JPS59143261A - タングステン・ハロゲン白熱フイラメント電球及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はタングステン・ハロゲン白熱フィラメント電球
に関する。この種の電球では、タングステンフィラメン
トが、Ｎ２　、　Ａｒ　ｒ　Ｋｒ　、または×ｅなどの
ような不活性ガス及び少量のハロゲンを封入した透光性
外包体の内部に配設されている。

この場合、ハ［１ゲンは幾つかの異なった形態、例え　
ば　、　　１−ＩＢｒ　　　、　　　ＣＨ２Ｂｒ　　２
　　　、　　　Ｃ，Ｈ３Ｂｒ　　　、　　　ＣＨＥ３ｒ
３などのような気体状ハロゲン化物の形で、あルイはＣ
Ｇ　Ｂ、ｒ　ｅ’　、　ＣｓトｈＢｒ４または（ＰＮＢ
ｒ２　）ｎ　　（プロモフＡスフＡニトリル）などのよ
うな固体状ハロゲン化物の形で導入することができる（
なお、後者の化学式のｎの値は特定化することはできな
いが、これは重要なことではない）。電球は高温°処理
法あるいは低温処理法を用いて、選択された封入物が封
入される。即ち、高温処理法では、外包体を排気して約
８ｏｏ℃まで加熱し、フィラメントをその定格電圧の２
０％の印加により点灯する。この外包体を、冷却後、洗
浄して空にした上で再び封入ガスと気体状ハロゲンを一
月入する。この方法は、全工程で、各電球毎に約２０分
を要する。低温処理法では、電球を加熱したりフィラメ
ントを点灯したりする必要がないから、封入物としては
固体ハロゲン化物、例えば、ブロモフォスフ４ニトリル
を適当な媒体に溶解したものを用いることができる。こ
の媒体は後で蒸発させることもできるから、封入物をは
るかに正確に装入することができる。その上−、ブロモ
フ・オスフォニトリルを用いた低温封入法ではリンをゲ
ッターとして用いることもできる。また、その他の適当
な物質をゲッターとして用いることも可能である。更に
、各電球の処理に要する合計時間は、低温処理法の方が
高温処理法より短がい。

なお、別の低温排気法もまた任意に使用することができ
る。この場合、気体状または固体状ハロゲンのいずれか
またはこの両者を不活性ガス封入物と共に使用層ること
ができる。

２２００に乃至３４５０にの作動温度範囲を有するフィ
ラメン１〜を用いるタングステン・ハロゲン白熱フィラ
メント電球における問題点は、フィラメント端子部また
はフィラメント巻線部間にアークが発生することである
。これは排気方法とは無関係に発生するものであって、
早期故障の原因となるものである。但し、我々の知見す
る所に依れば、この問題は、フィラメントの作ＩＪ＋　
ｍ　ｌｉが高い程また低温処理法を用いる場合に、より
顕著に現われる。

本発明は、単車面または２重平面格子フィラメントのい
ずれかを使用した高電力スタジオ用及び劇場用電球の問
題を解決する上で特に有用であることが知見されたが、
フィラメントの特定形状が本発明にとって重要なものと
は考えられない。

スタジオ用電球と劇場用電球を比べた場合、前者が約３
２００にの作・動温度で２乃至４００時間の寿命を有す
るように設計されているのに対し、後者が約２９５０に
の作動温度で約７５０時間の寿命を有するように設計さ
れている点が異なる。しかし、構造的には、フィラメン
トを除くと、両者は概ね同じであり、本発明の使用に関
しては同一と見做すことができる。

さて、本発明のタングステン・ハロゲン白熱フィラメン
ト電球は、２乃至７０μｏ／ｍ９．の範囲のハロゲンを
生成できる含有量のハロゲンと２０℃下で０．５乃至５
気圧の封入圧下にある不活性ガスとから成る封入物を含
むものであって、ハロゲン化物の一部の形で導入される
水素の他に、２０℃におりる圧力比で０．０５％乃至１
％の量の水素ガスが含まれていることを特徴とする。

