JPS5914637A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPS5914637A JPS5914637A JP57123656A JP12365682A JPS5914637A JP S5914637 A JPS5914637 A JP S5914637A JP 57123656 A JP57123656 A JP 57123656A JP 12365682 A JP12365682 A JP 12365682A JP S5914637 A JPS5914637 A JP S5914637A
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- JP
- Japan
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- mark
- mask
- stage
- reference mark
- angle adjustment
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はウェハ露光装置に関し、特に縮小投影型のステ
ップアンドリピート方式のウエノ・露光装置に関する。
ップアンドリピート方式のウエノ・露光装置に関する。
ＬＳＩの集積化が進むにつれてマイクロリングラフィの
重要性が増々大きくなυつつある。マイクロリングラフ
（の精度は、露光装置の性能に大きく依存する。最近の
露光装置の性能向よには、目覚しいものがあるが、中で
も微細な線巾のりソグラフィには投影型、特に縮小投影
型のステップアンドリピート方式の露光装置が開発され
、１μｍ程度の線巾リソグラフィ用マシーンとして有望
視されている。
重要性が増々大きくなυつつある。マイクロリングラフ
（の精度は、露光装置の性能に大きく依存する。最近の
露光装置の性能向よには、目覚しいものがあるが、中で
も微細な線巾のりソグラフィには投影型、特に縮小投影
型のステップアンドリピート方式の露光装置が開発され
、１μｍ程度の線巾リソグラフィ用マシーンとして有望
視されている。
ところで、ステップアンドリピート方式の露光装置とし
ては、第１図に示す構造のものが知られている。即ち、
図中の１はモータ等によシ回転可能なウェハチャック２
を保持するＸＹ方向に移動自在なステージである。この
ステージ１のウェハチャック２以外の領域には後記マス
クのマークと照合するだめの１つの例えは十字状マーク
３が付されている。また、前記ステージ１の上方にはマ
スクのパターンを縮小する光学系を内蔵した鏡筒４が配
設され、かつ該鏡筒４上には所定距離へだてで光源５が
設けられている。更に、図中の６は前記鏡筒４と一定の
位置関係でステージ１上方に配設された合わせ機構であ
る。この合わせ機構６は前記鏡筒４と一定の位置関係で
配置された本体２と、この本体７の底部付近に付され、
ウニノ１の合わせマークと照合させるだめのマーク８ａ
、８ｂと、前記本体７に設けられ、ウェハの合わせマー
クと前記マーク８ａ、８ｂとの照合状態を観察するだめ
の顕微鏡９ｍ 、９ｂとから構成されている。
ては、第１図に示す構造のものが知られている。即ち、
図中の１はモータ等によシ回転可能なウェハチャック２
を保持するＸＹ方向に移動自在なステージである。この
ステージ１のウェハチャック２以外の領域には後記マス
クのマークと照合するだめの１つの例えは十字状マーク
３が付されている。また、前記ステージ１の上方にはマ
スクのパターンを縮小する光学系を内蔵した鏡筒４が配
設され、かつ該鏡筒４上には所定距離へだてで光源５が
設けられている。更に、図中の６は前記鏡筒４と一定の
位置関係でステージ１上方に配設された合わせ機構であ
る。この合わせ機構６は前記鏡筒４と一定の位置関係で
配置された本体２と、この本体７の底部付近に付され、
ウニノ１の合わせマークと照合させるだめのマーク８ａ
、８ｂと、前記本体７に設けられ、ウェハの合わせマー
クと前記マーク８ａ、８ｂとの照合状態を観察するだめ
