JPS59142838A - 薄膜成長装置 - Google Patents
薄膜成長装置Info
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- JPS59142838A JPS59142838A JP58016767A JP1676783A JPS59142838A JP S59142838 A JPS59142838 A JP S59142838A JP 58016767 A JP58016767 A JP 58016767A JP 1676783 A JP1676783 A JP 1676783A JP S59142838 A JPS59142838 A JP S59142838A
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- susceptors
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- thin film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばアモルファスシリコン（ａ−８＋）太
陽電池の製造に用いるような気相成長による薄膜成長装
置に関する。
陽電池の製造に用いるような気相成長による薄膜成長装
置に関する。
ａ−８ｉ太陽電池は例えば第１図のような構造を有し、
ガラス等の透明絶縁基板１０の上にインジウム、ラン、
フォスフインとシランよりなるそねぞれのガスのグロー
放電分解によりｐ形ａ−８＋１ＭＩ２、ノンドープａ−
３ｉ層ｊ３、ｎ形ａ−３１層１４が積層されている。
ガラス等の透明絶縁基板１０の上にインジウム、ラン、
フォスフインとシランよりなるそねぞれのガスのグロー
放電分解によりｐ形ａ−８＋１ＭＩ２、ノンドープａ−
３ｉ層ｊ３、ｎ形ａ−３１層１４が積層されている。
層＋２．１３．１４の膜厚はそれぞれ約１００人、０５
μｍ、５００λである。さらにその上に金属電極１５が
被潰し、基板１０から入射する光より発生する光超電力
は光電流として透明電極１１と金属電極１５の双方から
とり出される。このような太陽電池を製造−するために
は第４図（ａ）、 （ｂｌに示すよ５に透明［極１１を
被着したガラス基板１０をサセプタ加の上にとりつけろ
。
μｍ、５００λである。さらにその上に金属電極１５が
被潰し、基板１０から入射する光より発生する光超電力
は光電流として透明電極１１と金属電極１５の双方から
とり出される。このような太陽電池を製造−するために
は第４図（ａ）、 （ｂｌに示すよ５に透明［極１１を
被着したガラス基板１０をサセプタ加の上にとりつけろ
。
基板ｆｏは透明電極１１を下にしてサセプタ２０の支え
枠２１の上に載せられ、その上に導電性の板２２をのせ
て爪ｎによって固定されるようになっている。
枠２１の上に載せられ、その上に導電性の板２２をのせ
て爪ｎによって固定されるようになっている。
第４図（ｂ）は第４図（、）の下側から見た囚で、基板
１０はサセプタ２０を逆にしても落下することはない。
１０はサセプタ２０を逆にしても落下することはない。
支え枠２】は薄い板状の突出体であるが、こわは基板の
全周を支える必要はな（、少なくとも３個所で突出して
いればよい。導電性の板２２はサセプタ２０と同質の拐
料でつ（らｒるのが望ましい。
全周を支える必要はな（、少なくとも３個所で突出して
いればよい。導電性の板２２はサセプタ２０と同質の拐
料でつ（らｒるのが望ましい。
透明電極１１を備えた基板１０を搭載したサセプタ２０
を第３図に示す薄膜成長装置の予備加熱室１で水平に並
べてヒータ２により加熱し、グｐ−放電分解のために必
要な温度まで昇温する。ヒータ２は抵抗加熱体でもよい
が、図のような赤外ランプを用いる方が放射熱が大きい
ので昇温速度が速い。
を第３図に示す薄膜成長装置の予備加熱室１で水平に並
べてヒータ２により加熱し、グｐ−放電分解のために必
要な温度まで昇温する。ヒータ２は抵抗加熱体でもよい
が、図のような赤外ランプを用いる方が放射熱が大きい
