈ７４Ｎ２０４°　　　　　
□ 理論値、チ：Ｃ８０，９６，Ｈ８，５２，Ｎ３．２０゜
例２３　。

例１５の条件の下で、例１で記、載したごとくして得ら
：ｈ＆１−　（，４−オクチルフェニレン−４−ベンズ
アミド）−４７，？、ロロアントラキノン、Ｑ、　３１
！及び１−オクチルジフェニルエチルイミン０５ｇ（滞
留時間８時間凌ら、クロマトグラ、フィー処理による精
製後（溶離液ベンゼン）、１−（，４−オクチルフェニ
レン−４−ベンズアミド）　−、、，４−（１−（４−
オクチルジフェニレン）−エチル）−アミノアントラキ
ノンＯ，，１２、Ｐを得る。

実験値、チ：Ｃ８３，２７、Ｈ７，３６、Ｎ　３．５４
゜□・Ｃ□５７Ｈ６２Ｎ２：０３３゜ 理論値１％：Ｃ８３，１７，Ｈ７，５９，Ｎ３．４０゜
例２４゜ ニトロベンゼン２．ｏｓｖ；溶解した１−アミノ−４−
（４−第３ブチルフエノキシ）−アント、ラキノン０；
　ｓ’：ＬＪ　（０，００２３モル）、４−オ、クチル
、ソフェニルカルポニルクロリド０，９２１（、，０，
０９２８モル）を２時間加熱還流する。、反応混合物を
８０℃の温度に冷却し、イソゾロパノールを添カする。

残留物をベンゼンへブタン混合物から二回再結砕し、融
点１８７．５〜１９８．２℃全有、する１　、７”　（
，４−’Ａ−りｆルフエニレンー４−ベンズアミド）−
４−（４−第３ブチルフエノキシ）−アントラキノン０
．６３．＆（理論値の４１．４’５チ）を得る。

実験値１％：Ｃ８１，９５，Ｈ７，０３，Ｎ２１７゜Ｃ
４５Ｈ４５ＮＯ４・ 理論値１％：Ｃ８１，４４、Ｈ６，７８、Ｎ２．１１゜
例２５ 例４の条件の下、ニトロベンゼン２０ｍ１に溶解したｌ
Ｉ４−ジアミ、ノアントラキノンＯ，，９，、！５　Ｆ
（０，００４モル）及び第３ブチルベンゾイルクロリド
２．．４　、？　（０，０１２モル）か、ら、シリカに
よるクロマトグラフィー処理（溶離液ベンゼン）及びア
ルコールから再結晶後、融、点３３０℃以上を有する１
、４−ビス−（４−第３ブチルベンズアミド）−アント
ラキノン０．２．３．　Ｆを得る。。

実験値、チ：　Ｃ７７，１２、Ｈ６，１４、Ｎ４．９３
゜・　　　　Ｃ３６Ｈ３４Ｎ２０４°　　　　　　　。

理論値２％：Ｃ７７，４０、Ｈ６，１３、Ｈ５，Ｏ↓。

例２６ １−＜　４−へキシルベンズアミド）−４−クロロアン
（ラキノン２．２３Ｆ（０，００５モル）　、ｎｉ−オ
クチルアミン１０ｇ、無水酢酸ナトリウム０．６６ｇを
銅の存在下１５０〜１５５℃の範囲内や温度で１時間保
持する。反応混合物を冷却し、１０％の塩酸３Ｑｍｌを
添加し、無留物を水で洗浄し−、７にし、乾燥し、クロ
ロホルムに溶解し、ＳｉＯ□。

（溶離液クロ、口央ルム）によりクロマ、トゲオフイー
処理して、融点１７３〜１７５℃を有する１−（４−ヘ
キシルベンズアミド）−４−オクチルアミノアントラキ
ノンＯ，，，８１、Ｆ　、（理論値の３０１％）を得る
。

