JPS59133546A - 半導体装置製造用マスク - Google Patents
半導体装置製造用マスクInfo
- Publication number
- JPS59133546A JPS59133546A JP58007233A JP723383A JPS59133546A JP S59133546 A JPS59133546 A JP S59133546A JP 58007233 A JP58007233 A JP 58007233A JP 723383 A JP723383 A JP 723383A JP S59133546 A JPS59133546 A JP S59133546A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- mask
- semiconductor wafer
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置製造用フォトマスク（以下、単に
フォトマスクという）の改良に関するものである。
フォトマスクという）の改良に関するものである。
半導体装置の製造工程において、写真蝕刻技術に用いら
れるフォトマスクは、半導体装置の信頼性を左右するた
めに、該フォトマスクの形成においては細心の注意が必
要である。
れるフォトマスクは、半導体装置の信頼性を左右するた
めに、該フォトマスクの形成においては細心の注意が必
要である。
半導体装置の製へ工程において半導体ウェーハに所定の
パターンを写真蝕刻しようとする場合、半導体ウェーハ
およびフォトマスクを移動させることなく、半導体ウェ
ーハにフォトマスクの全パターンな転写する全面転写方
式と、半導体ウェーハの一部にパターン？転写して順次
半導体ウェーハの全面にパターンを転写するステップ・
アンド・リピート（５ｔｅｐ ＆ｒｅｐｅｅｔ ）方式
がある。そして、前記方式によってフォトマスクの構成
も異なっているう 近来、半導体装置の需要（９）が高くなるに従い、量産
化に適した前記全面転写方式が多く採用されている。
パターンを写真蝕刻しようとする場合、半導体ウェーハ
およびフォトマスクを移動させることなく、半導体ウェ
ーハにフォトマスクの全パターンな転写する全面転写方
式と、半導体ウェーハの一部にパターン？転写して順次
半導体ウェーハの全面にパターンを転写するステップ・
アンド・リピート（５ｔｅｐ ＆ｒｅｐｅｅｔ ）方式
がある。そして、前記方式によってフォトマスクの構成
も異なっているう 近来、半導体装置の需要（９）が高くなるに従い、量産
化に適した前記全面転写方式が多く採用されている。
一方、！Ｉ！導体装置の需要度が高くなるにつれ。
半導体装置を構成すべき字溝体ウエーノ・およびフォト
マスクの形状が大きくなりつつある。フォトマスクの形
状が大きくなれば、例えば７オトマスクのガラス基板の
平坦闇、ねじれ、欠陥レベルなどの許容度が極小化する
。これに対して、フォトマスクに形成するパターン配置
精闇は高集穆化によって厳格化する。そのために、従来
のようにガ２ス塙板全面にパターンを配置する方式では
パターンの累積位置誤差が増大し、フォトマスクの精邸
が著しく低減されてしまう。従って、半導体装置の製造
工程におけるフォトマスク相互間のマスク合せ（ｍａｓ
ｋ ａｌ ｉｇｎｍｅｎｔ ）精度が悪化しそれによっ
て構成された半導体製品の歩留を著しく低減してしまう
。
マスクの形状が大きくなりつつある。フォトマスクの形
状が大きくなれば、例えば７オトマスクのガラス基板の
平坦闇、ねじれ、欠陥レベルなどの許容度が極小化する
。これに対して、フォトマスクに形成するパターン配置
精闇は高集穆化によって厳格化する。そのために、従来
のようにガ２ス塙板全面にパターンを配置する方式では
パターンの累積位置誤差が増大し、フォトマスクの精邸
が著しく低減されてしまう。従って、半導体装置の製造
工程におけるフォトマスク相互間のマスク合せ（ｍａｓ
ｋ ａｌ ｉｇｎｍｅｎｔ ）精度が悪化しそれによっ
て構成された半導体製品の歩留を著しく低減してしまう
。
前述のように、従来のフォトマスクでは、今後の半導体
装置の構成に対処すべきことができないという欠点があ
った。
装置の構成に対処すべきことができないという欠点があ
った。
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置を構成するた
めに、かつ、量産化に適した大型半導体ウェーハのため
にフォトマスクの精度を向上することにある。
めに、かつ、量産化に適した大型半導体ウェーハのため
にフォトマスクの精度を向上することにある。
以下、一実施例とともに、本発明の詳細な説明する。
なお、企図において、同一の機能を有するものは同一記
号を付け、そのくり返しの説明は省略する。
号を付け、そのくり返しの説明は省略する。
第１図および第２図は、本発明の一実施例を説明するた
めのフォトマスクの概要図であり、第１図は角型フォト
マスク、第２図は丸型フォトマスクである。
めのフォトマスクの概要図であり、第１図は角型フォト
マスク、第２図は丸型フォトマスクである。
第１図および第２図において、１は板状の角型フォトマ
スクであり、半導体装置の各製造工程において、半導体
ウェーへの絶縁膜、半導体素子領域、配線等の形成に要
求される写真蝕刻用のものである。２は板状の丸型フォ
トマスクであり、角型フォトマスク１と同様のものであ
る。フォトマスク１，２は、例えばガラス系の材料から
なっている。３はフォトマスク１，２の左側に設けられ
た単位パターンを略式的に示したものであり、−製造工
程において半導体装置の一部を形成するためのものであ
る。４はフォトマスク１，２の左側に設けられた単位パ
