JPS59112614A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPS59112614A JPS59112614A JP57222365A JP22236582A JPS59112614A JP S59112614 A JPS59112614 A JP S59112614A JP 57222365 A JP57222365 A JP 57222365A JP 22236582 A JP22236582 A JP 22236582A JP S59112614 A JPS59112614 A JP S59112614A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3408—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体製造における気相成長装置に関するもの
である。
である。
従来例の構成とその問題点
半導体工業においては、シリコン単結晶の基板上に反応
ガスを供給し、この基板上に反応物の膜を形成する工程
がある。特に、シリコン単結晶基板を１０００’Ｃ以上
の適当な温度に加熱し、これにモノシラン丑たはジクロ
ールシラン等の反応ガスを水素等のキャリヤガスに混合
して供給することによって、あらたにシリコン単結晶膜
を形成する工程は、エビタキンヤル成長工程と呼ばれて
いる。
ガスを供給し、この基板上に反応物の膜を形成する工程
がある。特に、シリコン単結晶基板を１０００’Ｃ以上
の適当な温度に加熱し、これにモノシラン丑たはジクロ
ールシラン等の反応ガスを水素等のキャリヤガスに混合
して供給することによって、あらたにシリコン単結晶膜
を形成する工程は、エビタキンヤル成長工程と呼ばれて
いる。
このような工程に使用される従来の装置を第１図に示す
。この装置は石英ベルジャ１で覆われた反応炉の内部に
、被膜を形成する半導体基板２を載せる導電性基台３（
以下サセプタと呼ぶ）と、この導電性基台３の中心を下
方より貫通１〜て伸びたノズル４と、サセプタ３を加熱
するため高周波電力が供給されるワークコイル６と、ガ
スを排出する排気口６から成立っている。上記ノズル４
は上端が封止された透明石英パイプより形成されており
、側面には下方より導入されたガスがサセプタ３の表面
に噴出していくように多数の噴出孔７が設けられている
。このような装置を使用してエビタキンヤル成長を実施
するに当たってはサセプタ３上に載置された半導体基板
２の全面に渡って均質な成長膜を得るために、特にノズ
ル４から離れたサセプタ３の外周付近にある半導体基板
上に至る迄、反応ガスが消費しつくされずに到達するこ
とが必要であり、そのために反応ガスを毎分７０２から
１００ρの大量の水素ガスをキャリヤガスとして同時に
流すことが必要となっている。更に、均質成長膜を得る
ためには、１０００’Ｃ以上の所定温度における均熱性
が必要であり、このために上記のような大量ガス流量条
件下でサセプタ３の温度均一性が出るように、このサセ
プタ３の下部に配置され、うす巻き状に巻かれたワーク
コイル５の高さを予め調、整し固定している。このサセ
プタ３の温度均一性については、ノズル４に室温で導入
されるガスとの熱交換の影響が大きく、特に高温に加熱
されたサセプタ３の中心部領域でガスへ伝達していく熱
量が極めて大きく、これに対応して、ワークコイル５の
高さ調整は、中心部領域ではサセプタ３に極力近づけ、
外周に行くにつれて段々離していくような傾向になって
いる。しかしながら実際にはこのようにしてサセプタ３
の温度均一性が得られても、これに載置された半導体基
板２とサセプタ３との接触熱伝導状態は悪く、低温ガス
に触れた半導体基板２０表面温度は急激に低下する。こ
のような条件下では結晶欠陥が多く、正常なエピタキシ
ャル成長膜は得られない。従って、ノズル４に近いサセ
プタ３の中心部領域（中心より半径１００ａ程度迄）に
は半導体基板２は載置できず、このダミー領域が全周に
渡って必要なため装置のコンパクト化ができないという
欠点を有している。更に、この装置において、通常サセ
プタ３はノズル２と同心の軸を中心として回転されてい
るが、ノズル２のガス噴出孔７から吹き出しているガス
流れ方向については、サセプタ３上でガス流れ上流側と
下流側との位置関係は不変であり、従ってサセプタ３上
に載置されている半導体基板２土の成長膜は、牛後方向
での膜厚均一性が得にくい。父、実際に水素ガス中に反
応ガスを混入して反応炉内にこの混合ガスを供給し、エ
ピタキシャル成長膜を形成する期間の前後には、サセプ
タ３を室温より１０００°Ｃ以上の所定温度に昇温し、
