JPS5913000B2 - 像変換素子 - Google Patents
像変換素子Info
- Publication number
- JPS5913000B2 JPS5913000B2 JP47059283A JP5928372A JPS5913000B2 JP S5913000 B2 JPS5913000 B2 JP S5913000B2 JP 47059283 A JP47059283 A JP 47059283A JP 5928372 A JP5928372 A JP 5928372A JP S5913000 B2 JPS5913000 B2 JP S5913000B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- layer
- substrate
- conversion element
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線像を可視像に変換することを目的とし、Ｘ
線像を直接充分な輝度を持つ可視像にし、かつ安全にこ
れを見ることができるＸ線可視変換素子に関するもので
ある。
線像を直接充分な輝度を持つ可視像にし、かつ安全にこ
れを見ることができるＸ線可視変換素子に関するもので
ある。
本来ネマティック電界効果型液晶は、電界の付与によつ
て液晶が散乱を生じ、これを電界が印加されていない非
散乱部分と比較することにより、文字、記号等の光学像
のパターン認識別できるものであるが、それ自体が発光
するものではなく、外光によつて表示像を見分けること
ができるものである。
て液晶が散乱を生じ、これを電界が印加されていない非
散乱部分と比較することにより、文字、記号等の光学像
のパターン認識別できるものであるが、それ自体が発光
するものではなく、外光によつて表示像を見分けること
ができるものである。
従つて周囲の光による照明、採光によつて表示物の識別
が左右され、これは強い外光によつて充分な輝度の光学
像を得る手段となるものである。本発明ではこの特徴を
活して有効なＸ線可視変換素子を実現したものである。
従来Ｘ線を直接可視化し得る手段としては、螢光体が最
もよく知られ、又多く使われてきたが、これは充分な輝
度を得ることが難しく、又鮮明度も次分なものを得るこ
とが難しかつた。
が左右され、これは強い外光によつて充分な輝度の光学
像を得る手段となるものである。本発明ではこの特徴を
活して有効なＸ線可視変換素子を実現したものである。
従来Ｘ線を直接可視化し得る手段としては、螢光体が最
もよく知られ、又多く使われてきたが、これは充分な輝
度を得ることが難しく、又鮮明度も次分なものを得るこ
とが難しかつた。
これに対し最近電場発光材を用いたものが考案されたが
、この場合でも周囲が充分明るい雰囲気ではその外光に
よる電場発光体やその支持体等の散乱反射によつて充分
なコントラストを持つたものが得られない欠点を有して
いた。更に像増巾器として知られるマイクロチャンネル
プレートのようなもの、撮像管からＴＶ画像へ変換する
もの等があるが、これ等は実用化が困難であつたり、解
像力が不充分だつたり、又本質的に発光体を用いること
から、外光によつてコントラストの低下を招く欠点を有
していた。本発明によるＸ線可視変換素子はこれ等の欠
点を取除き、本発明者らが既に開発した像変換素子の原
理に係はり、外光によつて極めて見易い像となる受光型
の像表示を行ラもので、直接見たり、拡大投影を行つた
り、写真撮影等を容易にならしめるものである。
、この場合でも周囲が充分明るい雰囲気ではその外光に
よる電場発光体やその支持体等の散乱反射によつて充分
なコントラストを持つたものが得られない欠点を有して
いた。更に像増巾器として知られるマイクロチャンネル
プレートのようなもの、撮像管からＴＶ画像へ変換する
もの等があるが、これ等は実用化が困難であつたり、解
像力が不充分だつたり、又本質的に発光体を用いること
から、外光によつてコントラストの低下を招く欠点を有
していた。本発明によるＸ線可視変換素子はこれ等の欠
点を取除き、本発明者らが既に開発した像変換素子の原
理に係はり、外光によつて極めて見易い像となる受光型
の像表示を行ラもので、直接見たり、拡大投影を行つた
り、写真撮影等を容易にならしめるものである。
以下これを図面に示す実施例によつて説明する。
第１図の１２が本発明による液晶セルの模式的断面図で
、その中１は基板、２は導電層、３は光導電層、４は可
視光反射性絶縁層、５は適当なスペーサーによつて保持
された液晶層、６は導電層、Ｔは基板で８は導電層２及
び６にリード線で接続・ されている電源である。９は