実験値、％：Ｃ７８，２３、Ｈ７，９８、Ｈ５゜３７゜
Ｃ３５Ｈ４２Ｎ２０３・ 理論値、饅：Ｃ７６，０３，す７．８、．６　、　Ｎ　
、！５．２、．０゜例、２・７　　・　　　　　・・ 酢酸す）　ＩＪウム及び銅粉末、の存在下例２６で記収
しに条件Ω下（残留時間、２．呼量）　１．７　、（，
４−へキシルベンズアミド）−４−クロロアント？キノ
７２．２３　＃　、（ｏ、ｏ　５モル）、ジプチルアミ
ンｌ。

ｇから１，１．−（４−へヤシ化ベンズアミド）−４＝
ジブチルアミノアントオキノン０．９　Ｆ　ｔｌ−得る
（理論値の３３．４％）。融Ａ２０２〜２　、Ｃ１、、
、、：３℃。

実験値、チ：Ｃ７７，８］　、Ｈ７，９３，Ｈ５，１７
゜Ｃ５５Ｈ４２Ｎ２０３°　　　　　。

理論値１％：Ｃ７８，０３、Ｈ７，８４，Ｈ５，２０゜
例２８ 酢酸ナトリウム０．６９及び銅粉末の存蕉の下ニトロペ
ンゼア１５Ｉｌｌに溶解した１−（４−へキシルベンズ
アミド）−４−クロロアン、ト、ラキノン２、２３．９
　、（ｏ、　０、．０５モル）、ｍ−ブトキシ、アニリ
ン３．６５．９（０，，０２４モル）を１５５〜１６０
℃の範囲内の温度に加熱し次いでこの温度、で、４時間
保、持、する。反応混合物を７０℃の温度に、倹却し次
いでアルコール３０プを添加する。残留物をシリカラ充
填したクロマトグラフィー処理に委ねる（溶離液クロロ
ホルム）。しかして融点、１２．６〜１．２７℃ヲ有ス
る１−、（，４−ベキ。シルペン、ノアミド）　−４−
、、、（３−ブトキシフェニル）−アミノア／トラキノ
ンを得る。、、。

実験値、％：Ｃ７７，５６、）（６，５４、Ｎ４．７８
゜Ｃ３，７Ｈ３９Ｎ２０４・ 理論値１％：　ｃ　７７．２　、　Ｈ６，８、Ｎ４．９
゜例２９ 例？７の条件の下（滞留時間７時間）　１．　＝　（４
−オクｔルフェニレイー４−ベンズアミド）−４−クロ
ロアントラキノン３．３．Ｆ（０，００６モル）及びブ
チルアニリン１０９かう、８点１７６．４〜１７９℃Ｑ
−１−る１−（４−オクチルフェニレン−４−ベンズア
ミド）、、−４−、（４−プｆｙ７エ二ル）−アミノア
ントラキノン２．３Ｓｌ（理論値の５８．４％）を得る
。。

実験値２％：Ｃ８１，３３、Ｈ７，２１、Ｎ４．３５゜
Ｃ４５Ｈ４６Ｎ２０３・ 理論値２％：Ｃ８１，５４，Ｈ６，９８，Ｎ４．２２゜
例３０　　　　。

例２８の条件の下（滞留時間４時間）１−（４−オクチ
ケフエニレン−４−ベンズアミド）−４−クロロアント
２キノン２．２３　Ｆ、　（０，０，０，４モル）及び
ｐ−ブチルアミン２．１６＆から、１−（４−オクチル
フェニレン−４−ベンズアミド）−４−ブチルアミノア
ントラキノン０５ｇを得る。融点２０２５〜２０４５℃
。

実験値、係：　Ｃ８’０．１３　、　Ｈ７，３１、Ｎ４
．６３゜Ｃ３９Ｈ４２Ｎ２０３′ 理論値１％：Ｃ７９，８６，Ｈ７，］、７．Ｎ４．７８
゜例３１ 例２６の条件の下（滞留時間１４５〜１５０℃ｆ２Ｒ間
）、１−　（４−オクチルフェニレン−４−ベンズアミ
ド）−４−クロロアントラキノン２．２３．９　（’０
．００４モル）及びヘソチルアミン１．７３Ｆ（０，０
１５モル）から、１−（４−オクチルフェニレン−４−
ベンズアミド）−４−ヘプチルアミノアントラキノンｏ
、４９ｇを得る。融点１９３５へ１９５℃。

