JPS5914143A - 半導体レ−ザの変調方式 - Google Patents
半導体レ−ザの変調方式Info
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- JPS5914143A JPS5914143A JP57121415A JP12141582A JPS5914143A JP S5914143 A JPS5914143 A JP S5914143A JP 57121415 A JP57121415 A JP 57121415A JP 12141582 A JP12141582 A JP 12141582A JP S5914143 A JPS5914143 A JP S5914143A
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- Japan
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 101100522111 Oryza sativa subsp. japonica PHT1-11 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000243621 Vandenboschia maxima Species 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
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- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
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- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は半導体レーザの変調方式に係り、周囲温度の変
動或いは半導体レーザ素子のバラツキに影響されること
なく、常に一定の被光変調出力を得ることができる質調
力式乞提供することを目的とする。
動或いは半導体レーザ素子のバラツキに影響されること
なく、常に一定の被光変調出力を得ることができる質調
力式乞提供することを目的とする。
半導体レーザの駆動電流（Ｄ対光出力（刊行性は第１図
の直線１．■に示す如く、良好な直線性をなす。そこで
、一般の半導体レーザの変調方式はこの特性の＠練性を
利用し、例えば、駆動電流工。
の直線１．■に示す如く、良好な直線性をなす。そこで
、一般の半導体レーザの変調方式はこの特性の＠練性を
利用し、例えば、駆動電流工。
ン笈調信号ａＯで変調して得た被変調駆動電流にて光出
力を変調し、被光俟）調用力Ｐ。０な得る。このとき、
動作虞（駆動電流ＩＱ）乞確保するために被光変調出力
ＰＴｏの平均値Ｐ。娑検出してこれ娑変調回路に帰還し
てその動作点を安定にする。
力を変調し、被光俟）調用力Ｐ。０な得る。このとき、
動作虞（駆動電流ＩＱ）乞確保するために被光変調出力
ＰＴｏの平均値Ｐ。娑検出してこれ娑変調回路に帰還し
てその動作点を安定にする。
ところが半導体レーザ素子は一般に周囲温度によってそ
の光出力が左右さｎる欠点を持っており、第１図に示す
如く、温度Ｔ’Ｙパラメータとした場合、その光出力特
性に温度’ｒ（、、ＴＩ Ｋよって変化する。この工う
［、半導体レーザはその光出力が温度に左右さｎる性質
ン持っているにも拘らず、従来の変調器はこの点に関し
て何ら考慮芒れていない。
の光出力が左右さｎる欠点を持っており、第１図に示す
如く、温度Ｔ’Ｙパラメータとした場合、その光出力特
性に温度’ｒ（、、ＴＩ Ｋよって変化する。この工う
［、半導体レーザはその光出力が温度に左右さｎる性質
ン持っているにも拘らず、従来の変調器はこの点に関し
て何ら考慮芒れていない。
このため、従来の変調方式では特に変調信号の振幅が常
に一定のま１であるので、温度Ｔが例えば温度Ｔ、にな
った場合の被光変調出力ＦＴ、の振幅は温度Ｔ。の場合
の被光変調出力ＰＴｏのそｆＬＶＣ比して小になる等、
温度変化によって被光変調出力の振幅が変動してし壕い
、正しい被光変調出力を得ることができない欠点があっ
た。
に一定のま１であるので、温度Ｔが例えば温度Ｔ、にな
った場合の被光変調出力ＦＴ、の振幅は温度Ｔ。の場合
の被光変調出力ＰＴｏのそｆＬＶＣ比して小になる等、
温度変化によって被光変調出力の振幅が変動してし壕い
、正しい被光変調出力を得ることができない欠点があっ
た。
一力、半導体レーザ素子はバラツキによりその光出力特
性が夫々異なったり、或いはその動作点電流が夫々異な
ったりする。然るに、従来の変調方式にこの点に関して
も何ら考慮されていないため、素子のバラツキによって
被光変調出力にバラツキン生じ、この点からも正しい被
光変調出力乞得ることができない欠点があった。
性が夫々異なったり、或いはその動作点電流が夫々異な
ったりする。然るに、従来の変調方式にこの点に関して
も何ら考慮されていないため、素子のバラツキによって
被光変調出力にバラツキン生じ、この点からも正しい被