あるいは、室温へと降温する期間が必要であるが、通常
、これらの昇降温に要する時間は、エピタキシャル成長
膜形成に要する時間より長い。
。この装置は石英ベルジャ１で覆われた反応炉の内部に
、被膜を形成する半導体基板２を載せる導電性基台３（
以下サセプタと呼ぶ）と、この導電性基台３の中心を下
方より貫通１〜て伸びたノズル４と、サセプタ３を加熱
するため高周波電力が供給されるワークコイル６と、ガ
スを排出する排気口６から成立っている。上記ノズル４
は上端が封止された透明石英パイプより形成されており
、側面には下方より導入されたガスがサセプタ３の表面
に噴出していくように多数の噴出孔７が設けられている
。このような装置を使用してエビタキンヤル成長を実施
するに当たってはサセプタ３上に載置された半導体基板
２の全面に渡って均質な成長膜を得るために、特にノズ
ル４から離れたサセプタ３の外周付近にある半導体基板
上に至る迄、反応ガスが消費しつくされずに到達するこ
とが必要であり、そのために反応ガスを毎分７０２から
１００ρの大量の水素ガスをキャリヤガスとして同時に
流すことが必要となっている。更に、均質成長膜を得る
ためには、１０００’Ｃ以上の所定温度における均熱性
が必要であり、このために上記のような大量ガス流量条
件下でサセプタ３の温度均一性が出るように、このサセ
プタ３の下部に配置され、うす巻き状に巻かれたワーク
コイル５の高さを予め調、整し固定している。このサセ
プタ３の温度均一性については、ノズル４に室温で導入
されるガスとの熱交換の影響が大きく、特に高温に加熱
されたサセプタ３の中心部領域でガスへ伝達していく熱
量が極めて大きく、これに対応して、ワークコイル５の
高さ調整は、中心部領域ではサセプタ３に極力近づけ、
外周に行くにつれて段々離していくような傾向になって
いる。しかしながら実際にはこのようにしてサセプタ３
の温度均一性が得られても、これに載置された半導体基
板２とサセプタ３との接触熱伝導状態は悪く、低温ガス
に触れた半導体基板２０表面温度は急激に低下する。こ
のような条件下では結晶欠陥が多く、正常なエピタキシ
ャル成長膜は得られない。従って、ノズル４に近いサセ
プタ３の中心部領域（中心より半径１００ａ程度迄）に
は半導体基板２は載置できず、このダミー領域が全周に
渡って必要なため装置のコンパクト化ができないという
欠点を有している。更に、この装置において、通常サセ
プタ３はノズル２と同心の軸を中心として回転されてい
るが、ノズル２のガス噴出孔７から吹き出しているガス
流れ方向については、サセプタ３上でガス流れ上流側と
下流側との位置関係は不変であり、従ってサセプタ３上
に載置されている半導体基板２土の成長膜は、牛後方向
での膜厚均一性が得にくい。父、実際に水素ガス中に反
応ガスを混入して反応炉内にこの混合ガスを供給し、エ
ピタキシャル成長膜を形成する期間の前後には、サセプ
タ３を室温より１０００°Ｃ以上の所定温度に昇温し、
あるいは、室温へと降温する期間が必要であるが、通常
、これらの昇降温に要する時間は、エピタキシャル成長
膜形成に要する時間より長い。
これらの昇降漁期には水素ガス雰囲気に維持させている
ことと、サセプタ３の温度均一性が必要である。このた
めには供給水素ガス量は少量に絞ることが可能であるが
、実際には供給ガス量を大幅に変えると、サセプタ３上
でのガスとの熱交換量の分布が変化し、前述のようにエ
ピタキシャル成長期でのガス流量条件下で温度均一性が
でるようにワークコイルの高さを固定調整された装置で
は、温度均一性が損なわれ、結果として半導体基板内に
熱歪が生じ、結晶欠陥が発生ずる。従って、昇降漁期に
もエヒリキノヤル成長期と同量の大量の水素ガスを消費
せざるを得ないという欠点を有していた。
ことと、サセプタ３の温度均一性が必要である。このた
めには供給水素ガス量は少量に絞ることが可能であるが
、実際には供給ガス量を大幅に変えると、サセプタ３上
でのガスとの熱交換量の分布が変化し、前述のようにエ
ピタキシャル成長期でのガス流量条件下で温度均一性が
でるようにワークコイルの高さを固定調整された装置で
は、温度均一性が損なわれ、結果として半導体基板内に
熱歪が生じ、結晶欠陥が発生ずる。従って、昇降漁期に
もエヒリキノヤル成長期と同量の大量の水素ガスを消費
せざるを得ないという欠点を有していた。
発明の目的
本発明は、上記従来の欠点を解消し、均質な気相成長膜
の形成と、ガス消費量の低減を可能とするコンパクトな
装置を提供することを目的としている。
の形成と、ガス消費量の低減を可能とするコンパクトな
装置を提供することを目的としている。
発明の構成
本発明は、半導体基板を載置する回転基台と、この回転
