JPS59116193A - 結晶成長方法 - Google Patents
結晶成長方法Info
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- JPS59116193A JPS59116193A JP57225732A JP22573282A JPS59116193A JP S59116193 A JPS59116193 A JP S59116193A JP 57225732 A JP57225732 A JP 57225732A JP 22573282 A JP22573282 A JP 22573282A JP S59116193 A JPS59116193 A JP S59116193A
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- mbe
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- crystal
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
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- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2907—Materials being Group IIIA-VA materials
- H10P14/2911—Arsenides
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
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- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3424—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IIB-VIA materials
- H10P14/3431—Selenides
-
- H—ELECTRICITY
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P95/70—Chemical treatments
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- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は結晶成長法、特にＩ−Ｖ族半導体基板上に…−
■族半導体層をＭＢＥ（分子線エピタキシャル）成長さ
せる方法に関する。
■族半導体層をＭＢＥ（分子線エピタキシャル）成長さ
せる方法に関する。
く背景技術〉
ＩＩ−ＶＴ族半導体としてはＺｎ５ｅ（亜鉛セレン〕、
ＺｎＳ （硫化亜鉛Ｌ ＺｎＴｅ Ｃ亜ｄｆ−ルル〕等
がある。なかでもＺｎ５ａは共有結合性が比較同大きく
、バンド構造からみる発光遷移は直接遷移であり、かつ
そのバンドギャップは２．７０Ｖ以上と高いため、青色
発光素子材料として有望視されている。
ＺｎＳ （硫化亜鉛Ｌ ＺｎＴｅ Ｃ亜ｄｆ−ルル〕等
がある。なかでもＺｎ５ａは共有結合性が比較同大きく
、バンド構造からみる発光遷移は直接遷移であり、かつ
そのバンドギャップは２．７０Ｖ以上と高いため、青色
発光素子材料として有望視されている。
Ｚｎ５ｅの結晶は自己補償効果が強く、低抵抗のＰ型が
形成困難である。尚、自己補償効果とはアクセプタ不純
物が多１ｔＶＣドーピングされるとへ２空孔子が生じや
すくなり、祈る空孔子がドナーとして働き、上記アクセ
プタを補償することである。従ってＺｎＳθ結晶を用い
た青色発光素子の構造では一般ＶＣＭＩＳ（金属、絶縁