実験値、チ：Ｃ８０，３４、Ｈ７，５３、Ｎ４．３８゜
Ｃ４２Ｈ４９Ｎ２０３゜ 理論値、チ：Ｃ８０，０９、Ｈ７，８４、Ｎ４．４５゜
以下余白 例３２　　　　　′ 例２６でのべた条件の下、１−（４−オクチルフェニレ
ン−４−ベンズアミド）−４−クロロアントラキノン２
．２３　ｐ　ｃＯ，ｏ　Ｏ４モル）及びシブチルアミン
２ｇから１−（’４−オクチルフェニレンー４−ベンズ
アミド）−４−ジブチルアミノアントラキノン０．５５
．！７を得る′（理論値の２０．３７係１）。融点１９
９．５へ２０２℃。

実験値、チ：Ｃ８０，０２、Ｈ７，９８、Ｎ４．２２゜
Ｃ４３Ｈ５ＯＮ２０３・ 理論値、チ：Ｃ８０，３３、Ｈ７，８４、Ｎ４．３５゜
例３３ 例２８で記載した条件の下、１−（４−オクチルフェニ
レン−４−ベンズアミド）−４’−１’ロロアントラキ
ノン及び１−（４−第３ブチルフエニル）−エチルアミ
ンから、１−（４−オクチルフェニレン−４−ベンズア
ミド）−４−（１−（４−第３”７′チルフエニル）−
エチル７ミ）　）　）　−７ントラキノンを得る。融点
２２５〜２２７℃。

以下余白 実験値、％：Ｃ８１，３３，Ｈ７，５９，Ｎ４．２８Ｃ
４７Ｈ′５ＯＮ２０５゜ 理論値１％二Ｃ８１，６４、Ｈ７，２９、Ｎ４．１４゜
例３４ 例２８でのべた条件の下、１−（４−オクチルフェニレ
ン−４−ペンノアばド）−４１クロロアントラキノン２
゜７１０．ｏｏ５モル）及びオクチルアミン１．９ｇか
ら、クロマトグラフィー処蜘後、１−（４−オクチルフ
ェニレン−４−ベンズアミド）−４−オクチルアミノア
ントラキノン０７９ｇを得るぐ理論値の２４．６％）。

融点１８９〜］、　９　ｏ、ｓ℃。

実験値２％：Ｃ８０，０５，Ｈ７，８０，Ｎ４．ｉ５゜
Ｃ４３Ｈ５ＯＮ２０３・ 理論値、係：Ｃ８０，３４、Ｈ７，８４、Ｎ４．３６゜
例３５□　　　： 例２６の条件の下、１−（４−へキシルシェニレンー４
−ベンズアミド）−４−クロロアントラキノン３．９６
ｉ＜ｏ、ｏ０７ｓ０７ｇ及びジテチルＴミｅ１０．９か
ら、１−　（４−へキシルフェニレン−４−ベンズアミ
ド）−４−ジブチルアミノアントラキノン３．０．９を
得る（理論値の６４．ｚ３ｓ）。

融点シ１９・＼２２０℃。

実験値２％：Ｃ８０，２５，Ｈ・７．８９．　Ｎ　４．
４　ｓ。

□　′Ｃ４１Ｈ４６Ｎ２０３・ 理論値１％：Ｃ８０，０９、Ｔ（７，５４、Ｎ４．５５
゜例′３６　′ 例２６の条件の下、１−（４−へキシルフェニレン−４
−ベンズアミド）−４−クロロアントラキノン３．３４
　ｇ（０，００’６４モル）及びオクチルアミン１５．
９かう、１’−’（４−へキシルフェニレン−４−ベン
ズアミド）−４−オクチルアミノアントラキノン２６ｇ
を得る（理論値の６６．６７％）。