ので昇温速度が速い。
加￥ＩＩＩされた基板１０は４ノーセブク２０と共にし
きりかルノ°３を開いて反応室４の中に移し、ヒータ５
で加熱しながら電極６−の電圧印加によって生ずるグロ
ー放電による反応ガス分解生成物を堆積させる。
きりかルノ°３を開いて反応室４の中に移し、ヒータ５
で加熱しながら電極６−の電圧印加によって生ずるグロ
ー放電による反応ガス分解生成物を堆積させる。
このような予備加熱室１を設けるのは装置のサイクルタ
イムを小さくするためである。すなわち、反応室４でサ
セプタ２（）に搭載された力゛ラス基板上Ｖこａ−８ｉ
を成長させている間に、予備加熱室１で次にａ−３ｉを
堆積するガラス基板を搭載したサセプタを予備加熱する
ことにより、一つの室で加熱、成長を行う場合に比して
サイクルタイムが短（なる。
イムを小さくするためである。すなわち、反応室４でサ
セプタ２（）に搭載された力゛ラス基板上Ｖこａ−８ｉ
を成長させている間に、予備加熱室１で次にａ−３ｉを
堆積するガラス基板を搭載したサセプタを予備加熱する
ことにより、一つの室で加熱、成長を行う場合に比して
サイクルタイムが短（なる。
しかし多くの基板に気相成長を行おうとする場合、加熱
面積が犬ぎいので昇温條件に面内のばらつきが発生し、
サセプタ上で中央部と端部で例えば約３０℃の温度差が
存在する。また温度上昇速度のばらつきも大きいので温
度分布の制卸も困難である。ａ−３ｉの気相成長の場合
、成長温度がセル特性に大きな形管を及ぼすので、温度
の面内分布が均一にすることが望ましい。太陽電池セル
特性から考えると勺セプタ面内の温度差を１０℃以内に
抑える必要がある。
面積が犬ぎいので昇温條件に面内のばらつきが発生し、
サセプタ上で中央部と端部で例えば約３０℃の温度差が
存在する。また温度上昇速度のばらつきも大きいので温
度分布の制卸も困難である。ａ−３ｉの気相成長の場合
、成長温度がセル特性に大きな形管を及ぼすので、温度
の面内分布が均一にすることが望ましい。太陽電池セル
特性から考えると勺セプタ面内の温度差を１０℃以内に
抑える必要がある。
本発明はこのよルな要求に応じてザセブタ例支持される
基板の温度ができるだけ均一に保持される薄膜成長装置
を提供することを目的とする。
基板の温度ができるだけ均一に保持される薄膜成長装置
を提供することを目的とする。
この目的は薄膜成長装置が基板を支持する複数のサセプ
タな近接させて加熱する予備加熱室と、予備加熱室で加
熱された基板を支持するサセプタを薄膜成長時と同様の
相対位置になるように離して通過させる中間室と、中間
室より送り込まねた基板上に反応生成物の薄膜を成長さ
せる反応室とから存ることによって達成される。
タな近接させて加熱する予備加熱室と、予備加熱室で加
熱された基板を支持するサセプタを薄膜成長時と同様の
相対位置になるように離して通過させる中間室と、中間
室より送り込まねた基板上に反応生成物の薄膜を成長さ
せる反応室とから存ることによって達成される。
本発明の概念は、成長時に大面積になるサセプタを予備
加熱時にできるだけ小さな面積または体積として均一性
よく加熱しようとするものである。
加熱時にできるだけ小さな面積または体積として均一性
よく加熱しようとするものである。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。各
図において共通の部分には同一の符号が付されている。
図において共通の部分には同一の符号が付されている。
第４図は第一の実施例である。サセプタ２０３枚を水平
に並べて加熱する予備加熱室１の前にもう１つ加熱室７
を設けたもの、加熱室７においてサセプタ２０を３枚積
み重ねてヒータ２によって加部１ろものである。この加
熱は、真空中よりもむしろ不活性ガス雰囲気中で圧力を
減圧雰囲気にして行うと昇温速度、均−性共向上した。
に並べて加熱する予備加熱室１の前にもう１つ加熱室７
を設けたもの、加熱室７においてサセプタ２０を３枚積
み重ねてヒータ２によって加部１ろものである。この加
熱は、真空中よりもむしろ不活性ガス雰囲気中で圧力を
