JPS5913242A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS5913242A JPS5913242A JP12275382A JP12275382A JPS5913242A JP S5913242 A JPS5913242 A JP S5913242A JP 12275382 A JP12275382 A JP 12275382A JP 12275382 A JP12275382 A JP 12275382A JP S5913242 A JPS5913242 A JP S5913242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- content
- teo2
- alloy
- photosensitive layer
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セレン合金よりなる感光層を、有し、くり返
し疲労特性の良好な電子写真用感光体に関。
し疲労特性の良好な電子写真用感光体に関。
する。
電子写真で広く使用されているセレン感光体は。
アルミニウムなどからなる導電性支持体上にセレン材料
およびセレン化合物材料を真空蒸着して作られる。セレ
ンにテルルを添加すると波長分光感度を広げるばかりで
なく感度自体も向上し、またガラス転移点が上るので耐
熱性が増し、硬度も上昇して耐刷性が増すなどの効果が
生ずるので５ｅ−Ｔｅ合金感光体が多く用いられている
。
およびセレン化合物材料を真空蒸着して作られる。セレ
ンにテルルを添加すると波長分光感度を広げるばかりで
なく感度自体も向上し、またガラス転移点が上るので耐
熱性が増し、硬度も上昇して耐刷性が増すなどの効果が
生ずるので５ｅ−Ｔｅ合金感光体が多く用いられている
。
本発明はこの８ｅ−Ｔｅ合金感光体のくり返し疲労特性
を改善し、特に残留電位の上昇を抑制することを目的と
する。
を改善し、特に残留電位の上昇を抑制することを目的と
する。
この目的は感光体が導電性支持体上にＴｅＯ２含有量が
Ｔｅ含有量に対して２Ｘ１０ ”〜ｌ０ＸＩＯ”の範囲
ｌこある８６ ’Ｔｅ１４金属からなる感光層を治する
こ生によって達成される。特に好丈しいＴｅＯ２含有量
とＴｅ含有量の比は２６Ｘ１０ 〜５０ＸｌＯ’の４ 範囲である。
Ｔｅ含有量に対して２Ｘ１０ ”〜ｌ０ＸＩＯ”の範囲
ｌこある８６ ’Ｔｅ１４金属からなる感光層を治する
こ生によって達成される。特に好丈しいＴｅＯ２含有量
とＴｅ含有量の比は２６Ｘ１０ 〜５０ＸｌＯ’の４ 範囲である。
以下本発明の根拠とするところについて説明する。５６
５％重量％のＴｅを含むＳｅ合金をふん囲気を調整して
溶解後水中に落して、異なるＴｅ ０２含有量を有する
粒状体を作成し、真空槽中でこの合金を溶解、蒸発させ
てアルミニウム基板上にｌｐｍ／１ｍの蒸発速度で約６
０μｍの厚に蒸着させて。
５％重量％のＴｅを含むＳｅ合金をふん囲気を調整して
溶解後水中に落して、異なるＴｅ ０２含有量を有する
粒状体を作成し、真空槽中でこの合金を溶解、蒸発させ
てアルミニウム基板上にｌｐｍ／１ｍの蒸発速度で約６
０μｍの厚に蒸着させて。
８ｅ−Ｔｅ 合金感光体を作成した。これらの感光体
の帯電露光サイクルを１０００回くり返した後の残留電
位を測定した。その残留電位と合金中のＴｅ０ｚとＴｅ
の重量比との関係を第１図に示す。ＴｅＯ２の含有量は
合金中のＴｅＯ２を化学的に抽出し、Ｎ千秋光分析によ
り定量した。これより、１０００回後の残留電位が約６
０Ｖ以下であるセレン合金材料中のＴｅ０２含有量のＴ
ｅ含有量に対する比は、２Ｘ１０ ”〜ｌ０ＸＩＯ”
の範囲にあることが分かる。
の帯電露光サイクルを１０００回くり返した後の残留電
位を測定した。その残留電位と合金中のＴｅ０ｚとＴｅ
の重量比との関係を第１図に示す。ＴｅＯ２の含有量は
合金中のＴｅＯ２を化学的に抽出し、Ｎ千秋光分析によ
り定量した。これより、１０００回後の残留電位が約６
０Ｖ以下であるセレン合金材料中のＴｅ０２含有量のＴ
ｅ含有量に対する比は、２Ｘ１０ ”〜ｌ０ＸＩＯ”
の範囲にあることが分かる。
特に２６Ｘ１０ ’〜５０ＸｌＯ−４の範囲にあるとき
は低い残留電位を示す。従ってこのような５ｅ−Ｔｅ合
金材料を作成し、蒸着して感光層を形成することが残留
電位の上昇を抑制することになる。
は低い残留電位を示す。従ってこのような５ｅ−Ｔｅ合
金材料を作成し、蒸着して感光層を形成することが残留
電位の上昇を抑制することになる。
このような５ｅ−Ｔｅ合金における低疲労効果のＳｅを
Ｔｅより多く含む合金においては５ｅ−Ｔｅ分子の長さ
が長くなってロング・チェインになり疲労による残留電
位の上昇が起こる。一方、ＴｅＯ２含有比が大きくなる
と５ｅ−Ｔｅ分子のＴｅ分子にＴｅｏｚ分子が侵入し、
構造欠陥を誘発していると思われる。このような構造欠
陥は、ギャップ中準位において深いトラップ単位を形成
し、キャリヤのトラップからの解放率が減少して残留電
位の上昇が生じたものと考えられる。
Ｔｅより多く含む合金においては５ｅ−Ｔｅ分子の長さ
が長くなってロング・チェインになり疲労による残留電
位の上昇が起こる。一方、ＴｅＯ２含有比が大きくなる
と５ｅ−Ｔｅ分子のＴｅ分子にＴｅｏｚ分子が侵入し、
構造欠陥を誘発していると思われる。このような構造欠
陥は、ギャップ中準位において深いトラップ単位を形成
し、キャリヤのトラップからの解放率が減少して残留電
位の上昇が生じたものと考えられる。
本発明にする所望のＴｅＯ２濃度を有する感光層は、Ｔ
ｅＯ２含有量を調整したｓｅ−’ｒｅ合金蒸発源を用い
て生成されるが、 Ｔｅ０ｚはＳｅおよびＴｅｌζ比し
て蒸発しにくいので、蒸発源中のＴｅＯ２含有量は多口
にする必要がある。
ｅＯ２含有量を調整したｓｅ−’ｒｅ合金蒸発源を用い
て生成されるが、 Ｔｅ０ｚはＳｅおよびＴｅｌζ比し
て蒸発しにくいので、蒸発源中のＴｅＯ２含有量は多口
にする必要がある。
以上述べたように本発明は５ｅ−Ｔｅ合金感光層中のＴ
ｅＯ２濃度を適宜調整するこ♂によりくり返し疲労特性
の点ですぐれた電子写真用感光体を得るもので、特に残
留電位の上昇の少ない感光体さして極めて有効に使用で
きる。
ｅＯ２濃度を適宜調整するこ♂によりくり返し疲労特性
の点ですぐれた電子写真用感光体を得るもので、特に残