光変調出力乞得ることができない欠点があった。
本発明に土肥欠点を除去したものであり、以下、第２図
及び第３図と共にその一実施例について説明する。
及び第３図と共にその一実施例について説明する。
第２図に不発明になる半導体レーザの変調方式の一実施
例のブロック系統図を示す。同図において、？常時の周
囲温度Ｔｏｃｌ場合、端子１に入来した例えば映像信号
ｅ は変調回路２にて後述のコンパレータ３からの変調
信号ａ。（第３図１）にて賑幅変調畑れて被変調駆動電
流とさｎ、半導体レーザ発振器４に供給孕ｎる。第３図
に示す如く、駆動電流はその動作点ケエ。に持ち、その
最大値は工６、その最小値は工、である。半導体レーザ
発振器４において、第３図の直線１に示す光出力はｆ調
回路２からの駆動電流にて振幅変調されて第３図に示す
如き被光変調出力ＰＴｏとされ、その両端面から出力さ
れる。被光変調出力Ｐ、。のうちの一方はフォトダイオ
ード等にて構成されるモニタダイオード５に供給されて
その振幅に対応した振幅を持つ信号と芒れ、クランプ回
路６に供給てれる。
例のブロック系統図を示す。同図において、？常時の周
囲温度Ｔｏｃｌ場合、端子１に入来した例えば映像信号
ｅ は変調回路２にて後述のコンパレータ３からの変調
信号ａ。（第３図１）にて賑幅変調畑れて被変調駆動電
流とさｎ、半導体レーザ発振器４に供給孕ｎる。第３図
に示す如く、駆動電流はその動作点ケエ。に持ち、その
最大値は工６、その最小値は工、である。半導体レーザ
発振器４において、第３図の直線１に示す光出力はｆ調
回路２からの駆動電流にて振幅変調されて第３図に示す
如き被光変調出力ＰＴｏとされ、その両端面から出力さ
れる。被光変調出力Ｐ、。のうちの一方はフォトダイオ
ード等にて構成されるモニタダイオード５に供給されて
その振幅に対応した振幅を持つ信号と芒れ、クランプ回
路６に供給てれる。
クランプ回路６に供給されたモニタダイオード５の出力
信号はその被光変調出力ＰＴｏの平均値ＰＱをクランプ
され、最大電圧検出回路γ、最小電圧検出回路８に供給
畑れる。クランプパルス発生器９は変調回路２の出カン
供給さｎて作動てれて所定位相のクランプパルスを発生
する構成とされており、このクランプパルスは最大電圧
検出回路１及び最小電圧検出回路８に夫々供給されて最
大電圧ＥＡ及び最小電圧ＥＢン夫々サンプルホールドて
れて取出さｎる。検出回路γ、８の夫々の出力電圧ＥＡ
、Ｅ３はコンパレータ３に供給さｎ、ここで電圧ＥＡ及
び電圧ＥＢの夫々の値に応じた制御信号と埒ｎ、変調回
路２に供給妊れる。変調回路２は、変調信号ａ。の振幅
がここに予め設定爆れている定常時の被光変調出力Ｐ、
。の最大値及び最小値が得らｎるようにコンパレータ３
からの制御信号に応じて変化するように構成芒扛ている
。
信号はその被光変調出力ＰＴｏの平均値ＰＱをクランプ
され、最大電圧検出回路γ、最小電圧検出回路８に供給
畑れる。クランプパルス発生器９は変調回路２の出カン
供給さｎて作動てれて所定位相のクランプパルスを発生
する構成とされており、このクランプパルスは最大電圧
検出回路１及び最小電圧検出回路８に夫々供給されて最
大電圧ＥＡ及び最小電圧ＥＢン夫々サンプルホールドて
れて取出さｎる。検出回路γ、８の夫々の出力電圧ＥＡ
、Ｅ３はコンパレータ３に供給さｎ、ここで電圧ＥＡ及
び電圧ＥＢの夫々の値に応じた制御信号と埒ｎ、変調回
路２に供給妊れる。変調回路２は、変調信号ａ。の振幅
がここに予め設定爆れている定常時の被光変調出力Ｐ、
。の最大値及び最小値が得らｎるようにコンパレータ３
からの制御信号に応じて変化するように構成芒扛ている
。
ここで、定常温度Ｔ。が変動して温度Ｔ１になると、こ
れに伴って半導体レーザの特性に第３図の＠線Ｉｌに示
す特性となる。この場合、変調回路２の動作電流乞■。
れに伴って半導体レーザの特性に第３図の＠線Ｉｌに示
す特性となる。この場合、変調回路２の動作電流乞■。
から工、にしても変調信号ａ。の振幅がこのままである
と、第３図に示す如く、半導体レーザ発撮器４の被光変
調出力ＰＴ１１の振幅は定常時の被光変調出力ＰＴｏの
それに比して小になる。
と、第３図に示す如く、半導体レーザ発撮器４の被光変
調出力ＰＴ１１の振幅は定常時の被光変調出力ＰＴｏの
それに比して小になる。
検出回路７．８においてこの被光変調出力Ｐ、１′の最
大値Ｐ °、最小値”ｍｉｎ’に応じた最大電圧ＥＡ１
、ａｘ 最小電圧ＥＢ゛が検出孕ｎ、コンパレータ３よりこの電
圧ＫＡ’ 、 稲’に夫々応じた制御信号が取出てｎで
変調回路２に供給嘔扛る。
大値Ｐ °、最小値”ｍｉｎ’に応じた最大電圧ＥＡ１
、ａｘ 最小電圧ＥＢ゛が検出孕ｎ、コンパレータ３よりこの電
圧ＫＡ’ 、 稲’に夫々応じた制御信号が取出てｎで
変調回路２に供給嘔扛る。
この場合、被光変調出力ｐＴ、ｌの最大値Ｐｍａｘ″（
最小値Ｐｍｉ。°）は定常時の被光変調出力ＰＴｏの最
大値Ｐ （最小値”ｍｉｎ ）に比して小（太）であ
るａｘ ので、これらの値が定常時の被光変調出力ＰＴｏのそれ
らと夫々等しくなるように、つまり、定常時の変調信号
ａ。の振幅エリも大きな珈幅ンもつ変調信号ａ１が得ら
れるように制御される。これにエリ、変調回路２の駆動
