JPS59118882A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPS59118882A JPS59118882A JP22686182A JP22686182A JPS59118882A JP S59118882 A JPS59118882 A JP S59118882A JP 22686182 A JP22686182 A JP 22686182A JP 22686182 A JP22686182 A JP 22686182A JP S59118882 A JPS59118882 A JP S59118882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- base plate
- receiver
- collar
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、スパッタ装置に係り、特に対向ターゲット方
式のスパッタ装置に関するものである。
式のスパッタ装置に関するものである。
従来慣用されている対向ターゲット方式のスパッタ装置
例を第１図により説明する。
例を第１図により説明する。
第１図で、減圧排気され、反応ガスが導入される反応室
ｊＱ＋には、電源（図示省略）が接続されたスパッタ電
極１１ ａ 、 １１ ｂと、基板受台１２と、基板受
１３と、シャッタ１４とが内設されている。
ｊＱ＋には、電源（図示省略）が接続されたスパッタ電
極１１ ａ 、 １１ ｂと、基板受台１２と、基板受
１３と、シャッタ１４とが内設されている。
側面をシールド材１５でシールドされたスパッタ電極１
１ａ、ｌｌｂは、所定の空間加を有し、この場合は、上
下方向に対向して設けられている。基板受台１２には、
複数個の基板受１３が配設され、空間加に基板受１３が
対応する位置で基板受台ロッド１６で支持されている。
１ａ、ｌｌｂは、所定の空間加を有し、この場合は、上
下方向に対向して設けられている。基板受台１２には、
複数個の基板受１３が配設され、空間加に基板受１３が
対応する位置で基板受台ロッド１６で支持されている。
シャッタ１４は、基板受１３の空間加に対応する面と対
向し、かつ、反応室ｌＯ外に設置された昇降装置（図示
省略）で昇降可能に設けられている。
向し、かつ、反応室ｌＯ外に設置された昇降装置（図示
省略）で昇降可能に設けられている。
スパッタ電極１１ ａ 、 １１ ｂには、ターゲット
３１１が取付けられ、基板受１３の空間加に対応する面
には、基板３１が添装される。二〇状聾で反応室１０は
所定圧力まで減圧排気され反応ガスが導入される。その
後、スパッタ電極１１ ａ 、 １１ ｂに電源より電
力を供給することで反応ガスはイオン化され、このイオ
ンの衝突によりターゲット３Ｉ＋からは粒子が発せられ
る。初期、いはゆるプリスパッタ時においては、粒子の
放出状態が不安定であるため、昇降装置によりシャッタ
１４を基板３１に対応する位置まで降下させる。その後
、粒子の放出状態が安定した後、昇降装置によりシャッ
タ１４を基板３１と対応しない位置まで上昇させる。こ
れにより、ターゲット漠】から放出された粒子は基板３
１に達し、その後。
３１１が取付けられ、基板受１３の空間加に対応する面
には、基板３１が添装される。二〇状聾で反応室１０は
所定圧力まで減圧排気され反応ガスが導入される。その
後、スパッタ電極１１ ａ 、 １１ ｂに電源より電
力を供給することで反応ガスはイオン化され、このイオ
ンの衝突によりターゲット３Ｉ＋からは粒子が発せられ
る。初期、いはゆるプリスパッタ時においては、粒子の
放出状態が不安定であるため、昇降装置によりシャッタ
１４を基板３１に対応する位置まで降下させる。その後
、粒子の放出状態が安定した後、昇降装置によりシャッ
タ１４を基板３１と対応しない位置まで上昇させる。こ
れにより、ターゲット漠】から放出された粒子は基板３
１に達し、その後。
凝固、イ」着することで基板３１には、膜が形成される
。模形成完丁後、基板３１は反応室１０外へ取出される
。このようなスパッタ装置では、次のような欠点があっ
た。
。模形成完丁後、基板３１は反応室１０外へ取出される
。このようなスパッタ装置では、次のような欠点があっ
た。
（１）基板受への基板の添装時には、基板受台をシャッ
タと共に反応室外へ持出し、基板受への基板の添装完丁
後、基板受台とシャッタとを反応室内に搬入しそれぞれ
所定位置に設置する必要があり、又、基板受からの基板
の除去時には、基板受を基板受台及びシャッタと共に反
応室外へ搬出する必要があるため、基板の基板受への添