Ｘ線の散乱ビームをカットするグリッド、１０は外部に
Ｘ線が漏洩するのを防ぐ鉛板で内張りした外箱である。
、その中１は基板、２は導電層、３は光導電層、４は可
視光反射性絶縁層、５は適当なスペーサーによつて保持
された液晶層、６は導電層、Ｔは基板で８は導電層２及
び６にリード線で接続・ されている電源である。９は
Ｘ線の散乱ビームをカットするグリッド、１０は外部に
Ｘ線が漏洩するのを防ぐ鉛板で内張りした外箱である。
尚上記基板１，７の少なくともいずれか一方は透明とな
つており、透明基板はいわゆる鉛ガラスとするのが有効
である。一般には１１の方向からＸ線を照射し、セル１
２との間に置かれた被検体１４を透過したＸ線像として
セル１２の光導電層３上に結像させる。Ｘ線の強弱に従
つて導電性のパターンが形成され、導電層２及び６に印
加された交流電場によつて散乱像を得ることができる。
この散乱像を１３の方向より照明するか、又は外光の下
で可視画像として見ることができる。本発明による更に
有効な素子は第２図に示す如く、１２の前記セルのＸ線
照射側基板もしくはこの基板の上に、Ｘ線に対して透過
性で、可視光に対して不透過性の部材１５を形成してな
るもので、第２図ではセル１２の外部にこの可視光遮断
する層１５を形成した場合を示しているが、これのみに
限定されるものではない。
つており、透明基板はいわゆる鉛ガラスとするのが有効
である。一般には１１の方向からＸ線を照射し、セル１
２との間に置かれた被検体１４を透過したＸ線像として
セル１２の光導電層３上に結像させる。Ｘ線の強弱に従
つて導電性のパターンが形成され、導電層２及び６に印
加された交流電場によつて散乱像を得ることができる。
この散乱像を１３の方向より照明するか、又は外光の下
で可視画像として見ることができる。本発明による更に
有効な素子は第２図に示す如く、１２の前記セルのＸ線
照射側基板もしくはこの基板の上に、Ｘ線に対して透過
性で、可視光に対して不透過性の部材１５を形成してな
るもので、第２図ではセル１２の外部にこの可視光遮断
する層１５を形成した場合を示しているが、これのみに
限定されるものではない。
第１図において基板１にぱ通常のガラスを用いることが
でき、導電層２は酸化インジウムや酸化スズ又は極めて
薄い金属層からなり、光導電層３はＣｄＳ，ＣｄＳｅ，
Ｓｅ，Ｓｂ２Ｓ３，ＰｂＯ等のＸ線によつて光導電性を
得られる物質から成る。
でき、導電層２は酸化インジウムや酸化スズ又は極めて
薄い金属層からなり、光導電層３はＣｄＳ，ＣｄＳｅ，
Ｓｅ，Ｓｂ２Ｓ３，ＰｂＯ等のＸ線によつて光導電性を
得られる物質から成る。
可視光反射性の絶縁層４は金属酸化物を用いた薄膜で低
屈折率と高屈折率ど交互に％波長ずつ積層した光学薄膜
を使用することができる。液晶層５は一例としてメトキ
シベンジリデンブチルアニリンなる物質を用いれば室温
で液晶状態を示し、容易に使用できる。電極層６は透明
導電性被膜として知られている酸化インジウム、酸化ス
ズ等の薄膜が有効である。基板７にはＸ線強度に依存し
て鉛含有量と厚さを考慮した含鉛ガラス板を用いる。電
源８には１５〜１００Ｖ程度の交流電源を用いれば、液
晶層１０〜５０μ程度の場合良好な散乱状態が得られる
。薄膜の各々の厚さはＸ線の強度や、製造上の事由によ
つて決定されるが、おおよそ光学的厚さとして考えられ
る０．１μ〜１０μ程度の範囲にある。このような構造
を持つパネルにＸ線を所定の方法で照射する時、Ｘ線に
よつて光導電層を導電性にした後、漏洩したＸ線はパネ
ルの観測者側の基板の鉛ガラスによつて吸収され、観測
者のＸ線による障害を防ぐことができる。
屈折率と高屈折率ど交互に％波長ずつ積層した光学薄膜
を使用することができる。液晶層５は一例としてメトキ
シベンジリデンブチルアニリンなる物質を用いれば室温
で液晶状態を示し、容易に使用できる。電極層６は透明
導電性被膜として知られている酸化インジウム、酸化ス
ズ等の薄膜が有効である。基板７にはＸ線強度に依存し
て鉛含有量と厚さを考慮した含鉛ガラス板を用いる。電
源８には１５〜１００Ｖ程度の交流電源を用いれば、液
晶層１０〜５０μ程度の場合良好な散乱状態が得られる
。薄膜の各々の厚さはＸ線の強度や、製造上の事由によ
つて決定されるが、おおよそ光学的厚さとして考えられ
る０．１μ〜１０μ程度の範囲にある。このような構造
を持つパネルにＸ線を所定の方法で照射する時、Ｘ線に
よつて光導電層を導電性にした後、漏洩したＸ線はパネ
ルの観測者側の基板の鉛ガラスによつて吸収され、観測
者のＸ線による障害を防ぐことができる。
一方外光によつて光導電性物質が導電性になることを反