本発明はまた、電球外包体内部に２乃至７０μｇ／　ｍ
Ｑの範囲のハロゲンと２０℃における低温封入圧が０．
５乃至５．０気圧で存在Ｊる不活性ガスとから成る封入
物を内蔵するタングステン・ハロゲン白熱フィラメント
電球の製造方法であって、外包体内を排気して不活性ガ
スを充満させる操作を１回または２回以上行なう工程と
、該外包体にハロゲン、不活性ガス及び水素ガスから成
る封入物を選択的に封入する工程とから成り、水素ガス
の含有量が前記ハロゲン化物の一部として含まれる水素
の仙に２０℃における圧力比でＯ，ＯＳ乃至１％の範囲
であることを特徴どする。

本発明の望ましい方法としては、低温排気並びにゲッタ
ーを含む固体状ハロゲン化物の付加から成る低温処理法
がある。本発明ではその他の方法も可能であって、その
場合には、低温排気や、排気工程中に（水分排除のため
）加熱される高温排気の工程の前に、（水分を排除する
ために）予熱処理を実施づるようにしてもよい。

消弧体としての水素の特性は、例えば英国特許第１，３
８７，２４０号に記載のように公知のものであり、また
水素がタングステン移送勺イクルに影響を与えることも
周知のことである。更に、弗素、塩素または臭素などの
ハロゲンのいずれかを添加すると電球の寿命が延びるこ
ともまた公知である。但し、この場合、フィラメント支
持体、フィラメント端子部、またはリード線などの金属
部材が腐食しないように注意しなければならず、そのた
め、水素を付加してこの腐食防止を促進することが提案
されている（英国特許第１，１９５，１０９号参照）。

タングステン・ハロゲン白熱フィラメント電球、特に２
２００に乃至３４５０にのフィラメント温度を有する高
電力電球にはまた、外包体壁部の黒化の問題もある（英
国特許第１，４８０，３６１号参照）。

例えば、英国特許第１，４８０，３６２号及び１，３８
７，２４０号などのように、これら従来技術による特許
では、大抵の場合、水素はハロゲン化合物の一部の形で
付加されている。また、英国特許第１．１９り、１０９
号では、水素は不活性ガスの中に含有させるのがよいと
指摘されている。しかし、この特許の開示内容によれば
、含有されている水素はすべて融解石英壁の分子構造か
ら漏出し且つ水素効果は時間の経過と共に失われること
になっている。これは、我々の知見した事実とは反対の
ものである。

即ち、我々の知見した所によれば、前記含有量の水素は
アーク問題を解決する上で助けとなると共に、本発明の
電球では予想外に寿命が延び而も黒化問題にも煩わされ
ることがない程十分な水素量が残存することが判った。

本発明では電球に対する封入を気体状水素をイ］＃１１
　する方法で行っているが、これは、水素をハロゲン化
合物の一部の形で付加した場合、この付加ハロゲンがタ
ングスデン移送ザイクルのバランスを崩してしまうか、
あるいは腐食をより促進させるかのいずれか一方または
双方の原因となるためである。

望ましい水素含有量範囲は、２０℃の温度における封入
物圧力比で０．０５％乃至１％であるが、そ　゛の埋山
は、我々の知見した所によれば、水素含有量が０．０５
％未満の場合にはまだアークが発生する司能性があり、
１％より人の場合は電球外包体の黒化が発生づるためで
ある。

以ト、本発明を添付図面に示した一実施例に基づいて説
明する。

本実施例の電球は、スタジオまたは劇場照明用の２００
０ワット電球であって、略管状の石英外包体１０を具備
し、該外包体１０の両端は密閉され且つその一方端は絶
縁キ１７ツプ１２に支持されている。該キャップ１２に
は２本の導電性端子１３が配設されてい−Ｃ電源と接続
できるようになっている。

外包体１０の中央部１５は、他の部分より大径で、外包
体１０の縦軸を中心とした円形対称形になつ”Ｃいる。

但し、直線状側面を有する管状外包体の使用もまた可能
である。

外包体１０内部のフィラメント支持フレームは２個の横
方向石英ブリッジ１６．１７から成っている。

一方のブリッジ１６はワイヤ１８を介して外包体１０の
閉鎖端部１１に連結され、両石英ブリッジ１６．１７は
２本のワイヤ１９により相互連結されている。

単一コイル平面状フィラメント２０は石英ブリッジ１６
．１７間で支持ワイヤ２１に支持されている。このフィ
ラメントの各端部はフィラメント・リード線２２に接続
されている。