減圧雰囲気にして行うと昇温速度、均−性共向上した。
圧力としては数Ｔｏｒｒ ＝ Ｆ １０ Ｔｑｒｒがよ
い。又ガスとしては単原子分子であるＡ ｒ ＋ Ｎｅ
等を用いろよりも二原子分子であるＮ２を用いること
が昇温速度を早めることがわかった。→）−セブタの温
度をサセプタに接触している温度モニタで検知して所定
の温度に到達した場合、パルプ８を開いて一枚ずつ次段
の加熱室に送り出す。この場合、加熱室１，７０気圧を
同じ程度の真空に排気してお（ことはいうまでもない。
い。又ガスとしては単原子分子であるＡ ｒ ＋ Ｎｅ
等を用いろよりも二原子分子であるＮ２を用いること
が昇温速度を早めることがわかった。→）−セブタの温
度をサセプタに接触している温度モニタで検知して所定
の温度に到達した場合、パルプ８を開いて一枚ずつ次段
の加熱室に送り出す。この場合、加熱室１，７０気圧を
同じ程度の真空に排気してお（ことはいうまでもない。
予備加熱室１は同様にヒータ２を備えろと共にサセプタ
２０が積み重ねらねた状態でなく、水平に保だねている
。この室は、予備加熱室７と反応室４の中間にあって時
間−の調整と温度の安定化のために用いらねる。次にバ
ルブ３をあけて、サセプタ６が順次ａ−８ｔ成長室４に
送られ、水平に配置される。ヒータ５は基板温度を保つ
ためのもので抵抗加熱ヒータより形成されている。サセ
プタ２０は、電気的に互いに導通状態にあり、接地さ才
１ており、グロー放電用ダイオード電極の一方の極とし
て使用される。対向′ｒＩＬ極６とサセプタ２０との間
に高周波電界が印加され、導入されたガスのプラズマ分
解を行ない、基板１０の上にａＳ＋層を成長させろ。
２０が積み重ねらねた状態でなく、水平に保だねている
。この室は、予備加熱室７と反応室４の中間にあって時
間−の調整と温度の安定化のために用いらねる。次にバ
ルブ３をあけて、サセプタ６が順次ａ−８ｔ成長室４に
送られ、水平に配置される。ヒータ５は基板温度を保つ
ためのもので抵抗加熱ヒータより形成されている。サセ
プタ２０は、電気的に互いに導通状態にあり、接地さ才
１ており、グロー放電用ダイオード電極の一方の極とし
て使用される。対向′ｒＩＬ極６とサセプタ２０との間
に高周波電界が印加され、導入されたガスのプラズマ分
解を行ない、基板１０の上にａＳ＋層を成長させろ。
ａ−３ｉ層は、ｐ形、ノンドープ、ｎ形の各層を成長さ
せるが、反応室４内でガスを順次切りかえて、各々の層
を成長させろことができる。又、ドーピング不純物がノ
ンドープ層にはいるのを防ぐために、反応室４と同形の
反応室を３室つづけて設けそねぞねをｐ形ａ−８ｔ用、
ノンドープミー３ｉ用、ｎ形ａ−８ｉ用成長室とするこ
ともできる。
せるが、反応室４内でガスを順次切りかえて、各々の層
を成長させろことができる。又、ドーピング不純物がノ
ンドープ層にはいるのを防ぐために、反応室４と同形の
反応室を３室つづけて設けそねぞねをｐ形ａ−８ｔ用、
ノンドープミー３ｉ用、ｎ形ａ−８ｉ用成長室とするこ
ともできる。
予備加熱室７と反応室４においてサセプタは第５図に７
ｊ＝すように設置さねている。第５図は反応室４におけ
ろ配置の断面囚である。ガラス基板１０を搭載したサセ
プタ２０は、支持棒３１に軸支さ才また車輪３２で支え
られている。この重輪３２は支持棒３１と電気的に導通
状態にあり、接地されている。車輪３２はチェーン等（
図示していない）で外部から回転駆動ができるようにな
っている。サセプタ２０を移動さ七る場合、この車輪が
回転する。放電はサセプタ２０と電極６との間で行なわ
れる。
ｊ＝すように設置さねている。第５図は反応室４におけ
ろ配置の断面囚である。ガラス基板１０を搭載したサセ
プタ２０は、支持棒３１に軸支さ才また車輪３２で支え
られている。この重輪３２は支持棒３１と電気的に導通
状態にあり、接地されている。車輪３２はチェーン等（
図示していない）で外部から回転駆動ができるようにな
っている。サセプタ２０を移動さ七る場合、この車輪が
回転する。放電はサセプタ２０と電極６との間で行なわ
れる。
