JPS59110179A - 半導体装置およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は透明電極を有する半導体装置及びその製造法に
係わるものである。例えば太陽電池、ホトダイオード、
或いは撮像装置等に適用されるものである。

〔従来技術〕

従来２例えば太陽電池においては周知のように第１図に
示すような構造が採用されている。第１図において、１
は基板、２は下部電極、３は半導体、４は透明電極、５
は金属を（し形に形成した上部電極である。透明電極４
に光を照射することで半導体３中に発生する正孔及び電
子を下部電極２と上部電極５とを通して外部に取出すも
のである。また５例えばホトダイオードは、従来、第２
図に示す断面構造で実現されている。第２図において、
６は基板、７は下部電極、８は半導体、９は透明電極、
１０は電流取出し用の上部電極で一般に金属が用いられ
る。透明電極９に光を入射することにより、下部電極７
と上部電極１０との間に入射光に応じた電流が流れる。

このように従来の透明電極を備えた光電変換素子は、透
明電極の上に金属よりなる上部電極を形成する２重電極
構造であり、従ってその製造工程１としても、透明電極
の形成とその加工、金属よりなる上部電極の形成とその
加工という工程が必要であった。さらに、透明電極とし
ては周知のようにＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘ
ｉｄｅ）が用いられるか、この材料は通常、スパッタ蒸
着により形成され、従って、　ＩＴＯ形成時に半導体表
面に欠陥を生せしめたり、また、良質のＩＴＯ膜を得る
のが難しいなどの問題点をもっている。さらに、　ＩＴ
○膜上に上部電極となる金属をホトエツチングで加工す
るときに・。

ＩＴＯは極めて耐薬品性か弱い材料であることから。

ＩＴＯも溶解してしまうということもあり、透明電極に
ＩＴＯを使用するには多（の問題点があった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、半導体層として水素化シリコンを用い
た場合、電極製造工程を大幅に軽減できると共に前記し
た諸問題点を解決できる透明電極を備えた半導体装置と
その製造法を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明の骨子は次の通りである。水素化非晶質シリコン
層を有する半導体を用い、この水素化非晶質７９２２層
とＣｒ、　Ｍｏ、　Ｗ、　Ｔｉ、　Ｖ、　Ｚｒ、　Ｎｂ
、　Ｔａ。

Ｈｆ、ＮｉおよびＣｕの群から選ばれた少なくとも一者
を含有する金属膜との界面反応によって両者の界面に形
成される透光性の導電体層を透明電極として用いるもの
である。

従って、その製造法の骨子は次の通りである。

所定基板上に水素化非晶質シリコン層を形成し。

更にこの上部に前述のＯｒ、　Ｍｏ、　Ｗ等を含有する
所定の金属膜を形成し、その両者を界面反応を生ぜしめ
その界面に透光性の導電体層を形成させる。

そしてこの導電体層を形成するに当って用いた金属膜を
除去する工程を含むことを特徴とするものである。

なお、前記の金属膜としては前記した金属の単体のみて
なく、その相互の混合物２合金、或いはＣｒ−ＡＡ　、
　Ｃｒ−Ｎｉ、　Ｃｒ−Ｎｉ−Ａｔ等前述した金属を含
有する金属膜を用いることが出来る。

この金属膜の厚さは、この金属層を透明導電体層を形成
後除去してしまうのでそれ程選択性はないか２通常、　
　３００Ａ〜２００ＯＡ　、　より好ましくは５００＾
〜２０００＾程度を用いる。余り膜かうずいと膜の均一
性に劣る。一方、余り厚い膜を用いても特に利点はなく
、かえって金属膜の応力によって半導体層に悪影響をお
よぼす可能性が増大する。

反応温度は１００℃〜２５０℃の範囲を用いる。特に２
５０℃以上になると水素化非晶質シリコンの変質かはじ
まるので好ましくない。反応時間は反応温度にもよるが
２０分〜１時間程度である。余り長時間加熱しても特に
利点はない。

又、金属膜形成時に加熱しても（加熱蒸着）良（、更に
勿論金属膜形成後加熱処理しても良い。

更に、水素化非晶質シリコン層上への金属膜の形成の直
前に同シリコン層の表面を除去し、いわゆる表面酸化層
と思われる層を除去した場合、特に加熱処理を施こさな
くとも透明導電体層の形成が可能となる。金属蒸着源よ
りの加熱によって６０℃〜７０℃の加熱が試料になされ
透明導電体層が形成される。