リード線２２は石英ブリッジ１７を通ってピンチシール
２３に入り、ここでモリブデン箔２６に溶着される。ま
た、このモリブデン箔２６は外部リード線２７に溶着さ
れている。このモリブデン箔２６は本電球の効果的な真
空密シールを形成するものである。

ピンチシール２３は絶縁キャップ１２に固定される金属
ル−ム２４に保持され−Ｃいる。キレツブ１２の上部は
開［」部付カバー２５で被覆しである。外部リード線２
７はまた端子１３にも接続している。前述のように、２
２００に乃至３４５０にの範囲のフィラメント瀧庶で作
動りるタングステン・ハ［１ゲン白熱フイラメン１へ電
球にお（プる問題点は、フィシメン１〜端子部２８間に
アークが発生ずることである。

図示の電球を製造する際は、まず始めに外包体の中央部
１５を吹出しにより略部分球形状即ち西洋なし形状に形
成し、排気管を端部１１の個所に嵌入する。フィラメン
トは予めフィラメント支持フレームに組付けＣおいた上
で、フィラメント自体が外包体の吹出し部の中に入るよ
うな状態で外包体内に位置付りる。次に、ピンチシール
２３を作り、外包体を排気処理し−にの中に選択された
ハロゲンイ」加物、不活性ガス及び水素を封入する。続
いて、排気管の符号１１の個所を密封覆る。次に、外包
体をキャップ１２に固着覆る。

電球には通常、水素及び不活性ガスから成る適当なガス
混合物を封入するのがよい。ハロゲンの含有量は２乃至
７０μｇ／ｍＦ、の範囲であるのがよく、また不活性ガ
ス低温封入圧は２０℃において（即ち、室温において）
０．５乃至５気圧の範囲内であるのがよい。不活性ガス
は、アルゴン、クリプトン及びキセノンなどの希ガスか
または窒素から〈個別または組合せ状態で）選択するこ
とができるが、後者が最も多く使用されている。ハロゲ
ンは種々な形で使用することができ、望ましい状態とし
ては、１−ＩＢｒ　、　ＣＬｈ　Ｂｒ　２　、　Ｃｌ−
１［３ｒ　ａ　。

Ｃｓ　Ｂｒａ　、０６Ｈ２Ｂｒ４．（ＰＮＢｒ２）ｎを
個別または組合せ状態で使用するのがよい。ハロゲンは
気体状ハロゲンの形で直接用いても固体状ハロゲン化合
物を介してもよく、あるいはこの両者の組合せの形で用
いてもよい。

本発明では、更に、前記ハロゲン化物に含まれる総ての
水素の他に２０℃における圧力比で０．０５乃至１％の
範囲の量の気体水素（＋−１２）を付加する。

次に、本発明の実験例を示す−０ ［実験例１］ 内部容１ｆｉ５５ｍｌ！の２キロワツトスタジオ用電球
を用い、モの封入物は、２０℃の温度下で１．８気圧の
ガス封入圧の窒素と、２０℃の温度下における圧力比ｒ
　Ｏ，１％の１１２及び０．３％のＨＢｒとから構成し
た。更に、本電球には、ゲッターとしての・リンを生成
り−る約１３５１１ｇの（ＰＮＢｒ２）ｎを装入した。

このような電球を多数に亘り試験したが、アーク発生問
題は、従来のものに比べて、大幅に減少した。電球の平
均寿命もまた大幅に延びた。

例えば、３０％の延びを示したものもあった。

「実験例２」 内部容積３０ｍ１＋の１キロワット劇場用電球を用い、
封入物は、２０℃の温度下で２．３気圧のガス封入圧の
窒素と、２０℃下にお（）る圧力比で０．５％の水素ガ
スとから構成した。更に、本電球には、ゲッターとして
のリンを生成覆る約２００μｇの（ＰＮＢｒ２）ｎを装
入した。実験例１と同様に良好な結果が得られた。

［実験例３］ 内部容積２００　ｍｇ、の５キロワツトスタジオ用電球
を用い、封入物は、２０℃において０．８５気圧のガス
封入圧の窒素と、２０°Ｃにお（）る圧力比で０．３％
のｌ−１２及び０．６％のｌ−１［３ｒとから構成した
。実験例１と同様に良好な結果が得られた。

本発明の電球を製造する際は、次のようにするのが望ま
しいことが実験により判明した。即ち、外包体内の物質
を排除して不活性ガスを充満さける操作を１回または２
回以十行なった後で、ハロゲン及び不活性ガスから成る
選択された封入物並びに特定量の付加水素をこの外包体
に封入するのがよい。