第６図ｔａ＋〜（ｆ）に３枚積み重ねて加熱したサセプ
タを一枚ずつ中間室１に送り出す方法を示したものであ
る。第６１！１４（ａ）は３枚サセプタ２０が重ねら才
１て加熱さハている状態である。サセプタ２０は支持体
：３３で支えらねている。サセプタ２０の下側にジヤツ
キ３４が配置さ才１、サセプタ２０が十分加熱されると
ジヤツキ３４が上がり、第６図（ｂ）に示すようにサセ
プタ２０を上に載せて少し持ち上げる。このとき支持体
３３は引っ込む。次いで第６図（ｃ）に示すようにジヤ
ツキ３４がサセプタ１枚分下がったところで支持体３３
が再び出て上部のサセプタ２０を２枚支える。最下部の
サセプタ２０を載せたジヤツキ３４１５ｇさらに下がっ
て第５図に示す車輪３２にサセプタ２０を載セ（第６図
（ｄ） ） 、単輪３２が回転してサセプタ２０を次の
室１へ送りこむ。つづいて第６圀（ｅ）、 （ｆｌＶｃ
示すように支持体３３に支えら第１た２枚の世セプタ２
０を再びジヤツキ３４の上に載せて少し持ち上げ支持体
３３を引っ込める。
タを一枚ずつ中間室１に送り出す方法を示したものであ
る。第６１！１４（ａ）は３枚サセプタ２０が重ねら才
１て加熱さハている状態である。サセプタ２０は支持体
：３３で支えらねている。サセプタ２０の下側にジヤツ
キ３４が配置さ才１、サセプタ２０が十分加熱されると
ジヤツキ３４が上がり、第６図（ｂ）に示すようにサセ
プタ２０を上に載せて少し持ち上げる。このとき支持体
３３は引っ込む。次いで第６図（ｃ）に示すようにジヤ
ツキ３４がサセプタ１枚分下がったところで支持体３３
が再び出て上部のサセプタ２０を２枚支える。最下部の
サセプタ２０を載せたジヤツキ３４１５ｇさらに下がっ
て第５図に示す車輪３２にサセプタ２０を載セ（第６図
（ｄ） ） 、単輪３２が回転してサセプタ２０を次の
室１へ送りこむ。つづいて第６圀（ｅ）、 （ｆｌＶｃ
示すように支持体３３に支えら第１た２枚の世セプタ２
０を再びジヤツキ３４の上に載せて少し持ち上げ支持体
３３を引っ込める。
このような手順を繰り返してサセプタ２０を１枚ずつ順
次予備加熱室７から予備加熱室１に送りこま才する。送
りこま第１たサセプタの先頭が所定の位ＭＶＣ来ると、
その位置を検出してその部分の車輪の回転がとめられ、
先頭のサセプタ位置が決まり、次のサセプタが順次前の
サセプタに接するところまで送りこまねる。
次予備加熱室７から予備加熱室１に送りこま才する。送
りこま第１たサセプタの先頭が所定の位ＭＶＣ来ると、
その位置を検出してその部分の車輪の回転がとめられ、
先頭のサセプタ位置が決まり、次のサセプタが順次前の
サセプタに接するところまで送りこまねる。
こうして加熱さ第１たサセプタは、昇温速度のばらつき
が少な（、反応室４Ｖこ並べらハた段階で温度分布を１
０″Ｃ以内に抑えることができた。また予備加熱室７で
の放置時間が少し長くなってもばらつきが増大すること
がな（なった。
が少な（、反応室４Ｖこ並べらハた段階で温度分布を１
０″Ｃ以内に抑えることができた。また予備加熱室７で
の放置時間が少し長くなってもばらつきが増大すること
がな（なった。
第７図に第二の実施例を示す。こハは装置の内部を上面
から見た図である。）ＪＵＩｆｌｈ室７内に→ノ゛セブ
タ２０がセル作成用ガラス基板を搭載して垂直に並べら
れている。個々のサセプタ２０は第８図に示すように車
輪３５．３６のついた台３７上にのせられており、枠３
８．３９によって落ちないように支えらＪ’している。
から見た図である。）ＪＵＩｆｌｈ室７内に→ノ゛セブ
タ２０がセル作成用ガラス基板を搭載して垂直に並べら
れている。個々のサセプタ２０は第８図に示すように車
輪３５．３６のついた台３７上にのせられており、枠３
８．３９によって落ちないように支えらＪ’している。
自３７は、Ｏ・つか（′ｊるための穴４０が設けら第１
ている。七３７は加熱室７内に設けられて〜・るレール
４１に乗ってレールの上を動くようになって℃・る。
ている。七３７は加熱室７内に設けられて〜・るレール
４１に乗ってレールの上を動くようになって℃・る。
０
ひらかけ穴諦は９示されていないがチェーン等につけら