融点１９８〜２００℃。

実験値２％：Ｃ８０，３７、Ｈ７，３４、Ｎ４．６３゜
Ｃ４１Ｈ４′６Ｎ２０３・ 理論値、チ：Ｃ８０，１３、Ｈ７，４９、Ｎ４．５６゜
例３７ 例２６の条件の下、′（滞留時間２時間）、１′−（４
−ブチルフェニレン−４−ベンズアミド）−４−クロロ
アントラキノン１．９５９（，０，ＯＯ，３９モル）及
びｎ−オクテルアばン２０ｇから、１−（４−ブチルフ
ェニレン−４−ベンズアミド）−４−オクチルアミノア
ントラキノンＬ７６ｇを得る：、（理論値の７７．２チ
）。融点２００〜２０．１℃。

実験値、修：Ｃ８０，０３、Ｈ７，３４、Ｈ４，６５Ｃ
５９Ｈ４２Ｎ２０５゜ 理論値、饅：　Ｃ７９，８６、−Ｈ７，１７，Ｎ：４．
７８゜例３８ ニトロベンゼン１５ｍＪにｍ解Ｌり１−　（４：、−ヘ
キシルベンズアミド）　’−１４−オクチルアミノアン
トラキノン０．４４ｇ（０，ＯＯ，０，５２モル）及び
４−プチルノフェニル力ル？エルクロリド０．８９（０
，００２９モル）を１８０〜１８５℃の範囲内の温度で
１０時間保持する。反応混合物を冷却し、残留物を濾過
し次いでアルコールで洗浄し、アセトンカラ再結晶し１
−（４−へキシルベンズアミド）−４−Ｎ−オクチル−
（４−ブチルフェニレン−４−ベンズアミド）−アント
ラキノン０．２１（３１，７５チ）を得る。融点２３８
〜２４０℃。

実験値、チ：Ｃ８１，７９，Ｈ６，５８，Ｎ３．５７゜
Ｃ５２Ｈ４９Ｎ２０４・ 理論値、チ：Ｃ８１，５７、Ｈ６，４０、Ｎ３．６６゜
例３９ ニトロベンゼン５ｍｌに溶解した１−アミノ−４−（４
−ｎ−ブチルフェノキシ）−アントラキノン０．１５．
９（０，０００４モル）及び４−へキシルジフェニルカ
ルボニルクロリド０．３．．９　（０，００１モル）を
１６０へ１６４℃の温度で１．５時間保持する。反応混
合物を約６０℃の温度に冷却し次いで２０ｍ１のアルコ
ールを添加する。沈殿物を濾過し、アルコールで洗浄し
、クロロホルムに溶解し、次いでベンゼン−アセトン（
１０：１）の混合物を用いてシリカで溶離し、１−（４
−へキシルフェニレン−４−ベンズアミド）−４−（４
＝ｎ−ブチルフェノキシ）−アント２キノン０．１７　
ｇ（理論値の６５．９％）を得る。融点２４６〜２４８
℃。

実験値、チ：Ｃ８１，２９・、　Ｈ６，７１、Ｎ２．３
６゜Ｃ４３Ｈ４１Ｎｏ４゜ 理論値、チニＣ８１，２６、Ｈ６，４５、Ｎ２．２０゜
例４０ 二□トロベン斗ン２Ｑｍｌに溶解した１、５−ジアミノ
−４１８−ジヒドロキシアントラキノン０．７８　　”
’＆（０，００２８モル）及びヘゲチルベンソイルクロ
リド２．３９ル（００１モル）を１時間煮沸し、　゛反
応混合物を６０℃の温度に冷却し次いでアルコール３０
ｍ１を攪拌しながら添加する。次いで反応混合物を煮沸
し、２０℃に冷却し、濾過し、次いでアルコールで洗浄
する。残留物をクロロホルムに溶解し次いでシリカを用
いてクロマトグラフィー処理に委ねる。溶離液はクロロ
ホルムである。