留電位の上昇の少ない感光体さして極めて有効に使用で
きる。
第１図はＴｅＯ２含有量と１０００回のくり返し帯電サ
イクル後の残留電位♂の関係線図である。
イクル後の残留電位♂の関係線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ）導電性支持体上にＴｅＯ２含有量がＴｅ含有量に対
して２×゛１Ｏ−３〜ｌＯ×１Ｏ−３の範囲にある５ｅ
−Ｔｅ合金属からなる感光層を有することを特徴とする
電子写真用感光体。 ２、特許請求の範囲第１項記載の感光体において。 感光層のＴｅＯ２含有量がＴｅ含有１こ対し□て２６×
ｌＯ° 〜５０Ｘ１０ ’の範囲にあることを特徴とす
る４ 電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12275382A JPS5913242A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12275382A JPS5913242A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913242A true JPS5913242A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14843750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12275382A Pending JPS5913242A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913242A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860746A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
-
1982
- 1982-07-14 JP JP12275382A patent/JPS5913242A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5860746A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ishikawa et al. | Photovoltaic study on the photo-enhanced diffusion of Ag in amorphous films of Ge2S3 | |
| Shimizu et al. | Nature of localized states in hydrogenated Si–based amorphous semiconductor films elucidated from LESR and CPM | |
| Hughes | VII. On the emission velocities of photo-electrons | |
| JPS5913242A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US3077386A (en) | Process for treating selenium | |
| NO127943B (ja) | ||
| US4601965A (en) | Photosensitive material for use in electrophotography | |
| Kawaguchi et al. | Composition dependence of Ag photodoping into amorphous Ge‐S films | |
| JPS5819B2 (ja) | ヒシヨウシツセレン テルルデンシシヤシンカンコウタイ | |
| JPS5944053A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US3483028A (en) | Preparation of light sensitive device of enhanced photoconductive sensitivity | |
| US3666554A (en) | Manufacture of electrophotographic plate | |
| Bedel'Baeva et al. | Photo-induced selectivity of metal deposition on the surface of chalcogenide vitreous semiconductors | |
| JPS59166960A (ja) | 電子写真用感光材料 | |
| DE1597840A1 (de) | Verfahren zur Verbesserung der Photoleitfaehigkeit duenner,im Vakuum auf einem Traeger abgelagerter Cadmiumsulfidschichten | |
| JPS62222259A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS6236675A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59223436A (ja) | セレンテルル合金電子写真用感光体の製造方法 | |
| JPS62111256A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| FR2551562A1 (ja) | ||
| SU1191878A1 (ru) | Способ изготовлени электрофотографического носител | |
| JPS5911899B2 (ja) | 電子写真記録材料 | |
| JPS61156134A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS5943869A (ja) | 蒸着方法 | |
| Janiec | Estimation of impurities in aluminium alloys by means of arc spectra |