JPS59126624A - 半導体薄膜の形成装置 - Google Patents
半導体薄膜の形成装置Info
- Publication number
- JPS59126624A JPS59126624A JP58001915A JP191583A JPS59126624A JP S59126624 A JPS59126624 A JP S59126624A JP 58001915 A JP58001915 A JP 58001915A JP 191583 A JP191583 A JP 191583A JP S59126624 A JPS59126624 A JP S59126624A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- thin film
- semiconductor thin
- solid
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、基板面上にシリコン分子流によって半導体
薄膜を形成１−るための半導体薄膜の形成装置に関する
。
薄膜を形成１−るための半導体薄膜の形成装置に関する
。
基板面上にシリコン半導体薄膜を形成するためには、固
相シリコンを浴融して発生されるシリコン蒸気によシリ
コン分子流を発生させ、このシリコン分子流を基板面に
当てるようにしている。
相シリコンを浴融して発生されるシリコン蒸気によシリ
コン分子流を発生させ、このシリコン分子流を基板面に
当てるようにしている。
このようなシリコン分子流を発生させｚ、ｆＣめの固相
シリコンの溶融手段としては、例えば電子ビーム衝撃に
よる溶融法、あるいは抵抗加熱による溶融法が知られて
いる。しかし、これらの溶融法の問題点は、固相シリコ
ンの支持体から溶融シリコンへの不純物の混入がおこシ
ーすなわちシリコン分子流に不純物が存在する状態とな
シ、高純度のシリコン半導体薄膜を形成させることが困
難となることである。
シリコンの溶融手段としては、例えば電子ビーム衝撃に
よる溶融法、あるいは抵抗加熱による溶融法が知られて
いる。しかし、これらの溶融法の問題点は、固相シリコ
ンの支持体から溶融シリコンへの不純物の混入がおこシ
ーすなわちシリコン分子流に不純物が存在する状態とな
シ、高純度のシリコン半導体薄膜を形成させることが困
難となることである。
この発明は、上記のような点に鑑みなされたもので、固
相シリコンを溶融する際に、特に固相シリコンの支持体
からの不純物の混入を効果的に阻止し、高純度のシリコ
ン半導体薄＠が生成されるようにする半導体薄膜の形成
装置を提供しようとするものである。
相シリコンを溶融する際に、特に固相シリコンの支持体
からの不純物の混入を効果的に阻止し、高純度のシリコ
ン半導体薄＠が生成されるようにする半導体薄膜の形成
装置を提供しようとするものである。
すなわち、この発明に係る半導体薄膜の形成装置は、支
持体で支持された固相シリコンに対して、局所的にレー
ザビームを照射し、同相シリコンを局所的に加熱溶融し
てシリコン蒸気を発生させ、このシリコン蒸気によって
イオン化あるいは非イオン化のシリ・コン分子流を発生
させるようにするものである。
持体で支持された固相シリコンに対して、局所的にレー
ザビームを照射し、同相シリコンを局所的に加熱溶融し
てシリコン蒸気を発生させ、このシリコン蒸気によって
イオン化あるいは非イオン化のシリ・コン分子流を発生
させるようにするものである。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。添
付図面は非イオン化シリコン分子流を発生する場合の例
について示すもので、真空室１１内に位置して例えばグ
ラファイトによって容器状に構成される固相シリコン支
持体１２を設ける。この固相シリコン支持体１２は、上
方にシリコン分子−流を生じさせるノズル１３を肩する
もので、その内部に固相シリコン１４を収納支持する。
付図面は非イオン化シリコン分子流を発生する場合の例
について示すもので、真空室１１内に位置して例えばグ
ラファイトによって容器状に構成される固相シリコン支
持体１２を設ける。この固相シリコン支持体１２は、上
方にシリコン分子−流を生じさせるノズル１３を肩する
もので、その内部に固相シリコン１４を収納支持する。
そして、との固相シリコン支持体１２は、その外周部に
設けた冷却用・ぐイブ１５に冷却水を通すことによって
、常時冷却設定されるようにする。