水素化非晶質シリコン層としてはその伝導型がｐ型、１
型、ｎ型のいずれの場合も同様に透明導電膜が形成され
る。勿論、　Ｐ、　Ｂ、　Ｎ、　Ｃ，０，或いはＧｅ等
の不純物を含有していても同様である。

又非晶質シリコンのダングリングボンド（ｄａｎｇｌｉ
ｎｇｂｏｎａ　）のターミネートするため導入されてい
るＨ）の代りにＦを用いてターミネートした非晶質シリ
コンの場合も同様の透光性導電膜が形成される。

こうして形成された透光性導電体層は光透過性も十分実
用的であり、一方抵抗値も約ＩＱｋＵ、勺以下でこれも
実用上問題ない範囲にある。

本発明は、上記発見による非晶質シリコンと金属との界
面反応で形成される透明導電体層を透Ｉ］Ｊ１電極とす
るものである。本発明によれは２例え（ま第１図の太陽
−電池を作る場合、半導体３の上（こ７１（素化非晶質
シリコン層を形成し、その上（こ例え（ぼＣｒを加熱蒸
着し５次に必要なＣｒ部分だけを残しあとのＣｒを除去
してやるたけて太陽電池力≦完成してしまう。製造工程
か従来法に比べて半減し。

ＩＴＯの場合のような問題点もない。この場合、　Ｃｒ
膜の蒸着としては、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸□着、
スパッタ蒸着のいずれの方法でも全く同様の透明電極が
自然に形成されることを確認した。水素化非晶質シリコ
ンあるいはＰ（リン）をトープしたｎ型の非晶質シリコ
ンは充分利用できるものである。ただし、これらの非晶
質シリコン（ま自然゛酸化されやす（，１ケ月程度空気
中ｔこ放置すると厚みが数１０Ａ程度の酸化膜が形成さ
れ、この酸化膜がある場合、その上にＣｒを形成しても
、酸化膜が反応防止の役割を果たし、透光性の導電体層
力く形成されな（な、る。従ってこの酸化膜は除去して
から本発明を適用する必要がある。一方、Ｂをド−プし
た水素化非晶質シリコン（ま上言己のものより。

化学的に安定であり、　１０ケ月程度放置しても酸イヒ
膜はできず、常に導電体層を得ること力≦できた。

〔発明の実施例〕

以下９本発明の実施例を図面により説明する。

実施例１　ここではまず太陽電池番こ応用しｊこ場合の
例を第３図により述べる。ガラス基板１１の上（こＣｒ
電極１２を例えはＡｒカスを雰囲気とするスノク、７タ
蒸着により膜厚０３μｍに形成する。その」一番こ）。

ラズ？　ＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で、基板Ｃｒ　度２３０℃でＰ
Ｈ３ガスとＳｉＨ４ガ゛スとを混合（混合比ｐＨ３／Ｓ
ｉＨ４≧０．５．Ｖ％）したガスを用し）て、Ｐを含ん
た水素化非晶質シリコン（ｎ層）１３を、つキ（コＳｉ
Ｈ４ガスのみで水素化非晶質シ１）コン（ｉｌｌ）１４
４さらにその上にＢ２Ｈ６ガスと３ｉＨ４カスとを混合
（混合比Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４≧０．５　Ｖ％）した力′
スを用ｌ、）てＢを含んだ水素化非晶質シリコン（ｐ層
）１５をｊ］＠次形酸形成。各層の膜厚は例えばｎ層３
００Ａ、１層５４００＾、９層２００　Ｘ程度で良い。

つぎ（こその上全面（こ。

基板温度を１００〜２５０℃の範囲内（１００’Ｃ以下
で（ま反応速度が遅くなり、２５０℃以上で（ま水素力
≦抜け１」」る割合が多くなる）とし、　Ｃｒを０１μ
ｍ、その」一番こＡＬをＸμｍの厚みに、蒸着て形成、
する。この場合の所要加熱貯量は約６０〜３０分である
。もちろん。

