JPS59143382A - 赤外線検出素子 - Google Patents
赤外線検出素子Info
- Publication number
- JPS59143382A JPS59143382A JP58017687A JP1768783A JPS59143382A JP S59143382 A JPS59143382 A JP S59143382A JP 58017687 A JP58017687 A JP 58017687A JP 1768783 A JP1768783 A JP 1768783A JP S59143382 A JPS59143382 A JP S59143382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- junction
- electrode
- exposed
- type
- detecting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は赤外線検出素子、特にＨｇＣｄＴｅなどの多
元半導体を用いたｐｖ型（光電力型）赤外線検出素子に
関するものである。
元半導体を用いたｐｖ型（光電力型）赤外線検出素子に
関するものである。
従来例によるこの種のｐｖ型赤外線検出素子の概要構成
を第１図に示す。この第１図において、符号（１）はｐ
形ＨｇＣｄＴｅのような第１導電形の多元半導体基板、
（２）はこの基板（１）の表面側に熱拡散、あるいはイ
オン注入により形成されたｎ形ＨｇＣｄＴｅのような第
２導電形の多元半導体領域、（３）はこれらの表面を覆
う絶縁被膜、（４） 、 （６）はこの絶縁被膜（３）
の開口を通して前記半導体領域（２）に結合させたｎ側
電極およびこれにリードボンドしたリード線、（５）は
前記半導体基板（１）の裏面側に設けられたｎ側電極で
ある。
を第１図に示す。この第１図において、符号（１）はｐ
形ＨｇＣｄＴｅのような第１導電形の多元半導体基板、
（２）はこの基板（１）の表面側に熱拡散、あるいはイ
オン注入により形成されたｎ形ＨｇＣｄＴｅのような第
２導電形の多元半導体領域、（３）はこれらの表面を覆
う絶縁被膜、（４） 、 （６）はこの絶縁被膜（３）
の開口を通して前記半導体領域（２）に結合させたｎ側
電極およびこれにリードボンドしたリード線、（５）は
前記半導体基板（１）の裏面側に設けられたｎ側電極で
ある。
このようにｐｖ型赤外線検出素子は、゛基板（１）と領
域（２）とによってｐｎ接合ダイオードを構成しており
、上方から入射する赤外光量に対応して光電変換された
信号を取り出すもので、このような検出素子を一次元あ
るいは二次元的に複数個配列させた多素子デバイスは、
赤外線撮像用に極めて有用である。
域（２）とによってｐｎ接合ダイオードを構成しており
、上方から入射する赤外光量に対応して光電変換された
信号を取り出すもので、このような検出素子を一次元あ
るいは二次元的に複数個配列させた多素子デバイスは、
赤外線撮像用に極めて有用である。
しかし乍らこのｐｖ型赤外線検出素子においては、界面
準位密度の少ないＺｎＳ ＋５ｉ０２の絶縁被膜（３）
を、ＨｇＣｄＴｅの半導体基板（１）の表面に形成する
ことは極めて困難であり、表面に露出するｐｎ接合部の
ポテンシャルが乱される結果、ダイオードの表面洩れ電
流が支配的となって、感度の低下。
準位密度の少ないＺｎＳ ＋５ｉ０２の絶縁被膜（３）
を、ＨｇＣｄＴｅの半導体基板（１）の表面に形成する
ことは極めて困難であり、表面に露出するｐｎ接合部の
ポテンシャルが乱される結果、ダイオードの表面洩れ電
流が支配的となって、感度の低下。
雑音の増大を招く不都合があった。
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、露出したｐｎ
接合部には絶縁被膜を形成せずに、オーミック電極部分
から絶縁被膜上のリードボンド部分に、薄膜金属を空間
的に配線して電極を形成するようにしたものである。
接合部には絶縁被膜を形成せずに、オーミック電極部分
から絶縁被膜上のリードボンド部分に、薄膜金属を空間
的に配線して電極を形成するようにしたものである。
以下、この発明に係わる赤外線検出素子の一実施例につ
き、第２図を参照して詳細に説明する。
き、第２図を参照して詳細に説明する。
第２図実施例において前記第１図従来例と同一符号は同
一または相当部分を示しておシ、この実施例では絶縁被
膜（３）をリードボンドする電極側の半導体基板（１）
上にのみ形成させて、半導体領域（２）、ならびにその
ｐｎ接合部には接触しないようにし、ｎ側電極（４）と
しては、前記絶縁被膜（３）上の電極部分（４ａ）と、
半導体領域（２）にコンタクトする電極部分（４ｂ）と
、ｐｎ接合部を跨いでこれらの両電極部分（４ａ） 、
（４ｂ ）間を接続する電極部分（４ｃ）とによって形
成させ、露出されたｐｎ接合部には空間（７）を残すよ
うにしたものである。
一または相当部分を示しておシ、この実施例では絶縁被
膜（３）をリードボンドする電極側の半導体基板（１）
上にのみ形成させて、半導体領域（２）、ならびにその
ｐｎ接合部には接触しないようにし、ｎ側電極（４）と
しては、前記絶縁被膜（３）上の電極部分（４ａ）と、
半導体領域（２）にコンタクトする電極部分（４ｂ）と
、ｐｎ接合部を跨いでこれらの両電極部分（４ａ） 、
（４ｂ ）間を接続する電極部分（４ｃ）とによって形
成させ、露出されたｐｎ接合部には空間（７）を残すよ
うにしたものである。
従ってこの実施例構成の場合にも、前記従来例と同様に
、基板（１）と領域（２）とからなるｐｎ接合ダイオー
ドにより、入射赤外光量に対応して光電変換された信号
を取り出すことができるのであるが、表面に露出したｐ