装及び除去作業が面倒で、かつ、長時間を要する。
タと共に反応室外へ持出し、基板受への基板の添装完丁
後、基板受台とシャッタとを反応室内に搬入しそれぞれ
所定位置に設置する必要があり、又、基板受からの基板
の除去時には、基板受を基板受台及びシャッタと共に反
応室外へ搬出する必要があるため、基板の基板受への添
装及び除去作業が面倒で、かつ、長時間を要する。
本発明の目的は、基板の基板受への添装及び除去作業を
容易化でき、かつ、作業時間を短縮できるスパッタ装置
を提供することにある、し発明の概要〕 本発明は、基板受に基板添装具を着脱可能に設けたこと
を特徴とするもので、基板の基板受への添装及び除去作
業を基板添装具を介して容易化できるようにしたもので
ある。
容易化でき、かつ、作業時間を短縮できるスパッタ装置
を提供することにある、し発明の概要〕 本発明は、基板受に基板添装具を着脱可能に設けたこと
を特徴とするもので、基板の基板受への添装及び除去作
業を基板添装具を介して容易化できるようにしたもので
ある。
本発明の一実施例第２図、第３図により説明する。
第２図、第３図で対向して設けられたスパッタ電極（図
示省略）が有する空間加に対応して基板受台１２には、
複数個の基板受１３′が配設されている。基板受１３′
には、空間加に対応する側でｆ４４０を有する孔４１が
穿設されている。鍔４０には、この場合、１２０度間隔
で切欠き４２が形成されている。
示省略）が有する空間加に対応して基板受台１２には、
複数個の基板受１３′が配設されている。基板受１３′
には、空間加に対応する側でｆ４４０を有する孔４１が
穿設されている。鍔４０には、この場合、１２０度間隔
で切欠き４２が形成されている。
基板添装具５０の基板３１添装面と反対側には、開切側
から孔４１に挿脱可能な形状の突起５１が形成され。
から孔４１に挿脱可能な形状の突起５１が形成され。
突起５１には、切欠き４２に挿脱可能な形状の爪５２が
、この場合１２０度間隔で設０られている。又、基板受
１３′の基板添装具５０が着脱される側とは反対側に、
爪５２を鍔４０に押付けるバネ６０が設けられている。
、この場合１２０度間隔で設０られている。又、基板受
１３′の基板添装具５０が着脱される側とは反対側に、
爪５２を鍔４０に押付けるバネ６０が設けられている。
基板添装具５０は反応室（図示省略）外へ搬出され、こ
の基板添装具５０には、基板３１が添装される。
の基板添装具５０には、基板３１が添装される。
その後、基板３１が添装された基板添装具５０は、反応
室内に搬入される。爪５２は、バネ６０のバネ力に抗し
て切欠き４２に挿入され鍔４０に沿って切欠き４２と合
致しない位置まで回転させられた後に停止される。これ
により爪５２はｆ！４０に押付けられた状態で固定され
、その結果、基板添装具５０は基板受１３′に取伺けら
れる。尚、この場合、シャッタ（図示省略）は、基板添
装具５０の反応室外への搬出、反応室内への搬入及び基
板受１３’への取付作業を阻害しない位置まで昇降装置
（図示省略）により上昇させられている。
室内に搬入される。爪５２は、バネ６０のバネ力に抗し
て切欠き４２に挿入され鍔４０に沿って切欠き４２と合
致しない位置まで回転させられた後に停止される。これ
により爪５２はｆ！４０に押付けられた状態で固定され
、その結果、基板添装具５０は基板受１３′に取伺けら
れる。尚、この場合、シャッタ（図示省略）は、基板添
装具５０の反応室外への搬出、反応室内への搬入及び基
板受１３’への取付作業を阻害しない位置まで昇降装置
（図示省略）により上昇させられている。
このような作業光ｒ後、基板受１３′に基板添装具５０
を介し添装された基板３１には、従来技術と同様にして
膜が形成される。
を介し添装された基板３１には、従来技術と同様にして
膜が形成される。
膜形成完ｒ後、基板３１が添装された基板添装具５０は
、上記した手順と逆手順により基板受１３′から取外す
され反応室外へ搬出される。その後、基板添装具５０か
らは基板３１が除去される。
、上記した手順と逆手順により基板受１３′から取外す
され反応室外へ搬出される。その後、基板添装具５０か
らは基板３１が除去される。
本実施例のようなスパッタ装置では１次のような効果が
得られる。
得られる。
（１）従来技術のように基板受台及びシャッタを反応室
外へ搬出することなしに、基板添装具のみを反応室外へ
搬出することで、基板添装具を介して基板の基板受への
添装並びに基板受からの除去を行うことができ、従って
、基板の基板受への添装並びに除去作業が容易となると
共に、作業に要する時間を短縮できる。
外へ搬出することなしに、基板添装具のみを反応室外へ
