JPS59135741A - 静電チヤツク - Google Patents

静電チヤツク

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Publication number
JPS59135741A
JPS59135741A JP58008745A JP874583A JPS59135741A JP S59135741 A JPS59135741 A JP S59135741A JP 58008745 A JP58008745 A JP 58008745A JP 874583 A JP874583 A JP 874583A JP S59135741 A JPS59135741 A JP S59135741A
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JP
Japan
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sample
opening
signal
closing
electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP58008745A
Other languages
English (en)
Inventor
Kuniyoshi Tanaka
田中 国義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP58008745A priority Critical patent/JPS59135741A/ja
Publication of JPS59135741A publication Critical patent/JPS59135741A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/72Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/50Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
し発明の技備分す((〕 本発明it、 !4(導体ウェハ等ケチ−プルに等υて
固カー゛す之)ためのFtT侍F1.チャックに1ル1
する。 〔発明の技術重石1p〕 例えば上HB4′1111画装置によってシリコンウェ
ハ等の試料に面接描画するしこ際しては、テーブル上に
載16=声れた試料の1°そり1′を無ぐシフ、子し2
てチーXプル移動時に試料がすれないようにするために
静電チャック条で使用してテーブル上6・ζ試峯・1を
: <+n”実に密着固定する必要があえ)2、 このための#i’ ′小゛チャックとして、チーフル」
二Vこ設けた基盤と基盤上に載置した試A)Iとに的υ
it、高1111汁ケ印加して、Hノ峙b、力によって
基盤ヒに試料を吸着する構造のものが知られている、 このようII構造の静電チャックにおいては、試峯1吸
着に先立つて、試料、基盤間に高〒↑(1汁イで・印加
するために必安な電極を、試料」−に固定し−r両渚ケ
導]1りさせなけれはならない1、ぞのプこめ第1図に
概略t<jt面図で示され石ように、デープル〔図示せ
す〕1−VC設けられた基盤1の上面上に1成112ケ
載置し、試料用の′[h、極3の先端と、さらに放71
NJIJのVt電極の先☆111.1とゲ万いに近接さ
ぜると共に両′111極3.4を試料2十面上にバネ等
の圧カイζ1加千1ツ′5によってlツr定H−力で押
伺け、イし7て両1it、榛3□4間に放′Ih、用′
市源からの高%: 1.4ゲ印加[2−Cその両う1;
端間で放電を起こさせ、かくし7千光生む/こ熱’rc
 Lって試料2の1−面上の酸化膜□□□−(f!4壊
(1,で試を団1の山付]3と試本12と庖:2、F約
H41Δせ、山イ歩3鞘試木」2に1、!il定−fゐ
。1左試料2とM、極3とが導通したことクーイI’f
fl r沼するには、′電極3に印加される高電I+ケ
′lh。 I(61にj:つ゛C監ネh’t〜、その、い片言1の
振t1が負の特f+ゲ示1,1こときに、試料2表11
11の数比ルア1か破壊さ)′1て試料2と石、極3と
が導通し7たことが確認される1、 こσ、ようにして試料2と″[(f、極3とか導通し−
7たこ−シ・ とケ4’1g i沼し2に後、hシミ用市極0.1叫1
゛に1−1試刺吸〔昔1ン1技術の問題点〕 し−2かじなが「)P述のような篩箱7チヤ゛ツクにお
いては、試料2と′「)j極3とか導通したか否力・を
基盤上に載置されλ、試料4σに確認しなけれし、lな
らす、し、かもその後に重、伽を切替えて試料2ケ基盤
1上に吸着ば−V斤けtlはな0かい。 コノ/こめ、EB描画装fl vにのような静電チャッ
クを適用すると、システム全体とし2千作業の自動化ケ
図ることが困難である。 〔発明の[1的〕 本発明し1−以上のよう1(4I−悄’f J’ I帳
して〃さ)1にもので、試料上C(二重極を固定し7両
渚會導j支0さ1t、しかも基盤上((試料ケ吸別させ