ｎ接合部を絶縁被膜（３）により覆っていないために、
表面洩れ電流が少なく、従って高感度で雑音の少ないｐ
ｖ型赤外線検出素子を得られるものである。
、基板（１）と領域（２）とからなるｐｎ接合ダイオー
ドにより、入射赤外光量に対応して光電変換された信号
を取り出すことができるのであるが、表面に露出したｐ
ｎ接合部を絶縁被膜（３）により覆っていないために、
表面洩れ電流が少なく、従って高感度で雑音の少ないｐ
ｖ型赤外線検出素子を得られるものである。
ちなみに前記実施例での電極構成は、次のような製造プ
ロセスによって容易に得られる。す々わち、絶縁被膜（
３）以外の部分に、例えばホトレジスト膜を被覆させる
と共に、同腹にコンタクトホールの穴あけをなしてから
、真空蒸着とホトリソグラフィにより電極（４）を形成
させ、その後、ホトレジスト膜を溶解除去することによ
り、簡単に空間（７）を形成できる。そしてまたこの電
極構成は、電極部分（４ｂ）に直接リードボンドしたり
、あるいは電極部分（４ａ）、（４１＞）、間をリード
線で空間的に結合しく３） でもよいが、これらの場合にあってはリードボンド時の
圧力で、結晶のｐｎ接合を破壊する慣れがあって好まし
くない。
ロセスによって容易に得られる。す々わち、絶縁被膜（
３）以外の部分に、例えばホトレジスト膜を被覆させる
と共に、同腹にコンタクトホールの穴あけをなしてから
、真空蒸着とホトリソグラフィにより電極（４）を形成
させ、その後、ホトレジスト膜を溶解除去することによ
り、簡単に空間（７）を形成できる。そしてまたこの電
極構成は、電極部分（４ｂ）に直接リードボンドしたり
、あるいは電極部分（４ａ）、（４１＞）、間をリード
線で空間的に結合しく３） でもよいが、これらの場合にあってはリードボンド時の
圧力で、結晶のｐｎ接合を破壊する慣れがあって好まし
くない。
なお前記実施例ではｐ側電極（５）を基板（１）の裏面
に形成した場合であるが、表面のｐ影領域に形成しても
よいことは勿論である。
に形成した場合であるが、表面のｐ影領域に形成しても
よいことは勿論である。
以上詳述したようにこの発明によれば、ｐ形ＨｇＣｄＴ
ｅのような第１導電形の多元半導体基板に、ｎ形ＨｇＣ
ｄＴｅのような第２導電形の多元半導体領域を形成した
ｐｖ型赤外線検出素子にあって、表面に露出するｐｎ接
合部に絶縁被膜を接触させることなく電極配線をなした
ので、表面洩れ電流が少なく、高感度で低雑音の素子構
成を簡単に得られる特長がある。
ｅのような第１導電形の多元半導体基板に、ｎ形ＨｇＣ
ｄＴｅのような第２導電形の多元半導体領域を形成した
ｐｖ型赤外線検出素子にあって、表面に露出するｐｎ接
合部に絶縁被膜を接触させることなく電極配線をなした
ので、表面洩れ電流が少なく、高感度で低雑音の素子構
成を簡単に得られる特長がある。
第１図は従来例による多元半導体を用いたｐｖ型赤外線
検出素子の断面図、第２図はこの発明の一実施例を適用
した同上ｐｖ型赤外線検出素子の断面図である。 （４） （１）・・・・ｐ形ＨｇＣｄＴｅ半導体基板、（２）・
・・・ｎ形ＨｇＣｄＴｅ半導体領域、（３）・・・・絶
縁被膜、（４）・・・・ｎ側電極、（４ａ）〜（４Ｃ）
・・・・ｎ側の各電極部分、（５）・・・・ｐ側電極、
（６）・・・・リード線、（７）・・・・空間。 代理人 葛 野 信 −
検出素子の断面図、第２図はこの発明の一実施例を適用
した同上ｐｖ型赤外線検出素子の断面図である。 （４） （１）・・・・ｐ形ＨｇＣｄＴｅ半導体基板、（２）・
・・・ｎ形ＨｇＣｄＴｅ半導体領域、（３）・・・・絶
縁被膜、（４）・・・・ｎ側電極、（４ａ）〜（４Ｃ）
・・・・ｎ側の各電極部分、（５）・・・・ｐ側電極、
（６）・・・・リード線、（７）・・・・空間。 代理人 葛 野 信 −
Claims (1)
- 第１導電形の多元半導体基板上に第２導電形の多元半導
体領域を形成したｐｎ接合ダイオードからなる赤外線検
出素子において、少なくとも表面に露出するｐｎ接合部
には絶縁被膜を形成させずに、このｐｎ接合露出部に空
間を残して、前記半導体基板表面の絶縁被膜上と半導体
領域とに電極配線したことを特徴とする赤外線検出素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017687A JPS59143382A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 赤外線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017687A JPS59143382A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 赤外線検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143382A true JPS59143382A (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=11950728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58017687A Pending JPS59143382A (ja) | 1983-02-04 | 1983-02-04 | 赤外線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143382A (ja) |
-
1983
- 1983-02-04 JP JP58017687A patent/JPS59143382A/ja active Pending
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