電流は変調信号ａ１にて振幅変調Ｉｎで動作点工１、最
大値■６°、最小値工３°の被変調駆動電流とさ扛、半
導体レーザ発撮器４の光出力はこの駆′ＩｔＩＪ′ｖ！
Ｌ流にて変調芒れて被光変調出力ＰＴ、とされ、定常時
の被光変調出力ＰＴｏの最大値及び最小値と等しくされ
る。
最小値Ｐｍｉ。°）は定常時の被光変調出力ＰＴｏの最
大値Ｐ （最小値”ｍｉｎ ）に比して小（太）であ
るａｘ ので、これらの値が定常時の被光変調出力ＰＴｏのそれ
らと夫々等しくなるように、つまり、定常時の変調信号
ａ。の振幅エリも大きな珈幅ンもつ変調信号ａ１が得ら
れるように制御される。これにエリ、変調回路２の駆動
電流は変調信号ａ１にて振幅変調Ｉｎで動作点工１、最
大値■６°、最小値工３°の被変調駆動電流とさ扛、半
導体レーザ発撮器４の光出力はこの駆′ＩｔＩＪ′ｖ！
Ｌ流にて変調芒れて被光変調出力ＰＴ、とされ、定常時
の被光変調出力ＰＴｏの最大値及び最小値と等しくされ
る。
このように、半導体レーザ発振器４の被光変調出力の最
大値及び最小値に夫々応じた値ンもつ制御信号ケ変調回
路２に帰還して常に定常時の被光変調出力の値と同じ値
の被光変調出力が得られるように制御しているため、温
度変動或いは素子のバラツキ等によって半導体レーザ光
出力特性が変化しても、又、バラツキによって動作点電
流が変化してもその影響なく常に一足の振幅の被光変調
出力を得ることができる。
大値及び最小値に夫々応じた値ンもつ制御信号ケ変調回
路２に帰還して常に定常時の被光変調出力の値と同じ値
の被光変調出力が得られるように制御しているため、温
度変動或いは素子のバラツキ等によって半導体レーザ光
出力特性が変化しても、又、バラツキによって動作点電
流が変化してもその影響なく常に一足の振幅の被光変調
出力を得ることができる。
一力、上記の場合とは逆に定常温度Ｔ。の時の光出力特
性よりもその傾きが急である特性ンもった光出力が得ら
れる温度になると、上記の場合とに逆の動作により変調
回路２の変調信号の振幅が定常時におけるそｔに比して
小になるように制御てれ、定常時における被光変調出力
の値と等しい値の被光変調出力が得られる工すに制御芒
む、る。
性よりもその傾きが急である特性ンもった光出力が得ら
れる温度になると、上記の場合とに逆の動作により変調
回路２の変調信号の振幅が定常時におけるそｔに比して
小になるように制御てれ、定常時における被光変調出力
の値と等しい値の被光変調出力が得られる工すに制御芒
む、る。
１述の如く、本発明に々る半導体レーザの変調方式に、
変調信号にて振幅変調された被光俊調レーザ光出力の最
大値及び最小値ケ検出してこｎらの値に応じたｆｔｉ制
御傷号乞得、予め設足場れた最大値及び最小値ンもつ被
光変調レーザ光出力が得らｆ′Ｌゐようにこの制御信号
に応じて変調信号の動作点及び振幅を制御するようにし
たため、例えば、周囲温度の変動によって半導体レーザ
の光出力特性が変化してもその影響なく常に一足振幅の
被光変調出力を得ることができ、又、半導体レーザ素子
のバラツキにエリその光出力特性が夫々異なっていても
、又、その動作点電流が異なっていてもこｎらの影４！
ｌ１１なく常に定常の被光変調出力を得ることができ、
こｎらの対策ケ施していない従来のものに比して正しい
被光変調出力を得ることができ、例えは、ビデオディス
クの製造時における被光変調出力による薄膜への孔力ｎ
工の精度な上げることができ、又、アナログ光変調にお
いてもその変調の精度を上げることができる等の特長乞
有する０
変調信号にて振幅変調された被光俊調レーザ光出力の最
大値及び最小値ケ検出してこｎらの値に応じたｆｔｉ制
御傷号乞得、予め設足場れた最大値及び最小値ンもつ被
光変調レーザ光出力が得らｆ′Ｌゐようにこの制御信号
に応じて変調信号の動作点及び振幅を制御するようにし
たため、例えば、周囲温度の変動によって半導体レーザ
の光出力特性が変化してもその影響なく常に一足振幅の
被光変調出力を得ることができ、又、半導体レーザ素子
のバラツキにエリその光出力特性が夫々異なっていても
、又、その動作点電流が異なっていてもこｎらの影４！
ｌ１１なく常に定常の被光変調出力を得ることができ、
こｎらの対策ケ施していない従来のものに比して正しい
被光変調出力を得ることができ、例えは、ビデオディス
クの製造時における被光変調出力による薄膜への孔力ｎ
工の精度な上げることができ、又、アナログ光変調にお
いてもその変調の精度を上げることができる等の特長乞
有する０
第１図に従来方式の一例を説明するための半導体レーザ
の駆動電流対光出力特性及び被光変調出力特性図、第２
図は本発明方式の一実施例のブロック系統図、第３図は
本発明方式ン説明するための半導体レーザの駆動を流動
光出力特性及び被光変調出力特性図である。 １・・映像信号入力端子、２・・・変調回路、３・コン
パレータ、４・・半導体レーザ発監器、５・・・モニタ
ダイオード、６・・・クランプ回路、Ｔ・最大電圧検出
回路、８・・最小電圧検出回路、９・・クランプパルス
発生器。 第１図 第２図 第３図
の駆動電流対光出力特性及び被光変調出力特性図、第２
図は本発明方式の一実施例のブロック系統図、第３図は