層、半導体〕構造の素子が広く研究されている。
形成困難である。尚、自己補償効果とはアクセプタ不純
物が多１ｔＶＣドーピングされるとへ２空孔子が生じや
すくなり、祈る空孔子がドナーとして働き、上記アクセ
プタを補償することである。従ってＺｎＳθ結晶を用い
た青色発光素子の構造では一般ＶＣＭＩＳ（金属、絶縁
層、半導体〕構造の素子が広く研究されている。
第１図は本発明者等が特願昭５６−１１８８８４号で既
に提案し＋Ｚｎ Ｓ ｅ青色発光素子であり。
に提案し＋Ｚｎ Ｓ ｅ青色発光素子であり。
祈る素子はｎ型ＧａＡｓ基板（刀上ＶＣＧａドープのｎ
型Ｚｎ５ｅからなる第１層ｌυ１ノンドープＺｎＳθか
らなる第２層０り及び金薄膜（ｌｌをＩＩＩＱ次積層す
ると共に上記基板（７）裏面にオーミック性の電極１６
１を形成したものである。
型Ｚｎ５ｅからなる第１層ｌυ１ノンドープＺｎＳθか
らなる第２層０り及び金薄膜（ｌｌをＩＩＩＱ次積層す
ると共に上記基板（７）裏面にオーミック性の電極１６
１を形成したものである。
第２因は上記素子を得る九めのＭＢＥ装置を原理的に示
したものである。バックグランド真空度１０ Ｔｏ
ｒｒ以下に排気した真空谷ｔｇ内に％基板部（１）と第
１〜第３セル（２ａ）〜（２ｃ）とが対向配置され、こ
れらの間に主シヤツタ（３）と個別シャッタ（４ａ〕〜
（４Ｃ）が介在されている。
したものである。バックグランド真空度１０ Ｔｏ
ｒｒ以下に排気した真空谷ｔｇ内に％基板部（１）と第
１〜第３セル（２ａ）〜（２ｃ）とが対向配置され、こ
れらの間に主シヤツタ（３）と個別シャッタ（４ａ〕〜
（４Ｃ）が介在されている。
基板部（１）はヒータ機構を備えた基板ホルダ（５）と
、その上［Ｉｎ（インジウム）メタル１６）Ｋより貼着
されたＧａ Ａｓ基販（７）とからなる。第１〜第５セ
ル（２ａ） 〜（２Ｃ）は、夫々るつぼ（８ａ）〜（８
Ｃ）内ＶＣＺｎＳｅ、Ｇａｙ個別に収納シテオリ、その
周囲にるつは加熱用ヒータ（９１＆有し、又各るつぼ温
度検出用熱電対１１［１を備えＣいる。
、その上［Ｉｎ（インジウム）メタル１６）Ｋより貼着
されたＧａ Ａｓ基販（７）とからなる。第１〜第５セ
ル（２ａ） 〜（２Ｃ）は、夫々るつぼ（８ａ）〜（８
Ｃ）内ＶＣＺｎＳｅ、Ｇａｙ個別に収納シテオリ、その
周囲にるつは加熱用ヒータ（９１＆有し、又各るつぼ温
度検出用熱電対１１［１を備えＣいる。
上記ＭＢＥ装置自体は周知であり、基板１７）や各セル
の温度を側副すると共に、各シャッタ（４ａ）４〜＜
４０ ）を適宜開閉することによシ、第２丙に示す如く
、ＧａＡｓ基ｔｆｉｉｆ７１上ＶｃＺ ｎ Ｓ ａ単結
晶薄膜συが成長する。本実施例では、基板（７）とし
て不純物濃度約１×１０１８４−一、′成長面（１００
）面のＮ型ＧａＡｓが用いられ、その上に約５〜５μｍ
の薄膜的）が成長する。
の温度を側副すると共に、各シャッタ（４ａ）４〜＜
４０ ）を適宜開閉することによシ、第２丙に示す如く
、ＧａＡｓ基ｔｆｉｉｆ７１上ＶｃＺ ｎ Ｓ ａ単結
晶薄膜συが成長する。本実施例では、基板（７）とし
て不純物濃度約１×１０１８４−一、′成長面（１００
）面のＮ型ＧａＡｓが用いられ、その上に約５〜５μｍ
の薄膜的）が成長する。
ＧａＡｓ （Ｉ Ｄｏ ）面上へのｚｎＳｅの単結晶（
′：Ｊ 薄膜を成長させるＭＢＥ成長条呵、基板温度が５００℃
〜４００℃％Ｚｎセル温度１８０℃〜２５０℃％Ｓθセ
ル温度１７Ｄ”Ｃ〜２２０℃で単結晶成長が起るが、成
長した膜の表面モホロジー結晶性からみると、最適条件
は、基板温度が３５０℃〜４００℃、ｚｎビーム強度と
Ｓθビーム強度比が１になるような条件がよい。これら
ビーム強度は各セル温度によシ決まり、その温度はＺｎ
セルで約２９０℃、Ｓθナセル約１９０℃が適尚である
。
′：Ｊ 薄膜を成長させるＭＢＥ成長条呵、基板温度が５００℃
