JPS59146193A - 表示装置 - Google Patents
表示装置Info
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- JPS59146193A JPS59146193A JP58019128A JP1912883A JPS59146193A JP S59146193 A JPS59146193 A JP S59146193A JP 58019128 A JP58019128 A JP 58019128A JP 1912883 A JP1912883 A JP 1912883A JP S59146193 A JPS59146193 A JP S59146193A
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- Japan
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- light
- dielectric
- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、良好な表示特性を呈する特にＥＬ発光素子、
液晶表示素子等の表示装置に関するものである。
液晶表示素子等の表示装置に関するものである。
従来の背面電極構造としては、例えば第１図に示すよう
なＥＬ発光素子に使用されたものがある。
なＥＬ発光素子に使用されたものがある。
第１図に基いてＥＬ発光素子の構成を具体的に説明する
と、ガラス基板１上にＩｎ！０３やＳｉＯ２等の透明導
電膜２、Ｙ、０．や５ｉｉＮ＋等からなる第１誘電体層
３、Ｍｎを微量含むＺｎＳからなる発光層４、第１の誘
電体層３と同様の材質からなる第２の誘電体層５が、電
子ビーム蒸着あるいはスパッタリングによって順次積層
され、透明多層膜１００が形成される。さらに第２の誘
電体層５上にＭＯ等の反射率の低い背面電極６が、電子
ビーム蒸着あるいはスパッタリングによって形成される
。
と、ガラス基板１上にＩｎ！０３やＳｉＯ２等の透明導
電膜２、Ｙ、０．や５ｉｉＮ＋等からなる第１誘電体層
３、Ｍｎを微量含むＺｎＳからなる発光層４、第１の誘
電体層３と同様の材質からなる第２の誘電体層５が、電
子ビーム蒸着あるいはスパッタリングによって順次積層
され、透明多層膜１００が形成される。さらに第２の誘
電体層５上にＭＯ等の反射率の低い背面電極６が、電子
ビーム蒸着あるいはスパッタリングによって形成される
。
透明導電膜２と背面電極６との間に交流電圧を印加する
と、発光層４が発光表示を行なう。また発光層４が非発
光時、透明多層膜１００より入射した外来光を背面電極
６におけるＭＯの光吸収作用を利用して外来光の一部を
吸収し、背面電極６による外来光の反射を防いでいる。
と、発光層４が発光表示を行なう。また発光層４が非発
光時、透明多層膜１００より入射した外来光を背面電極
６におけるＭＯの光吸収作用を利用して外来光の一部を
吸収し、背面電極６による外来光の反射を防いでいる。
しかしながら従来の表示装置にあっては、外来光が光吸
収体からなる背面電極に当たると、その一部は吸収され
るが、その他の反射した光は透明多層膜を通過してしま
うような構造となっていたため、表示を行なっていない
にもかかわらず、太陽光線のような外来光の強い環境下
では、背面電極で吸収しきれない反射光によって表示さ
れているかのように見えることがあり、表示されている
部分と表示されていない部分との区別のつけにくい場合
があった。
収体からなる背面電極に当たると、その一部は吸収され
るが、その他の反射した光は透明多層膜を通過してしま
うような構造となっていたため、表示を行なっていない
にもかかわらず、太陽光線のような外来光の強い環境下
では、背面電極で吸収しきれない反射光によって表示さ
れているかのように見えることがあり、表示されている
部分と表示されていない部分との区別のつけにくい場合
があった。
本発明は上記の点に鑑がみてなされたもので、その目的
とするところは表示装置の背面電極における外来光の反
射を低減させるために有効な手段を提供するものである
。係る目的を達成するために多孔を有する光吸収体薄膜
と金属膜との間で、反復して光が吸収される構成とした
。
とするところは表示装置の背面電極における外来光の反
射を低減させるために有効な手段を提供するものである
。係る目的を達成するために多孔を有する光吸収体薄膜
と金属膜との間で、反復して光が吸収される構成とした
。
以下、本発明を実施例に従って詳細に説明する。
第２図は本発明の一実施例で、ＥＬ発光素子を例に説明
する。透明多層膜１００は従来の例と同様に形成される
。第２の誘電体層５上に膜厚５０〜３００ＡのＭｏ薄膜
７を蒸着あるいはスパッタリングすると、非晶質で島状
構造を有するＭＯが点在した形で形成される。さらＫＭ
、薄膜７上及び、ＭＯのすきま部分の透明多層膜上にＡ
ｔ、 ０．等の透明な誘電体薄膜８を、さらにその上に
Ａｔ等の金属膜９を、蒸着あるいはスパッタリングによ
り作製する。
する。透明多層膜１００は従来の例と同様に形成される
。第２の誘電体層５上に膜厚５０〜３００ＡのＭｏ薄膜
７を蒸着あるいはスパッタリングすると、非晶質で島状
構造を有するＭＯが点在した形で形成される。さらＫＭ
、薄膜７上及び、ＭＯのすきま部分の透明多層膜上にＡ
ｔ、 ０．等の透明な誘電体薄膜８を、さらにその上に
Ａｔ等の金属膜９を、蒸着あるいはスパッタリングによ
り作製する。
次に本実施例における光吸収作用を第２図を用いて説明
する。透明多層膜１００側から侵入した外来光の一部は
、島状構造を有するＭｏ薄膜７のすきまから透明な誘電
体薄膜８内に侵入する。この光は、Ｍ、薄膜７と金属膜
９との間で反射をくり返し、Ｍｏ薄膜７に反射するたび
に光が吸収されていく。
する。透明多層膜１００側から侵入した外来光の一部は
、島状構造を有するＭｏ薄膜７のすきまから透明な誘電
体薄膜８内に侵入する。この光は、Ｍ、薄膜７と金属膜
９との間で反射をくり返し、Ｍｏ薄膜７に反射するたび
に光が吸収されていく。
またＭｏ薄膜７に直接当たった外来光はＭ、の光吸収作
用により減衰される。前記ＭＯ薄膜７の材質としては、
Ｍ、の他にＣｒ 、 ’ｌ’ａ等の金属あるいは、５ｉ
Ｇｅ等の半導体を使用してもよい。
用により減衰される。前記ＭＯ薄膜７の材質としては、
Ｍ、の他にＣｒ 、 ’ｌ’ａ等の金属あるいは、５ｉ
Ｇｅ等の半導体を使用してもよい。
本実施例においては、Ｍｏ薄膜７のすき−まがら侵入し
た外来光を、繰り返しの反射を利用して何度も光を吸収
する構造としたため、外来光に対して６％以下の光の反
射率を実現できた。
た外来光を、繰り返しの反射を利用して何度も光を吸収
する構造としたため、外来光に対して６％以下の光の反
射率を実現できた。
第３図は本発明の他の実施例を示す図である。
本実施例においては、前記一実施例の透明な誘電体薄膜
８と金属膜９との間に、誘電体から金属へ（３） 連続的に変化する誘電体−金属膜１０を配設する。
８と金属膜９との間に、誘電体から金属へ（３） 連続的に変化する誘電体−金属膜１０を配設する。
前記誘電体−金属膜１０は、誘電体薄膜８上に酸素中で
Ａｔ等の金属を蒸着あるいはりアクティブスパッタを行
なうことによりＡＡ、０．膜が形成され、除隊に酸素分