本発明は、その他の種類の電球にも適用することができ
るが、特に適した用途は３００ワツト乃至１０キロワツ
トの範囲のスタジオ用または劇場用電球である。

なお、本発明ではその他の実施例も可能であることは当
業者にとって明白なところである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のスタジオ及び劇場照明用２０００ワツ
１へ電球の１１面図である。 １０・・・外包体　１１・・・閉鎖端部　１２・・・キ
ャップ　２０・・・ノイラメン１−２２・・・リード線
　２８・・・フィラメント端子部 特ｊ［出願人　　　ソーラ　イーエムアイビーエルシー 手続補正書 昭和５９年４月加日 特許庁長官若杉和夫　殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１２１９１号 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 ソーン　イーエムアイ　ハウス 名称　　ソーン　イーエムアイ　ビーエルノー代表−１
１７−ル、エイ、エイ、バースト４、代　理　人 ５、補正命令の日付　　自発補正 ［補ｊ［の内容］ ［１Ｊ願内にＩｉ１付した明ＩＩ南第８頁第６行乃至第
７行に［を生成できる含有量９ハロゲンと２０℃下で」
とある記載を またはこの範囲のハロゲンを供給ｒきる範囲のハロゲン
化物と２０℃においで と補正し、 ［２］同明Ｉｌｌ書第８頁第１３行目に１−ハロゲンと
」とある記載を ハロゲンまたはこの範囲の八［１グンを供給できる範囲
のハロゲン化物 と補１にし、 Ｅ　３　］　１ｉＪ明相内第８真第１９行目に「グン」
とあ記載を ゲン（またはハ［Ｊゲン化物） と補正します。 （以　上） ２、特許請求の範囲 （１）２乃至７０μｇ／ｌ１１ｇの範囲のハロゲンまた
はこの範囲のハロゲンを１１できる範σｎのハロゲン（
１と２０℃におい”（’　０．５乃至５気圧の範囲の封
入圧ひ含有される不活性ガスとから成る封入物を内蔵す
るタングステン・ハロゲン白熱フィラメント電球１”　
ｉｔうって、 前記封入物が、前記ハ１−Ｊゲン艶１の一部の形Ｃ導入
される総−Ｃの水素含有分の他に２０℃におい゛（圧力
比０．０５乃至１％のＶ！卯の吊の水素ガスを含有づる
Ｃとを特徴とするタングステン・ハロゲン白熱フィラメ
ント電球。 （２）　　＋Ｗｔ記ハ［」ゲンが気体ハロゲン化物の形
で本電球内に導入されたものである特許請求の範囲第（
１）項に記載のタングステン・ハ［Ｉグン白熱フィラメ
ント電球。 （３）　　前記気体ハ［ｌゲン化物が、ｌ−Ｉ　Ｂ　ｒ
　。 ＣＨ２１：３ｒ　２　、Ｃｔ１３３ｒ　、及びＣＨＢｒ
ａがら成る群から個別の形かまたは組合ヒの形で選択さ
れる特許請求の範囲第（２）項に記載のタングステン・
ハロゲン白熱フィラメンＩ−電球。 Ｃ〉　前記ハロゲンが固体ハロゲン化物の形で本電球内
に導入される特許請求の範囲第（１）項に記載のタング
ステン・ハロゲン白熱フィラメンＩ−？［球。 （５）前記固体ハロゲン化物が、０６　Ｂ　ｒ　６１Ｃ
ｅ　＋−１２８ｒ　４　、　　（ＰＮＢｒ　２　）　ｎ
がら成る群から個別の形かまたは相合Ｕの形で選択され
る特許請求の範囲第（／Ｉ）項に記載のタングステン・
ハロゲン白熱フィラメント電球。 ■　前記不活性ガスがＮ２　、△ｒ、Ｋｒ、）（ｅから
成る群から個別の形かまたは組合仕の形で選択される特
許請求の範囲第（１）項に記載のタングステン・ハロゲ
ン白熱フィラメント電球。 （７）　　２０℃におけるガス封入圧が１．８気圧であ
るＮ２と、それぞれ２０℃における圧力比で０．１％の