〜４００℃％Ｚｎセル温度１８０℃〜２５０℃％Ｓθセ
ル温度１７Ｄ”Ｃ〜２２０℃で単結晶成長が起るが、成
長した膜の表面モホロジー結晶性からみると、最適条件
は、基板温度が３５０℃〜４００℃、ｚｎビーム強度と
Ｓθビーム強度比が１になるような条件がよい。これら
ビーム強度は各セル温度によシ決まり、その温度はＺｎ
セルで約２９０℃、Ｓθナセル約１９０℃が適尚である
。
またＺｎ５ｅの成長を行なう１祭に第６セル（２０）ａ
−４２５℃に保ち第６シヤツタ（４０）ａ？開歪Ω傷以
下でかつ発光波長が４６１ｎｍと純粋な青色発光特性が
得られる。
−４２５℃に保ち第６シヤツタ（４０）ａ？開歪Ω傷以
下でかつ発光波長が４６１ｎｍと純粋な青色発光特性が
得られる。
従って第１図に示した青色発光素子は上記Ｎ ＢＥ装置
に２いて、基板ｆ７Ｊを６５０℃に保持すると共に主シ
ヤツタ（３」及び第１〜第６シヤツタ（４ａ）４〜（４
Ｃ）を開となし第１〜第５セル（８ａ）〜（８Ｃ）？夫
々２９０℃、１９０℃、４２５℃に保持すると基板（７
）上に第１層Ｕυが成長し、ま念第１層συ成長後ｆＰ
、５シャッタ（４Ｃ）＆閉じてＧ＾ ４分子線の供給を停止することにより第２層ａ２が得ら
れる。その後第２層ｕｚ上に金薄膜［＋３１を形成する
ことによシ第１図の青色発光素子が得られる。
に２いて、基板ｆ７Ｊを６５０℃に保持すると共に主シ
ヤツタ（３」及び第１〜第６シヤツタ（４ａ）４〜（４
Ｃ）を開となし第１〜第５セル（８ａ）〜（８Ｃ）？夫
々２９０℃、１９０℃、４２５℃に保持すると基板（７
）上に第１層Ｕυが成長し、ま念第１層συ成長後ｆＰ
、５シャッタ（４Ｃ）＆閉じてＧ＾ ４分子線の供給を停止することにより第２層ａ２が得ら
れる。その後第２層ｕｚ上に金薄膜［＋３１を形成する
ことによシ第１図の青色発光素子が得られる。
向、電極（６）は基板ホルダー（５）に固定される際に
使…したＩ ｎ Ｉｆｉｌにより形成される。
使…したＩ ｎ Ｉｆｉｌにより形成される。
このように形成された青色発光素子では第１層ＵυがＭ
ＢＥで形成されるなめ、その結晶性は良好となり、かつ
発光波長が４６１ｎｍと純粋な青色発光特性が得られる
。従って金薄膜１３−電極１６）間に順方向バイアスを
印加すると第１層συにおいて純粋な青色発光が期待で
きる。
ＢＥで形成されるなめ、その結晶性は良好となり、かつ
発光波長が４６１ｎｍと純粋な青色発光特性が得られる
。従って金薄膜１３−電極１６）間に順方向バイアスを
印加すると第１層συにおいて純粋な青色発光が期待で
きる。
ところが実際には第６図に示す如く、その光特性（エレ
クトロルミネッセンス〕は４６１ｎｍにピークを有する
鋭い特性の他ｉＣ５９０ｎｍ２ピークとする緩やかな特
性も同時に表われた。
クトロルミネッセンス〕は４６１ｎｍにピークを有する
鋭い特性の他ｉＣ５９０ｎｍ２ピークとする緩やかな特
性も同時に表われた。
本発明者が％祈る原因について詳細な研究を行９たとこ
ろ、ＭＢＥ成長直前に行なう基板（７）の熱エツチング
工程に問題があることが判明した。
ろ、ＭＢＥ成長直前に行なう基板（７）の熱エツチング
工程に問題があることが判明した。
通常、ＭＢＫ成長削には基板表面の酸化膜等の汚染物を
真空中に飛ばし１表面を清浄となすために単に基板を高
温に保持して熱エツチングを行なう。上記青色発光素子
作成にあたっても基板（７）表面に対して成長前に所る
熱エツチング処理を行なりている。
真空中に飛ばし１表面を清浄となすために単に基板を高
温に保持して熱エツチングを行なう。上記青色発光素子
作成にあたっても基板（７）表面に対して成長前に所る
熱エツチング処理を行なりている。
新るエツチング処理は基板（７）表面の汚染物？飛ばす
ために単に基板（７）を約６５０℃で５〜１０分間保持
することで行える。この結果基板（７）表面のδ 汚染物は放遂されるが、一方基板（７）ヲ構成するＡＡ