本発明方式ン説明するための半導体レーザの駆動を流動
光出力特性及び被光変調出力特性図である。 １・・映像信号入力端子、２・・・変調回路、３・コン
パレータ、４・・半導体レーザ発監器、５・・・モニタ
ダイオード、６・・・クランプ回路、Ｔ・最大電圧検出
回路、８・・最小電圧検出回路、９・・クランプパルス
発生器。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 半導体レーザ光を変調信号にて振幅変調する半導体レー
ザの変調方式において、該変調信号にて振幅変調てれた
被光変調レーザ光出力の最大値及び最小値を検出してこ
れらの値に応じた制御信号を得、予め設定きれた最大値
及び最小値ンもつ被光変調レーザ光出力が得られるよう
に該制御信号に応じて該変調信号の動作点及び振＠ン制
御することケ特徴とする半導体レーザの変調方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57121415A JPS5914143A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 半導体レ−ザの変調方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57121415A JPS5914143A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 半導体レ−ザの変調方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5914143A true JPS5914143A (ja) | 1984-01-25 |
Family
ID=14810594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57121415A Pending JPS5914143A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 半導体レ−ザの変調方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914143A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62264275A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-17 | 清水建設株式会社 | 多層建物の耐震構造 |
| US5347385A (en) * | 1991-02-08 | 1994-09-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Frequency-multiplex optical transmission apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53121590A (en) * | 1977-03-29 | 1978-10-24 | Post Office | Device for stabilizing injection laser output characteristic |
| JPS5522290A (en) * | 1978-08-04 | 1980-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | Optical modulator |
-
1982
- 1982-07-13 JP JP57121415A patent/JPS5914143A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53121590A (en) * | 1977-03-29 | 1978-10-24 | Post Office | Device for stabilizing injection laser output characteristic |
| JPS5522290A (en) * | 1978-08-04 | 1980-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | Optical modulator |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62264275A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-17 | 清水建設株式会社 | 多層建物の耐震構造 |
| US5347385A (en) * | 1991-02-08 | 1994-09-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Frequency-multiplex optical transmission apparatus |
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