基台の側方に配置されたノズルと、前記回転基台とノズ
ルとの間に設置されだ補助基台と、回転基台及びこれに
載置された半導体基板を加熱する第１の加熱手段と、こ
の第１の加熱手段とは独立の制御手段に連結され、上記
補助基台を加熱する第２の加熱手段とから構成されてお
り、補助基台によって、室温で導入されたガスをその流
量に応じて予熱側（財）し、半導体基板が載置されてい
る回転基台上でのガスとの熱交換量の分布を均一化する
ことによって、温度の均一性を図り、良質な気相成長膜
の形成とガス消費量の低減を可能とするという効果を有
する。
基台の側方に配置されたノズルと、前記回転基台とノズ
ルとの間に設置されだ補助基台と、回転基台及びこれに
載置された半導体基板を加熱する第１の加熱手段と、こ
の第１の加熱手段とは独立の制御手段に連結され、上記
補助基台を加熱する第２の加熱手段とから構成されてお
り、補助基台によって、室温で導入されたガスをその流
量に応じて予熱側（財）し、半導体基板が載置されてい
る回転基台上でのガスとの熱交換量の分布を均一化する
ことによって、温度の均一性を図り、良質な気相成長膜
の形成とガス消費量の低減を可能とするという効果を有
する。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第２図は、本発明の一実施例における装置の平面図、第
３図は、第２図における中心線Ａ−Ａにおける断面図で
ある。これらの図において、８はステンレス等の耐熱性
金属よりなる平板プレ−ト、９は透明石英ペルジャーで
、昇降機構（図示してはいない）に連結されており、昇
降可能であって、その最下位位置では、図で明らかなよ
うに、平板プレート８にその最下面が接触し、内部に反
応室１０を形成する。反応室１０内には、ＳｉＣでコー
ティングされたグラファイトよりなる導電性の回転基台
１１（以下回転サセプタと呼ぶ）が設置されている。こ
の回転サセプタ１１ば、円板形状をなしており、その中
心部を支持ポスト１２によシ支持されている。この支持
ポスト１２は下端が回転機構１３に連結されており、従
って支持ポスト１２を介して、回転サセプタ１１が回転
される。
３図は、第２図における中心線Ａ−Ａにおける断面図で
ある。これらの図において、８はステンレス等の耐熱性
金属よりなる平板プレ−ト、９は透明石英ペルジャーで
、昇降機構（図示してはいない）に連結されており、昇
降可能であって、その最下位位置では、図で明らかなよ
うに、平板プレート８にその最下面が接触し、内部に反
応室１０を形成する。反応室１０内には、ＳｉＣでコー
ティングされたグラファイトよりなる導電性の回転基台
１１（以下回転サセプタと呼ぶ）が設置されている。こ
の回転サセプタ１１ば、円板形状をなしており、その中
心部を支持ポスト１２によシ支持されている。この支持
ポスト１２は下端が回転機構１３に連結されており、従
って支持ポスト１２を介して、回転サセプタ１１が回転
される。
回転サセプタ１１には被膜を形成する半導体基板１４が
載置されている。この回転サセプタ１１の側方には、ガ
ス供給口１５に下端が連結され、上方に伸びたＴ型ノズ
ル１６が設置されている。このＴ型ノズル１６の水平部
１７は、回転サセプタ１１の直径とほぼ同じ長さを有し
、回転サセプタ１１側にスリット状のガス噴出用開口を
備えている。更にノズル１６と回転ザセフリ１１の間に
は、回転サセフリ１１と同材質で形成された補助基台１
８が設置されている。この補助基台１８の表面高さは回
転ザセフリ１１０表面と同じ高さニアリ、従ってノズル
１６のスリット状開口を出だガスは矢印Ｂ方向にまず補
助基台１８の表面を流れ、次に回転ザセプタ１１０表面
上を流れて、平板プレート８に設けられている排出口１
９を通して排出される。又回転サセプタ１１の下面には
高周波電源（図示してはいない）に連結されたうす巻き
形状のワークコイル２０か配置されており、このワーク
コイル２０に高周波電力を印加することによって回転サ
セプタ１１を加熱することができる。
載置されている。この回転サセプタ１１の側方には、ガ
ス供給口１５に下端が連結され、上方に伸びたＴ型ノズ
ル１６が設置されている。このＴ型ノズル１６の水平部
１７は、回転サセプタ１１の直径とほぼ同じ長さを有し
、回転サセプタ１１側にスリット状のガス噴出用開口を
備えている。更にノズル１６と回転ザセフリ１１の間に
は、回転サセフリ１１と同材質で形成された補助基台１
８が設置されている。この補助基台１８の表面高さは回
転ザセフリ１１０表面と同じ高さニアリ、従ってノズル
１６のスリット状開口を出だガスは矢印Ｂ方向にまず補
助基台１８の表面を流れ、次に回転ザセプタ１１０表面
