JPS59126542A - 電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS59126542A JPS59126542A JP145783A JP145783A JPS59126542A JP S59126542 A JPS59126542 A JP S59126542A JP 145783 A JP145783 A JP 145783A JP 145783 A JP145783 A JP 145783A JP S59126542 A JPS59126542 A JP S59126542A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- vacuum
- photosensitive layer
- controlled
- torr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本５？：Ｆ３Ａは温度制御された回転軸罠支持される円
筒状導ｉ性基体上に例えばセレン系材料を蒸着する電子
写真用感光体の郡造方法に関する。
筒状導ｉ性基体上に例えばセレン系材料を蒸着する電子
写真用感光体の郡造方法に関する。
このような真空蒸着は１０ 〜１０ Ｔｏｒｒのよう
に高真空にされた真空槽内で蒸着材料を加熱、蒸発させ
て行われる。得られる感光層は感光体全面にわたってで
きるだけ均一な厚さを有し均質であることが均一な画像
を得るために必要である。
に高真空にされた真空槽内で蒸着材料を加熱、蒸発させ
て行われる。得られる感光層は感光体全面にわたってで
きるだけ均一な厚さを有し均質であることが均一な画像
を得るために必要である。
本発明はこの感光層の均一性をより改善することを目的
とする。
とする。
この目的は真空槽基部に回転可能に支持される温度制御
された支持軸上に導電性基体を嵌着し、その基体を加熱
しながら槽内を１ ｘｉｏ ’ Ｔｏｒｒより高真空に
保持し、次いで真空度を１ｘｔｏ−’〜ｌ×１０ Ｔ
ｏｒｒの範囲に調整して感光層を蒸着することによって
達成される。
された支持軸上に導電性基体を嵌着し、その基体を加熱
しながら槽内を１ ｘｉｏ ’ Ｔｏｒｒより高真空に
保持し、次いで真空度を１ｘｔｏ−’〜ｌ×１０ Ｔ
ｏｒｒの範囲に調整して感光層を蒸着することによって
達成される。
本発明は、基体と支持軸との接触は両者の工作精度の関
係から全面ではな（局部的に過ぎず、そのため高真空槽
内においては温度制御された支持軸から基体への熱伝達
は多くは輻射に頼らざるを得す、十分な熱伝達が得られ
ないため基体温度が均一にならないとの認識から発して
いる。温度の不均一な基体上に蒸着された感光層では均
一な膜厚、膜質は形成できない。本発明は蒸着時の真空
槽内の真空度を低下させることにより、支持軸と基体の
間に気体を介しての対流および伝導による熱伝達が行わ
れるようにし、支持軸から基体への熱伝達を良好にする
ことにより、均一な基体温度およびそれに伴なう均一な
蒸着膜を得るものである。
係から全面ではな（局部的に過ぎず、そのため高真空槽
内においては温度制御された支持軸から基体への熱伝達
は多くは輻射に頼らざるを得す、十分な熱伝達が得られ
ないため基体温度が均一にならないとの認識から発して
いる。温度の不均一な基体上に蒸着された感光層では均
一な膜厚、膜質は形成できない。本発明は蒸着時の真空
槽内の真空度を低下させることにより、支持軸と基体の
間に気体を介しての対流および伝導による熱伝達が行わ
れるようにし、支持軸から基体への熱伝達を良好にする
ことにより、均一な基体温度およびそれに伴なう均一な
蒸着膜を得るものである。
以下図を引用し本発明の笑施例について説明する。第１
図に示す真空槽１は例えば直径１３００ｍ＋１゜長さ１
５００００寸法を有し、基部に支持される直径３００１
１１１の回転支持４Ｉ１２に被蒸着基体３、例えば３０
０朋の内径のアルミニウム管が複数（＠でハｚ個）嵌着
されている。基体３を温度制御される支持軸２を介して
６０℃に加熱し、６回／分で回転させながら蒸発源４よ
り、例えば５ｅ−Ｔｅ合金を蒸発さぜ、各基体３０表面
に蒸着膜を形成する。蒸発源４と基体３との距離は約３
００闘である。本発明によりその吸排気管５に取り付け
である真空調整羽根６を用いて真空度を１×１０〜１ｘ
１０ Ｔｏｒｒの間に調整する。真空度の調整は真空
調整羽根６によるだけでなく、排気管５に接続された油
拡散ポンプの停止あるいは油拡散ポンプの油蒸発速度の
制御などによって行うこともできる。