１．５−ビス−（４−へブチルベンズアミド）−４，８
−ジヒドロキシアントラキノン１．ｓ、ｐ’ｉ得る（理
論値の７６．９２係）。融点２５１〜２５２℃　□実験
値１％：Ｃ７４，６１，Ｈ６，７５，Ｈ４，１７゜Ｃ４
２Ｈ４６Ｎ２０６゜ 理論値２％：　Ｃ７４，８０、Ｈ’６．９０　、　Ｎ　
４．１’ｏ。

例４１ 例４０の条件の下、ニトロベンゼン２０ｍ１に溶解した
１、８−ジアミノ−４，５−ジヒドロキシアントラキノ
ン０．５．９（０，００１８モル）及びへ□プチルベニ
ゾイルクロリド１．３　ｊ　（ｏ、ｏ　Ｏ５’４モル）
から、シリカを充填したカラムでクロマトグラフィー処
理後、ｔ、Ｓ−ビス−（４−へジチル斗ンズアミド）Ｌ
４’−（４−へブチルベンジルオキシ）−５−ヒドロキ
シアントラキノン０．２２．９（理論値の１３．６％）
を得る（深紅色スポット）。

融点２５０℃以上。

実□験値１％：Ｃ７６，５４，Ｈ７，１３、Ｎ３．３７
゜Ｃ５６Ｈ６４Ｎ２０７“ 理論値、チ：　Ｃ７６，７、Ｈ７，４、Ｎ　３．２゜ス
ミレ色の第２のスポットが溶離し；溶剤を蒸□留後、ｉ
’＋ｓ−ｔ：”スー（４−へブチルベンズアミド）　−
４＋’　５−ジヒドロキシアントラキノン０．２５ｇ（
理論値の２０チ）を得る。融点２２６〜２２７℃。

実験□値、チ：Ｃ７４，５７，Ｈ６，８２，Ｈ４，０３
゜Ｃ４２Ｈ４６Ｎ２０６゛ 理論値１％：　ｃ　７４．８　、　Ｈ６，９、Ｈ４，１
゜例４２ ピリジノ２０ｄに溶解した１、８−ビス＝（４−ヘゾチ
ルペンズアミド）−４，５−ジヒドロキシアントラキノ
ン０．２．！９（０，０００３モル）をほぼ沸点近くで
加熱し、ヘプチルベンゾイルクロリド０．５．！７（０
，００２モル）を添加し、次いで１５分間加熱する。反
応混合物を２０℃に冷却し、濾過し、次いでエタノール
・で洗浄する。１．８−ビス＝（４−ヘン０チルベンズ
アミド）−，４，５−ビス−（４−へブチルベンゾイル
オキシ）−７ントラキノン０．３２．９（”Ｊ１収率）
を得る。融点３００℃以上。

実験値１％：Ｃ７７，８１、Ｈ７，５３、Ｎ２．６４゜
Ｃ７０Ｈ８２Ｎ２０８・　□ 理論値１％：Ｃ７７，９，Ｈ７，７，Ｎ２．６例４３ 例４２でのべた条件の下、１．５−ビス−（４−へブチ
ルベンズアミド）−４，８−ジヒドロキシアントラキノ
ン０．２９（０，０００３モルン及びへｆｆルベンソイ
ルクロリド０．５．９（０，００２モル）から、ｌｌ５
−ビス−（４−へブチルベンズアミド）−４、８−ビス
−（４−へブチルベンゾイル）−アントラキ７゛ン０．
３１２１当量収率）を得る。

融点２８０℃以上。

実験値９％：Ｃ７７，７４、Ｈ７，５８、Ｎ２．３５゜
Ｃ７０Ｈ８２Ｎ２０８゛ 理論値２％：Ｃ７７，９，Ｈ７，７，Ｎ２．６゜例４４
〜８７ 例１〜４３の染料を００１ｇの量でＺｈｋ、　＋、　８
０７の液晶混合物（シアノビフェニルの混合物）　０．
９９ｇ中に溶解し、混合物を攪拌しながら等方性状態に
畝らしめ次いで室温に冷却する。混合物は使用状態にあ
る。第２表は得られた液晶材料の分光特性な示す。