上を流れて、平板プレート８に設けられている排出口１
９を通して排出される。又回転サセプタ１１の下面には
高周波電源（図示してはいない）に連結されたうす巻き
形状のワークコイル２０か配置されており、このワーク
コイル２０に高周波電力を印加することによって回転サ
セプタ１１を加熱することができる。
更に補助基台１８の下面にも第２のワークコイル２１が
配置されており、この第２のワークコイル２１は、ワー
クコイル２０とは別の高周波電力制御装置（図示しては
いない）を介して電力が供給され、補助基台１８を加熱
する。
配置されており、この第２のワークコイル２１は、ワー
クコイル２０とは別の高周波電力制御装置（図示しては
いない）を介して電力が供給され、補助基台１８を加熱
する。
本発明による装置は以上の様な構成であり、エビタギン
ヤル成長に当たっては、回転サセプタ１１及びこれに載
置されている半導体基板１４は１０００°Ｃ以上の所定
温度に保持されている。又補助基台１８も同程度の温度
に保持されており、この時、室温でノズル１６を通して
噴出した反応ガスと水素ガスとの混合ガスは、まず補助
基台１８に接し、この補助基台１８との温度差に応じた
熱を吸収して、急激に昇温した後、回転サセプタ１１０
表面」二を流れていく。この状態においては、回転サセ
プタ１１の温度と、その表面を流れるガスの平均温度と
の差は充分に抑えられているので、流れ方向に沿っての
ガスへの熱伝達量の変化は小さい。
ヤル成長に当たっては、回転サセプタ１１及びこれに載
置されている半導体基板１４は１０００°Ｃ以上の所定
温度に保持されている。又補助基台１８も同程度の温度
に保持されており、この時、室温でノズル１６を通して
噴出した反応ガスと水素ガスとの混合ガスは、まず補助
基台１８に接し、この補助基台１８との温度差に応じた
熱を吸収して、急激に昇温した後、回転サセプタ１１０
表面」二を流れていく。この状態においては、回転サセ
プタ１１の温度と、その表面を流れるガスの平均温度と
の差は充分に抑えられているので、流れ方向に沿っての
ガスへの熱伝達量の変化は小さい。
従って、回転サセプタ１１上の半導体基板１４の温度均
一性が得やすく、かつ流れの中で回転サセプタ１１を回
転することによりこの回転サセプタ１１上の半導体基板
１４は常に位置を変化させているので、極めて均質な膜
を得ることかできる。
一性が得やすく、かつ流れの中で回転サセプタ１１を回
転することによりこの回転サセプタ１１上の半導体基板
１４は常に位置を変化させているので、極めて均質な膜
を得ることかできる。
更に、回転サセプタ１１の側方にノズル１６を配したこ
とで、反応室に導入されたカスの温度か急激に変化する
領域が回転サセプタ１１０片側にのみ限定でき、ここに
補助基板１６を置くことで、回転サセプタ１６の全面に
半導体基板１４を載せることが可能となシ、装置のコン
パクト化が達成できている。
とで、反応室に導入されたカスの温度か急激に変化する
領域が回転サセプタ１１０片側にのみ限定でき、ここに
補助基板１６を置くことで、回転サセプタ１６の全面に
半導体基板１４を載せることが可能となシ、装置のコン
パクト化が達成できている。
父、供給ガス流量を変化させた場合、その量と加熱基台
との温度差に応じて、特にガス流れの上流側で熱交換量
に極めて大きな変化が生ずるが、本実施例では、その変
化に応じて補助基台１８への供給電力が制御されるため
、エピタキ／ヤル成長期には７０℃の水素ガス量を反応
ガス（ａ度０．６％）と共に供給し、その前後の昇降漁
期には１０℃に低減した水素ガスを供給することとして
も、回転ザセプタ１１表面では、ガスへの熱交換量の分
布に大きな差を生ずることがなく、ワークコイル２０の
高さを固定していても、温度の均一性が維持され、半導
体基板１４に熱歪が生ずることなく、良質のエビタキン
ヤル成長膜が得られる。
との温度差に応じて、特にガス流れの上流側で熱交換量
に極めて大きな変化が生ずるが、本実施例では、その変
化に応じて補助基台１８への供給電力が制御されるため
、エピタキ／ヤル成長期には７０℃の水素ガス量を反応
ガス（ａ度０．６％）と共に供給し、その前後の昇降漁
期には１０℃に低減した水素ガスを供給することとして
も、回転ザセプタ１１表面では、ガスへの熱交換量の分
布に大きな差を生ずることがなく、ワークコイル２０の
高さを固定していても、温度の均一性が維持され、半導
体基板１４に熱歪が生ずることなく、良質のエビタキン
ヤル成長膜が得られる。
なお、本実施例では、高周波電力による加熱装置につい
て記述したが、本発明の構成を逸脱することなく、赤外
線ランプ加熱方式を採用したエピタキシャル成長装置に
も、又補助基台に直接電流を通電することにより加熱制