射性の絶縁層によつて完全に遮断し、同時に液晶の前方
散乱による散乱光を観測者側に反射し、外光の影響を防
ぐと同時に散乱コントラストを高めている。又紫外部の
光線は含鉛ガラス及び透明電極層で遮断されてしまうの
で、光導電面に影響を及ぼさない。このようにして得ら
れるＸ線可視像変換器は外光が充分であればある程鮮明
な像として見ることができ、又写真撮影や拡大投影を行
うことも容易にするものである。第２図に示される如く
Ｘ線照射側に可視光を遮断する部材として、不透明なプ
ラスチツク部材を塗布したり、基板そのものを不透明ガ
ラスとする時、被検体部分も観測者側も明るい場所にて
操作することが可能となり、製品の非破壊検査等に於い
て極めて有効なＸ線観測機材となり得る。
射性の絶縁層によつて完全に遮断し、同時に液晶の前方
散乱による散乱光を観測者側に反射し、外光の影響を防
ぐと同時に散乱コントラストを高めている。又紫外部の
光線は含鉛ガラス及び透明電極層で遮断されてしまうの
で、光導電面に影響を及ぼさない。このようにして得ら
れるＸ線可視像変換器は外光が充分であればある程鮮明
な像として見ることができ、又写真撮影や拡大投影を行
うことも容易にするものである。第２図に示される如く
Ｘ線照射側に可視光を遮断する部材として、不透明なプ
ラスチツク部材を塗布したり、基板そのものを不透明ガ
ラスとする時、被検体部分も観測者側も明るい場所にて
操作することが可能となり、製品の非破壊検査等に於い
て極めて有効なＸ線観測機材となり得る。
不透明部材１５としてはＸ線グリツドを用い、周囲を不
透光性の接着材等でセル１２と密着して用いることも可
能である。このように本発明によるＸ線可視変換素子は
本発明者らの先の開発になる像変換素子に基づく絶縁層
を設けた事により、極めて実用的な素子となると同時に
、安全にＸ線像を直接見ること、及びＸ線源のみ用意さ
れれば軽量な持運び可能なパネルとして用いることがで
き、種々の製品過程に於いて、それ等の工程を妨げずに
検査したり、実験研究用機材として組み込むことを容易
にするものである。
透光性の接着材等でセル１２と密着して用いることも可
能である。このように本発明によるＸ線可視変換素子は
本発明者らの先の開発になる像変換素子に基づく絶縁層
を設けた事により、極めて実用的な素子となると同時に
、安全にＸ線像を直接見ること、及びＸ線源のみ用意さ
れれば軽量な持運び可能なパネルとして用いることがで
き、種々の製品過程に於いて、それ等の工程を妨げずに
検査したり、実験研究用機材として組み込むことを容易
にするものである。
第１図及び第２図は本発明の実施例による像変換素子の
各説明図である。 １・・・・・傷板、２・・・・・・導電層、３・・・・
・・光導電層、４・・・・・・可視光反射性絶縁層、５
・・・・・・液晶層、６・・・・・・導電層、７・・・
・・・基板、８・・・・・・電源、９・・・・・・グリ
ツド、１０・・・・・荀板で内張りした外箱、１２・・
・・・・液晶セル、１４・・・・・・被検体、１５・・
・・・・可視光遮断層。
各説明図である。 １・・・・・傷板、２・・・・・・導電層、３・・・・
・・光導電層、４・・・・・・可視光反射性絶縁層、５
・・・・・・液晶層、６・・・・・・導電層、７・・・
・・・基板、８・・・・・・電源、９・・・・・・グリ
ツド、１０・・・・・荀板で内張りした外箱、１２・・
・・・・液晶セル、１４・・・・・・被検体、１５・・
・・・・可視光遮断層。
Claims (1)
- １ 二枚の基板の間に挾まれたネマティック液晶層を有
し、一方の基板は鉛を含有するガラスよりなる透明基板
で、その内壁面側に透明電極層を設け、かつ他方の基板
はその全部若しくは基板壁面部をＸ線透過性で可視光不
透光性部材にて形成してなり、該基板の内壁面側に導電
性電極層、光導電層、可視光反射性絶縁層を設けたこと
を特徴とする液晶像変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP47059283A JPS5913000B2 (ja) | 1972-06-14 | 1972-06-14 | 像変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP47059283A JPS5913000B2 (ja) | 1972-06-14 | 1972-06-14 | 像変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS4921165A JPS4921165A (ja) | 1974-02-25 |