の顕微鏡９ｍ 、９ｂとから構成されている。
次に、上述した露光装置によるウェハの露光方法を説明
する。
する。
まず、鏡筒４上に所望（例えばフィールド形成用）のパ
ターンを有するマスクを配置するが、マスクとウェハと
は間接合わせであるため、充分に合わせ精度を向上させ
る目的から、例えばステージ１の座標系のＸ軸とマスク
の座標のＸ軸が平行となるように、またステージ１の座
標系のＹ軸とマスクの座標のＹ軸が平行となるように設
定することが必要である。このため、従来の露光装置で
は第１図及び第２図に示す如く中心点を基準としてマス
クパターンからはずれたＸ軸上の箇所Ｋ例えば十字状基
準マーク１０ａが、一方マスクパターンからはずれＹ軸
上の箇所にも十字状θ角調整用マーク１０ｂが、夫々性
されたマスク１１を用いる。つづいて、鏡筒４上に前記
マスク１１を配置し、ステージ１を移動させてステージ
１のマーク３を本来の設定位１１（常に決った座標）に
動かした後、マスク１１を移動させてＸ軸上の基準マー
ク１０ａをステージ１のマーク３に一致させる。８．ひ
きつづき、ステージ１を再度移動させてそのマー、り３
を本来の設定位置（これも常に決った座標）に動かした
後、Ｘ軸上の基準マークｌＯａを中心にしてマスク１１
を回転させて他方のＹ軸上のθ角調整用マーク１０ｂを
ステージ１のマーク３に照合させる。こうした操作によ
りマスクの位置合わせがなされる。
ターンを有するマスクを配置するが、マスクとウェハと
は間接合わせであるため、充分に合わせ精度を向上させ
る目的から、例えばステージ１の座標系のＸ軸とマスク
の座標のＸ軸が平行となるように、またステージ１の座
標系のＹ軸とマスクの座標のＹ軸が平行となるように設
定することが必要である。このため、従来の露光装置で
は第１図及び第２図に示す如く中心点を基準としてマス
クパターンからはずれたＸ軸上の箇所Ｋ例えば十字状基
準マーク１０ａが、一方マスクパターンからはずれＹ軸
上の箇所にも十字状θ角調整用マーク１０ｂが、夫々性
されたマスク１１を用いる。つづいて、鏡筒４上に前記
マスク１１を配置し、ステージ１を移動させてステージ
１のマーク３を本来の設定位１１（常に決った座標）に
動かした後、マスク１１を移動させてＸ軸上の基準マー
ク１０ａをステージ１のマーク３に一致させる。８．ひ
きつづき、ステージ１を再度移動させてそのマー、り３
を本来の設定位置（これも常に決った座標）に動かした
後、Ｘ軸上の基準マークｌＯａを中心にしてマスク１１
を回転させて他方のＹ軸上のθ角調整用マーク１０ｂを
ステージ１のマーク３に照合させる。こうした操作によ
りマスクの位置合わせがなされる。
次いで、予めウニノ１チャック２に固定したウェハ１２
をステージ１ごとＸＹ方向にステツブアンドリピート露
光させ、そのステップ毎に光源５よりマスク１１に光を
照射してフィールＰ形成用のノリーンを鏡筒４で縮小す
ることによシ、第３図に示す如くウニノー１２にフィー
ルド用の転写ノ４ターン１３・・・を形成する。但し、
この転写工程においては所定領域に転写ノ９ターン１３
・・・を形成すると共に２つの十字状合わせマークを夫
々付す。
をステージ１ごとＸＹ方向にステツブアンドリピート露
光させ、そのステップ毎に光源５よりマスク１１に光を
照射してフィールＰ形成用のノリーンを鏡筒４で縮小す
ることによシ、第３図に示す如くウニノー１２にフィー
ルド用の転写ノ４ターン１３・・・を形成する。但し、
この転写工程においては所定領域に転写ノ９ターン１３
・・・を形成すると共に２つの十字状合わせマークを夫
々付す。
しかしながら、前述したマスクを用いる露光装置にあっ
ては、マスク合わせがかなシ完全に行なわれることが稀
であυ、通常はステージ１の位置決めが完全であっても
マスク材料力；イ申縮するために合わせずれを発生する
。これを、マスク１１が伸びた場合のずれ量を以下に具
体的に示す。
ては、マスク合わせがかなシ完全に行なわれることが稀
であυ、通常はステージ１の位置決めが完全であっても
マスク材料力；イ申縮するために合わせずれを発生する
