JPS5911687A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JPS5911687A JPS5911687A JP57122511A JP12251182A JPS5911687A JP S5911687 A JPS5911687 A JP S5911687A JP 57122511 A JP57122511 A JP 57122511A JP 12251182 A JP12251182 A JP 12251182A JP S5911687 A JPS5911687 A JP S5911687A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- solar cell
- light
- type diffusion
- paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光電変換効率を向上することができる太陽電
池に関するものである。
池に関するものである。
第１図は従来のシリコン単結晶太陽電池の概要構成を示
す断面図である。同図において、（１）は例えば５００
μｍ程度の厚さのＰ形シリコンの半導体基板、（２）は
この半導体基板（１）の一方の主面上に受光面を形成す
るため、ｎ形不純物を浅く拡散して、０．３〜０．５／
１ｍ程度の厚さに形成したｎ膨拡散層、（３）はこ環元
面を形成するｎ膨拡散層（２）からマイナス電位を取シ
出すため、３００μｍ程度の幅で４〜５ｒｎ？Ｉｔ間隔
で例えばＡｇペーストをスクリーン印刷で形成したグリ
ッド電極、（４）は半導体基板（１）の他方の主面上に
設けて、プラス電位を取シ出す裏面電極、（５）は受光
面を形成するｎ膨拡散層（２）上に設けた光反射防止膜
である。
す断面図である。同図において、（１）は例えば５００
μｍ程度の厚さのＰ形シリコンの半導体基板、（２）は
この半導体基板（１）の一方の主面上に受光面を形成す
るため、ｎ形不純物を浅く拡散して、０．３〜０．５／
１ｍ程度の厚さに形成したｎ膨拡散層、（３）はこ環元
面を形成するｎ膨拡散層（２）からマイナス電位を取シ
出すため、３００μｍ程度の幅で４〜５ｒｎ？Ｉｔ間隔
で例えばＡｇペーストをスクリーン印刷で形成したグリ
ッド電極、（４）は半導体基板（１）の他方の主面上に
設けて、プラス電位を取シ出す裏面電極、（５）は受光
面を形成するｎ膨拡散層（２）上に設けた光反射防止膜
である。
次に上記構成による太陽電池の製造工程について簡単に
説明する。まず、５００μｍ程度の厚さのＰ形シリコン
単結晶の半導体基板（１）の一方の主面にｎ形不純物を
浅く拡散して、０．３〜０，５μｍ程度のｎ膨拡散層（
２）を形成して受光面とする。そして、このｎ膨拡散層
（２）に例えばＡｇペーストをスクリーン印刷して、４
〜５ ｒｎｍ間隔に３０μｍ程度の幅のグリッド電極（
３）を形成すると共に半導体基板（１）の裏面全体に例
えばＡｇ−Ａｌペーストをスクリーン印刷して、裏面電
極（４）を形成する。そして、大気中で、７００°Ｃ〜
７５０°Ｃのベルト焼成炉で３０秒程度焼成する。そし
て、ｎ膨拡散層（２）上にＴＬＯ，。
説明する。まず、５００μｍ程度の厚さのＰ形シリコン
単結晶の半導体基板（１）の一方の主面にｎ形不純物を
浅く拡散して、０．３〜０，５μｍ程度のｎ膨拡散層（
２）を形成して受光面とする。そして、このｎ膨拡散層
（２）に例えばＡｇペーストをスクリーン印刷して、４
〜５ ｒｎｍ間隔に３０μｍ程度の幅のグリッド電極（
３）を形成すると共に半導体基板（１）の裏面全体に例
えばＡｇ−Ａｌペーストをスクリーン印刷して、裏面電
極（４）を形成する。そして、大気中で、７００°Ｃ〜
７５０°Ｃのベルト焼成炉で３０秒程度焼成する。そし
て、ｎ膨拡散層（２）上にＴＬＯ，。
Ｔａ２０５などの反射防止膜（５）を形成する。
なお、このようにして製造した太陽電池の受光面にＡＭ
Ｉ相当の光をあてたときの暗電流曲線（イ）および光照
射時でのＶ−Ｉ特性曲線（ロ）を第３図に示す。
Ｉ相当の光をあてたときの暗電流曲線（イ）および光照
射時でのＶ−Ｉ特性曲線（ロ）を第３図に示す。
しかしながら、従来の太陽電池ではグリッド電極（３）
を大気中で焼成するため、ｎ膨拡散層（２）とのオーミ
ック性が悪（、Ｖ−Ｉ特性および光電変換効率が悪いと
いう欠点があった。
を大気中で焼成するため、ｎ膨拡散層（２）とのオーミ
ック性が悪（、Ｖ−Ｉ特性および光電変換効率が悪いと
いう欠点があった。
したがって、この発明の目的はグリッド電極のｎ膨拡散
層とのオーミック性を良好にして、■−■特性および光
電変換効率を大幅に改善することができる太陽電池を提
供するものである。
層とのオーミック性を良好にして、■−■特性および光
電変換効率を大幅に改善することができる太陽電池を提
供するものである。
このような目的を達成するため、この発明は少なくとも
、受光面側の電極を、Ｔｉを含むＡｇペースト材料で形