| JPS5913000B2 true JPS5913000B2 (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=13108896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP47059283A Expired JPS5913000B2 (ja) | 1972-06-14 | 1972-06-14 | 像変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913000B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3788219A (en) * | 1972-04-04 | 1974-01-29 | Dick Co Ab | Blade for scraping liquids from a relatively moving surface |
-
1972
- 1972-06-14 JP JP47059283A patent/JPS5913000B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS4921165A (ja) | 1974-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3592527A (en) | Image display device | |
| US3401262A (en) | Radiation sensitive display system utilizing a cholesteric liquid crystalline phase material | |
| US20050105024A1 (en) | Liquid crystal display device | |
| CN105807521A (zh) | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 | |
| US4138195A (en) | Electro-optic passive display device | |
| EP0514486A1 (en) | RADIATION DOSE INDICATOR. | |
| GB1304554A (ja) | ||
| US3829684A (en) | Liquid crystal image converter system responsive to ionizing radiation | |
| CN111258113A (zh) | 液晶显示装置 | |
| JPH1184350A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2006162910A (ja) | 表示パネル及び表示装置 | |
| CN104035251B (zh) | 阵列基板、显示装置、显示设备和阵列基板的制作方法 | |
| JPS5913000B2 (ja) | 像変換素子 | |
| GB1431280A (en) | X-ray image converter | |
| WO2000072084A1 (fr) | Afficheur a cristaux liquides | |
| JPS5981683A (ja) | 液晶表示装置 | |
| Fujieda et al. | Characterization of a liquid crystal/dye cell for a future application in display-integrated photovoltaics | |
| US4285055A (en) | Self-luminescent light source for liquid crystal display watch | |
| TWI252945B (en) | Reflective liquid crystal display device | |
| JPS59807B2 (ja) | 像変換素子 | |
| JP2002250916A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR830001003B1 (ko) | 액정 시계용 자발광 광원 | |
| JPH04282441A (ja) | 透明導電膜の検査方法および検査装置 | |
| JPH0210444Y2 (ja) | ||
| US3797913A (en) | Electro-optic display device |