。これを、マスク１１が伸びた場合のずれ量を以下に具
体的に示す。
まず、１／１０縮小露光装置の場合を例にし、寸法１０
０ｍｍＸ’１００−のマスク１１輿が１０μｍ伸びた場
合を考える。ここで、第４図に示す如く伸びたマスク１
１′の基準マーク（座標−５０，００５ｍ 、 ０ ）
を１０編′、θ角調整用マーク（座標０ 、５０．００
５ ｍ ）を１０ｂ′とする。かかるマスク１１′をス
テージ１に合わせるには、前述した手順通り、基準マー
クｚｃ＞ａ’（ＩＯａ）をステージ１のマーク３に照合
させ、該基準マーク１０ａ′を中心にしてマスク１１′
を所望角度回転させてθ角調整用マーク１０ｂ′をステ
ージ１の設定位置に再度移動させたマーク３に照合させ
てマスク１１′の合わせを行なう。この時、マスクが伸
びているため、同第４図に示す如く伸びがない場合のθ
角調整用マーク４ｏｂの位置に比較して伸びのあるマス
ク１１′のθ角調整用マーク１０ｂ’の位置がある回転
角（α）だけマスクの回転をひろうことになる。このα
を計算すると、α＝０．００５７２８７°となる。Ｘ軸
方向で１００鰭離れた箇所でのＹ軸方向のずれ量を前記
α値から見積ると、約１０．０００μｍのずれ量となる
。但し、縮小露光装置であるため、ウェハ１２上では１
／１０に縮小されるからウェハ１２上の１つの転写パタ
ーンのＹ軸方向のずれ量は１．０μｍとなる。マスクの
伸び量を８μｍとすると、ウェハ上で１００ｍ離れた箇
所のＹ軸方向のずれ量は８７１０μｍとなる。
０ｍｍＸ’１００−のマスク１１輿が１０μｍ伸びた場
合を考える。ここで、第４図に示す如く伸びたマスク１
１′の基準マーク（座標−５０，００５ｍ 、 ０ ）
を１０編′、θ角調整用マーク（座標０ 、５０．００
５ ｍ ）を１０ｂ′とする。かかるマスク１１′をス
テージ１に合わせるには、前述した手順通り、基準マー
クｚｃ＞ａ’（ＩＯａ）をステージ１のマーク３に照合
させ、該基準マーク１０ａ′を中心にしてマスク１１′
を所望角度回転させてθ角調整用マーク１０ｂ′をステ
ージ１の設定位置に再度移動させたマーク３に照合させ
てマスク１１′の合わせを行なう。この時、マスクが伸
びているため、同第４図に示す如く伸びがない場合のθ
角調整用マーク４ｏｂの位置に比較して伸びのあるマス
ク１１′のθ角調整用マーク１０ｂ’の位置がある回転
角（α）だけマスクの回転をひろうことになる。このα
を計算すると、α＝０．００５７２８７°となる。Ｘ軸
方向で１００鰭離れた箇所でのＹ軸方向のずれ量を前記
α値から見積ると、約１０．０００μｍのずれ量となる
。但し、縮小露光装置であるため、ウェハ１２上では１
／１０に縮小されるからウェハ１２上の１つの転写パタ
ーンのＹ軸方向のずれ量は１．０μｍとなる。マスクの
伸び量を８μｍとすると、ウェハ上で１００ｍ離れた箇
所のＹ軸方向のずれ量は８７１０μｍとなる。
ところで、上述したずれ量をもとにマスクを多数枚用い
た時の合わせずれ量を考える。まず、上記ずれ量は１回
目のＰＥＰ工程の時にはマスクの１つの転写パターンが
夫々回転する、つｔｂ第５図に示す如くウェハ１２上の
レジスト罠転写されたパターンＩ Ｊ’・・・はダイロ
ーテーションとなる。次いで、かかる下地パターンに対
して２層目（例えばダート電極形成）のための合わせを
行なう。通常、前述した第１図図示の合わせ機構６にお
ける２つの顕微鏡９ｍ、９ｂの距離が、例えば６３．５
ｗなどのように決っているため、第１回目のＰＥＰ工程
においてウェハ１２に転写パターン１３・・・を繰シ返
し形成する際、第６図に示す如く転写ノ９ターンＩ Ｊ
−・・中に夫々２つの合わせマーク１４＠、１４ｂを所
定の２つの転写ノＪ？ターン１３１．１３ｎのうちの一
方の／ｌターン１３１の合わせ１４８と他方の、４１タ
ーン１３ｎの合わせマーク１４ｂとの距離が前記顕微鏡
５’ ａ ＊ ９ ｂ間のそれと一致するように同時に
形成している。通常、２回目のＰＥＰ工程ではこれら合
わせマーク１４ｍ、１４ｂを用いて顕微鏡９ｔｒ、９ｂ
ＶＣ合わせてウェハ１２のＸＹ方向の位置決めを行なっ