る−14・、の動作ゲ1]41j1的に行ηつことがで
きる静■1:チ^パンクゲ得るCとを目的とする。 〔発明の棚列〕 本発明においては、基盤上に載置し、7たバネ’I l
 vc!−1−いに近接1′石ように固定し7た試料H
’JτIイ債−・よび放電用電極間に、出力型1(−ヶ
変更1扛能な直IAL iRl )−を市1温た「)の
ランプ抜出力■、圧を印加してli[+l ’t4+’
、 lxとE x:*とをv7いに導通させ、この導通
によてンで1iilζ;(已高圧電源からの電流に重信
した交かt、 (F 、441’+f、流、プ)ζ色、
増したことを検出し、この検出結果に基つI−″)て、
前記高If fij m ノltl力11t 圧y、1
 +p) B エテ、fi’l 1fi2 Wrh B
 ’n(。 源から、試料土に固定した試料)11電イ徹金介(〜C
1試料、基盤間に試料を基盤上に吸糸さ−を上2)に・
ゼ・安な電圧を印加することKよって、「)1f記目的
含S、1”れ/j見している。 〔発明の実施例〕 第21:RJ i’J:本発明にがかる#lI”dもチ
ャックの回路ブロック図である。 第2図に示t、cうに6は、出力重圧が変更可能な直流
の給IH−箪折であり、この高圧和飾6は、その−(マ
イナス)倶1が接地さハ、その+(ブラスノ佃が、保護
用抵抗7(高摂抗値:例えば2〜3MΩ〕および第1リ
レー8の第1九級点8a、1からlる内列回路を介して
基盤夏に接続されている。 基盤1上面上にC1試相2が載置さノする1、基盤11
1−に試料2が載置されることによって、両考間に所定
静電、容計のコンデンサが形成される、試料2上面上に
は、試料用の電極3の先端と、さらに放電用のtjf極
4の先端とを、バネ等の圧力付加手段(図示省略) r
tcよって所定押)1−力で押伺けである。 電極3d接地され、W棒4け検出トランス901次41
!1巻線、結合トランス1002次側巻線、第2リン−
11のa接点11aおよび保縛用抵抗7からなる直列回
路を介シー、て高圧電源6の+側に接続きれている、 高H: m’、 泥(iに(d、出力型B[史用の■1
11仰個月として、ランン信−け発生器12からの出力
111号が第3リレー13の第1a接点13aJ、 k
介しT1さll−)に基準電圧発生器14からの出力信
号が第1jlLz−8の第2a接点8a2を介し、て入
力さiIるようになっており、こtcら制御信号によ′
」−)て高圧電63A6の出力沖、Ef:九変・史され
る。高圧電源6および保護抵抗7からなる直列回路には
コンデンサ15が並列に接続されでいる。結合トランス
10の1次義線には、交流発生器(周波数−二例えば5
00KHz〜1MH2) 16が接続されている。従1
)で、ランフ信月発4を一器12〃汀、の匍制御信号が
高用市、源6に入力されることによって、高1+電源6
【)ランプ状に高電月が出力さtll  これが保i
値用砥ノ九7、第2リレー11のa接点11a(閉時)
、結合トランス1002次側巻Y−1検出トランス9の
1次(tal1巻線を介して電極3に印加され、その結
果11f、極3,4の先端間で放電が起こり、かくして
発生した熱によって試料2上面上の酸化膜が破壊されて
両g極;つ。 4と試料2とが互いに導通する。このように、tl:i
:極3.4か試料2に専辿することによって、高圧’I
f源6、第2リレー11のa接点11a1結合トランス
1002次巻勝、検出トランス9の1次側巻ITI!1
1、電極4、試料2および′電極3刀)らなる導通確認
用IY]回路が形成さil−る。従って、全3tc発生
器16からの交流信号は結合トランス10¥・介[2て
導通確認用閉回路中を流れ、これが検出トランス9 V
Cよって検出される。この導通確認用閉回路の等価回路
?=を第3図に示す通りであ6.、コンデンサ+5?−
,l:、導通音ト認用閉回路のインピーダンス有・下げ
てIIiIm回路中を交流発生器16からの交l′i′
7r、イハー号が流Jヒ交)すいようにし2、もって検
出トランス9の2次側に誘起される交流信号のθ/N比
を改善する、−力、丑!極3力く試料2に導通すること
してL′″:)1、高目−市、源6、保撞用訊抗7、第
1リレー8の第1a接点8a1(閉時)、基盤1、基盤
1と基盤1」二に載置された試料2とによって形成され
たコンチン−1−C1試相2の等価枳抗Rおよび電極3
からなる試料吸着片■1回路が形成ばれる。この等仙1
回路も第3図に合わせて示しである。 検出i・ランス9の2次0Il1巻称には、バッファ貯
ノ巾器17か接続さノ1″′Cおり、検出l・ランス9
の2次側に誘起された交流信号がバッファ増+1−J器
17に入力され増巾されて出力食れる。バッファ増+j
J器17の出力信号は、検波積分器181/7T人力さ
fjここにおいて検波積分され直流信号KX変換されえ
〕。 検波積分器18刀Sらの出力信号に5、比較器19に入
力される。比較器19に訃いてしt、あc−N′D1[
Cめ定d)I−れた基準設定値と検波積分器18からの
出力信号値とが比較され、検波積分器18からの出力信
号4^が基準設定値を越えたときに信号≠;出力される