搬出することで、基板添装具を介して基板の基板受への
添装並びに基板受からの除去を行うことができ、従って
、基板の基板受への添装並びに除去作業が容易となると
共に、作業に要する時間を短縮できる。
本発明は、以上説明したように、基板受台に配設された
基板受に基板添装具を着脱可能に設けたことで、基板添
装具のみを反応室外へ搬出することで、基板添装具を介
して基板の基板受への添装並びに基板受からの除去を行
うことができるので、基板の基板受への添装並びに基板
受からの除去作業を容易化できると共に、作業時間を短
縮できる効果がある。
基板受に基板添装具を着脱可能に設けたことで、基板添
装具のみを反応室外へ搬出することで、基板添装具を介
して基板の基板受への添装並びに基板受からの除去を行
うことができるので、基板の基板受への添装並びに基板
受からの除去作業を容易化できると共に、作業時間を短
縮できる効果がある。
第１図は、従来の対向ターゲット方式スパッタ装置の部
分縦断面図、第２図は、本発明による対向ターゲット方
式のスパッタ装置の一実施例を示す基板受周辺部の縦断
面図、第３図は、第２図のＡ−Ａ親王面図である。 １０・・・・・パ１反応室、ｌｌａ、ｌｌｂ・・・・・
スパッタ電極、・・・・鍔、４１・・・・・孔、４２・
・・・・・切欠き、５０・・・・・・基板添装具、５１
・・・・突起、５２・・爪、６０・・・・・・バネオ１
１１２１ ４０１−
分縦断面図、第２図は、本発明による対向ターゲット方
式のスパッタ装置の一実施例を示す基板受周辺部の縦断
面図、第３図は、第２図のＡ−Ａ親王面図である。 １０・・・・・パ１反応室、ｌｌａ、ｌｌｂ・・・・・
スパッタ電極、・・・・鍔、４１・・・・・孔、４２・
・・・・・切欠き、５０・・・・・・基板添装具、５１
・・・・突起、５２・・爪、６０・・・・・・バネオ１
１１２１ ４０１−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 対向ターゲット方式のスパッタ装置において基板受
台に配設された基板受に基板添装具を着脱可能に設けた
ことを特徴とするスパッタ装置。 ２ 財記基板受に切欠きが形成された鍔を有する孔を穿
設し、財記基板添装具に切欠きに挿脱可能、かつ、鍔に
沿って回転可能な爪を設けると共に、該爪を鍔に押付け
るバネを基板受に設けた特許請求の範囲第１項記載のス
パッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22686182A JPS59118882A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22686182A JPS59118882A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59118882A true JPS59118882A (ja) | 1984-07-09 |
| JPS6321750B2 JPS6321750B2 (ja) | 1988-05-09 |
Family
ID=16851715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22686182A Granted JPS59118882A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59118882A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS451931Y1 (ja) * | 1966-05-06 | 1970-01-27 | ||
| JPS56126476U (ja) * | 1980-02-25 | 1981-09-26 |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP22686182A patent/JPS59118882A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS451931Y1 (ja) * | 1966-05-06 | 1970-01-27 | ||
| JPS56126476U (ja) * | 1980-02-25 | 1981-09-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6321750B2 (ja) | 1988-05-09 |
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