Ｃｒのみを０４μｍの厚みに形成しても良し１力ｆ、Ａ
ｔを用いる方が電極抵抗が低くなる点て右手１１である
。

即ち、以後の加工処理を容易にする点と電気↑氏抗値を
最適範囲にする点から、　Ｃｒの厚み（ま０１〜０４μ
ｍの範囲とすることが好ましシＡ０最？＆ｉこホトエツ
チング加工により、＜シ形電極１７となる＠μ分のＣｒ
Ａしたけを残し、その他の部分のＣｒＡＡ　ｉま１除去
する。なお、　ＡＡに対してはリン酸系の工１．チンク
゛？＜１を用い＋’　Ｃｒに対しては硝酸第２セ１ノウ
ムアンモン溶液を用いる。これで、透明電極１６とくし
彫型４ｍ□１７とが形成でき、太陽電池が完成する。な
お、」１記の場合はカラス基板１１の七番こｎ、　ｉ、
　ｐ層のｌｌ＠＋こ堆積するとしたが、全く逆の順（こ
堆積しても良し）。

実施例２　つぎにホトダイオードの場合のイタ］を第４
図により説明する。第４図（ａ）（ま平面上η造、　（
ｂｌζま・断面構造を示す。カラス基板１８の上にＣｒ
を０．３μｍの厚みに形成し、ホトエツチング加工によ
りＣｒ電極１９を形成する。その上に、実施例１の場合
と全く同様に、プラズマＣＶＤ法で水素化非晶質シリコ
ンの９層２０，１層２１，９層２２を順次形成し、その
後。

ホトエツチング加工により一部分の水素化非晶質シリコ
ンを残し、あとは除去する。除去はＣＦ４を用いたプラ
ズマアッシャで行なう。その後、スパッタ蒸着により全
面に８１０２２３を２μｍの厚みに形成し、ホトエツチ
ング加工により水素化非晶質シリコン上と周辺部の５ｉ
０２を除去する。５１０２の除去はフッ酸系のエツチン
グ液で行なう。その後、基板温度を１００〜２５０℃の
範囲内とし、　Ｃｒを０．１μｍ厚・。

Ａｔを１μｍ厚、抵抗加熱蒸着で形成する。最後にホト
エツチング加工により一部分のＣｒ　−ＡＡ　２５を残
し、その他のＣｒ−Ａｔは除去する。もちろん、水素化
非晶質シリコン上のＳｉ○２２３のコンタクト穴の部分
内のＣｒ　−Ａｔは除去する。この部分のみに相互作用
により形成された透明電極２５が残り、ここが即ち、ホ
トダイオードの受光窓となる。このように光を入射さ４
たい部分のＣｒ−Ａｔ１．を除去すればそこに透明電極
が残り、その他の部分は遮光用の金属をも兼ねるので、
受光面積を正確にしかも簡単に規定できることになる。

これてホトダイ万一ドが完成する。

ここでは簡単のため７１個のホトダイオードを形成する
場合の例を示したが、全く同様に、ホトマスクを変える
ことにより、−次元あるいは二次元のホトダイオードア
レイを形成することも容易にてきることはもちろんであ
る。なお、前記の場゛合、　Ｃｒの上にＡｔを形成した
金属を用いたが、　Ｃｒの代わりにＣｒを主体とするＣ
ｒＮｉのような金属やＭｏ、Ｗも使用でき、また、　Ａ
ｔの代わりにＡｕ　、　Ｎｉ　−。

Ｐｔなども使用できることはもちろんである。さらに、
水素化非晶質シリコンの９層２２はなくても実用上差し
つかえない。

実施例３．−次元センサとして、マ）　ＩＪクス駆駆動
密着上センサある。この例として、特開昭５２−１２９
２５８がある。この種の一次元センサは、第５図に示す
ように、２つのダイオード（図中にＤ■３．ＤＰと表示
）か互いにその極性が逆になるよう直列に接続されたも
のか複数個−次元に配列された構成となっている。２６
は駆動回路、２７は読取回路である。

本発明はこのようなタイオード構成の一次元センサを製
作するのに最も適している。以下第６図を用いてその製
作工程を説明する。第６図ｔａ＋は平面構造を、（ｂ）
は断面構造を示す。２８はガラス基板であり、この上に
基板温度２００℃でＣｒ膜を０．２μｍ厚に真空蒸着あ
るいはスパッタ蒸着する。その後。