。この基鵡設定値は、あらかじめ検定rCよって、′ポ
極3,4と試料2とが導通したときにイ4Iられる検波
積分器18からの出力材−←)植よりも7り[定値たけ
低い価になるうに定められている。 比較器19からの出力信号V1、バソノア増FlJ器2
0に入力されて増巾され、そして匍制御用トランジ、7
゜り21のベークに入力される。 制御用トランジスタ21のエミッタに接地さえtコレク
タは第4リレー2Sl介して供y4・11イ、源(図小
(Fず)の+(ノラス) (iill (fc接経1貞
れている。このイへ1ト′巾′源の+11111にハ、
 第;3 リレー13の第2a接点13a2オ・工び始
動スイッチ23(′帛開ンの−Vjl、iが接続され、
これら第2a接点13a2シ・よぴ始動スイッチ23の
他端は第41ル−22のb接点221)の−婦vc4ヅ
続され、b接点221)の他臨は第2リレー11および
ψ3リレー13の−婦に接続され、これ【)リレー1i
、第3の他端t−[耕地されてい;tS、、また111
1バ1言氏圧電源の」−イ則には、第1 IIシレーの
第3a接点シ(a3および第41多レー22σ・a接点
22aの一嬬ガ接続さえl、これら第3a接点7改3お
よびalざ点22aの仙ψ:A(k↓停停止スラッチ2
4常閉)の一端に接続され、停止スイッチ24の他端は
第1リレー7の一グMK接続さね、第1リレー7の他端
は接地されている、 以上のような4色成によって次のように17で電極3が
試料2に接続され、ぞL7て試料2が基盤1に吸着され
る。、ます、基盤1上に試料2を載置し、市、極3.4
の先端を互いに近接上せてこれらを圧カイで1加手段5
によって試料2の土面」二に押倒ける。 そして、始動スイッチ23ゲ閉[−ると、第2リレー1
1およ0・第3リレー13に電流が茄tして、これらが
作動して、第21Jレー11のa括一点11a方閉じ、
しかも、第3リレー13の第1aおよr7−第2a接点
13111.1.13a2が閉じる。その結果、第1お
よび第3リレー11.1.3i士作動イ呆本〜され、卯
。 4図中(1)で示すように、これら第1、第3リレー1
1.13に継続的に低H−宙、源からの宵11=が印加
され、一方、面圧甫豹6にランプ信号発生器12刀\ら
のランプ物、丹が印加され、高圧電源6からランプ状出
力電Jトが、保護用tX抗7、第21Jレー11の8接
点11a1結合トランス10の2次佃1イ=S<、検出
トランス9の1次(Il1巻絢全介し千′山極4に印加
される(第4図中χ2)参照)、 電極4(C高圧電源6からのランフ状の■(′、1■−
が印加されると、電極3.4間に放電が起こり、その結
果発生しまた熱に21ンって試料2上面十のレジスト膜
が破壊され、電極3.4と試料2とが導通し、導通確認
用閉回路が形成される。その結果、高圧筒:臨6からの
ランプ状箪庄が印加された’?Q極4 i1′万711
的VC接地され、ここにおける市n−+:l急激に低−
トシてovcyrる。 そ[7で、このようKt、て市イ傘3と試料2とが漕。 1iIlすると、導通4″ffr認用閉回路中を流ねる
交流発生器16からの交流信号の仙が急増[7、その結
果、検出トランス9の2次(tmにおける交流信−け値
が第4図中(3)で示すよう(C急増し、比較器1≦)
に入力される検波積分器18の出力車Fトも第4図中(
4)で示すように角、増し、て、ζ第1が比較器19に
おける基僧設定値(第4図11−+(4)におばでaで
示す)レベルを越え、そして、第4図中(5)で示すJ
う(てバッファ増巾器20力1らの、電極3と試料2と
が導]1η(−7たことを確望する出力(tr号が制御
用トランジスタ21のベースに入力されるう 制御用トランジスタ21のベースにバッファ」曽Tl]
520からの信号力;入力されると、同トランジスタ2
1のコレクタに′電流、がMCれて第4リレー22が作
INyし、そ、のa接点22aが閉じ、同時に子のし接
点22bが開いて、第1リレー8が作動し、同時に第2
リレー11、第3リレー13が作動停止する。その結果
、第1リレー8の第1a接点8a1i2a接点3a2、
第3a接点8a3カ閉じ、1111時に第3リレー13
の第1a接点13a】、第2aP一点l3a2J2リレ
ー11のa接点1 i a %に開いて、(1)、基準
tit IJi−発生器14からの制御信弓が高11−
市諒6に入力され、高厘市、源67J\ら篩箱′チャッ
ク月1 、V:1霜圧が発生し2て、これが保護用4■
11冗7、第1リレー8のぎ1.1a接点8alを介し
て基盤1に印加さtl、(第4図中(6)参照)、同時
に、(2)、第4リレー22が作動停止して、そのa接
点22aが開くと共に様。 1リレー8の第3a接点8a、3が閉じることにL″′
)で、第1リレー8は引続いて作dI′11保持さtす
る。 基準1に高11−電極6かC)の高1j EtFが印加
さ第1私と、試料2、基盤1間に静電力が発生し、試1
2は基盤1シこ吸着される。 なお、基盤1への試料2の吸糸を解除するにr1停止ス
イッチ24を開いて、第1リレー8の作動を停止させる
。その結果、第1リレー8の各a接点8a1.3a2.