た後、２回目の転写を行なうため、１回目の転写パター
ンの形成には発生しなかった、第２層転写パターンと第
２層転写パターン間の合わせずれが発生する。りまシ、
第７図に示す如く右の顕微鏡９ｂに見える合わせマーク
１４ｂ′と左の顕微鏡９ａに見える合わせマーク１４ａ
′が転写パターンＩ Ｊ、１ 。
た時の合わせずれ量を考える。まず、上記ずれ量は１回
目のＰＥＰ工程の時にはマスクの１つの転写パターンが
夫々回転する、つｔｂ第５図に示す如くウェハ１２上の
レジスト罠転写されたパターンＩ Ｊ’・・・はダイロ
ーテーションとなる。次いで、かかる下地パターンに対
して２層目（例えばダート電極形成）のための合わせを
行なう。通常、前述した第１図図示の合わせ機構６にお
ける２つの顕微鏡９ｍ、９ｂの距離が、例えば６３．５
ｗなどのように決っているため、第１回目のＰＥＰ工程
においてウェハ１２に転写パターン１３・・・を繰シ返
し形成する際、第６図に示す如く転写ノ９ターンＩ Ｊ
−・・中に夫々２つの合わせマーク１４＠、１４ｂを所
定の２つの転写ノＪ？ターン１３１．１３ｎのうちの一
方の／ｌターン１３１の合わせ１４８と他方の、４１タ
ーン１３ｎの合わせマーク１４ｂとの距離が前記顕微鏡
５’ ａ ＊ ９ ｂ間のそれと一致するように同時に
形成している。通常、２回目のＰＥＰ工程ではこれら合
わせマーク１４ｍ、１４ｂを用いて顕微鏡９ｔｒ、９ｂ
ＶＣ合わせてウェハ１２のＸＹ方向の位置決めを行なっ
た後、２回目の転写を行なうため、１回目の転写パター
ンの形成には発生しなかった、第２層転写パターンと第
２層転写パターン間の合わせずれが発生する。りまシ、
第７図に示す如く右の顕微鏡９ｂに見える合わせマーク
１４ｂ′と左の顕微鏡９ａに見える合わせマーク１４ａ
′が転写パターンＩ Ｊ、１ 。
１３ｎ内でローテーションが発生しているにもかかわら
ず、合わせマーク１４＆’ａ１４ｂ’間を結んだ線が水
平となるように調整するため、ウェハ１２を回転させる
ことになシ、結局ローテーションをひろうことになる。
ず、合わせマーク１４＆’ａ１４ｂ’間を結んだ線が水
平となるように調整するため、ウェハ１２を回転させる
ことになシ、結局ローテーションをひろうことになる。
この量は、例えばマスクが１０μｍ伸びており、１０諺
の領域でマークの位置が１０諺離れていると考えると、
前述した如くダイローテーションが１．０μｍあるため
、マークの位置は一方（ｚ４ｂ）を基準とした場合、他
方のマーク１４ ｍ＃′ｉＹ軸方向で１．０μｍだけず
れることになる。その結果、顕微鏡９ａ 、９ｂ間の距
離を６３．５■、ウエノ１１２の径を１００ｆｉとした
場合、トータルのウェハローテーション量はウェノＳ１
２の端間で１．０μｍ Ｘ−Ｌ００＝ １．５７μｍと
なシ、非常に大６３．５ きな合わせずれとなる。つまシ、転写されたノやターン
でみると、転写パターン１３１′でのチップの合わせは
良好であるが、ｎ個離れた転写ノ９ターン１３ｎ′での
チップの合わせはＹ軸方向の合わせずれをひろうことに
なる。
の領域でマークの位置が１０諺離れていると考えると、
前述した如くダイローテーションが１．０μｍあるため
、マークの位置は一方（ｚ４ｂ）を基準とした場合、他
方のマーク１４ ｍ＃′ｉＹ軸方向で１．０μｍだけず
れることになる。その結果、顕微鏡９ａ 、９ｂ間の距
離を６３．５■、ウエノ１１２の径を１００ｆｉとした
場合、トータルのウェハローテーション量はウェノＳ１
２の端間で１．０μｍ Ｘ−Ｌ００＝ １．５７μｍと
なシ、非常に大６３．５ きな合わせずれとなる。つまシ、転写されたノやターン
でみると、転写パターン１３１′でのチップの合わせは
良好であるが、ｎ個離れた転写ノ９ターン１３ｎ′での
チップの合わせはＹ軸方向の合わせずれをひろうことに
なる。
本発明は１回目のステップアンドリピートによる露光工
程でのダイｐ−チージョン、及び２回目以降の露光工程
においてウェノ・の１回目に形成された下地パターンに
対する転写パターンのローテーションな解消し、良好な
ＩＪ？ターン形成が可能な露光装置を提供しようとする
ものである。
