JPS5913401A - 同軸型低域通過「ろ」波器 - Google Patents
同軸型低域通過「ろ」波器Info
- Publication number
- JPS5913401A JPS5913401A JP57122555A JP12255582A JPS5913401A JP S5913401 A JPS5913401 A JP S5913401A JP 57122555 A JP57122555 A JP 57122555A JP 12255582 A JP12255582 A JP 12255582A JP S5913401 A JPS5913401 A JP S5913401A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coaxial
- unit
- dielectric
- line
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/202—Coaxial filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はｖＨＦ−ＵＨＦ帯で用いる、小型で耐振特性の
良好な同軸型低域通過ｒ波器に関するものである。
良好な同軸型低域通過ｒ波器に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来この帯域での低域通過ろ波器（ＬＰＦ）は。
第１図に示すような高インピーク゛ンス、低インピーダ
ンス線路を同軸で構成することが多ぐ４広帯域、低損失
の電気的特性をもつことが知られている。第１図ａは長
手方向の部分断面図、第１図すは第１図ａのＡ −Ａ’
における断面図である。第１図においてＩＱｌ、１０２
は入出力コネクタ。
ンス線路を同軸で構成することが多ぐ４広帯域、低損失
の電気的特性をもつことが知られている。第１図ａは長
手方向の部分断面図、第１図すは第１図ａのＡ −Ａ’
における断面図である。第１図においてＩＱｌ、１０２
は入出力コネクタ。
１ｃ５３は同軸外導体、１０４は中心導体をあられす。
中心導体１０４は、１０５で示す小さい径の部分と１０
６で示す大きな径の部分が交互に接続された構造となっ
ている。いま中心導体の半径をａ、外部導体内径１ｂと
し、中心導体と外導体の空間の媒質の比誘電率をε工と
すると、同軸線路のインピーダンスＺは Ｚ ＝ｅｏｘ ｅｌ（ｂ／ａ）イυε１買Ω）であられ
される。したがって中心導体１０５の部分は線路インピ
ーダンスが高（，１ｏ６の部分はインピーターンスが低
い構造となる。また高インピーダンス部分はインダクタ
、低インピーダンス部分はキャパシタであられすことが
できるから、第１図の等価回路は第２図の如くあられす
ことができる。
６で示す大きな径の部分が交互に接続された構造となっ
ている。いま中心導体の半径をａ、外部導体内径１ｂと
し、中心導体と外導体の空間の媒質の比誘電率をε工と
すると、同軸線路のインピーダンスＺは Ｚ ＝ｅｏｘ ｅｌ（ｂ／ａ）イυε１買Ω）であられ
される。したがって中心導体１０５の部分は線路インピ
ーダンスが高（，１ｏ６の部分はインピーターンスが低
い構造となる。また高インピーダンス部分はインダクタ
、低インピーダンス部分はキャパシタであられすことが
できるから、第１図の等価回路は第２図の如くあられす
ことができる。
第２図において２０１．２０２は入出力端子。
２０３〜２０６はインダクタ、２０７〜２０９はキャパ
シタで、これは低域通過フィルタ（ＬＰＦ）の回路その
ものである。
シタで、これは低域通過フィルタ（ＬＰＦ）の回路その
ものである。
このＬＰＦの電気的特性は、同軸線路を用いるため低損
失で、かつ高い周波敬まて使用でき、かつ広帯域な設計
が可能であるためひろく賞月されているが形状が大きい
こと、中心導体の加工が難しいこと、中心導体を機械的
に支持する機構が必要で、支持の方法が悪いと、耐振特
性が著しく劣化すること等の欠点を有していた。
失で、かつ高い周波敬まて使用でき、かつ広帯域な設計
が可能であるためひろく賞月されているが形状が大きい
こと、中心導体の加工が難しいこと、中心導体を機械的
に支持する機構が必要で、支持の方法が悪いと、耐振特
性が著しく劣化すること等の欠点を有していた。
発明の目的
本発明は従来の同軸型低域通過Ｆ波器の電気的性能と維
持しつつ、小型化と耐振特性の向上を改善した同軸型低
域通過Ｐ波器（ＬＰＦ）を提供せんとするものである。
持しつつ、小型化と耐振特性の向上を改善した同軸型低
域通過Ｐ波器（ＬＰＦ）を提供せんとするものである。
発明の構成
最近高誘電率低損失の誘電体が開発され、その桐料を用
いた同軸共振界等が開発されているが、本発明はこの種
の誘電体を用いて、この誘電体に接して中心導体が設け
られており、外導体が両端で小さく、中央で太きくした
構成の同軸線路を基本単位とし、これらを複数個縦続接
続した構成の同軸型低域Ｊｊ波器を実現しようとするも
のである。
いた同軸共振界等が開発されているが、本発明はこの種
の誘電体を用いて、この誘電体に接して中心導体が設け
られており、外導体が両端で小さく、中央で太きくした
構成の同軸線路を基本単位とし、これらを複数個縦続接
続した構成の同軸型低域Ｊｊ波器を実現しようとするも
のである。
実施例の説明
第３図に本発明の同軸型低域通過ｒ波器として用いる単
位同軸線路を示す。ａは長手方向断面図。
位同軸線路を示す。ａは長手方向断面図。
ｂはａのＡ −Ａ’における断面図である。３０１は誘
電体円筒で、両佃端部３０６．３０７の外径は小さく、
中央部３０８の外径は犬きく、かつ同軸状に一様な内径
を有する円孔を有している。誘電体３０１の外周は、メ
ッキまたは焼付等で導体膜全形成し、外部導体３０３と
し、中心部の円孔には１両側１に雄ネジ３０４．雌ネジ
３０５を有する金属円柱棒３０２が挿入固定されている
。
電体円筒で、両佃端部３０６．３０７の外径は小さく、
中央部３０８の外径は犬きく、かつ同軸状に一様な内径
を有する円孔を有している。誘電体３０１の外周は、メ