ホトエツチング加工によりＣｒ電極２９を形成する。

この上に、実施例１，２の場合と同様に、水素化非晶質
シリコン３７を堆積し１図のように加工する・。

この層はプラズマＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐ
ｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）法により基板温度２０
０℃〜２５０℃で形成する。各層の作成には原料カスと
してｎ層にはＰＨ３ガスとＳｉＨ４ガスとを混合したガ
ス（混合比ＰＨ３／ＳｉＨ４≧０．５体積％）を、１層
にはＳｉＨ４ガスを、ｐ層にはＢ２Ｈ６カスとＳｉＨ４
ガスとを混合したガス（混合比Ｂ２　Ｈ６／ＳｉＨ４≧
０．５体積％）を用いる。各層の膜厚は例えば９層３０
０Ａ、　ｉ層５４００Ａ、　ｐ層２５０Ａ程度で良い。

この水素化非晶質シリコン層のうちダイオードとする部
分のみを残してエツチングする。つぎに、全面に絶縁膜
３０（例えば石英ガラスが使用できる）をスパッタ蒸着
により１μｍ厚以上形成し、ホトエツチング加工により
コンタクト穴３１．３２．３３．３４を形成する。エツ
チング液としてはフッ酸系のエツチング液を使用゛する
。この上に、基板温度を１００〜２５０℃として、　Ｃ
ｒを０．１　ｐｍ厚、　Ａｔを１．５μｍ厚。

蒸着て形成する。その後、ホトエツチング加工によりＣ
ｒ−ＡＡ電極３５を形成する。このとき、ホトダイオー
ドアレイのコンタクト穴３２の内部のＣｒ−Ａｔをも同
時に除去することにより、ホトダイオード上には透光性
の導電体層である透明電極３６が残ることになり、これ
が光入射のための窓となる。このように２本実施例に本
発明を適用すれば、簡単な製作工程でマ）　ＩＪＪクス
動形の一次元センサが実現できる。ここではＣｒ電極２
９を用いるとしたか、この他にも、　Ｔａ、　ＮｉＣｒ
、　Ｍｏ、　Ｗ、　Ａｔ、　Ｐｔ、　Ｐｄなどの金属も
同様に使用できる。また、これらを多層にしても勿論良
い。

また透明電極を形成するための金属膜及びこれを加工し
て得た」−細金属配線３５にはＣｒ−ＡＡの２層構、潰
としたか、　　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｔｉ、　Ｖ、　Ｚｒ、
　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｗ。

Ｈｆ、　Ｎｉ、　Ｃｕのうちの１種またはそれを主体と
する金属を非晶質シリコン層と接触する層とする構造で
あれは１層であっても多層であっても問題はない。また
ここでは加熱して堆積したか、堆積後１００〜２５０℃
で加熱してもよい。

さらにここでは共通配線側を分離タイオードとしたか２
分離タイオードとオートダイオードの位置を入れかえて
もよい。

このような−次元センサの構成としてはここに示したも
のを含め第７図Ｆａｌ〜ｔｒ＋に示すものがある・。

第７図ｔａＬ　ｔｂｌは分離タイオードとホトダイオー
ド［Ｃ１，ｉｄｌは分離タイオードと光導電膜２２．　
［ｅＬ　げ）はホトダイオードと容量２３で一画素を構
成したものであり、　ｆａＬ　＋Ｃ］、　ｆｅ）は横に
２つの素子を並べたもの、　ｔｌ）ｌ、　ｆｄ）、山は
たてに並べたものである。本発明はこれらすべてに適用
可能であることは言うまてもない。すなわち２図中の光
のとりこみ用窓としてホトタイオード、光導電膜の」二
部のコンタクト孔のみに先の透明電極を形成すれはよい
。ここでは各ダイオードにｐ１ｎダイオードを用いたが
。

ショットキーダイオードを用いてもよい。

なお、第７図［ａｌ〜Ｕ＋において各部に下記のもので
ある。

２８はカラス基板、２９は下部金属電極、　３０は絶縁
膜、　３７．３７’は各々タイオードを構成する半導体
材料部、　４．８．４９．５０は各々ｐ形半導体層、１
形層。