ねた突起をひつか（づるために設置すられたので、サセ
プタを移動させる必要のある場合、突起が出てチェーン
が廻り、サセプタが移動することになる。車輪３６はサ
セプタを載せると共に台の移動方向と直角方向にサセプ
タな移動させるためσつ車輪である。加熱室７の壁には
ヒータ２（抵抗又は赤外線ランプ）が設けらハていて、
第７図の右側に示したような温度分布をもつよ５ ｖｃ
上ヒータの密度が設計されている。サセプタ２０は入口
４２の弁を開いて一度に１０枚程度加熱室７内に図のよ
うに納めらねる。加熱室７には、温度測定用熱電対が出
ておりサセプタ２０の移動と共に、サセブタカ；ｍ ｉ
ｓ、苅に接触し、サセプタの温度を測定する。このサセ
プタの温度が一所定の温度に達し′ｃ℃・なければ、→
１七ブタはその場でその条件を充たすまでととまり温度
を上昇させる。温度がある値になれは、先に移動する。
ねた突起をひつか（づるために設置すられたので、サセ
プタを移動させる必要のある場合、突起が出てチェーン
が廻り、サセプタが移動することになる。車輪３６はサ
セプタを載せると共に台の移動方向と直角方向にサセプ
タな移動させるためσつ車輪である。加熱室７の壁には
ヒータ２（抵抗又は赤外線ランプ）が設けらハていて、
第７図の右側に示したような温度分布をもつよ５ ｖｃ
上ヒータの密度が設計されている。サセプタ２０は入口
４２の弁を開いて一度に１０枚程度加熱室７内に図のよ
うに納めらねる。加熱室７には、温度測定用熱電対が出
ておりサセプタ２０の移動と共に、サセブタカ；ｍ ｉ
ｓ、苅に接触し、サセプタの温度を測定する。このサセ
プタの温度が一所定の温度に達し′ｃ℃・なければ、→
１七ブタはその場でその条件を充たすまでととまり温度
を上昇させる。温度がある値になれは、先に移動する。
こうすることによって−すべてのサセプタは同じ昇温条
件を満１こすのてサセプタ１１４１の温度ばら℃）きが
最小限に抑えられる。この加熱室７内にはＮ２カスを導
入し、約ＩＱ Ｔｏｒｒの圧力下で加熱するのが温度上
列速度、温度の均一・性の点で望ましいことがわかった
。
件を満１こすのてサセプタ１１４１の温度ばら℃）きが
最小限に抑えられる。この加熱室７内にはＮ２カスを導
入し、約ＩＱ Ｔｏｒｒの圧力下で加熱するのが温度上
列速度、温度の均一・性の点で望ましいことがわかった
。
３枚の世上ブタが位置５１．５２．５３ｖＬ達すると加
齢室７が排気さＪｌ、中間予備加熱室９と予価加熱室７
の真空が同じになったところで、パルプ８および３が開
（。このときサセプタの中間室９と反対側がおされて腐
９の側の枠３９が水平罠倒才ｔろと共にサセプタ２０が
中間室９へ押し出さねる。中間室９内には、第９囚（ａ
ｌ 、 （ｂ）に示すように上下に車ｆｆ＊４３．４４
が設けられており、サセプタ２０が送りこまわてくろと
］側の車輪４３の列がチェーン等で駆動さ才１回りはじ
め、この回転によって一プセブク２０は所定の位ｍ ５
４．５５．５６まで運搬される。その際上側の車輪４４
はガイドとして働（。次にパルプ３が開きサセプタ２０
はａ−３ｉ成長室４に送りこｆ、、ｔする。
齢室７が排気さＪｌ、中間予備加熱室９と予価加熱室７
の真空が同じになったところで、パルプ８および３が開
（。このときサセプタの中間室９と反対側がおされて腐
９の側の枠３９が水平罠倒才ｔろと共にサセプタ２０が
中間室９へ押し出さねる。中間室９内には、第９囚（ａ
ｌ 、 （ｂ）に示すように上下に車ｆｆ＊４３．４４
が設けられており、サセプタ２０が送りこまわてくろと
］側の車輪４３の列がチェーン等で駆動さ才１回りはじ
め、この回転によって一プセブク２０は所定の位ｍ ５
４．５５．５６まで運搬される。その際上側の車輪４４
はガイドとして働（。次にパルプ３が開きサセプタ２０
はａ−３ｉ成長室４に送りこｆ、、ｔする。
この反応室４にも中＋ＦＪ＋ 菟９と同様に上下に車輪
列か形成さ第１、−サセプタはこの中を送ら才する。反
応分 室４の中にはサセプタの接地電極と対立成すもう一方の
側の′電極６が設けらハている。第２因に示したサセプ