以下余白 例８８〜９５ 電子工学的装置の二色作動体として同時に役立つ電子工
学的装置のための液晶材料が、公知の液晶マトリックス
とポジチブもしくはネガチブニ色性を有する公知の染料
及び一般式■に対応するネガチブニ色性を有する一種又
はそれ以上の染料と共に混合することによって製造する
。二色作動体（液晶材料）の特定の配合を下記の第２表
に示す。

この二色作動体が用いられている装置は添付の図面によ
って説明される。

液晶材料、すなわち二色作動体１を、透明な電極３及び
配向Ｎ（図示せず）を有する２個の透明プレート２の間
に設ける。１０〜２０μｍの二色作動体１（液晶材料）
の厚さをガスケット（図示せず）によって調整する液晶
の初期配向は重置であ乙。背景い力！なる色でも良くそ
してそれはおもにポジチブ又はネガチプニ色性を有する
染料に依宕する。

装置は次の方法で操作する。最初の工程において、透明
電極３の間に介装されそして配向層によって指示された
二色作動体１に電圧をかける。５〜１０ボルトの交流電
圧を引火すると、液晶材料の分子の配列はホメオトロピ
ック（ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉａンに変化し次いで背景の
色と異なる色を有してシンボルが表われる。液晶材料の
種々の態様に対しヒトの目によって受は入れられる色の
変化を第３表に示すｉラロイドを用いる場合にはカラー
スイッチングオー／４−（ｃｏｌｏｕｒ　ｓＷｉｔｃｈ
ｉｎｇ−ｏｖｅｒ）がよシ犬なるコントラストを持って
観察される０ｍ丁余白　　、□