およびｎ形層、４２は上部金属電極、５１は本発明に係
わる透明電極を示している。

実施例４　本実施例の断面構造を第７図に示す。

これは実施例３とほとんと同じてあり、異なる点は、実
施例３てはホトダイオード上たけに透明電極３６を残し
たが２本実施例ではホトダイオード近傍の図示Ａの部分
のＣｒ−ＡＡを除去している点である。こうすることに
よって７図中に矢印で示すようにガラス基板２８の下側
から光りを入射させることが可能となる。即ち、ガラス
基板２８の下側から光りを入射させ、センサに近接して
配置された原稿Ｍて反則した光をホトダイオードに入射
させ。

光電変換して原稿Ｍを読取る方式の素子として用いるこ
とかできる。

実施例５　本発明を光導電膜を用いた固体撮像素子に適
用した例を示す。これは特開昭５１−１０７１５に示さ
れているように二次元状に配列したスイッチと上記スイ
ッチを介して取出した光学像に相当する光電荷を転送す
る走査する走査素子を少なくとも有する半導体基板（走
査用ＩＣ基板）上に光電変換用として非晶質水素化シリ
コン等の光導電体層よりなる光導電膜を形成されている
素子である。

第９図はこの素子の基本的構造を示している。走査用Ｉ
Ｃ部分は通常の半導体装置の工程を用いて製造される。

ｐ形ノリコン基板２７上に８００　Ａ程度の薄い５ｉ０
２膜を形成し、この５１０２膜上の所定の位置に１４０
０　Ａ程度のＳｉ３Ｎ４膜を形成する。５１０２膜は通
常のＣＶＤ法、　Ｓｉ３Ｎ４膜はＳｉ３　Ｎ４　、　Ｎ
２を流したＣＶＤ・法によった。次いでＮ２：○ｚ＝１
：８雰囲気中でシリコンを局所酸化し、　Ｓｉ０２層６
８を形成する。この方法は一般にＬＯＣＯ８と呼ばれて
いる素子分離のためのシリコンの局所酸化法である。一
度、前述のＳｉ３Ｎ４膜および５１０２膜を除去し、　
ＭＯＳ　）ランンスタのゲート絶縁膜を５ｉ０２膜で形
成する。

次いてポリシリコンによるゲート部６９および拡散領域
７０．６］を形成し、更にこの」二部に５ｉ０２膜を形
成する。そしてこの膜中に不純物領域６１に対する電極
取り出し口をエツチングで開化する。電極６２としてＡ
ｔを８０００　Ａ蒸着する。更に５１０２膜６３を１５
００　Ａ形成し、続いて不純物領域７０の」二部にこれ
に対する電極取り出し口をエツチングで開孔し。

電極６４としてＡｔ又はＭｏを１μｍ蒸着する。なお電
極６４は領域７０，６１およびゲート部を覆う如く広く
形成した。これは素子間の信号処理領域に光か入射する
とブルーミングの原因となり望ましくないためである。

光導電膜６５はスパッタリングによって形成する・。

雰囲気はＡｒと水素の混合カスで０．２　Ｔｏｒｒとし
た。

水素含有量は６モル％である。シリコンターゲットを用
い１周波数１３．５６　ＭＨｚ　、人力３００　Ｗて反
応性２スパッタを行ない、前記走査用ＩＣ基板上に光導
電膜を１μｍ堆積する。この後、　Ｃｒをスパッタリン
グまたは真空蒸着法により基板温度１００〜２５０　Ｃ
で２０００　Ａ堆積する。その後、第１０図の画素部分
の平面図のように画素を区切る形にパターン化する。