程でのダイｐ−チージョン、及び２回目以降の露光工程
においてウェノ・の１回目に形成された下地パターンに
対する転写パターンのローテーションな解消し、良好な
ＩＪ？ターン形成が可能な露光装置を提供しようとする
ものである。
本発明はＸ軸上及びＹ軸上に付された基準マーク及びθ
角調整用マークのうち、θ角調整用マークが該マークと
基準マークの結線方向に方向付けられた形状をなすマス
クを用いること罠よって、マスクの膨張に伴なりてマス
クがある回転角だけ変位してステージのマークに合わせ
られることなく、常に目的とした状態でステージへの合
わせを可能にすることを骨子とする。
角調整用マークのうち、θ角調整用マークが該マークと
基準マークの結線方向に方向付けられた形状をなすマス
クを用いること罠よって、マスクの膨張に伴なりてマス
クがある回転角だけ変位してステージのマークに合わせ
られることなく、常に目的とした状態でステージへの合
わせを可能にすることを骨子とする。
以下、本発明の実施例を第８図を参照して説明する。な
お、マスク以外の露光装置の各部材は第１図と同様な構
造であるため、説明を省略する。
お、マスク以外の露光装置の各部材は第１図と同様な構
造であるため、説明を省略する。
図中の２１は露光装置に組込まれるマスクである。この
マスク２１はＸ軸上、Ｙ軸上に夫々十字形状の基準マー
ク２２ａ１十字形状のθ角調整用マーク２２ｂが付され
ている。これらマーク２２ａ、２２ｂの結線はマスクの
Ｘ軸に対して４５°の角度となっていると共に、θ角調
整用マーク２２ｂは前記結線方向に方向づけられた線要
素２３１ とこれと直方する線俄素２３゜とからｈる十
字形状をなしている。
マスク２１はＸ軸上、Ｙ軸上に夫々十字形状の基準マー
ク２２ａ１十字形状のθ角調整用マーク２２ｂが付され
ている。これらマーク２２ａ、２２ｂの結線はマスクの
Ｘ軸に対して４５°の角度となっていると共に、θ角調
整用マーク２２ｂは前記結線方向に方向づけられた線要
素２３１ とこれと直方する線俄素２３゜とからｈる十
字形状をなしている。
しかして、第８図図示のマスク２１を第１図の如く鏡筒
４に合わせるには、まずステー−）１を移動させてその
マーク３を本来の設定位置に動かした後、マスク２１を
移動させてＸ軸上の基準マーク２２亀をステージ１のマ
ーク３に一致させる。つづいて、ステージ１を再度移動
させてそのマークを本来の設定位置に動かした後、Ｘ軸
上の基準マーク２２ａを中心Ｋｌ、−（マスク２１を回
転させ、他方のＹ軸上のθ角調整用マーク２２ｂｔ□ス
テージ１のマｌ−２−３に照合させてマスク２）の位置
合わせを行なう。こうした位置合わせにおいて、マスク
２１が膨張して点線で示す状態になった場合を考える。
４に合わせるには、まずステー−）１を移動させてその
マーク３を本来の設定位置に動かした後、マスク２１を
移動させてＸ軸上の基準マーク２２亀をステージ１のマ
ーク３に一致させる。つづいて、ステージ１を再度移動
させてそのマークを本来の設定位置に動かした後、Ｘ軸
上の基準マーク２２ａを中心Ｋｌ、−（マスク２１を回
転させ、他方のＹ軸上のθ角調整用マーク２２ｂｔ□ス
テージ１のマｌ−２−３に照合させてマスク２）の位置
合わせを行なう。こうした位置合わせにおいて、マスク
２１が膨張して点線で示す状態になった場合を考える。
マスク２１が膨張すると、その膨張は等方向であシ、マ
スク２１の十字形状をなすθ角調整用マーク２２ｂの一
方の線要素２３１は該マーク２２ｂと基準マーク２２ｍ
の結線方向に方向づけられているため、膨張後のマスク
２１′のθ角調整用マーク２２ｂ′の一方の線要素２３
１′は基準マーク２２％’（２２ｔｈ）と該マーク２２
ｂ′の結線の延長線上に合致する。しかるに、前述した
のと同様な手順で膨張したマスク２１′の基準マーク２
２ａ’（２２ｍ）をステージ１の設定位置に再度移動さ
せたマーク３に合致させる際、該基準マーク２２ａ′（
２２＆）を中心にマスク２１′を回転させ、ステージ１
の十字状マーク３の交点と十字状θ角調整用マーク２２