１−１２及び０．３％のｌ−Ｉ　Ｂ　ｒと、略１３５μ
（］の（ＰＮＢｒ２）ｎとから成る封入物を含む特許請
求の範囲第（＋）項乃至第０項のいずれかに記載のタン
グステン・ハロゲン白熱フィラメン１〜電球。 ■　２０℃におけるガス封入圧が２．３気圧であるＮ２
ど、２０゛χ］にＪり番ノる１ｆ力化ぐ０　、　！ｉ％
の１１２　と、１１８２００ｔ１ｇ（１）　（ＰＮＢｒ
　２　）　ＩＩどｌ）ｓ　ｔら成る封入物を含む特ｉｔ
　ｉｈ求の範囲第（１）項乃至第０１ｎのいり“れかに
記載のタングステン・ハロゲン白熱ノイラメント電球。 （９）　　２　（１”ににｄメ（〕るカス封入圧が０．
８５気）［であるＮ２と、でれでれ２０℃における圧力
比Ｃ０９３％の１１２及びＯｌ（；％のＩｆ　１３　ｒ
とからＤｌ、　ルＩＪ　人物ヲ含む特許請求の範囲第（
１）項乃子弟（６）項のいずれかに記載のタンゲスフン
・ハロゲン白熱ノイラメン１〜電球。 （１０）　　ｆｌｉ球外包外包槓が３１）　、　ｈ　！
’＋または２００ｍ　ｅの中から選択される特許請求の
範囲第＜１）項に記載のタングステン・ハロゲン白熱フ
ィラメン１−電球。 （ＩＩ）　　２乃至７（ＩｕＱ　７ｍ　９．の範囲ノハ
ロケンマたはこの範囲のハロゲンを供給できる範囲のハ
ロゲン化物と２０℃において０．５乃至、５−気圧の範
囲の封入圧（・含有される不活性ガスとから成る封入物
を電球外包体内に＠有Ｊるタングステン・ハロゲン白熱
フィラメント電球の製造方法であって、前記電球外包体
の内部の物質を排気し又不活性ガスを充満させる操作を
１回または２回以上行なう■程と、当該外包体にハロゲ
ン」：たはハロゲンＬ１、不活性ガス及び水素から成る
封入物を封入する■稈とから成り、水素ガスの含有糾が
前記ハ［］ゲケン物の一部の形で導入される総ての水素
の他に２０℃における電球封入圧比で０．０５％乃至１
％の範囲であるタングステン・ハロゲン白熱フィラメン
１〜電球の製造方法。 （１２１前記ハロケンが、）−ＩＢｒ　、ＣＮ２［３ｒ
　２　。 Ｃｔ−ｈ　Ｂｒ　、Ｃｔ−１ｅｒ３．Ｃｓ　Ｂｒｓ　、
ＣＧ　Ｈ２Ｂｒ４から成る群から選択される特許請求の
範囲第（１１）項に記載のタングステン・ハロゲン白熱
フィラメント電球の製造り法。 （旬　前記電球外包体の中にゲッターを導入する■稈を
も含む特許請求の範囲第（１１）項に記載のタングステ
ン・ハロゲン白熱フィラメント電球の製造方法。 （１１）　　前記ハロゲンがプロセフ４スフｌ二１−リ
ル固体ハロゲン化物である特許請求の範囲第（旬項に記
載のタングステン・ハ１−１グン白熱フィラメント電球
の製造方法。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）２乃至７０μｇ／ｒａＱの範囲のハロゲンを生成
   できる範囲の含有量のハロゲンと２０℃において０．５
   乃至５気圧の範囲の封入圧下で含有される不活性ガスと
   から成る封入物を内蔵するタングステン・ハロゲン白熱
   フィラメント電球であって、前記封入物が、前記ハロゲ
   ンの一部の形で導入される総ての水素含有分の他に２０
   ℃において圧力比０．０５乃至１％の範囲の量の水素ガ
   スを含有することを特徴とするタングステン・ハロゲン
   白熱フィラメント電球。 （２）　　前記ハロゲンが気体ハロゲン化物の形で本電
   球内に導入されたものである特許請求の範囲第（１）項
   に記載のタングステン・ハロゲン白熱フィラメント電球
   。 （３）　　前記気体ハロゲン化物が、ＨＢｒ。 Ｃ１１２３ｒ　２　、　Ｃｌ−ｌ５３ｒ　、及びＣＩ−
   Ｉ　Ｂ　ｒ　３から成る群から個別の形かまたは組合せ