す（砒素）原子の固有蒸気圧がＣａ原子のそれに比べて
高いため、基板１７ノ表面付近にはＡｓ空孔が大ｌｉｄ
発生することとなる。
ために単に基板（７）を約６５０℃で５〜１０分間保持
することで行える。この結果基板（７）表面のδ 汚染物は放遂されるが、一方基板（７）ヲ構成するＡＡ
す（砒素）原子の固有蒸気圧がＣａ原子のそれに比べて
高いため、基板１７ノ表面付近にはＡｓ空孔が大ｌｉｄ
発生することとなる。
所るＡｓ空孔の発生により、極端なときには基板（７）
表面に残留したＧａが融解して結晶性が損われ、従ワて
所る基板（７）表面に成長する第１層αυの結晶性も劣
化することとなる。また表面の残ｖＩｉモイが融解しな
いときでも、第１層συの成長にあた９で祈る第１層α
υを構成するＺｎ、Ｓａ等の原子が上記Ａｓ空孔な介し
て基板συ中に拡散し、祈る基板συ表面近傍に数ゴム
オーダの深さで結晶性がくずれ念四元変成層が形成され
ることどなり、祈る表面に成長する＠１層αυ中にも上
記四元変成層の影待により結晶欠陥が生じることとなる
。
表面に残留したＧａが融解して結晶性が損われ、従ワて
所る基板（７）表面に成長する第１層αυの結晶性も劣
化することとなる。また表面の残ｖＩｉモイが融解しな
いときでも、第１層συの成長にあた９で祈る第１層α
υを構成するＺｎ、Ｓａ等の原子が上記Ａｓ空孔な介し
て基板συ中に拡散し、祈る基板συ表面近傍に数ゴム
オーダの深さで結晶性がくずれ念四元変成層が形成され
ることどなり、祈る表面に成長する＠１層αυ中にも上
記四元変成層の影待により結晶欠陥が生じることとなる
。
このようＶＣ発生する欠陥は自己付活性発光と呼ばれる
非青色発光の原因となり、従って第６図に示す如き発光
特性となる。
非青色発光の原因となり、従って第６図に示す如き発光
特性となる。
またＧ″ａＰａＰ等他■族半導体基鈑【おいても熱エツ
チングするとＶ族原子が抜は易く、従りて祈る基板上に
１１−Ｍ１族半導体層をＭＢＥ成長させると上述したよ
うな四元変成層が形成されて基板表面の結晶性が損われ
、その結果■−■族成長層の結晶性も］ｉわれることと
なる。
チングするとＶ族原子が抜は易く、従りて祈る基板上に
１１−Ｍ１族半導体層をＭＢＥ成長させると上述したよ
うな四元変成層が形成されて基板表面の結晶性が損われ
、その結果■−■族成長層の結晶性も］ｉわれることと
なる。
〈発明の１丘］〉
本発明は上記の諸問題に鑑みてかされたもので、ｉ−ｖ
族半導体基板上にＭＢＥ方法により■−■族半導体１＠
ヲ形成する前処理としての熱エツチング時の上記基４板
のｖｙ原子の抜けを防ぐ結晶成長方法？提供せんとする
ものである。
族半導体基板上にＭＢＥ方法により■−■族半導体１＠
ヲ形成する前処理としての熱エツチング時の上記基４板
のｖｙ原子の抜けを防ぐ結晶成長方法？提供せんとする
ものである。
〈発り］の開示〉
零発ＩＪの結晶成長方法の特徴は、ｉ −ｖ族半導体基
板上にｎ−Ｖｌ族半導体層をＭＢＥ（分子線エビタ午シ
ャルノ成長させるに際して、該成長直前の上記基板の熱
エツチング時に上記半導体Ｉ＠を構成する■族分子を上
記基板表面に照射することにある。
板上にｎ−Ｖｌ族半導体層をＭＢＥ（分子線エビタ午シ
ャルノ成長させるに際して、該成長直前の上記基板の熱
エツチング時に上記半導体Ｉ＠を構成する■族分子を上
記基板表面に照射することにある。
〈実施例〉
本発明を第１図に示し免責色発光素子の成長に適用する
。
。
具体的には、ＭＢＥ成長成長前掲Ｃ第２図装置いて、主
シヤツタ（３）及び第２Ｖヤツタ（４ｂ）を開ヒ となすと１ＩｔｉＶＣ８θセル温度を２００℃程度爬、
ＭＢＥ装置内ノＳ ｅ分子保強［４？約１Ｑ−６Ｔｏｒ
ｒとする。断る状態で基板（７）を約６５０′ｃに保持
し１ｔｔＪｓ分間熱エツチングを行なう。