ｂ′の交点とを合致させるものではなく、該マーク３の
交点が十字状θ角調整用マーク２２ｂ′の一方の線要素
２３１′上に重なるように位置決めすれば、同第８図に
示す如く膨張したマスク２１′が膨張前のマスク２ノに
対してローテーションを起こすことなく位置決めできる
。
スク２１の十字形状をなすθ角調整用マーク２２ｂの一
方の線要素２３１は該マーク２２ｂと基準マーク２２ｍ
の結線方向に方向づけられているため、膨張後のマスク
２１′のθ角調整用マーク２２ｂ′の一方の線要素２３
１′は基準マーク２２％’（２２ｔｈ）と該マーク２２
ｂ′の結線の延長線上に合致する。しかるに、前述した
のと同様な手順で膨張したマスク２１′の基準マーク２
２ａ’（２２ｍ）をステージ１の設定位置に再度移動さ
せたマーク３に合致させる際、該基準マーク２２ａ′（
２２＆）を中心にマスク２１′を回転させ、ステージ１
の十字状マーク３の交点と十字状θ角調整用マーク２２
ｂ′の交点とを合致させるものではなく、該マーク３の
交点が十字状θ角調整用マーク２２ｂ′の一方の線要素
２３１′上に重なるように位置決めすれば、同第８図に
示す如く膨張したマスク２１′が膨張前のマスク２ノに
対してローテーションを起こすことなく位置決めできる
。
したがって、マスクのＸ軸、Ｙ軸を合わせる基準マーク
及びθ角調整用マークを、マスクに伸びがあった場合に
も同じ座標に重なるように設定できるため、露光された
マスクツ４ターンはマスクのＸ軸、Ｙ軸を合わせるマー
クに極めて近い箇所では合わせずれがなく、離れるにし
たがって合わせずれが大きくなる。しかし、ステップア
ンドリピート方式の露光装置においては、ウェハ上に繰
り返し露光する転写パターンの中央の座標をサブミクロ
ン以下にまで正確にコントロールできるため、下地／４
’ターンとその・母ターンに合わせたパターンの夫々の
中央で合わせずれを零にするように調整することが可能
であシ、マスクの伸縮による合わせずれを著しく減少で
きる。また、マスクの伸び量を自動伯に計算し、そのデ
ータを露光装置の計算機に入力することも可能であり、
マスクの伸びとずれ量からＸ軸方向へマスクを移動させ
、マスクのセンタと露光領域の中央の座標を完全に重ね
ることもできる。
及びθ角調整用マークを、マスクに伸びがあった場合に
も同じ座標に重なるように設定できるため、露光された
マスクツ４ターンはマスクのＸ軸、Ｙ軸を合わせるマー
クに極めて近い箇所では合わせずれがなく、離れるにし
たがって合わせずれが大きくなる。しかし、ステップア
ンドリピート方式の露光装置においては、ウェハ上に繰
り返し露光する転写パターンの中央の座標をサブミクロ
ン以下にまで正確にコントロールできるため、下地／４
’ターンとその・母ターンに合わせたパターンの夫々の
中央で合わせずれを零にするように調整することが可能
であシ、マスクの伸縮による合わせずれを著しく減少で
きる。また、マスクの伸び量を自動伯に計算し、そのデ
ータを露光装置の計算機に入力することも可能であり、
マスクの伸びとずれ量からＸ軸方向へマスクを移動させ
、マスクのセンタと露光領域の中央の座標を完全に重ね
ることもできる。
なお、本発明に係る露光装置のマスクは上記実施例の如
く基準マークとθ角調整用マークとを、それらの結線が
Ｘ軸に対して４５°となるように配置する場合に限らず
、第９図に示す如く基準□マーク２２ｈとθ角調整用マ
ーク２２ｂとを′、それらの結線がＸ軸に対して所定角
（γ′）となるように配置してもよい。但し、この場合
もθ角調整用マーク２２ｂは前記結線方向に方向付けら
れた線要素２３１とこれと直交する線要素２３２とから
なる交差した形状をなしている。
く基準マークとθ角調整用マークとを、それらの結線が
Ｘ軸に対して４５°となるように配置する場合に限らず
、第９図に示す如く基準□マーク２２ｈとθ角調整用マ
ーク２２ｂとを′、それらの結線がＸ軸に対して所定角
（γ′）となるように配置してもよい。但し、この場合
もθ角調整用マーク２２ｂは前記結線方向に方向付けら
れた線要素２３１とこれと直交する線要素２３２とから