   の形で選択される特許請求の範囲第（２〉項に記載のタ
   ングステン・ハロゲン白熱フィラメント電球。 （４）前記ハロゲンが固体ハロゲン化物の形で本電球内
   に導入される特許請求の範囲第中頃に記載のタングステ
   ン・ハロゲン白熱フィラメント電球。 （５）前記固体ハロゲン化物が、ＣｓＢｒ５゜Ｃｓ　Ｈ
   ２Ｂｒ４　、（ＰＮＢｒ２）ｎから成る群から個別の形
   かまたは組合せの形で選択される特許請求の範囲第（４
   ）項に記載のタングステン・ハロゲン白熱フィラメント
   電球。 （６）　　前記不活性ガスがＮ２　、　Ａｒ　ｔ　Ｋｒ
   　、　Ｘｅから成る群から個別の形かまたは組合せの形
   で選択される特許請求の範囲第（１）項に記載のタング
   ステン・ハロゲン白熱フィラメント電球。 （７）　　２０℃にお番ブるガス封入圧が１．８気圧で
   あるＮ２と、それぞれ２０℃における圧力比で０．１％
   のＨ２及Ｔｊ　Ｏ，３％のトＩＢｒと、略１３５μｇの
   （ＰＮＢｒ２’）ｎとから成る封入物を含む特許請求の
   範間第（１）項乃至第（６）項のいずれかに記載のタン
   グステン・ハロゲン白熱フィラメント電球。 （８）　　２０℃におけるガス封入圧が２．３気圧であ
   るＮ２と、２０　’Ｃにおける圧力比で０゜５％の）」
   ２と、略２０（１（］　（７）　（ＰＮＢｒ　２　）　
   ＩＩとから成る封入物を含む特許請求の範囲第（１）項
   乃至第（６）項のいずれかに記載のタングステン・ハロ
   ゲン白熱フィラメント電球。 （９）　　２０℃におけるガス封入圧が０．８５気圧で
   あるＮ２と、それぞれ２０℃における圧力比で０．３％
   の１−１２及び０．６％のｌ−Ｉ　Ｂ　ｒとから成る封
   入物を含む特許請求の範囲第（１）項乃至第（６）項の
   いずれかに記載のタングステン・ハロゲン白熱フィラメ
   ント電球。 （１０）電球外包体容積が３０．５５または２００　ｍ
   Ｑ　Ｏ）中から選択される特許請求の範囲第（１）項に
   記載のタングステン・ハロゲン白熱フィラメント電球。 （言０２乃至７０μｇ／１ＩＩＬの範囲のハロゲンと２
   ０℃において０．５乃至５．０気圧の範囲の封入圧で含
   有される不活性ガスとから成る封入物を電球外包体内に
   含有するタングステン・ハロゲン白熱フィラメント電球
   の製造方法であって、 前記電球外包体の内部の物質を排気して不活性ガスを充
   満させる操作を１回または２回以上行なう工程と、当該
   外包体にハロゲン、不活性ガス及び水素から成る選択さ
   れた封入物を封入する工程とから成り、水素ガスの含有
   量が前記ハロゲンの一部の形で導入される総ての水素の
   他に２０℃における電球封入圧比で０．０５％乃至１％
   の範囲であるタングステン・ハロゲン白熱フィラメント
   電球の製造方法。 （１２）　　前記Ａ　口’７　ンが、ｌ」Ｂｒ　、　Ｃ
   Ｈ２Ｂｒ　２　。 ＣＨ３Ｂｒ　、ＣＨＢｒ３．Ｃｅ　Ｂｒｓ　、Ｃ６Ｈ２
   Ｂｒ４から成る群から選択される特許請求の範囲第（Ｉ
   Ｉ）項に記載のタングステン・ハロゲン白熱フィラメン
   ト電球の製造方法。 （０前記電球外包体の中にゲッターを導入する工程をも
   含む特許請求の範囲第（Ｉ　１１項に記載のタングステ
   ン・ハロゲン白熱フィラメント電球の製造方法。 （６）　前記ハロゲンがブロモフォスフオニトリル固体
   ハロゲン化物である特許請求の範囲第（【項に記載のタ
   ングステン・ハロゲン白熱フィラメント電球の製造方法
   。