圧を低減させ、最終的には真空あるいはＭ中で、Ａｔを
蒸着あるいはスパッタリングを行なうことによりＡｔ膜
が形成される。
Ａｔ等の金属を蒸着あるいはりアクティブスパッタを行
なうことによりＡＡ、０．膜が形成され、除隊に酸素分
圧を低減させ、最終的には真空あるいはＭ中で、Ａｔを
蒸着あるいはスパッタリングを行なうことによりＡｔ膜
が形成される。
前記誘電体−金属膜１０の配設により、前記一実施例の
効果に加え、Ｍ、のすきまより侵入した光は、誘電体−
金属膜中のＡｔでの反射位置が一定でないため、様々な
光路差をもった光とおしの干渉作用が起り、可視光全域
にわたり減衰することができる。
効果に加え、Ｍ、のすきまより侵入した光は、誘電体−
金属膜中のＡｔでの反射位置が一定でないため、様々な
光路差をもった光とおしの干渉作用が起り、可視光全域
にわたり減衰することができる。
以上説明したように、本発明によれば、多孔を有する光
吸収体薄膜と金属膜との間で、反復して光が吸収される
、構成とすることにより、背面電極における外来光の反
射を有効に防止することができる。このためコントラス
ト比が高くなり、明るい環境下でも表示品位の高い表示
状態を持続させることが可能となる。
吸収体薄膜と金属膜との間で、反復して光が吸収される
、構成とすることにより、背面電極における外来光の反
射を有効に防止することができる。このためコントラス
ト比が高くなり、明るい環境下でも表示品位の高い表示
状態を持続させることが可能となる。
（４）
第１図は、従来の構成を示す図。
第２図は、本発明の一実施例の構成を示す図。
第３図は、本発明の他の実施例の構成を示す図。
６・・・ＭＯ背面電極 ７・・・島状Ｍ。薄膜８・
・・Ａｔ、 ０．薄膜 ９・・・金属膜１０・・・
誘電体−金属膜 １００・・・透明多層膜 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 上 野 英 夫 第１図 第２図 第３図
・・Ａｔ、 ０．薄膜 ９・・・金属膜１０・・・
誘電体−金属膜 １００・・・透明多層膜 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 上 野 英 夫 第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）光吸収体よりなる背面電極と、透明多層膜との間
に電圧印加を行なうことにより、前記透明多層膜中で表
示を行なう表示装置において、前記背面電極を前記透明
多層膜上に、多孔を有する光吸収体薄膜と、透明な誘電
体膜と、金属膜とを順次配設して構成したことを特徴と
する表示装置。 - （２）前記誘電体膜と前記金属膜との間に、誘電体から
金属へ連続的に変化する誘電体−金属膜を配設したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019128A JPH0632311B2 (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019128A JPH0632311B2 (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59146193A true JPS59146193A (ja) | 1984-08-21 |
| JPH0632311B2 JPH0632311B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=11990817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58019128A Expired - Lifetime JPH0632311B2 (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0632311B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61211996A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | 日産自動車株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS61220292A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
| JPS61281277A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-11 | 日本電信電話株式会社 | 平面表示装置とその製造方法 |
| BE1007482A3 (nl) * | 1993-09-08 | 1995-07-11 | Philips Electronics Nv | Beeldweergaveinrichting voorzien van een elektro-optisch medium. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158199A (en) * | 1978-06-02 | 1979-12-13 | Sharp Corp | Blackened electrode structure |
-
1983
- 1983-02-08 JP JP58019128A patent/JPH0632311B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158199A (en) * | 1978-06-02 | 1979-12-13 | Sharp Corp | Blackened electrode structure |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61211996A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | 日産自動車株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS61220292A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | ホ−ヤ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
| JPS61281277A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-11 | 日本電信電話株式会社 | 平面表示装置とその製造方法 |
| BE1007482A3 (nl) * | 1993-09-08 | 1995-07-11 | Philips Electronics Nv | Beeldweergaveinrichting voorzien van een elektro-optisch medium. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0632311B2 (ja) | 1994-04-27 |
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