【図面の簡単な説明】

図は本発明の電子工学的装置を示す説明図である。 ｌ・・・作動体、２・・・透明プレート、３・・・電極
、４・・・導線。 特許出願人 アレクサント〉バシリエビチイノ４．＜チェンコ特許出
願代理人　　　　　　（外４名）弁理士　背　木　　　
朗 弁理士西舘和之 弁理士　内　１）幸　男 弁理士　山　口　昭　之 第１頁の続き ０発　明　者　バレンチナ・チモフィーブナ・ラザルエ
バ ソ連国ドルゴプルドニイ・モス コブスカヤ・オフラスト・ウリ ツア・オクトヤブルスカヤ２２コ ルプス３クワルチーラ１９ ０発　明　者　ブラデイミル・グリゴリエビチ・ルムヤ
ンツエフ ソ連国ドルゴプルドニイ・モス コブスカヤ・オフラスト・リハ チェブスコエ・ショースイ２０コ ルプス１クワルチニラ１６５ ０発　明　者　レフ・ミハイロビチ・ブリノフソ連国モ
スクワ・ウリツア・デ ュブニンスカヤ２コルプス５ク ワルチーラ７９ ０発　明　者　ビクトル・バシリエビチ・チトフ ソ連国モスクワ・ウリツア・・フ □エスチバルナヤ１２クワルチーラ ■出　願　人　バレンチナ・チモフイーブナ・・：　　
□　　　　ラザルエバ □　　　　　ソ連国ドルゴプルドニイ・モスコブスカヤ
・オフラスト・ウリ 、　　ツア・オフ１へヤブルスカヤ２２コルプス３クヮ
ルチーラ１９ ＠出　願　人　ブラデイミル・グリゴリエビチ・ルムヤ
ンツエフ ソ連国ドルゴプルドニイ・モス コブスカヤ・オフラスｌ−・リハ チェブスコエ・ショースイ２０コ 、ルプス１クワルチーラ１６５ （０出　願　人　レフ・ミハイロビチ・ブリノフソ連国
モスクワ・ウリツア・デ ュブニンスカヤ２フルプス５り 、″フルチーラフ９ ■出　願　人　ビクトル・バシリエビチ・チｌ〜□）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、次の一般式Ｉ： （・式中、Ａ２間、ＢおよびＺ　’Ｉｄ　’Ｒ’　ＤＸ
   　オ、、ｔ　ヒＲ２ＥＹを意味する同一もしくは異った
   置換基であバとこで Ｒ１およびＲ２は同一もしくは異ったＣ４〜０１８アル
   ＯＯ ＸおよびＹは同一もしくは簀っておシそして各各酸素又
   は基ＮＩ■およびＮｍ・番表ｉし、又はＹ＋、Ｅ＋Ｒは
   Ｈ、ＣＬ２．、”Ｂｒ　＊　ＮＯ２＊ＮＲ３Ｒ’（式中
   、Ｒ３はＣ１〜Ｃ８，アルキルであり、Ｃ４は水素又は
   Ｃ４Ｈ２であシ、Ｒ−１４は→Ｃｌ４２テである）であ
   シ、ｎは０，１．であり　；　ｍ、は０，１．２であシ
   ；但しＡ　”　Ｍ　”＝　Ｂ　＝Ｚ　”’　Ｈ、ＣＬ　
   ＋　Ｂｒ　ｐ　ＮＯ２。 およびＮＲＲである化合物を除く。） で表わされるアントラキノン誘導体。 ２６次の一般式Ｉ： Ｍ　　Ｏｚ Ｃ式中、Ａ、Ｍ、ＢおｊびＺはＲ’ｌ）ＸおｊびＲ２Ｅ
   Ｙを　　’意味する同一もしくは異った置換基であシ、
   ここで Ｒ１およびＲ２は同一もしくは異ったＣ　−Ｃアル　　
   　１８ キルであシ、 Ｘ、・、およびＹは同一もしくは異っておシそして各各
   酸素又は基■およｇ　ＮＲ３を表わし、　　　　□ＣＨ
   ・ 又はＹ　十Ｅ　＋Ｒ２はＨ、Ｃ１、Ｂｒ　ｌ　ＮＯ□、
   　ＮＲ３Ｒ’（式中、Ｒ，３はＣ４〜Ｃ８アルキ、ルア
   あＬＲ’は水素又はＣ４Ｈ，であシ、Ｈ３＋Ｒ４は＋Ｃ
   Ｈ２す、である）であシ、ｎは０．．１であシ；ｍは０
   ，１．２であシ；但しＡ＝Ｍ＝Ｂ＝Ｚ＝Ｈｔ　ＣＬ　ｒ
   　Ｂｒ　ｚ　ＮＯ２ｐおよびＮＲ３Ｒ４である化合物を
   除く。） で表わされるアントラキノン誘導体の製造方法であって
   、 次式■： （式中、Ｗ、′ｒ′、Ｌ、′には同一および／又は異っ