ッキまたは焼付等で導体膜全形成し、外部導体３０３と
し、中心部の円孔には１両側１に雄ネジ３０４．雌ネジ
３０５を有する金属円柱棒３０２が挿入固定されている
。
第４図には、第３図お単位同軸線路を多段に接続してＬ
ＰＦＱ構成する場合の、単位同軸線路を接続固定する方
法を示している。単位同軸線路４Ｑ１．４０２は、雄ネ
ジ４０４．雌ネジＤＯ６が対向するように配置し、単位
同軸線路の先端部を金属ヌリーブ４０３に挿入し、互の
ネジで固定する。金属スリーブ４０３は、接続部の外導
体の接地を完全にとるためと１機械的な強度を増大する
目的があり、導電性接着剤等を用いて固定される。
ＰＦＱ構成する場合の、単位同軸線路を接続固定する方
法を示している。単位同軸線路４Ｑ１．４０２は、雄ネ
ジ４０４．雌ネジＤＯ６が対向するように配置し、単位
同軸線路の先端部を金属ヌリーブ４０３に挿入し、互の
ネジで固定する。金属スリーブ４０３は、接続部の外導
体の接地を完全にとるためと１機械的な強度を増大する
目的があり、導電性接着剤等を用いて固定される。
このようにして接続固定されたＬＰＦの外観を第６図に
、断面を第６図に示す。６０１，６０２は人出力コネク
タ、６０３〜６０６は単位同軸線路、６０７〜６１１は
金属スリーブを示す。
、断面を第６図に示す。６０１，６０２は人出力コネク
タ、６０３〜６０６は単位同軸線路、６０７〜６１１は
金属スリーブを示す。
このような構造のＬＰＦにおいて、高インピーダンス線
路は単位同軸線路の外径の大きい部分で。
路は単位同軸線路の外径の大きい部分で。
低インピーダンス部分は外径の小さな部分で実現する０
すなわち、従来は内導体の径を変えて線路インピーダン
スを変えたのに対し、本発明においては、内導体の径は
一定にして、外導体の径を変えて高インピーダンス、低
インピーダンス部を実現する。
すなわち、従来は内導体の径を変えて線路インピーダン
スを変えたのに対し、本発明においては、内導体の径は
一定にして、外導体の径を変えて高インピーダンス、低
インピーダンス部を実現する。
内外導体間には誘電体が充てんされた構造となるから、
耐振構造が従来の構造に対して著しく改善されるほか７
誘電体による波長短縮効果（波長が１／Ｖ／Ｆｒに短縮
される）のだめ形状（長さ方向）の小型化が期待できる
。また単位同軸線路間が強固に固定保持されるため、耐
振特性に優れている。
耐振構造が従来の構造に対して著しく改善されるほか７
誘電体による波長短縮効果（波長が１／Ｖ／Ｆｒに短縮
される）のだめ形状（長さ方向）の小型化が期待できる
。また単位同軸線路間が強固に固定保持されるため、耐
振特性に優れている。
さらに本発明の特徴は、単位同軸線路の数を作意に増減
できるために、電気的な特性を容易にかえることができ
る点にある。第７図は接続の個敬を増やした時の減衰量
の増加を示すグラフである。
できるために、電気的な特性を容易にかえることができ
る点にある。第７図は接続の個敬を増やした時の減衰量
の増加を示すグラフである。
このような特性の変化はほとんど同一の構成部分を用い
て実現可能であるため、コスト低減も可能となる。
て実現可能であるため、コスト低減も可能となる。
発明の効果
以上述べたように１本発明は誘電体を利用して。
誘電体に接して中心導体を設け、外導体の径が両端で小
さく、中央で太きくした構成の単位同軸線路を複数個用
いて実現するＬＰＦで、耐振特性が良好で、小型でかつ
、多段構成が容易に用いうる特長を有し、その実用上の
価値はきわめて太きい。
さく、中央で太きくした構成の単位同軸線路を複数個用
いて実現するＬＰＦで、耐振特性が良好で、小型でかつ
、多段構成が容易に用いうる特長を有し、その実用上の
価値はきわめて太きい。
第１図ａは従来の同軸型低域ｌＪｊ波器の長手方向の一
部断面図、第１図すは第１図ａのＡ −Ａ’における断
面図、第２図は第１図の／ｊ−４波器の等価（ロ）路を
示す図、第３図Δは本発明で用いる単位同軸線路の長手
方向断面図、第３図すは第３図ａのＡ−Ａ’における断
面図、第４図は本発明の単位同軸線路を接続する方法を
示す斜視図、第５図は本発明による同軸型低域沖波器の
斜視図、第６図は第６図に示す同軸型低域ｐ波器の断面
図、第７図は単位共振器の接続斂を増やした時の応答の
変化を示す説明図である０ ３Ｑ１・・・・・誘電体、３ｏ２・・・・中心導体、３
ｏ３・・・・・・外導体（導体膜） 、 ６ｏ１．５０
２ 、６０１ 、６０２パ・・・出力コネクタ、６０３
〜６０６．６０３〜６０６・・・・・単位同軸共振器、
６０７〜６１１゜６０７〜６１１・・・・・・金属スリ
ーブ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （伐）（＃）ノ 第２図 第３図 （へ）（ｂ） 第４図 Ｅ５ ぐコ 第５図 第 ７ 図 ）η波数
部断面図、第１図すは第１図ａのＡ −Ａ’における断
面図、第２図は第１図の／ｊ−４波器の等価（ロ）路を
示す図、第３図Δは本発明で用いる単位同軸線路の長手
方向断面図、第３図すは第３図ａのＡ−Ａ’における断
面図、第４図は本発明の単位同軸線路を接続する方法を
示す斜視図、第５図は本発明による同軸型低域沖波器の
斜視図、第６図は第６図に示す同軸型低域ｐ波器の断面
図、第７図は単位共振器の接続斂を増やした時の応答の
変化を示す説明図である０ ３Ｑ１・・・・・誘電体、３ｏ２・・・・中心導体、３
ｏ３・・・・・・外導体（導体膜） 、 ６ｏ１．５０
２ 、６０１ 、６０２パ・・・出力コネクタ、６０３
〜６０６．６０３〜６０６・・・・・単位同軸共振器、
６０７〜６１１゜６０７〜６１１・・・・・・金属スリ
ーブ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （伐）（＃）ノ 第２図 第３図 （へ）（ｂ） 第４図 Ｅ５ ぐコ 第５図 第 ７ 図 ）η波数
Claims (3)
- （１）内周面と外周面とを有する同軸状誘電体を有し、
前記誘電体の両端面近傍領域の誘電体の外径が、中央領
域の誘電体の外径よりも小さい構造を有し、前記内周面
に接して中心導体が挿入固定されており、前記外周面に