なる交差した形状をなしている。
また。ステージに付すマークを、マスクの基準マークと
θ角調整用マークの結線方向に方向付けられた線要素と
、この線要素と交差する他の線要素とからなる形状にし
てもよい。このようにすれば、ステージのマークにマス
クの゛θ角調整用マークを合わせる場合、前記マークの
一方の線要素とθ角調整用マークの一方の線要素とが重
なるようにマスクの基準マークを中心にしてマスクを回
転すればマスクの合わせを行なうことができるため、合
わせ操作をより簡便にできる。
θ角調整用マークの結線方向に方向付けられた線要素と
、この線要素と交差する他の線要素とからなる形状にし
てもよい。このようにすれば、ステージのマークにマス
クの゛θ角調整用マークを合わせる場合、前記マークの
一方の線要素とθ角調整用マークの一方の線要素とが重
なるようにマスクの基準マークを中心にしてマスクを回
転すればマスクの合わせを行なうことができるため、合
わせ操作をより簡便にできる。
以上詳述した如く、本発明によれば１回目のステップア
ンドリピートによる露光工程でのマスクの膨張圧伴なう
グイローテーション、及び２回目以降の露光工程におい
てウェハの１回目に形成された下地ノ４ターンに対する
転写パターンのローテーションを解消し、良好なパター
ン形成が可能な露光装置を提供できる。
ンドリピートによる露光工程でのマスクの膨張圧伴なう
グイローテーション、及び２回目以降の露光工程におい
てウェハの１回目に形成された下地ノ４ターンに対する
転写パターンのローテーションを解消し、良好なパター
ン形成が可能な露光装置を提供できる。
絽１図はステップアンドリピート方式の露光装置を示す
概略斜視図、第２図は第１図の窮光装置に用いられる従
来のマスクを示す平面図、第３図は第１図の露光装置に
よるウェハへのステップアンドリピート露光過程を示す
概略斜視図、第４図は従来のマスクにおける伸びがある
場合の位置合わせ状態を示す平面図、第５図は従来のマ
スクを用いた場合のウェハローテーションによるパター
ンの合わせずれを説明するだめの平面図、第６図は露光
装置における合わせ機構の顕微鏡とウェハの合わせマー
クとの関係を示す平面図、第７図はウェハがローテーシ
ョンを生じている場合の顕微鏡によるウェハの合わせマ
ークへの合わせずれローテーションを説明するだめの平
面図、第８図は本発明の一実施例を示す露光装置のマス
クの平面図、第９図は夫々本発明の他の実施例を示す露
光装置のマスクの平面図である。 １・・・ステージ、２・・・ウェハチャック、３・・・
ステージのマーク、４・・・銃筒、５・・・光源、６・
・・合わせ機構、９ｍ、９ｂ・・・顕微鏡、１２・・・
ウェハ、１４ａ、１４ｂ・・・合わせマーク、２１・・
・マスク、２２ト・・基準マーク、２２ｂ・・・θ角調
整用マーク、２３ｙ 、２３島・・・線要素。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１５ 第１回 第２図 鯵 ３ 図 第９図
概略斜視図、第２図は第１図の窮光装置に用いられる従
来のマスクを示す平面図、第３図は第１図の露光装置に
よるウェハへのステップアンドリピート露光過程を示す
概略斜視図、第４図は従来のマスクにおける伸びがある
場合の位置合わせ状態を示す平面図、第５図は従来のマ
スクを用いた場合のウェハローテーションによるパター
ンの合わせずれを説明するだめの平面図、第６図は露光
装置における合わせ機構の顕微鏡とウェハの合わせマー
クとの関係を示す平面図、第７図はウェハがローテーシ
ョンを生じている場合の顕微鏡によるウェハの合わせマ
ークへの合わせずれローテーションを説明するだめの平
面図、第８図は本発明の一実施例を示す露光装置のマス
クの平面図、第９図は夫々本発明の他の実施例を示す露
光装置のマスクの平面図である。 １・・・ステージ、２・・・ウェハチャック、３・・・
ステージのマーク、４・・・銃筒、５・・・光源、６・
・・合わせ機構、９ｍ、９ｂ・・・顕微鏡、１２・・・
ウェハ、１４ａ、１４ｂ・・・合わせマーク、２１・・