シヤツタ（３）及び第２Ｖヤツタ（４ｂ）を開ヒ となすと１ＩｔｉＶＣ８θセル温度を２００℃程度爬、
ＭＢＥ装置内ノＳ ｅ分子保強［４？約１Ｑ−６Ｔｏｒ
ｒとする。断る状態で基板（７）を約６５０′ｃに保持
し１ｔｔＪｓ分間熱エツチングを行なう。
その後既述した条件に従って第１層Ｕ、第２１−１４及
び金薄層０３１を形成することにより第１図の青色発光
素子が完成する。
び金薄層０３１を形成することにより第１図の青色発光
素子が完成する。
ＦＡ４図は本実施例方法によシ得られた青色発光素子の
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）特性ヲ示す。
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）特性ヲ示す。
第４図よシ明らかな如く、本実施例方法によシ得られた
青色発光素子では従来の方法によシ得られる素子に較べ
て非青色発光強度が低減する。
青色発光素子では従来の方法によシ得られる素子に較べ
て非青色発光強度が低減する。
これは、熱エツチング時に基板［υ表面にＳｅ分子線が
照射されるため、高温下で生じる基板０υ表面のＡｓ空
孔にＳｅがすぐさま収まりＡｓ空孔を閉塞する形となり
、従ってＡｓ空孔の発生を抑えることができるためであ
る。即ち、Ａｓ空孔の抜けを極力抑１１ノリできるので
従来の如く、熱エツチングにより基板（刃表面のＧａが
融解したり、表面より数コＡＲ，さの四元変成層が生じ
たりすることがなく、従って基板（ｌｌｌ上に成長する
Ｚｎ５ｅ単結晶の結晶性もＮ好となり、自己付活性発光
を生じるような欠陥も減少でき、その結果非青色発光強
度が低減するものである。
照射されるため、高温下で生じる基板０υ表面のＡｓ空
孔にＳｅがすぐさま収まりＡｓ空孔を閉塞する形となり
、従ってＡｓ空孔の発生を抑えることができるためであ
る。即ち、Ａｓ空孔の抜けを極力抑１１ノリできるので
従来の如く、熱エツチングにより基板（刃表面のＧａが
融解したり、表面より数コＡＲ，さの四元変成層が生じ
たりすることがなく、従って基板（ｌｌｌ上に成長する
Ｚｎ５ｅ単結晶の結晶性もＮ好となり、自己付活性発光
を生じるような欠陥も減少でき、その結果非青色発光強
度が低減するものである。
まな、本実施例方法により得られた青色発光素子におい
てもわずかに非青色発光が生じるがこれは、熱エツチン
グ時ＶＣＡｓ空孔に入り込むＳｅ分子が基板表面から１
ｏｏＡ程の深さにわたつて結晶性をわずかに乱すためで
あるが、これは視覚的にはほとんど感じられない程度の
ものである。
てもわずかに非青色発光が生じるがこれは、熱エツチン
グ時ＶＣＡｓ空孔に入り込むＳｅ分子が基板表面から１
ｏｏＡ程の深さにわたつて結晶性をわずかに乱すためで
あるが、これは視覚的にはほとんど感じられない程度の
ものである。
尚、本実施例において熱エツチング時のＳｅ分子線強度
を１Ｏ−６Ｔｏｒｒとしたが、これは基板ヒｖＣ８０分
子が何着することなく、かつＡｓ空孔の発生を極力抑え
ることがでさる強度であシ、実際には１０−６〜１０
’Ｔｏｒｒが好適でアル。
を１Ｏ−６Ｔｏｒｒとしたが、これは基板ヒｖＣ８０分
子が何着することなく、かつＡｓ空孔の発生を極力抑え
ることがでさる強度であシ、実際には１０−６〜１０
’Ｔｏｒｒが好適でアル。
また、本実施例ではＧａＡｓ基板上にＺｎ５ａ層を形成
する場合について説明したが、本発明はこれに限るもの
ではなく％ＣａＰ等他の１−ｖ族基板上Ｖ′ＣＺｎＴｅ
等他（１） ＩＩ−Ｖｌｌ半体体層ＱＭＢＫ成長にて形
成するときにも適１詞できる。
する場合について説明したが、本発明はこれに限るもの
ではなく％ＣａＰ等他の１−ｖ族基板上Ｖ′ＣＺｎＴｅ
等他（１） ＩＩ−Ｖｌｌ半体体層ＱＭＢＫ成長にて形
成するときにも適１詞できる。
く効 呆〉
不発［ガによれば、［−Ｖ族半導体基板上ＫＭＢＥ成長