御する装置にも適用できることは明らかである。
て記述したが、本発明の構成を逸脱することなく、赤外
線ランプ加熱方式を採用したエピタキシャル成長装置に
も、又補助基台に直接電流を通電することにより加熱制
御する装置にも適用できることは明らかである。
更に、本発明はエピタキシャル成長装置に限らず膜形成
を必要とする装置には充分に適用できることは言う丑で
もない。
を必要とする装置には充分に適用できることは言う丑で
もない。
発明の効果
このように本発明は、回転サセプタの側方にノズルを配
置し、これらの回転サセプタとノズルとの間に補助基台
を設置し７てこの温度を独立に制御できる構成としたた
め、半導体基板が載置される回転サセプタの全面に渡っ
てその表面のガス流の温度変化を抑制し、回転効果と伴
に均一な膜を形成することができる。更にガス供給量が
変化させた場合もその変化量に応じて補助基台への電力
供給量を制御することで、回転サセプタ上の温度変化が
抑えられ、半導体基板に熱歪を生ずることがないので、
昇降温時のガス供給量を小さくでき、ガス消費量を低減
することが可能となった。
置し、これらの回転サセプタとノズルとの間に補助基台
を設置し７てこの温度を独立に制御できる構成としたた
め、半導体基板が載置される回転サセプタの全面に渡っ
てその表面のガス流の温度変化を抑制し、回転効果と伴
に均一な膜を形成することができる。更にガス供給量が
変化させた場合もその変化量に応じて補助基台への電力
供給量を制御することで、回転サセプタ上の温度変化が
抑えられ、半導体基板に熱歪を生ずることがないので、
昇降温時のガス供給量を小さくでき、ガス消費量を低減
することが可能となった。
第１図は従来のエピタキシャル成長装置の断面図、第２
図は本発明の一実施例における装置の平面図、第３図は
第２図の中心線Ａ−Ａにおける縦断面図である。 ９・・・透明石英ベルジャ〜、１０・・・反応室、１１
・・・・・回転基台、１３・・・・・回転機構、１４・
・・半導体基板、１６・・・・・ノズノペ１８・・・・
・補助基台、２０．２１ ・・・・ワークコイル。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図 第３図
図は本発明の一実施例における装置の平面図、第３図は
第２図の中心線Ａ−Ａにおける縦断面図である。 ９・・・透明石英ベルジャ〜、１０・・・反応室、１１
・・・・・回転基台、１３・・・・・回転機構、１４・
・・半導体基板、１６・・・・・ノズノペ１８・・・・
・補助基台、２０．２１ ・・・・ワークコイル。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１） ガス供給口およびガス排出口を備えた反応室
と、この反応室の内部に設けられ、半導体基板を載置す
る回転可能に支持された回転基台と、一端が前記ガス供
給口に連結され、かつ他端が前記回転基台の側方に設け
られ、この回転基台及びこれに載置された半導体基板の
表面にガスを噴出する開口を備えたノズルと、前記回転
基台とノズルとの間に配置された固定補助基台と、前記
回転基板に載置された半導体基板及び補助基台を加熱す
る加熱手段とからなる気相成長装置。 - （２）前記加熱手段は、回転基台及びこの回転基板に載
置された半導体基板を加熱する第１の加熱手段と、この
第１の加熱手段とは独立の制御手段に連結され、補助基
台を加熱する第２の加熱手段とから構成された特許請求
の範囲第１項記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222365A JPS59112614A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222365A JPS59112614A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112614A true JPS59112614A (ja) | 1984-06-29 |
Family
ID=16781198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57222365A Pending JPS59112614A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112614A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5077875A (en) * | 1990-01-31 | 1992-01-07 | Raytheon Company | Reactor vessel for the growth of heterojunction devices |