8a3 f’r開いて基filic高’iIs’、 J
T−が印加され方〈斤るので、基盤1、試料2間のn員
ff1. jyがなくな−ラて、基a:1への試料2の
吸尤プノ晴(除され/:)。 〔発明の効果〕 以l二説、明したように、本発明によれは、試料を基盤
」−に自動的に吸着することができ、システム全体の能
率?向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(rL基盤部分の概略断面図、第2図は本発明に
かが2.静電ヂーヤツクの回路ブロック図、第;)図は
同回路要部の等価回路図、第4図&−1本発明静電ヂャ
ツクの作動全説明するグこめの波形図である。 1・・・基盤、 2・・・試料、  3,4・・・i1
〕極、6・・・高圧′6源、  s 、= 第1リレー
、  8a、1.8a2゜8a、3・・・a接点、  
9・・・検出トランス、  10・・・結合!・ランス
、  11・・・第2リレー、11a・・・a+g点、
  12・・・ランプ信ぢ発生器、  13・・悄!3
リレー13al、 13a2・・・84接点、  14
・・・〃・準1し圧発牛器、  16・・・交流発生器
、  18・・・構成積分器、19・・・比較器、  
21・・・制御用トランジスタ、22・・・第4リレー
、  22a・・・a接点、  22b・・・b接点、
  23・・・始動スイッチ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 基盤と、 出力電圧を一変史+J能な泊流高圧電源と、前記高IF
    電源からランプ状出力電圧を発生さゼーるための匍制御
    信号全前訃)高圧′巾、飾に印加するランプ信号発生器
    と・、 前記基盤上に試料を吸着させるに必要な出力電圧を前記
    高圧電源から発生させるだめの匍」御信号を印加する基
    準電圧発生器と、 前記基盤上に載置した試料−にに互いに近接するように
    固定1−7た試料用電極および放′市用′電極と、 前記ランプ信号発生器からの■II御信号を開閉するた
    めの第1開閉手段と、 前記基準筒;J]:発生器からのi制御信号を開閉する
    ための第2開閉手段と、 前記高L1−昂5源、前記放電、用電極、前記試料およ
    び前記試料用’a極全全直列接続てIIる導通確認用開
    閉回路の一部を開閉するための第3開閉−1・段と、 前記高圧電源、前記基盤、=f1記基盤と前記試料とに
    よって形成されたコンテンツ、前記試料および前記試料
    上に固定した前記試料用11:極¥1白列接続してなる
    試料1yり着用閉回路の一部を開閉する/こめの第4開
    閉手段と、 前記第1、第2.、第3、第4開閉手段の開閉を制御す
    るための制御手段番と、 前記導通確認用閉回路中に交流信号を加えるだめの交流
    発生器と、 前記導通確認用閉回路中を流れえ、前記交流発生器から
    の交流信号を検出するための検出):(と、前記検出器
    からの出力信号を検波1.”−(−的流信匙に変換する
    ための変換器と、 前記変換器からの出力信号をあc−)かしめ定めた基準
    設定値と比較して、前記変換器からの出力信号が前記基
    準設定値を越えた値であるときに(す音信号ケ前記皿制
    御手段に入力するための比較器とを4+r++え、 1!:、I rG市1111仙jに段(′11、始動ス
    イッチと、前h[シ始動スイッチを1チ]じることによ
    って、前記第1および第3開閉手段ケ閉じて、■)1]
    記高汗11r源からランプ状出力((」汗(・全発生さ
    、(1′1″乙と共に前記導通4ifli認用閉回路ケ
    形成さぜる機11)(と、前記切替信号が人力食れ2)
    ことしてよって、前記第1および第3開閉手段を開くと
    共Cτ前h1(第2あ・よひ第4開閉手段ケ191じて
    「)1霞己9吉flW 1−FCII!J R’f2 
    K本(11段着させ6に必要hNL+を・前記高月−市
    :飾か「1発生させると共に前n[)試料吸措用閉回路
    を形成させる機能とをイi’ L 1いるこ2−kq)
    徴とする0イ1111チヤツク、
JP58008745A 1983-01-24 1983-01-24 静電チヤツク Pending JPS59135741A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08191099A (ja) * 1994-09-30 1996-07-23 Nec Corp 静電チャック及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08191099A (ja) * 1994-09-30 1996-07-23 Nec Corp 静電チャック及びその製造方法

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