成するものであυ、以下実施例を用いて詳細に説明する
。
、受光面側の電極を、Ｔｉを含むＡｇペースト材料で形
成するものであυ、以下実施例を用いて詳細に説明する
。
第２図はこの発明に係る太陽電池の一実施例を示す概要
構成の断面図である。同図において、（３ａ）はＡｇペ
ーストに粒径が数μｍのＴｉの金属粉末を１〜１０％程
度添加混合したグリッド電極である。
構成の断面図である。同図において、（３ａ）はＡｇペ
ーストに粒径が数μｍのＴｉの金属粉末を１〜１０％程
度添加混合したグリッド電極である。
次に、上記構成による太陽電池の製造工程について説明
する。まず、５００μｍ程度のＰ形シリコン単結晶の半
導体基板（１）の一方の主面にｎ形不純物を拡散して０
．３〜０．５／１１ｎ−程度のｐ膨拡散層（２）を形成
して受光面とする。そして、このｎ膨拡散層（２）に、
Ｔｌを含むＡｇペーストをスクリーン印刷して、４〜５
ｍｍ間隔に３０μｍ程度の幅のグリッド電極（３ａ）
を形成すると共に、半導体基板（１）の裏面全体に例え
ばＡｇ−Ａｌペーストをスクリーン印刷して裏面電極（
４）を形成する。そして、焼成条件として、７２０°Ｃ
で３０分程度で焼成する。そして、前記ｎ膨拡散層（２
）上にＴ ｉ０２ 、’ｒａ２ｏ１などの反射防止膜（
５）を形成する。
する。まず、５００μｍ程度のＰ形シリコン単結晶の半
導体基板（１）の一方の主面にｎ形不純物を拡散して０
．３〜０．５／１１ｎ−程度のｐ膨拡散層（２）を形成
して受光面とする。そして、このｎ膨拡散層（２）に、
Ｔｌを含むＡｇペーストをスクリーン印刷して、４〜５
ｍｍ間隔に３０μｍ程度の幅のグリッド電極（３ａ）
を形成すると共に、半導体基板（１）の裏面全体に例え
ばＡｇ−Ａｌペーストをスクリーン印刷して裏面電極（
４）を形成する。そして、焼成条件として、７２０°Ｃ
で３０分程度で焼成する。そして、前記ｎ膨拡散層（２
）上にＴ ｉ０２ 、’ｒａ２ｏ１などの反射防止膜（
５）を形成する。
このようにして製造した太陽電池では順方向ノ（イアス
の電圧降下が大幅に小さくなり、しかもグリッド電極（
３ａ）のオーミック性を大幅に改善することができる。
の電圧降下が大幅に小さくなり、しかもグリッド電極（
３ａ）のオーミック性を大幅に改善することができる。
すなわち、この太陽電池の受光面にＡＭＩ相当の光をあ
てた場合、暗電流曲線Ｃつおよび光照射時でのＶ−Ｉ特
性曲線に）を第３図に示すことができる。
てた場合、暗電流曲線Ｃつおよび光照射時でのＶ−Ｉ特
性曲線に）を第３図に示すことができる。
なお、以上の実施例ではシリコン単結晶太陽電池につい
て説明したが、これに限定せず、他の太陽電池について
も同様にできることはもちろんである。
て説明したが、これに限定せず、他の太陽電池について
も同様にできることはもちろんである。
以上詳細に説明したように、この発明に係不太陽電池に
よればグリッド電極のｎ膨拡散層へのオーミック性を大
幅に改善できるので、光照射時のＶ−Ｉ特性が良好にな
シ、光変換効率が大幅に向上する。しかも、製造歩留シ
が向上し、原価低減になるなどの効果がある。
よればグリッド電極のｎ膨拡散層へのオーミック性を大
幅に改善できるので、光照射時のＶ−Ｉ特性が良好にな
シ、光変換効率が大幅に向上する。しかも、製造歩留シ
が向上し、原価低減になるなどの効果がある。
第１図は従来のシリコン単結晶太陽電池の概要構成を示
す断面図、第２図はこの発明に係る太陽電池の一実施例
の概要構成を示す断面図、第３図は第１図および第２図
に示す太陽電池の暗電流曲線および光照射時の特性を示
す図である。 （１）・・・・半導体基板、（２）・・・・ｎ膨拡散層
、（３）および（３ａ）・・・・グリッド電極、（４）
・・・・裏面電極、（５）・・・・光反射防止膜。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 ・ 、へ 代 理 人 葛 野
信 −手続補正書（自発） 特許庁長官１．ｉｊ＃ ］、事件の表示 持１９イ１昭 ５７−１２２５
１１号２、発明の名（ら、 太陽電池 ３、補正をする宥 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５、補正′の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１１叩細書第２頁第１２行の「３０μｍ」を「３００
μｍ」と補正する。 （２）同書同頁第１６行の「３０秒」を「３０分」と補
正する。 （３）回書同頁第２０行のｒＡＭＩＪをｒＡＭＩＪと補
正する。 （４）同省第４頁第６行の１３０μｍ」を１３００μｍ
」と補正する。 （５）同書同頁第１７行の「ＡＭＩ」をｒＡＭｌｊと補
正する。 以 上
す断面図、第２図はこの発明に係る太陽電池の一実施例
の概要構成を示す断面図、第３図は第１図および第２図
に示す太陽電池の暗電流曲線および光照射時の特性を示