設けた冷却用・ぐイブ１５に冷却水を通すことによって
、常時冷却設定されるようにする。
この同相シリコン支持体１２の側壁および真空室１ノの
側壁には、１つの直線上に並ぶようにして、それぞれ石
英ガラスでなるレーザビーム透過用の窓１６．１７が設
けられる。また、この窓１６．１７を通る直線上に位置
して、真空室１１の外部に、Ｎｄ −ＹＡＧレーザ発生
装置１８、非線型結晶体１９および反射鏡２０が配置設
定されている。すなわち、レーザ発生装置１８で発生さ
れたレーザビームは、非線型結晶体１９、反射鏡２０．
さらに窓１７．１６を介して固相シリコン１４０表面中
央部に対して、局所的に照射されるようにする。
側壁には、１つの直線上に並ぶようにして、それぞれ石
英ガラスでなるレーザビーム透過用の窓１６．１７が設
けられる。また、この窓１６．１７を通る直線上に位置
して、真空室１１の外部に、Ｎｄ −ＹＡＧレーザ発生
装置１８、非線型結晶体１９および反射鏡２０が配置設
定されている。すなわち、レーザ発生装置１８で発生さ
れたレーザビームは、非線型結晶体１９、反射鏡２０．
さらに窓１７．１６を介して固相シリコン１４０表面中
央部に対して、局所的に照射されるようにする。
ここで、上記レーザ発生装置１８においては、波長１．
０６ ｍｍのレーザビームＡを発生するもので、このレ
ーザビームＡは非線型結晶体１９を通シ、レーザビーム
Ａの第２高調波となる波長０、５３ ｍｒｎのレーザビ
ームＢとされる。そして、この第２高調波のレーザビー
ムのみが、反射鏡２０を介してレーザビームＣとして取
シ出され、窓１７．１６を介して固相シリコン１４を局
り的に照射し、局所的に加熱して溶融シリコン２１を生
成するようになる。この溶融シリコン２１よシ発生され
たシリコン蒸気２２は、同相シリコン支持体１２内に充
満され、圧力が高められてノズル１３から噴出するよう
になる。すなわち、断熱膨張によって非イオン化シリコ
ン分子流２３が生成され、真空室１１内で上記ノズル１
３に対向する位置に設定された基板２４の面に、シリコ
ン半導体薄膜が形成されるようになる。
０６ ｍｍのレーザビームＡを発生するもので、このレ
ーザビームＡは非線型結晶体１９を通シ、レーザビーム
Ａの第２高調波となる波長０、５３ ｍｒｎのレーザビ
ームＢとされる。そして、この第２高調波のレーザビー
ムのみが、反射鏡２０を介してレーザビームＣとして取
シ出され、窓１７．１６を介して固相シリコン１４を局
り的に照射し、局所的に加熱して溶融シリコン２１を生
成するようになる。この溶融シリコン２１よシ発生され
たシリコン蒸気２２は、同相シリコン支持体１２内に充
満され、圧力が高められてノズル１３から噴出するよう
になる。すなわち、断熱膨張によって非イオン化シリコ
ン分子流２３が生成され、真空室１１内で上記ノズル１
３に対向する位置に設定された基板２４の面に、シリコ
ン半導体薄膜が形成されるようになる。
すなわち、上記のように構成される装置にあっては、固
相シリコン１４の一部分が、局所的に加熱溶融されるよ
うになる。したがって、固相シリコン支持体１２と接す
る部分の固相シリコン１４は溶融状態とならず、溶融シ
リコン２ノと支持体１２とが接触することはなく、支持
体１２から溶融シリコン２１に不純物が混入することは
ない。したがって、特に固相シリコン支持体と溶融シリ
コンとの反応を考慮して、支持体の材料を選定する必要
がなく、高純度のシリコン半導体薄膜が確実に生成され
るようになるものである。
相シリコン１４の一部分が、局所的に加熱溶融されるよ
うになる。したがって、固相シリコン支持体１２と接す
る部分の固相シリコン１４は溶融状態とならず、溶融シ
リコン２ノと支持体１２とが接触することはなく、支持
体１２から溶融シリコン２１に不純物が混入することは
ない。したがって、特に固相シリコン支持体と溶融シリ
コンとの反応を考慮して、支持体の材料を選定する必要
がなく、高純度のシリコン半導体薄膜が確実に生成され
るようになるものである。
尚、上記実施例では、固相シリコン部にレーザビームを
導入するために、支持体１２および真空室１１にそれぞ
れ窓１６．１７を設けたが、これらの窓は石英ガラスに
よシ一体化して構成してもよいものである。
導入するために、支持体１２および真空室１１にそれぞ
れ窓１６．１７を設けたが、これらの窓は石英ガラスに
よシ一体化して構成してもよいものである。
また、噴出シリコン分子流２３を、イオン化シリコン分
