JPS59129465A - 光センサアレイ装置 - Google Patents
光センサアレイ装置Info
- Publication number
- JPS59129465A JPS59129465A JP58004954A JP495483A JPS59129465A JP S59129465 A JPS59129465 A JP S59129465A JP 58004954 A JP58004954 A JP 58004954A JP 495483 A JP495483 A JP 495483A JP S59129465 A JPS59129465 A JP S59129465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- thin film
- section
- semiconductor thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリ、複写機などに適用される光セ
ンサアレイ装置に関するものである。
ンサアレイ装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、この種の光センサアレイ装置としては、シリコン
単結晶基板上にＩＣ製造技術を利用して形成されたＭＯ
８素子などが用いられている。ところがこのような従来
のものでは、単結晶基板を使用する必要上、そのサイズ
は８０ｍｍ程度が限界となっている。このため、このよ
うな装置で原稿を読み取る場合、レンズ等の光学装置に
よって像を縮小しなければならず、装置が大型化すると
同時に高価につくという欠点がある。
単結晶基板上にＩＣ製造技術を利用して形成されたＭＯ
８素子などが用いられている。ところがこのような従来
のものでは、単結晶基板を使用する必要上、そのサイズ
は８０ｍｍ程度が限界となっている。このため、このよ
うな装置で原稿を読み取る場合、レンズ等の光学装置に
よって像を縮小しなければならず、装置が大型化すると
同時に高価につくという欠点がある。
このような欠点を除くため、ガラスなどの基板上に形成
された半導体薄膜に適当な電極を配置してなる光センサ
アレイが考案されている。これによると、原稿長と同寸
法の光センサアレイ装置を作製することが可、能となり
、縮小光学系を用いないですむため、装置全体を小型化
できる。
された半導体薄膜に適当な電極を配置してなる光センサ
アレイが考案されている。これによると、原稿長と同寸
法の光センサアレイ装置を作製することが可、能となり
、縮小光学系を用いないですむため、装置全体を小型化
できる。
しかしながら、この種の光センサアレイ装置では、半導
体薄膜をはさんでサンドイッチ状に電極を配置する場合
に、半導体薄膜上に形成された電極は、半導体薄膜の厚
みによって生じた段差を降りて基板上の配線と結線され
る必要があるが、この段差部分で断線を生じ易く、分留
りが悪くまた信頼性に欠けるという間層を有し゛ている
。
体薄膜をはさんでサンドイッチ状に電極を配置する場合
に、半導体薄膜上に形成された電極は、半導体薄膜の厚
みによって生じた段差を降りて基板上の配線と結線され
る必要があるが、この段差部分で断線を生じ易く、分留
りが悪くまた信頼性に欠けるという間層を有し゛ている
。
発明の目的
本発明は、上記断線原因を除き、分留りおよび信頼性の
高い光センサアレイ装置を提供しようとするものである
。
高い光センサアレイ装置を提供しようとするものである
。
発明の構成
本発明の光センサアレイ装置は、複数の電極対が形成さ
れている透明基板上における各電極対ごとに半導体薄膜
を形成し、前記各電極対の一方の電極上に存在する半導
体薄膜部分に、この半導体薄膜の他の部分よりも光導時
の抵抗値を小さくさせる不純物を高濃度に拡散させ、前
記半導体薄膜上のそれぞれの電極に対応する位置を橋絡
させる導電性膜を形成したものである。
れている透明基板上における各電極対ごとに半導体薄膜
を形成し、前記各電極対の一方の電極上に存在する半導
体薄膜部分に、この半導体薄膜の他の部分よりも光導時
の抵抗値を小さくさせる不純物を高濃度に拡散させ、前
記半導体薄膜上のそれぞれの電極に対応する位置を橋絡
させる導電性膜を形成したものである。
実施例の説明
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は本発明の光センサアレイ装置の一実施例の受光
素子の一つの断面の模式図である。ここで（１）は透明
基板としてのガラス基板であり、この基板（１）上には
、電極対としてのＩｎ２Ｏ３透明電極（２）と、Ｎｉ電
極（３）とが形成されている。（４）は両電極（２）（
３）上にわたって形成された半導体薄膜としてのＣｄＴ
ｅ薄膜である。Ｎｉ電極（３）上に存在するＣｄＴｅ薄
膜（４）部分には、このＮｉ電極（３）上のＣｄＴｅ薄
膜（４）部分の光導時の抵抗値をＣｄＴｅ薄膜（４）の
他の部分のそれよりも小さくさせる不純物（５）（本実