タ２０を２枚、導電性板２２の方で合わせて、こｔｚ
ｌｘ １つのサセプタとして、投入することによって、
サセプタ６枚に搭載さＪまたガラス基板１Ｑｌｃａ−８
ｉ層ケ成長させることが出ぎろ。
列か形成さ第１、−サセプタはこの中を送ら才する。反
応分 室４の中にはサセプタの接地電極と対立成すもう一方の
側の′電極６が設けらハている。第２因に示したサセプ
タ２０を２枚、導電性板２２の方で合わせて、こｔｚ
ｌｘ １つのサセプタとして、投入することによって、
サセプタ６枚に搭載さＪまたガラス基板１Ｑｌｃａ−８
ｉ層ケ成長させることが出ぎろ。
予備加熱室７から中間予備加熱室９にサセプタ２０を送
りこむとぎにこの画室の真空度を同じ排気程度と１−ろ
が、室７の昇温速度は真空状態では１０１゛０γｒ程度
の出力下に比較してかなり小さくなる。
りこむとぎにこの画室の真空度を同じ排気程度と１−ろ
が、室７の昇温速度は真空状態では１０１゛０γｒ程度
の出力下に比較してかなり小さくなる。
従って送りこみの際に真空排気する時間は加熱速度にほ
とんど影響を与えないことがわかった。この構成をとる
ことにより、反応室４にサセプタが並べらオｌだとき、
温度分布が１０℃以内に抑えらねる。また構成により加
熱室７内のサセプタの滞留時間が増加しても、反応室４
内のサセプタ２０の温度分布のばらつきがメ化なく、１
０℃以内に温度が制御されていることが１つかった。
とんど影響を与えないことがわかった。この構成をとる
ことにより、反応室４にサセプタが並べらオｌだとき、
温度分布が１０℃以内に抑えらねる。また構成により加
熱室７内のサセプタの滞留時間が増加しても、反応室４
内のサセプタ２０の温度分布のばらつきがメ化なく、１
０℃以内に温度が制御されていることが１つかった。
以上述べたように、本発明に基板を近接させて加熱する
ことによ＃気相成長時の基板の温度を複−にすることに
より生成さねた薄膜の特性を均一にするもので、特にセ
ル特性の均一な太陽電池の製造に極めて有効に利用でき
る。
ことによ＃気相成長時の基板の温度を複−にすることに
より生成さねた薄膜の特性を均一にするもので、特にセ
ル特性の均一な太陽電池の製造に極めて有効に利用でき
る。
第１図は本発明による装置により製造さねるａ−Ｓ＋太
陽電池の正面図、第２図（ａ） 、 （ｂｌ ＋ｉその
ａ−８ｉ層成長の際に用いるサセプタを示し、（ａ）は
断面図、（ｂ）はその下面から見た平面図、第３図は従
来のａ−３ｔ膜成長装置の一例の正面図、第４図は本発
明の一実施例の正面図、第５図はその予備加熱室内での
サセプタの搬送方法を示す４１ｊ面図、第６図（ａ１〜
（ｆ）は第４図の予備加熱室内で加熱したサセプタの送
り出し方法を順次示す程１１面図、第７図は本発明によ
る装置は別の実施例の予備加熱室の温度分布を付した平
面図、第８図はその予備加熱室内でのサセプタの支持方
法を示す正面図、第９図（ａ）。 （ｂｌは中間室、反応室でのサセプタの搬送方法を示し
、（ａｌ ＋ま正面図、（ｂ）は側面図である。 １．９・・・中間予備加熱室、２・・・ヒータ、４・・
・反応室、７・・・予備加熱室、１０・・・透明絶縁基
板、２０・・・サセプタ。 フ ｔＱ ７′２ 口 ＩＵ ｆ″ ３ （２） ２ Ｔ ７ ロ ア′ δ 図 子ｊ （αン
（ｂ）り′ ｌθ暖 ｆ ９ 図 手続補市書動幻 １．事件の表示 特願昭（ａ〜／ε−７−（７３、宅
＋Ｉｉ 、’ｉｌ（をする者 出願人′
１１′件との関係 ４、代 Ｊｌｌｌ 人 住 所 川崎市川崎区Ｉ１１辺新１１１１番１号５
、補正指令の１旧］ 昭和（δイｌ′り一月姻／１１
補正の内容 ■、明細書第１２頁第１８行目ｒ（ａ）−１より第２０
行目「（ｂ）は」までを「は中間室、反応室でのザセプ
タの搬送方法を示す正面図、第１０図はその」とｎ■正
しまず。 ２、図面の第９図および第１０図を別紙と差換えまず。 ３ 矛ｑ 閲 才１０喝
陽電池の正面図、第２図（ａ） 、 （ｂｌ ＋ｉその
ａ−８ｉ層成長の際に用いるサセプタを示し、（ａ）は
断面図、（ｂ）はその下面から見た平面図、第３図は従
来のａ−３ｔ膜成長装置の一例の正面図、第４図は本発
