JPS59122193A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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Publication number
JPS59122193A
JPS59122193A JP57229039A JP22903982A JPS59122193A JP S59122193 A JPS59122193 A JP S59122193A JP 57229039 A JP57229039 A JP 57229039A JP 22903982 A JP22903982 A JP 22903982A JP S59122193 A JPS59122193 A JP S59122193A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
photoelectric conversion
imaging device
state imaging
color filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57229039A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuo Ishihara
石原 保雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Priority to US06/564,403 priority patent/US4667092A/en
Publication of JPS59122193A publication Critical patent/JPS59122193A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30Coatings
    • H10F77/306Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40Optical elements or arrangements
    • H10F77/413Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は固体撮像装置の感度向上およびカラー撮像装置
の混色防止に関するものである。
一般に固体撮像製置は、半導体基板主面に光電変換部及
び信号読ろ出し部を有するため、有効な光電変換領域と
して100−使用することはできない◇この欠点を解決
する手段として、光電変換領域と信号読み出し領域を分
離したCCD(電荷結合素子)フレーム拳トランスファ
一方式、あるいはCCDインターライン転送方式、  
MOS mti&像素子上に光導電膜を形成し、光14
!変換効率を向上させる構成が提案されている。
しかし、これらの方法はチップサイズの増大、製作の困
#さ、光電変換以外の特性劣化など問題点も多い=o8
らに固体撮像装置をカラー撮像装置に応用する場合、光
電変換領域とカラーフィルタアレーとの目金せずによっ
て生じる混色の問題かあった0 本発明は上に述べた欠点をなくシ、高感度で混色のない
固体撮像装置を提供するものである。
本発明によれば同一半導体基板上にモザイク上に形成さ
れた光電変素子群と、光電咄凛子群で形−換さう れた信号を読み出す手段とかlなる固体撮像装置におい
て、前記光電変換素子群の各光電変換素子J。
に対応し、な721.且つ、この光電変換素子の主面に
色フイルタアレーが形成されてなり、該色フイルタアレ
ー上に感光性樹脂を用いて前記光電変換素子に入射光を
集光させるだめの集光レンズが形成されていることを特
徴とする固体撮像装置が得られる。
次に図面を用いて、本発明について説明する。
第1図〜第4図は本発明の固体撮像装置の一実施例をそ
の製造方法と共に説明するための図で主要工程における
固体撮像装置の断面概念図を示している。
第1図は通常のCODインターライン方式方式固装像装
置面を模式的に示したもので半導体基板lOの主面には
例えばフォトダイオードからなる光電変換領域11が配
置されている。12は光電変換部ρ 埃1゛e光電変換した信号を読み出すCODレジスタメ
領域で、第1図には図示してないが光電変換領域11と
CCDレジスタ12の間には信号電荷の転送を制御する
トランスファゲートが配置されている。
またCODレジスタおよびトランスファゲート領域は例
えばAjのような光を通さない層13で遮光/されてい
る。CODレジスタ詔よびトランスファゲート領域の主
面と遮光層13間には、絶縁層転送電極が配置されてい
るが本発明の動作と関係がないため図示されていない。
第2図は第1図に示したCODインターライン転送方式
に色フィルターを形成した場合の一実施例である。14
は例えばポリビニールアルコール、アクリルなどの可染
性樹脂層で、フォトレジスト技術を用いて、次々に赤1
5、緑16、背17の染料を染め分けたものである。第
3図は、素子表面上にモザイク状あるいはストライプ状
に色フィルターを形成した後、例えば14の可染性樹脂
層あるいはP GMAのような透明で感光性のある樹脂
層18を形成する。樹脂層18は、染色層の保睦膜とし
ての役割も行っている。樹脂層18を被着した後撮像装
置のボンデングパット部上のPGM人を光化学反応を用
いて除去する。
第4図は感光性樹脂層18の表面に入射した光を感光領
域11へ有効に集光するよう形成されたレンズアレーで
19のような凸レンズを形成した一実施例である。
入射光側はレンズ19の曲率半径と樹脂層18の厚さに
より光電変換領域の中に完全に集光することができる0 このように入射光を光電変換部の1点あるいは、小さな
面積上に集光することにより、色フィルタ15.16.
17の目合せがずれても、充分マージンを。
もって混色のない固体撮像装置を得ることができる0 また感光性樹脂層18上に形成するレンズ19の形状は
凸レンズに限定することなく、■溝形あるいは台形構造
により入射光を光電変換領域に集光することもできる。
さらに本発明はCCDフレーム
【図面の簡単な説明】
第1−第4図は本発明の固体撮像装置の一実施例をその
製造方法と共に説明するための図で、各主要工程におけ
る固体撮像装置の断面を模式的に示したものである〇 第1図はCODイン−!−ライン転送方式撮像装置の断
面模式図、第2図は、第1図に示した撮像装置上に色フ
ィルタを形成した断面図、第3図は色フィルター上にさ
らに樹脂層を被着した断面図、第4図樹脂層上に入射光
を集光するレンズを形成した断面図を示す。 IOは基板半導体、IIは光電変換領域、12は信号読
み出し領域、13は遮光層、15,16.17は色フィ
ル夛、18は感光性透明樹脂、19はレンズを示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 同−半導体基板上にモザイク状に形成された光電変換素
    子群と、光電変換素子群で光電変換された信号を読ろ出
    す手段からなる固体撮像装置において、前記充電変換素
    子群の各光電変換素子に対応し、この主面に色フイルタ
    −アレーか形成されてなり、該色フイルタ−アレー上に
    感光性樹脂を用いて前記光を変換素子に入射光を集光さ
    せるための集光レンズが形成きれていることを*aとす
    る固体撮像装置。
JP57229039A 1982-12-28 1982-12-28 固体撮像装置 Pending JPS59122193A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57229039A JPS59122193A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 固体撮像装置
US06/564,403 US4667092A (en) 1982-12-28 1983-12-22 Solid-state image device with resin lens and resin contact layer

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JP57229039A JPS59122193A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 固体撮像装置

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