施例ではＣｕ Ｔｅを用いた）を高濃度に拡散させてい
る（以後この部分を「拡散部分（６）」と称する）。（
７）はＣｄＴｅ薄膜（４）上における両電極（２） （
３）位置を橋絡させるように形成された導電性膜であり
、電極として作用するものであって、本実施例ではＳｎ
を用いた。ＣｄＴｅＮ膜（４）とＳｎによる導電性膜（
７）とは、ともに蒸着法により形成され、その時の蒸着
温度はＣｄＴｅ薄膜（４）では４８０８Ｃ１導電性膜（
７）では１７０°Ｃとした。
素子の一つの断面の模式図である。ここで（１）は透明
基板としてのガラス基板であり、この基板（１）上には
、電極対としてのＩｎ２Ｏ３透明電極（２）と、Ｎｉ電
極（３）とが形成されている。（４）は両電極（２）（
３）上にわたって形成された半導体薄膜としてのＣｄＴ
ｅ薄膜である。Ｎｉ電極（３）上に存在するＣｄＴｅ薄
膜（４）部分には、このＮｉ電極（３）上のＣｄＴｅ薄
膜（４）部分の光導時の抵抗値をＣｄＴｅ薄膜（４）の
他の部分のそれよりも小さくさせる不純物（５）（本実
施例ではＣｕ Ｔｅを用いた）を高濃度に拡散させてい
る（以後この部分を「拡散部分（６）」と称する）。（
７）はＣｄＴｅ薄膜（４）上における両電極（２） （
３）位置を橋絡させるように形成された導電性膜であり
、電極として作用するものであって、本実施例ではＳｎ
を用いた。ＣｄＴｅＮ膜（４）とＳｎによる導電性膜（
７）とは、ともに蒸着法により形成され、その時の蒸着
温度はＣｄＴｅ薄膜（４）では４８０８Ｃ１導電性膜（
７）では１７０°Ｃとした。
以上のように構成された本実施例の光センサアレイ装置
の動作について、以下に説明する。まず、光感知部はＩ
ｎ２Ｏ３透明電極（２）と導電性膜（７）とによりはさ
まれたＣｄＴｅ薄膜（４）部分であり、入射光（８）に
よって光電導を示す。電流は、Ｎｉ電極（３）、拡散部
分（６）、導電性膜（７） 、 ＣｄＴｅ薄膜（’）
ｒ Ｉ ｎ ２．０３透明電極（２）の経路で流れ、Ｃ
ｄＴｅの光電導による電流の増減により光信号を電気信
号に変換する。前述のように拡散部分（６）の抵抗はＣ
ｄＴｅ薄膜（４）の光電温時の抵抗値より小さくする必
要があり、本実施例ではＣｕＴｅを蒸着後熱処理して拡
散させることにより、十分その目的を達成している。
の動作について、以下に説明する。まず、光感知部はＩ
ｎ２Ｏ３透明電極（２）と導電性膜（７）とによりはさ
まれたＣｄＴｅ薄膜（４）部分であり、入射光（８）に
よって光電導を示す。電流は、Ｎｉ電極（３）、拡散部
分（６）、導電性膜（７） 、 ＣｄＴｅ薄膜（’）
ｒ Ｉ ｎ ２．０３透明電極（２）の経路で流れ、Ｃ
ｄＴｅの光電導による電流の増減により光信号を電気信
号に変換する。前述のように拡散部分（６）の抵抗はＣ
ｄＴｅ薄膜（４）の光電温時の抵抗値より小さくする必
要があり、本実施例ではＣｕＴｅを蒸着後熱処理して拡
散させることにより、十分その目的を達成している。
このように本発明では、ＣｄＴｅ薄膜（４）の厚みによ
る段差部分の断線の原因を取り除き、信頼性の高い結線
を可能とするものであるが、特に多数の受光素子からな
る光センサアレイにおいて、このような断線事故を減少
させることは分留りを向上させる上で大きな効果があ゛
る。上記構成による受光素子の多数をマトリクス配線に
よって結線した光センサアレイ装置の等価回路を第２図
に示す。ここで（９）は光電導によるＣｄＴｅ光感知部
である。また（１０は逆漏れ防止ダイオードであり、こ
のようなマトリクス配線を行なう場合に必要となるが、
本実施例ではＣｄＴｅ薄膜（４）とＳｎによる導電性膜
（７）との間の整流性を利用している。０１）はロー電
極端子、＠はコラム電極端子であり、各受光素子の信号
を取り出すことができる。
る段差部分の断線の原因を取り除き、信頼性の高い結線
を可能とするものであるが、特に多数の受光素子からな
る光センサアレイにおいて、このような断線事故を減少
させることは分留りを向上させる上で大きな効果があ゛
る。上記構成による受光素子の多数をマトリクス配線に
よって結線した光センサアレイ装置の等価回路を第２図
に示す。ここで（９）は光電導によるＣｄＴｅ光感知部
である。また（１０は逆漏れ防止ダイオードであり、こ
のようなマトリクス配線を行なう場合に必要となるが、
本実施例ではＣｄＴｅ薄膜（４）とＳｎによる導電性膜
（７）との間の整流性を利用している。０１）はロー電
極端子、＠はコラム電極端子であり、各受光素子の信号
を取り出すことができる。
なお、上記実施例では半導体薄膜（４）としてＣｄＴｅ
。
。
拡散材料としての不純物（５）としてＣｕＴｅを用いた
が、これらの材料に限定されるものではなく、薄膜とし
て形成し得る半導体に適当な拡散材料を組み合わせるこ
とにより広く適用できる。
が、これらの材料に限定されるものではなく、薄膜とし
て形成し得る半導体に適当な拡散材料を組み合わせるこ
とにより広く適用できる。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明は、半導体薄膜の