明の一実施例の正面図、第５図はその予備加熱室内での
サセプタの搬送方法を示す４１ｊ面図、第６図（ａ１〜
（ｆ）は第４図の予備加熱室内で加熱したサセプタの送
り出し方法を順次示す程１１面図、第７図は本発明によ
る装置は別の実施例の予備加熱室の温度分布を付した平
面図、第８図はその予備加熱室内でのサセプタの支持方
法を示す正面図、第９図（ａ）。 （ｂｌは中間室、反応室でのサセプタの搬送方法を示し
、（ａｌ ＋ま正面図、（ｂ）は側面図である。 １．９・・・中間予備加熱室、２・・・ヒータ、４・・
・反応室、７・・・予備加熱室、１０・・・透明絶縁基
板、２０・・・サセプタ。 フ ｔＱ ７′２ 口 ＩＵ ｆ″ ３ （２） ２ Ｔ ７ ロ ア′ δ 図 子ｊ （αン
（ｂ）り′ ｌθ暖 ｆ ９ 図 手続補市書動幻 １．事件の表示 特願昭（ａ〜／ε−７−（７３、宅
＋Ｉｉ 、’ｉｌ（をする者 出願人′
１１′件との関係 ４、代 Ｊｌｌｌ 人 住 所 川崎市川崎区Ｉ１１辺新１１１１番１号５
、補正指令の１旧］ 昭和（δイｌ′り一月姻／１１
補正の内容 ■、明細書第１２頁第１８行目ｒ（ａ）−１より第２０
行目「（ｂ）は」までを「は中間室、反応室でのザセプ
タの搬送方法を示す正面図、第１０図はその」とｎ■正
しまず。 ２、図面の第９図および第１０図を別紙と差換えまず。 ３ 矛ｑ 閲 才１０喝
Claims (1)
- Ｉ）基板を支持する複数のサセプタを近接させて加熱す
る予備加熱室と、該予備加熱室で加熱さ４た基板を支持
するサセプタを薄膜成長時と同様な相対位渭になるよう
に離して通過させる中間室と、該中間室より送り込ま第
１た基板上に反応生成物ｄ薄膜を成長させろ反応室とか
らなることを特徴とする薄膜成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58016767A JPS59142838A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 薄膜成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58016767A JPS59142838A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 薄膜成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59142838A true JPS59142838A (ja) | 1984-08-16 |
| JPH0337971B2 JPH0337971B2 (ja) | 1991-06-07 |
Family
ID=11925364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58016767A Granted JPS59142838A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 薄膜成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59142838A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5014997A (ja) * | 1973-06-13 | 1975-02-17 |
-
1983
- 1983-02-03 JP JP58016767A patent/JPS59142838A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5014997A (ja) * | 1973-06-13 | 1975-02-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0337971B2 (ja) | 1991-06-07 |
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