子流とするためには、固相シリコン支持体１２のノズル
１３の上方に、電子放出のためのヒータ、および電子を
分子流に衝突させるための電子加速電極を設けるように
すればよいものである。
子流とするためには、固相シリコン支持体１２のノズル
１３の上方に、電子放出のためのヒータ、および電子を
分子流に衝突させるための電子加速電極を設けるように
すればよいものである。
以上のようにこの発明によれば、固相シリコンが局所的
に加熱溶融され、シリコン蒸気が発生されるようにして
、溶融シリコンが固相シリコン支持体に接触することを
効果的に阻止する状態とされる。したがって、支持体等
からシリコン蒸気に対して不純物が混入される状態を確
実に阻止し得るものでアシ、高純度のシリコン半導体薄
膜が安定して形成されるようになるものである。
に加熱溶融され、シリコン蒸気が発生されるようにして
、溶融シリコンが固相シリコン支持体に接触することを
効果的に阻止する状態とされる。したがって、支持体等
からシリコン蒸気に対して不純物が混入される状態を確
実に阻止し得るものでアシ、高純度のシリコン半導体薄
膜が安定して形成されるようになるものである。
添付図面はこの発明の一実施例に係る半導体薄膜の形成
装置を説明するだめの構成図でおる０１１・・・真空室
、１２・・・固相シリコン支持体、１３・・・ノズル、
１４・・・固相シリコン、１８・・・レーザ発生装置、
２ノ・・・溶融シリコン、２３・・・シリコン分子流、
２４・・・基板。
装置を説明するだめの構成図でおる０１１・・・真空室
、１２・・・固相シリコン支持体、１３・・・ノズル、
１４・・・固相シリコン、１８・・・レーザ発生装置、
２ノ・・・溶融シリコン、２３・・・シリコン分子流、
２４・・・基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ジ 真空室内に設置され上町にシリコン分子流生成のだめの
ノズルを有する同相シリコン支持体と、この支持体で支
持された固相シリコンに対して局所的にレーザビームを
照射し固相シリコンを局所的に加熱溶融する手段とを具
備し、上記檄溶融されたシリコンからのシリコン蒸気を
上記ノズルから噴出させ、その噴出シリコン分子流で上
記真空室内に設置された基板面に薄膜を形成させるよう
にしたことを特徴とする半導体薄膜の形成装量。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58001915A JPS59126624A (ja) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | 半導体薄膜の形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58001915A JPS59126624A (ja) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | 半導体薄膜の形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59126624A true JPS59126624A (ja) | 1984-07-21 |
Family
ID=11514875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58001915A Pending JPS59126624A (ja) | 1983-01-10 | 1983-01-10 | 半導体薄膜の形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59126624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172715A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | 分子線発生装置 |
-
1983
- 1983-01-10 JP JP58001915A patent/JPS59126624A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172715A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | 分子線発生装置 |
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