図に示す真空槽１は例えば直径１３００ｍ＋１゜長さ１
５００００寸法を有し、基部に支持される直径３００１
１１１の回転支持４Ｉ１２に被蒸着基体３、例えば３０
０朋の内径のアルミニウム管が複数（＠でハｚ個）嵌着
されている。基体３を温度制御される支持軸２を介して
６０℃に加熱し、６回／分で回転させながら蒸発源４よ
り、例えば５ｅ−Ｔｅ合金を蒸発さぜ、各基体３０表面
に蒸着膜を形成する。蒸発源４と基体３との距離は約３
００闘である。本発明によりその吸排気管５に取り付け
である真空調整羽根６を用いて真空度を１×１０〜１ｘ
１０ Ｔｏｒｒの間に調整する。真空度の調整は真空
調整羽根６によるだけでなく、排気管５に接続された油
拡散ポンプの停止あるいは油拡散ポンプの油蒸発速度の
制御などによって行うこともできる。
第２図は真空度制御のチャートである。真空度は最初か
ら１ ｘ １０ Ｔｏｒｒ 〜１ ｘｌＯＴｏｒｒに
するのではなく、図示のように最初の期間２１にお（・
ては１ｘｌＯＴｏｒｒに保持してから勇分間保持する。
ら１ ｘ １０ Ｔｏｒｒ 〜１ ｘｌＯＴｏｒｒに
するのではなく、図示のように最初の期間２１にお（・
ては１ｘｌＯＴｏｒｒに保持してから勇分間保持する。
これは蒸着中に被蒸着基体であるアルミニウム素管の表
面孔から吸蔵ガスが出て感光層に突沸あるいは吹き出し
による凸凹が生ずるのを防ぐためである。その後期間２
２において真空度をｌＸｌ０ ＴｏｒｒからＩＸＬＯ
Ｔｏｒｒの間に制御してセレン蒸着を行う。このように
して基体３の蒸着中の温度を均一にした結果、均一な感
光層を得ることができた。
面孔から吸蔵ガスが出て感光層に突沸あるいは吹き出し
による凸凹が生ずるのを防ぐためである。その後期間２
２において真空度をｌＸｌ０ ＴｏｒｒからＩＸＬＯ
Ｔｏｒｒの間に制御してセレン蒸着を行う。このように
して基体３の蒸着中の温度を均一にした結果、均一な感
光層を得ることができた。
第３図は低真空における熱伝達の向上を示す実験の結果
である。２１０℃に温度制御した支持軸上にアルミニウ
ム管を嵌着し、槽内の圧力を期間３１においては大気圧
、期間３２におい−（は１ メｌ［）”Ｉ”ｏｒｒに保
ち、期間あにおいてはＩ Ｘ １０ Ｔｏｒｒに真空
度を高めた。これより低真空においては、外部への熱放
散を抑止しながら支持軸からの良好な熱伝達が得られる
ことを確認できる。
である。２１０℃に温度制御した支持軸上にアルミニウ
ム管を嵌着し、槽内の圧力を期間３１においては大気圧
、期間３２におい−（は１ メｌ［）”Ｉ”ｏｒｒに保
ち、期間あにおいてはＩ Ｘ １０ Ｔｏｒｒに真空
度を高めた。これより低真空においては、外部への熱放
散を抑止しながら支持軸からの良好な熱伝達が得られる
ことを確認できる。
さらに本発明の別の効果として蒸着材料の付着効率の向
上を挙げることができる。すなわち高真空下の蒸着では
蒸発した蒸着材料の蒸気が多（排気されてしまうことに
より付着効率が低下する。
上を挙げることができる。すなわち高真空下の蒸着では
蒸発した蒸着材料の蒸気が多（排気されてしまうことに
より付着効率が低下する。
しかし真空度を下げることにより第４囚に示すよ５に付
着効率は向上し、３倍以上の付着効率が得Ｃ〕れた。
着効率は向上し、３倍以上の付着効率が得Ｃ〕れた。
以上述べたよ５に、本発明は′成子写真用感光体の感光
層の蒸着の際の真空度を低下させることにより被蒸着基
体の温度の均一化とそれに伴なう感光層の膜厚、膜質の
均一化および蒸着材料の付着効率の向上を達成するもの
で、特にセレン感光体のｐＨＨ迅において得られる効果
は珍めて大きい。
層の蒸着の際の真空度を低下させることにより被蒸着基
体の温度の均一化とそれに伴なう感光層の膜厚、膜質の
均一化および蒸着材料の付着効率の向上を達成するもの
で、特にセレン感光体のｐＨＨ迅において得られる効果
は珍めて大きい。
第１図は本発明の一実施例のための真空蒸着装置の断面
図、筑２図は本発明の一実施例の真空度制御イ・ヤード
図、第３図Ｇ′ｉ頁空贋と温度伝達の関侶を示す実験の
基体温度対時間ｒＩＡ係線回線図４図はセレ：・材料の
付着効率対真空度関係線図である。 １・・・真空槽、２・・・回転軸、３・・・感光体基体
、４・・・蒸発源、５・・・排気管、６・・・真空調整
羽根。 ３１１ オ １ 図 ｔｚ 閉 才 ３ 図
図、筑２図は本発明の一実施例の真空度制御イ・ヤード
図、第３図Ｇ′ｉ頁空贋と温度伝達の関侶を示す実験の
基体温度対時間ｒＩＡ係線回線図４図はセレ：・材料の