渚って外導体が設けられた構造の線路を単位同軸線路と
し、前記単位同軸線路を複数ｆ固縦続接続して構成した
ことを特徴とする同軸型低域通過沖波器。 - （２）単位同軸線路間が金属スリーブを介して接続され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の同
軸型低域通過ｆ波器。 - （３）単位同軸線路を構成する中心導体の一端に雄ネジ
部、他端に雌ネジ部を設け、前記雄ネジ部及び雌ネジ部
により単位同軸線路が接続されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項記載の同軸型低域通過
沖波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122555A JPS5913401A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 同軸型低域通過「ろ」波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122555A JPS5913401A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 同軸型低域通過「ろ」波器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913401A true JPS5913401A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14838778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57122555A Pending JPS5913401A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | 同軸型低域通過「ろ」波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913401A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373702A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-04 | Fujitsu Ltd | 同軸導波管変換器 |
| JPH0238802U (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-15 | ||
| FR2849719A1 (fr) * | 2003-01-03 | 2004-07-09 | Thomson Licensing Sa | Filtre hyperfrequences en structure coaxiale |
| WO2011074105A1 (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Nec Corporation | Resonant via structures in multilayer substrates and filters based on these via structures |
-
1982
- 1982-07-14 JP JP57122555A patent/JPS5913401A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6373702A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-04 | Fujitsu Ltd | 同軸導波管変換器 |
| JPH0238802U (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-15 | ||
| FR2849719A1 (fr) * | 2003-01-03 | 2004-07-09 | Thomson Licensing Sa | Filtre hyperfrequences en structure coaxiale |
| WO2004066429A3 (fr) * | 2003-01-03 | 2004-09-10 | Thomson Licensing Sa | Filtre hyperfrequences en structure coaxiale realise en mousse de matiere synthetique metallisee |
| US7355495B2 (en) | 2003-01-03 | 2008-04-08 | Thomson Licensing | Microwave filter comprising a coaxial structure with a metallized foam having a periodic profile |
| CN100583550C (zh) | 2003-01-03 | 2010-01-20 | 汤姆森特许公司 | 由金属化合成泡沫制成的包括同轴结构的微波滤波器 |
| WO2011074105A1 (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Nec Corporation | Resonant via structures in multilayer substrates and filters based on these via structures |
| US9107300B2 (en) | 2009-12-14 | 2015-08-11 | Nec Corporation | Resonant via structures in multilayer substrates and filters based on these via structures |
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