により結晶性の秀れたＩＩ −Ｖｌｌ半導体層形形成き
る。
により結晶性の秀れたＩＩ −Ｖｌｌ半導体層形形成き
る。
第１図はＺｎＳｅ青色発光素子を示す断面図、第２図は
Ｍｌ装置ｌｊｒ：原理的に示す原理図、第６図は従来方
法により得られたＺｎ５ｅ青色発光素子のＥＬ特性を示
す特性図、ｆｆＪ４図は本発明の実施例方法により得ら
れたＺｎ５ａ青色発光素子のＥＬ特性を示す特性図であ
る。 ［７Ｊ−ｎ型ＧａＡｓ％板（］Ｍ−Ｖ族半導体基扱）、
０１Ｊ［１３・・・ｇｙＪ’＋、第２１Δ（ＩＩ−Ｖｌ
族半導体層〕出願人三洋電機株式会社 〜゛外、 ・・ ゛パノ 代ＦＪＩ人弁理士佐 野 静 夫、・・“・′・″第１
図 第２図 ′／ 、ユエエエエ占
Ｍｌ装置ｌｊｒ：原理的に示す原理図、第６図は従来方
法により得られたＺｎ５ｅ青色発光素子のＥＬ特性を示
す特性図、ｆｆＪ４図は本発明の実施例方法により得ら
れたＺｎ５ａ青色発光素子のＥＬ特性を示す特性図であ
る。 ［７Ｊ−ｎ型ＧａＡｓ％板（］Ｍ−Ｖ族半導体基扱）、
０１Ｊ［１３・・・ｇｙＪ’＋、第２１Δ（ＩＩ−Ｖｌ
族半導体層〕出願人三洋電機株式会社 〜゛外、 ・・ ゛パノ 代ＦＪＩ人弁理士佐 野 静 夫、・・“・′・″第１
図 第２図 ′／ 、ユエエエエ占
Claims (1)
- （１１ＩＩ−Ｖ族半導体基板上にＩｔ −ＶＩ族半導体
層をＭＢＥ （分子線エピタキシャル）成長させるに際
して、該成長直前の上記基板の熱エツチング時に上記半
導体層を構成する■族分子を上記基板表面に照射するこ
とな特徴とする結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57225732A JPS59116193A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57225732A JPS59116193A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59116193A true JPS59116193A (ja) | 1984-07-04 |
Family
ID=16833953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57225732A Pending JPS59116193A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59116193A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278199A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-10 | Toshiba Corp | 化合物半導体結晶の製造方法 |
| JPS62119193A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体の製造方法 |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP57225732A patent/JPS59116193A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278199A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-10 | Toshiba Corp | 化合物半導体結晶の製造方法 |
| JPS62119193A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体の製造方法 |
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