す図である。 （１）・・・・半導体基板、（２）・・・・ｎ膨拡散層
、（３）および（３ａ）・・・・グリッド電極、（４）
・・・・裏面電極、（５）・・・・光反射防止膜。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 ・ 、へ 代 理 人 葛 野
信 −手続補正書（自発） 特許庁長官１．ｉｊ＃ ］、事件の表示 持１９イ１昭 ５７−１２２５
１１号２、発明の名（ら、 太陽電池 ３、補正をする宥 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５、補正′の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１１叩細書第２頁第１２行の「３０μｍ」を「３００
μｍ」と補正する。 （２）同書同頁第１６行の「３０秒」を「３０分」と補
正する。 （３）回書同頁第２０行のｒＡＭＩＪをｒＡＭＩＪと補
正する。 （４）同省第４頁第６行の１３０μｍ」を１３００μｍ
」と補正する。 （５）同書同頁第１７行の「ＡＭＩ」をｒＡＭｌｊと補
正する。 以 上
Claims (1)
- 半導体基板上に１この半導体基板とは異なる導電層を薄
く形成して、受光面の近くにＰｎ接合を形成した太陽電
池において、少なくとも受光面側の電極を、Ｔｉを含む
ＡｇペースＩＪ料で形成することを特徴とする太陽電池
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122511A JPS5911687A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122511A JPS5911687A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911687A true JPS5911687A (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=14837656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57122511A Pending JPS5911687A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911687A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03256368A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Seiko Instr Inc | 光電気変換半導体装置及びその製造方法 |
| JP2002141520A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| WO2010118004A1 (en) | 2009-04-08 | 2010-10-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solar cell electrode |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5426676A (en) * | 1977-07-29 | 1979-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP57122511A patent/JPS5911687A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5426676A (en) * | 1977-07-29 | 1979-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03256368A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Seiko Instr Inc | 光電気変換半導体装置及びその製造方法 |
| JP2002141520A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| WO2010118004A1 (en) | 2009-04-08 | 2010-10-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Solar cell electrode |
| US8263858B2 (en) | 2009-04-08 | 2012-09-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Solar cell electrode |
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