JPS5913065A - 薄膜防食法 - Google Patents
薄膜防食法Info
- Publication number
- JPS5913065A JPS5913065A JP12165582A JP12165582A JPS5913065A JP S5913065 A JPS5913065 A JP S5913065A JP 12165582 A JP12165582 A JP 12165582A JP 12165582 A JP12165582 A JP 12165582A JP S5913065 A JPS5913065 A JP S5913065A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- corrosion resistance
- electrode
- plasma
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)発明の技術分野
本発明は、Ni系及びN1−Fe 膜の防食法に係り
、特にF*(連索中性うディカル)を含む低温プラズマ
にて表面処理を行かうことにより、耐食性を向上させる
薄膜防食法に関する。
、特にF*(連索中性うディカル)を含む低温プラズマ
にて表面処理を行かうことにより、耐食性を向上させる
薄膜防食法に関する。
(2)技術の背景および従来技術と問題点磁気バブルメ
モリや薄膜ヘッド等に用いられるNi −pe 合金
膜は、N1とFeの標準酸化還元電位の差等に起因し、
腐食することがあった。
モリや薄膜ヘッド等に用いられるNi −pe 合金
膜は、N1とFeの標準酸化還元電位の差等に起因し、
腐食することがあった。
又、Ni系膜は、アルカリに対して耐食性を有するが、
酸化力の強いHNO3等には腐食される欠点があった。
酸化力の強いHNO3等には腐食される欠点があった。
これ等の腐食に対して、これまで有効な防食法がなかっ
た。
た。
(3)発明の目的
本発明の目的は、Ni系またはNi −J’e 合金
薄膜の耐食性を向上させることにある。
薄膜の耐食性を向上させることにある。
(4)発明の構成
本発明は上記目的を達するため、Nl またはN1−
Feを主成分とする薄膜に於て、F*(沸素中性うジイ
カル)を有するプラズマにて表面処理を行ない、当核膜
の耐食性を向上させる事を特徴とする薄膜防食法を提供
したものである。
Feを主成分とする薄膜に於て、F*(沸素中性うジイ
カル)を有するプラズマにて表面処理を行ない、当核膜
の耐食性を向上させる事を特徴とする薄膜防食法を提供
したものである。
即ち、本発明は、低温プラズマ処理を行ない、表面に安
定な NlF2層を作ることにより、Ni系N1−Fe
薄膜の耐食性を向上させるようにしたものである。
定な NlF2層を作ることにより、Ni系N1−Fe
薄膜の耐食性を向上させるようにしたものである。
CF4ガスは、高周波励起により次の様に電離する0
CF4+e−→CF3++ F*+ 2e−このF*
(連索中性うディカル)は極めて活性でN1−re
合金の表面にN1とFの結合を作るプラズマ処理を坏た
パー了ロイ(NiFe合金)薄膜 。
(連索中性うディカル)は極めて活性でN1−re
合金の表面にN1とFの結合を作るプラズマ処理を坏た
パー了ロイ(NiFe合金)薄膜 。
表面をxps(X線光電子分光)分析すると通常 ゛
のN1金属、酸化Nlの他にNlの沸化物のピークが確
認された。沸化物層は約200Xであった。
のN1金属、酸化Nlの他にNlの沸化物のピークが確
認された。沸化物層は約200Xであった。
この NiF2は水にほとんど不溶で、酸化力の強い塩
酸1.硫酸及び硝酸にとけず、極めて耐食性が良い。耐
食性評価のため、プレッシャー・クツカー・テス)(1
21℃、水蒸気圧′2気圧中に放置)を咎なう履”、″
プラズマ処理をほどこさない部分は゛ ・1 48〜96時間で腐食し、ピンホールが多数発生した。
酸1.硫酸及び硝酸にとけず、極めて耐食性が良い。耐
食性評価のため、プレッシャー・クツカー・テス)(1
21℃、水蒸気圧′2気圧中に放置)を咎なう履”、″