ターン３が複数個配置して構成されたパターン領域であ
り、半導体ウェーハ（図示していない）のどちらか半分
の部分にパターンを転写するためのものである。５はパ
ターン領域４の所定の位置に設けられたマスク合せ（ｍ
ａｓｋａｌｉｇｎｍｅｎｔ）パターンを略式的に示した
ものであり、半導体装置の製造工程におけるフォトマス
ク相互間の位置合せをするためのものである。６はフォ
トマスク１．２のパターン３がＶけられていない非パタ
ーン領域であり、パターン３な半導体ウェーハに転写す
るときの遮光部および作業時の取扱い部となるための部
分である。この非パターン領域６は、例えばガラス系材
料にクロム（Ｃｒ ）膜を施すことによって構成されて
いる。
スクであり、半導体装置の各製造工程において、半導体
ウェーへの絶縁膜、半導体素子領域、配線等の形成に要
求される写真蝕刻用のものである。２は板状の丸型フォ
トマスクであり、角型フォトマスク１と同様のものであ
る。フォトマスク１，２は、例えばガラス系の材料から
なっている。３はフォトマスク１，２の左側に設けられ
た単位パターンを略式的に示したものであり、−製造工
程において半導体装置の一部を形成するためのものであ
る。４はフォトマスク１，２の左側に設けられた単位パ
ターン３が複数個配置して構成されたパターン領域であ
り、半導体ウェーハ（図示していない）のどちらか半分
の部分にパターンを転写するためのものである。５はパ
ターン領域４の所定の位置に設けられたマスク合せ（ｍ
ａｓｋａｌｉｇｎｍｅｎｔ）パターンを略式的に示した
ものであり、半導体装置の製造工程におけるフォトマス
ク相互間の位置合せをするためのものである。６はフォ
トマスク１．２のパターン３がＶけられていない非パタ
ーン領域であり、パターン３な半導体ウェーハに転写す
るときの遮光部および作業時の取扱い部となるための部
分である。この非パターン領域６は、例えばガラス系材
料にクロム（Ｃｒ ）膜を施すことによって構成されて
いる。
次に、本発明の適用方法な第３図の概要図を用いて説明
する。
する。
第３図において、固定台７上に支持されている半導体ウ
ェーハ８には、前工程によって、Ｘ側の半導体ウェーハ
８上にパター／３Ａが形成され、ｙ側の半導体ウェーハ
８上にパターン３Ｂが形成されている。これらのパター
ン３Ａ、３Ｂは、マスク合せパターン５Ａ、５Ｂによっ
て所定の位置に配置されるようになっている。パターン
３Ｂに第１フオトマスクＩＡによって、該第１フオトマ
スクＩＡのパターン３を転写する。この第１フオトマス
クＩＡと半導体ウェーハ８とのマスク合せは、第１フオ
トマスクＩＡのマスク６せパターン５と半導体ウェーハ
８のマスク合せパｌｌ−１５Ｂを用いればよいつこの時
、！ｌｌ！ｌｌ中ェーハ８のＸ側のパターン５Ａは、非
パターン領域６によって保饅されている。この非パター
ン領域６は、マスク合せなどの作業者が取扱う上で持ち
しろとなり、作業効率が向上するようになっている。
ェーハ８には、前工程によって、Ｘ側の半導体ウェーハ
８上にパター／３Ａが形成され、ｙ側の半導体ウェーハ
８上にパターン３Ｂが形成されている。これらのパター
ン３Ａ、３Ｂは、マスク合せパターン５Ａ、５Ｂによっ
て所定の位置に配置されるようになっている。パターン
３Ｂに第１フオトマスクＩＡによって、該第１フオトマ
スクＩＡのパターン３を転写する。この第１フオトマス
クＩＡと半導体ウェーハ８とのマスク合せは、第１フオ
トマスクＩＡのマスク６せパターン５と半導体ウェーハ
８のマスク合せパｌｌ−１５Ｂを用いればよいつこの時
、！ｌｌ！ｌｌ中ェーハ８のＸ側のパターン５Ａは、非
パターン領域６によって保饅されている。この非パター
ン領域６は、マスク合せなどの作業者が取扱う上で持ち
しろとなり、作業効率が向上するようになっている。
前記第１フオトマスクＩＡによる転写の後に。
第１フオトマスクＩＡを除去して第２フオトマスクＩＢ
を配置する。この第２フオトマスクＩＢによって半導体
ウェーハ８のＸ側のパターン３Ａに。
を配置する。この第２フオトマスクＩＢによって半導体
ウェーハ８のＸ側のパターン３Ａに。
パターン３な転写する。第２フオトマスクＩＢと半導体
ウェーハ８とのマスク合せは、第２フオトマスクＩＢの
マスク合せパターン５と半導体ウェーハ８のマスク合せ
パターン５Ａを用いればよい。
ウェーハ８とのマスク合せは、第２フオトマスクＩＢの
マスク合せパターン５と半導体ウェーハ８のマスク合せ
パターン５Ａを用いればよい。
本実施例のフォトマスクは、半導体装置の全ての製造工
程に適用、もしくは、特に精度を追求すべき一部の製造
工程に適用すればよい。ただし、後者の場合には、所定
の前製造工程において精度を追求すべきパターンを有す
るフォトマスクのマスク合せパターンを設けておく必要
がある。また、半導体ウェーハに転写された単位パター
ン間にはスクライブエリアがあるために、何んらかの原
因によって１つのパターンが不良となっても他の部分に
影響をおよぼすことはない。
程に適用、もしくは、特に精度を追求すべき一部の製造
工程に適用すればよい。ただし、後者の場合には、所定
の前製造工程において精度を追求すべきパターンを有す
るフォトマスクのマスク合せパターンを設けておく必要
がある。また、半導体ウェーハに転写された単位パター
ン間にはスクライブエリアがあるために、何んらかの原
因によって１つのパターンが不良となっても他の部分に
影響をおよぼすことはない。
なお、本発明は、前記−実施例に限定されることなく、
その要旨を変更しない範囲において種々変更し得ろこと
は勿論である。例えば、前記フォトマスクはパターン領
域な２分の１に分割したが、それ以上に分割してもよい
。
その要旨を変更しない範囲において種々変更し得ろこと
は勿論である。例えば、前記フォトマスクはパターン領