| JPH0469923A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-05 | Shiyoudenriyoku Kosoku Tsushin Kenkyusho:Kk | 半導体製造装置 |
| US5902407A (en) * | 1987-03-31 | 1999-05-11 | Deboer; Wiebe B. | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
| US6093252A (en) * | 1995-08-03 | 2000-07-25 | Asm America, Inc. | Process chamber with inner support |
| US6383330B1 (en) | 1999-09-10 | 2002-05-07 | Asm America, Inc. | Quartz wafer processing chamber |
| USD1028913S1 (en) | 2021-06-30 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor deposition reactor ring |
| US12544727B2 (en) | 2020-01-24 | 2026-02-10 | Asm Ip Holding B.V. | Process chamber with side support |
-
1982
- 1982-12-17 JP JP57222365A patent/JPS59112614A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5902407A (en) * | 1987-03-31 | 1999-05-11 | Deboer; Wiebe B. | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
| US5077875A (en) * | 1990-01-31 | 1992-01-07 | Raytheon Company | Reactor vessel for the growth of heterojunction devices |
| JPH0469923A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-05 | Shiyoudenriyoku Kosoku Tsushin Kenkyusho:Kk | 半導体製造装置 |
| US6093252A (en) * | 1995-08-03 | 2000-07-25 | Asm America, Inc. | Process chamber with inner support |
| US6464792B1 (en) | 1995-08-03 | 2002-10-15 | Asm America, Inc. | Process chamber with downstream getter plate |
| US6608287B2 (en) | 1995-08-03 | 2003-08-19 | Asm America, Inc. | Process chamber with rectangular temperature compensation ring |
| US6383330B1 (en) | 1999-09-10 | 2002-05-07 | Asm America, Inc. | Quartz wafer processing chamber |
| US6540837B2 (en) | 1999-09-10 | 2003-04-01 | Asm America, Inc. | Quartz wafer processing chamber |
| US12544727B2 (en) | 2020-01-24 | 2026-02-10 | Asm Ip Holding B.V. | Process chamber with side support |
| USD1028913S1 (en) | 2021-06-30 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor deposition reactor ring |
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