・マスク、２２ト・・基準マーク、２２ｂ・・・θ角調
整用マーク、２３ｙ 、２３島・・・線要素。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１５ 第１回 第２図 鯵 ３ 図 第９図
Claims (3)
- （１） ウェハを載置する二次元方向に移動自在なス
テージと、このステージに付されたｌ−）のマークと、
前記ステージの上方に配置された鏡筒と、との鏡筒上に
配設され、Ｘ座標、軸上もしくはＹ座標軸上に付された
基準マーク及び該マークと異なる座標軸上に付されたθ
角調整用マークを有するマスクとを具備し、前記ステー
ジのマークを前記鏡筒下の設定位置に移動させ、前記マ
スクの基準マークをステージのマークに合致させた後、
再度、ステージのマークを設定位置に移動させ、前記基
準マークを中心圧してマスクを回転させ、そのθ角調整
用マークを前記ステージのマークに合致させてマスクを
合せを行なう露光装置において、前記θ角調整用マーク
が該マークと前記基準マークの結線方向に方向付けられ
た形状をなしたマスクを用いることを特徴とする露光装
置。 - （２） ステージのマークが２′）の線要素を交差さ
せた形状をなし、かつマスクの基準マークが２つの線要
素を交差させた形状をなすと共に、θ角調整用マークが
２つの線要素を交差させ、一方の線要素を該マークと前
記基準マークの結線方向に長く延出させた形状を、なす
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置
。 - （３） ステージに、マスクの基準マークとθ角調整
用マークの結線方向に方向付けされた線要素を含むマー
クを付したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123656A JPS5914637A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123656A JPS5914637A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5914637A true JPS5914637A (ja) | 1984-01-25 |
Family
ID=14866012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57123656A Pending JPS5914637A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914637A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4762254A (en) * | 1985-11-08 | 1988-08-09 | Tokai Corporation | Pressure container for aerosol |
| JP2002240874A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-28 | Daizo:Kk | 人体用エアゾール製品 |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP57123656A patent/JPS5914637A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4762254A (en) * | 1985-11-08 | 1988-08-09 | Tokai Corporation | Pressure container for aerosol |
| JP2002240874A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-28 | Daizo:Kk | 人体用エアゾール製品 |
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