プラズマ処理をほどこさない部分は゛ ・1 48〜96時間で腐食し、ピンホールが多数発生した。
一方表面、処理部は、96時間でもピンホールの発生は
数個工メった。 、 、(5)発明の実施例 パーマロイ(NI −11’e )膜を使用した磁気バ
ブルメモリチップでの実施例を述べる。
数個工メった。 、 、(5)発明の実施例 パーマロイ(NI −11’e )膜を使用した磁気バ
ブルメモリチップでの実施例を述べる。
このバブルメモリは第1図に概略断面図で示す如<、G
、G、G (ガドリウム・カリウム・ガーネット)等か
らなる非磁性基板1上にバブルを保持しプルを伝搬させ
るパーマロイ膜3と、バブルメモリを制御するAA!−
Cuコンダクタ−4と、絶縁層5およびパッシベーショ
ン層6より構成される。
、G、G (ガドリウム・カリウム・ガーネット)等か
らなる非磁性基板1上にバブルを保持しプルを伝搬させ
るパーマロイ膜3と、バブルメモリを制御するAA!−
Cuコンダクタ−4と、絶縁層5およびパッシベーショ
ン層6より構成される。
第2層目の絶縁層5が形成された後、電子ビーム蒸着法
によりパーマロイ膜3が約400OA付着される。通常
蒸着後フォトリソグラフィー技術を用いて、パーマロイ
膜3は図示状態のパターンに形成される。本発明に係る
パターン形成方法では、パーマロイ膜3の付着後プラズ
マ処゛理し′cNlの沸化物からなる被膜3′を形成す
る。即ち、これはパーマロイ膜3の付着後−盲を竺2図
の平行平板型プラズマ・ドライ・エツチング装置、に入
れて、純CF4ガス圧lXl0−1Tor、rパワー3
00〜400Wで1〜5分間のプラズマ処理を施すこと
により、パーマロイ膜3上に被膜3′が形成される。
によりパーマロイ膜3が約400OA付着される。通常
蒸着後フォトリソグラフィー技術を用いて、パーマロイ
膜3は図示状態のパターンに形成される。本発明に係る
パターン形成方法では、パーマロイ膜3の付着後プラズ
マ処゛理し′cNlの沸化物からなる被膜3′を形成す
る。即ち、これはパーマロイ膜3の付着後−盲を竺2図
の平行平板型プラズマ・ドライ・エツチング装置、に入
れて、純CF4ガス圧lXl0−1Tor、rパワー3
00〜400Wで1〜5分間のプラズマ処理を施すこと
により、パーマロイ膜3上に被膜3′が形成される。
その後通常のフォト・リソグラフィーを行なって上述の
パーマロイパターンを得る。第2図図示の平行平板型プ
ラズマ・ドライエツチング装置は、ペルジャー7内の一
方の電極8が接地され、他方3− の試料台兼用の電極9にはマツチングボックス10を介
゛してRF電源・11が接続している。・これにより電
極8.9間にRF高も周波を加えベルジャ、−7内の
CF4ガスを電離させる構造になっていもtだ CF4
ガスはペルジャー7、の流入口1・2・より流入し、排
気口13より上述の一定ガス圧になパるように排気され
る。 ・ □・ 1・本実施例では純O
F4ガスを、使用し・たが、数−の02等他の低分圧・
の・ガスを□含、んでも同様の効果を出し′う各のは明
白である。又、CF4ガスに限らず一般にF*を発生す
るハロゲン化炭素系ガス(CHP3+’ c2F’6.
CaFs)の使用も・可能であるiF*発生の手段もR
F高周波励起に限らずマイクロ波でも実施できる。又−
Nlを主成分をする薄膜であれば、表面に)Jl沸、化
物層を形成しり、るので、耐食性を向上できることは明
らかである。
パーマロイパターンを得る。第2図図示の平行平板型プ
ラズマ・ドライエツチング装置は、ペルジャー7内の一
方の電極8が接地され、他方3− の試料台兼用の電極9にはマツチングボックス10を介
゛してRF電源・11が接続している。・これにより電
極8.9間にRF高も周波を加えベルジャ、−7内の
CF4ガスを電離させる構造になっていもtだ CF4
ガスはペルジャー7、の流入口1・2・より流入し、排
気口13より上述の一定ガス圧になパるように排気され
る。 ・ □・ 1・本実施例では純O
F4ガスを、使用し・たが、数−の02等他の低分圧・
の・ガスを□含、んでも同様の効果を出し′う各のは明
白である。又、CF4ガスに限らず一般にF*を発生す
るハロゲン化炭素系ガス(CHP3+’ c2F’6.