一部に金属等を拡散させることによりその導電性を向上
させ、半導体薄膜上部に形成されている導電性膜と基板
上に形成されている引き出し用の電極との間を信頼性高
く結線することを可能にし、従来段差部分などで生じて
いた断線の原因を取り除くことにより、光センサアレイ
装置の分留りを向上させ、ひいてはコストを低減するこ
とができる。゛
一部に金属等を拡散させることによりその導電性を向上
させ、半導体薄膜上部に形成されている導電性膜と基板
上に形成されている引き出し用の電極との間を信頼性高
く結線することを可能にし、従来段差部分などで生じて
いた断線の原因を取り除くことにより、光センサアレイ
装置の分留りを向上させ、ひいてはコストを低減するこ
とができる。゛
第１図は本発明の一実施例に、おける受光素子の断面模
式図、第２図はマトリクス配線による光センサアレイ装
置の等価回路図である。 （１）・・・ガラス基板（透明基板） 、 （２）・・
・Ｉｎ２Ｏ３透明電極（電極対） 、 （３）・・・Ｎ
ｉ電極（電極対’） 、 （４）・・・ＣｄＴｅ薄膜（
半導体薄膜） 、 （Ｉｉ）・・・不純物、（６）・・
・拡散部分、（７）・・・導電性膜 代理人 森本義弘
式図、第２図はマトリクス配線による光センサアレイ装
置の等価回路図である。 （１）・・・ガラス基板（透明基板） 、 （２）・・
・Ｉｎ２Ｏ３透明電極（電極対） 、 （３）・・・Ｎ
ｉ電極（電極対’） 、 （４）・・・ＣｄＴｅ薄膜（
半導体薄膜） 、 （Ｉｉ）・・・不純物、（６）・・
・拡散部分、（７）・・・導電性膜 代理人 森本義弘
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 複数の電極対が形成されている透明基板上におけ
る各電極対ごとに半導体薄膜を形成し、前記各電極対の
一方の電極上に存在する半導体薄膜部分に、この半導体
薄膜の他の部分よりも先導時の抵抗値を小さくさせる不
純物を高濃度に拡散させ、前記半導体薄膜上のそれぞれ
の電極に対応する位置を橋絡させる導電性膜を形成した
ことを特徴とする光センサアレイ装置。 ２、半導体薄膜が、テルル化カドミウムまたはテルル化
カドミウムを含む化合物半導体であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の光センサアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58004954A JPS59129465A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 光センサアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58004954A JPS59129465A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 光センサアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129465A true JPS59129465A (ja) | 1984-07-25 |
Family
ID=11597966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58004954A Pending JPS59129465A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | 光センサアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129465A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5130485A (ja) * | 1974-09-09 | 1976-03-15 | Fujitsu Ltd | |
| JPS56129581A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-09 | Toshiba Corp | Inverter |
-
1983
- 1983-01-13 JP JP58004954A patent/JPS59129465A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5130485A (ja) * | 1974-09-09 | 1976-03-15 | Fujitsu Ltd | |
| JPS56129581A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-09 | Toshiba Corp | Inverter |
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