これにより画素上部には透明導電膜６６が形成され。

同時に一画素の光のとりこみ角を制限して解像度を上げ
る遮光部６７とする事ができる。

ここては走査用ＩＣとしてはＭＯＳトランジスタを用い
たものを使ったが、　Ｃ０Ｄ−ＢＢＤを利用したものに
ついても同様に適用可能である事はいうまでもない。

遮光部６７を必要としない場合は２画面の周辺部のみに
Ｃｒを残しても特に問題はない。

水素化非晶質ンリコンに対するドーパントとしてここで
はＢとＰを用いた例であるが、　Ｎ、　Ｃ，Ｏ。

Ｇｅ等も使える事はいうまでもない。またダングリング
ボンドのターミネータとしてＨのかわりにＦを用いても
よい。

【図面の簡単な説明】

第１図は太陽電池の従来例を示す断面構造図。 第２図はホトダイオードの従来例を示す断面構造図、第
３図は本発明による太陽電池の実施例断面図、第４図ｉ
ａｌおよび（ｂ）は各々本発明によるホトダイオードの
実施例平面図と断面図、第５図はマトリクス駆動密着形
センサの説明図、第６図［ａｌおよびｔｂ］は各々本発
明実施例の平面図と断面図、第７図ｆａｌ〜げ）、第８
図、第９図は本発明の他の実施例断面図、第１０図は第
９図の実施例の平面構成を説明する。ための図である。 符号の説明 １１、１．８．２８−・・ガラス基板　１２．１９．２
９＝−Ｃｒ電極１３．２０・・・ｎ層水素化非晶質シリ
コン１４、’２１・・・１層水素化非晶質シリコン１５
’、　２２・・・９層水素化非晶質シリコン１６、２５
．３６−・・透明電極　　１７．２４．３５−Ｃｒ−Ａ
Ａ電極２３・・・５１０２３０・・・絶縁膜 ３１〜３４・・・コンタクト穴　　３７・・・水素化非
晶質シリコン代理人弁理士　中村純之助 矛　１　図 十２図 ′Ｊ−３図 ７ １４図 ｔ５拠 Ｌ）６ 十８図 才９図 第１頁の続き ０発　明　者　塚田俊久 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発　明　者　下元泰治 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発　明　者　中野前夫 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発　明　者　金森英人 横浜市戸塚区戸塚町２１６株式会 社日立製作所戸塚工場内

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　所定基板上に非晶質シリコンよりなる半導体層と、
   この半導体層上に、非晶質シリコンと非晶質ノリコン上
   に直接形成した金属膜との界面反応によって形成された
   透光性導電体層を少なくとも有することを特徴とする半
   導体装置。 ２　前記金属膜がＯｒ、　Ｍｏ、　Ｗ、　Ｔｉ、　Ｖ、
   　Ｚｒ、　Ｎｂ。 Ｔａ、　Ｈｆ、　ＮｉおよびＣｕの群から選ばれた少な
   くとも一者を含有する金属膜てあり、前記透光性導電体
   層が当該金属膜と非晶質シリコンとの界面反応によって
   形成されたることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の半導体装置。 ３、前記金属膜が透光性導電体層となすべき領域を除去
   され、残存金属膜が導体層としであることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項又は第２項記載の半導体装置。 ４　前記金属膜が複数層で構成され且、非晶質シリコン
   と接する金属膜は少なくとも前記所定の元素群より選ば
   れた少なくとも一者を含有する金属膜なることを特徴と
   する特許請求の範囲第２項又は第３項記載の半導体装置
   。 ５　前記基板上には下部電極か設けられ、この上部に前
   記半導体層が設けられていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項、第２項、第３項。 又は第４項記載の半導体装置。 ６　所定基板上に非晶質シリコン層およびこの上に加熱
   状態で金属膜を形成するか、又は金属膜を形成後加熱処
   理し、その後当該金属膜の光入射用の所望領域を除去す
   る工程を有することを特徴とする半導体装置の製造法。 ７　前記金属膜がＣｒ、　Ｍｏ、　Ｗ、　Ｔｉ、　Ｖ、
   　Ｚｒ、　Ｎｂ。 Ｔａ、　Ｈｆ、　ＮｉおよびＣｕの群から選ばれた少な
   （とも−者を含有する金属膜なることを特徴とする特許
   請求の範囲第６項記載の半導体装置の製造法。 ８　前記金属膜を複数層で構成し且非晶質シリコンと接
   する金属膜は少なくとも前記所定の元素群より選ばれた
   少なくとも一者を含有する金属膜なることを特徴とする
   特許請求の範囲第７項記載の半導体装置の製造法。 ９　前記非晶質シリコン層を形成後、当該非晶質シリコ
   ンの表面層を除去して後前記金属膜を形成することを特
   徴とする特許請求の範囲第６項。 第７項、又は第８項記載の半導体装置の製造法。