CaFs)の使用も・可能であるiF*発生の手段もR
F高周波励起に限らずマイクロ波でも実施できる。又−
Nlを主成分をする薄膜であれば、表面に)Jl沸、化
物層を形成しり、るので、耐食性を向上できることは明
らかである。
(6)発明の効果 ・
本発明によれば、簡単なプラズマ処理によりNi、N1
−Fe 膜の表面−安、牢、なN1の沸イ、ヒ〒層
、を形成できるので、耐食性の向上に著しい効果が4− ある。 ′
−Fe 膜の表面−安、牢、なN1の沸イ、ヒ〒層
、を形成できるので、耐食性の向上に著しい効果が4− ある。 ′
第1図は本発明方法を磁気バブルメ・モリチップに適用
した時のチップ断面を示す図、第2図は本発明方法にお
いてプラズマ処理時に使用される一例の平行平板皺下ラ
イエツチング装置の構造を示・ す図である。・ □
゛ ・〔符号の説明〕・ 3・・・パーマロイ膜 3′・・・NIの濃化物被膜 □ ′ ・ゝ □“ :□ 、“1′、 ” 、ト;ノ・ 1 1
15 ・ 、 、
“7゛・l
した時のチップ断面を示す図、第2図は本発明方法にお
いてプラズマ処理時に使用される一例の平行平板皺下ラ
イエツチング装置の構造を示・ す図である。・ □
゛ ・〔符号の説明〕・ 3・・・パーマロイ膜 3′・・・NIの濃化物被膜 □ ′ ・ゝ □“ :□ 、“1′、 ” 、ト;ノ・ 1 1
15 ・ 、 、
“7゛・l
Claims (1)
- NltたはNi−Feを主成分とする薄膜に於て、2本
(連索中性うディカル)を有するプラズマにて表面処理
を行ない、尚該膜にN1の沸化物を被膜してなることを
特徴とする薄膜防食法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12165582A JPS5913065A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 薄膜防食法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12165582A JPS5913065A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 薄膜防食法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913065A true JPS5913065A (ja) | 1984-01-23 |
Family
ID=14816621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12165582A Pending JPS5913065A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 薄膜防食法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913065A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0678589A1 (en) * | 1994-04-18 | 1995-10-25 | Daido Hoxan Inc. | Method of carburizing austenitic metal and carburized austenitic metal products |
| US5556483A (en) * | 1994-04-18 | 1996-09-17 | Daido Hoxan, Inc. | Method of carburizing austenitic metal |
| US5792282A (en) * | 1995-04-17 | 1998-08-11 | Daido Hoxan, Inc. | Method of carburizing austenitic stainless steel and austenitic stainless steel products obtained thereby |
| US6258411B1 (en) | 1990-03-08 | 2001-07-10 | Mitsubisi Aluminum Company, Ltd. | Industrial material with fluorine passivated film and process of manufacturing the same |
-
1982
- 1982-07-13 JP JP12165582A patent/JPS5913065A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6258411B1 (en) | 1990-03-08 | 2001-07-10 | Mitsubisi Aluminum Company, Ltd. | Industrial material with fluorine passivated film and process of manufacturing the same |
| EP0678589A1 (en) * | 1994-04-18 | 1995-10-25 | Daido Hoxan Inc. | Method of carburizing austenitic metal and carburized austenitic metal products |
| US5556483A (en) * | 1994-04-18 | 1996-09-17 | Daido Hoxan, Inc. | Method of carburizing austenitic metal |
| US5593510A (en) * | 1994-04-18 | 1997-01-14 | Daido Hoxan, Inc. | Method of carburizing austenitic metal |
| US5792282A (en) * | 1995-04-17 | 1998-08-11 | Daido Hoxan, Inc. | Method of carburizing austenitic stainless steel and austenitic stainless steel products obtained thereby |
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