域な２分の１に分割したが、それ以上に分割してもよい
。
以上説明したように、本発明によれば、フォトマスクの
パターン領域を構成すべき部分な縮小するために、その
部分での許容度が向上する。従って、許容度の向上され
た部分にパターン領域を設けることによって、フォトマ
スクの精度を向上することができる。
パターン領域を構成すべき部分な縮小するために、その
部分での許容度が向上する。従って、許容度の向上され
た部分にパターン領域を設けることによって、フォトマ
スクの精度を向上することができる。
また、フォトマスクの精度が向上することによって、大
型半導体ウェーハに適用すべきフォトマスクを構成する
ことができろ。
型半導体ウェーハに適用すべきフォトマスクを構成する
ことができろ。
また、フォトマスクの精度が向上することによって、フ
ォトマスク相互間のマスク合せ精度も向上し、半導体装
は、つ信頼性を向上することができる。
ォトマスク相互間のマスク合せ精度も向上し、半導体装
は、つ信頼性を向上することができる。
また、フォトマスクの許容度が要求される面積が縮小さ
れるために、フォトマスク部材のコストが低減する。
れるために、フォトマスク部材のコストが低減する。
さらに、フォトマスクの非パターン領域が拡大するため
に、取扱いなどの作朶性が向上する。
に、取扱いなどの作朶性が向上する。
第１図および第２図は１本発明の一実施例を説明するた
めの半導体マスクの概要図、 第３図は、本発明の一実施例の適用方法を説明するため
の概要図である。 図中、１ 、ＩＡ、ＩＢ、２・・・フォトマスク、３゜
３Ａ、３Ｂ・・・パターン、４・・・パターン領域、５
゜５Ａ、５Ｂ・・・マスク合せパターン、６・・・非パ
ターン領域、７・・・固定台、８・・・半導体ウェーハ
である。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
めの半導体マスクの概要図、 第３図は、本発明の一実施例の適用方法を説明するため
の概要図である。 図中、１ 、ＩＡ、ＩＢ、２・・・フォトマスク、３゜
３Ａ、３Ｂ・・・パターン、４・・・パターン領域、５
゜５Ａ、５Ｂ・・・マスク合せパターン、６・・・非パ
ターン領域、７・・・固定台、８・・・半導体ウェーハ
である。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- １、半導体ウエーハおよび半導体装置製造用マスクを移
動させることなく、半導体ウェーハに複数のパターンを
形成する半導体装置製造用マスクにおいて、半導体ウェ
ーハに形成すべき前記全パターンを複数に分割し、その
一部のパターンなマスク部材に設けたことを特徴とする
半導体装置製造用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58007233A JPS59133546A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 半導体装置製造用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58007233A JPS59133546A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 半導体装置製造用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59133546A true JPS59133546A (ja) | 1984-07-31 |
Family
ID=11660272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58007233A Pending JPS59133546A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 半導体装置製造用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59133546A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02139911A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Fujitsu Ltd | レチクル作成方法 |
| US5451488A (en) * | 1992-10-13 | 1995-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reticle having sub-patterns and a method of exposure using the same |
-
1983
- 1983-01-21 JP JP58007233A patent/JPS59133546A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02139911A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-29 | Fujitsu Ltd | レチクル作成方法 |
| US5451488A (en) * | 1992-10-13 | 1995-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reticle having sub-patterns and a method of exposure using the same |
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