付着効率対真空度関係線図である。 １・・・真空槽、２・・・回転軸、３・・・感光体基体
、４・・・蒸発源、５・・・排気管、６・・・真空調整
羽根。 ３１１ オ １ 図 ｔｚ 閉 才 ３ 図
Claims (1)
- １）真空槽基部に回転可能に支持される温度制御された
支持軸上に導電性基体を嵌着し、該基体を加熱しながＩ
−１楠内を１ｘｌＯＴｏｒｒより高真空に保持し、次（
・で真空度をＩ ＸＩＯ’ 〜Ｉ ＸＩＯ’Ｔｏｒｒの
範囲に調整して感光層を蒸着することを特徴とする電子
写真用感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP145783A JPS59126542A (ja) | 1983-01-08 | 1983-01-08 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP145783A JPS59126542A (ja) | 1983-01-08 | 1983-01-08 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59126542A true JPS59126542A (ja) | 1984-07-21 |
Family
ID=11501977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP145783A Pending JPS59126542A (ja) | 1983-01-08 | 1983-01-08 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59126542A (ja) |
-
1983
- 1983-01-08 JP JP145783A patent/JPS59126542A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3234617B2 (ja) | 熱処理装置用基板支持具 | |
| JPH02186622A (ja) | サセプタ | |
| JPH08203836A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2682476B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| US3984585A (en) | Vacuum evaporation plating method | |
| JPH03183778A (ja) | 堆積膜形成方法及びその装置 | |
| JP2977659B2 (ja) | シャドーマスクのアンチドーミング材の蒸着方法 | |
| JPS63317676A (ja) | 無粒構造金属化合物薄膜の製造方法 | |
| CN116083884A (zh) | 加热组件、热处理设备及基片处理方法 | |
| KR20040040604A (ko) | 박막 증착 방법 및 그 장치 | |
| JP2764416B2 (ja) | サセプタ | |
| JPS6240366A (ja) | 電子ビ−ム蒸着装置 | |
| JP2844779B2 (ja) | 膜形成方法 | |
| JPH11106902A (ja) | 光学薄膜成膜装置 | |
| JPS61186472A (ja) | 蒸着非結晶膜製造装置 | |
| CN116926476A (zh) | 一种真空镀膜装置及真空镀膜方法 | |
| JP2705314B2 (ja) | 気相法薄膜作製装置による薄膜作製方法 | |
| CN117778997A (zh) | 加热石墨组件和反应室 | |
| JPS58225633A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| CN119913609A (zh) | 一种改进外延工艺片内均一性的基座和方法及外延设备 | |
| JPH05339707A (ja) | 真空蒸着における膜厚均一化方法 | |
| JP2025513602A (ja) | 管状スパッタカソードを有するマグネトロンスパッタリングシステムおよび層の厚さを制御するための方法 | |
| JPH03290669A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
| JP2001081549A (ja) | 電子ビーム蒸着方法 | |
| JP2000003058A (ja) | 電子写真用感光体およびその製造方法 |