   た置換基であり、ＮＨ２＊　ＮＨＲ３ｒ　ＯＨｒ　Ｈ＋
   　Ｃ１ｒＢｒ　ｐ　ＮＯ２ｒ　ＮＲＲを表わし、ここで
   ＲはＣ１〜Ｃ８アルキルであシ１．Ｒは水素”　Ｃ４”
   ９であシ、Ｒ３＋Ｒ４は＋ＣＨ２＋５である）で表わさ
   れるアントラキノン誘導体を、一般式■：Ｒ”ＤＣｔ（
   ＩＩＩ） （式中、Ｒ１は０４〜Ｃｊ８アルキルであり、ＤはＱ　
   　　　　　　　　　　　　Ｕ、　　　　　　　　　　　
   　　（Ｊｎは（１，１であり　：　ｍ’Ｂ　Ｏ、”ｉ　
   ”、”　２である）で表わされる酸塩化物を用い、有機
   溶剤中でアシル化することからなり；但し前記一般式■
   で表わされる化合物が置換基としてＣ１，Ｂ、ｒ又はＮ
   ０２を有する場合、□アシル化して得られる化合物を、
   −フ［ビン式■　： ＲＥＱ　　　・　　　″（■） （式中、Ｒ２ｔｒｉ　Ｃ４〜Ｃ１８アルキルでアリ、し
   ｔｉ３ ＱはＮＲ２，ＮＨＲ３（式中、Ｒ３はＣ４〜Ｃ８アルキ
   ルである）であり、ｎは０，１であり；ｍは０・１・２
   である） で表わされる置換アミンと反応させる、前記方法。 ３、液晶マトリックスおよび所望により、洋学活性添加
   剤および／又はポジチブニ色憔を有する染料を含んでな
   る液晶物質であって、該物質が次の一般式１： （式中、Ａ　、　Ｍ　、　Ｂ　オ、１：ヒＺ　ＵＲ，Ｄ
   ＸオヨヒＲ２ＥＹを意味する同一もしくは異った置換基
   であり、ここで Ｒ１およびＲ２は同一もしくは異った０４〜０１８アＸ
   およびＹは同一もしくは異っておりそ１七各各酸素又は
   基ＮＨおよびＮＲ３を表わし、又はＹ＋Ｅ＋Ｒ２はＨＩ
   Ｃｌ、Ｂｒ、Ｎ０２１　ＮＲ３Ｒ’　（式中、Ｒ３は０
   １〜Ｃ８アルキルであり、Ｒ４は水素又は０４Ｈ９であ
   り、Ｒ３＋Ｒ’は＋ＣＨ２＋５である）であり、ｎは０
   ．１であり；ｍは０，１．２であり；但しＡ”Ｍ”Ｂ−
   Ｚ−Ｈｒ　Ｃ４Ｂｒ　ｒ　ＮＯ２、およびＮＲ３Ｒ’で
   ある化合物を除く。） で表わされる少なくとも一種のアントラキノン誘導体を
   含むことを特徴とする、前記液晶物質。 ４、前記一般式Ｉで表わされる化合物を０．１〜１０重
   量裂重量子含有特許請求の範囲第３項記載の液晶物質。 ５、動力供給源に接続す仝ための導線４を側条た透明電
   球３を、各々内表面に設けた芥学的に透明なグレート２
   間に介装した二色作動体ｌを含んでな７′電子光学的装
   置であ・て・該装置内にケ１て二色作動体として、 液晶マトリックスおよび所望により、：光学活性添加剤
   および／又は正二色性を有する染料を含んでなる液晶物
   質であって、該物質が次の一般察Ｉ：（式中、Ａ　、　
   Ｍ　、　Ｂ　オヨＵ　Ｚ　ｎ　Ｒ’ＤＸ　ｋヨヒＲ２Ｅ
   Ｙを意味する同一もしくは異った置換基であり、、ここ
   で ２ ルキシそ杷虱　　　　　□　　　□ Ｘおよび蒙は同一もしくは−っておりそして各各酸素又
   は基ＮＴ（およびＮＲ３藻表わし、ｉｕ“’ｙ　＋Ｆ、
   　十Ｒ２ｈ　Ｈ、’：　ｃｔ、’　Ｂ−＝’、ｌ”Ｎｏ
   鱈１３Ｒ４，Ｃ式中、Ｒ３はＣ１〜Ｃ８，ア１．ルキル
   で、あり、Ｒ４は水素又は０４馬であり、Ｒ３→−Ｒ４
   は＋ｃＨ２九である）であり５．ｎば０，１であす；ｍ
   はｏ、ｉ、２であり；但しＡ−Ｍ−Ｂ−Ｚ＝Ｈ２Ｃｔ、
   Ｂｒ、Ｎｏ２．およびＮＲ３Ｒ４である化合物を除＜、
   、）、、、’ で表わされる少なくとも一種のアントラキノン誘導体を
   含むことを％徴とする、前記電子光学的装置。 以下余白