JPS59150332A - Ｘ線ビ−ムの投射角設定方法 - Google Patents
Ｘ線ビ−ムの投射角設定方法Info
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- JPS59150332A JPS59150332A JP58024234A JP2423483A JPS59150332A JP S59150332 A JPS59150332 A JP S59150332A JP 58024234 A JP58024234 A JP 58024234A JP 2423483 A JP2423483 A JP 2423483A JP S59150332 A JPS59150332 A JP S59150332A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 23
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
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- CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-(2,6-diethylphenyl)-n-(methoxymethyl)acetamide;2,6-dinitro-n,n-dipropyl-4-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1N(COC)C(=O)CCl.CCCN(CCC)C1=C([N+]([O-])=O)C=C(C(F)(F)F)C=C1[N+]([O-])=O CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸｌ１ｌの回折現象を利用したＸ線応力測定装
置において、被測定物に対するＸＩＪビームの投射角を
設定する方法に関する。
置において、被測定物に対するＸＩＪビームの投射角を
設定する方法に関する。
Ｘ線応力測定装置はＸ線の回折現象を利用して被測定物
の残留応力等を非破壊的に測定できるようにした周知の
装置であり、その測定原理の概略を以下に説明する。
の残留応力等を非破壊的に測定できるようにした周知の
装置であり、その測定原理の概略を以下に説明する。
金属材料は第１図に例示したように、一般的には粒径が
１００μ以下の多数の結晶粒の集合体（図面上は模式的
に拡大しである）であって、各結晶粒ごとに結晶面がラ
ンダムな方向を向いている。従って被測定物Ａに例えば
図示左右方向に引張りが加わっている場合にはその力の
方向の結晶面間隔は伸び、逆に直角方向の結晶面開隔は
縮む。
１００μ以下の多数の結晶粒の集合体（図面上は模式的
に拡大しである）であって、各結晶粒ごとに結晶面がラ
ンダムな方向を向いている。従って被測定物Ａに例えば
図示左右方向に引張りが加わっている場合にはその力の
方向の結晶面間隔は伸び、逆に直角方向の結晶面開隔は
縮む。
ところでＸ線は結晶面で回折し、結晶面間隔ｄと回折角
θ、Ｘｌｓの波長λとの間にはＢｒａｇｇＤ法則により
η・λ＝２ｄｒＪｎθなる関係が成り立つ変化すれば回
折Ｘ線の回折角θが変化することになる。
θ、Ｘｌｓの波長λとの間にはＢｒａｇｇＤ法則により
η・λ＝２ｄｒＪｎθなる関係が成り立つ変化すれば回
折Ｘ線の回折角θが変化することになる。
従って被測定物Ａに応力が生じている場合には、被測定
物Ａに対するＸ線ビームの投射角を変化させるとその回
折Ｘ線の回折角θも変化する。すなわち、−例として第
１図に示したように被測定物の法線ＮＯ力方向Ｘ線管１
を位置させてＸ線を投射した場合には、被測定物の法線
Ｎ。
物Ａに対するＸ線ビームの投射角を変化させるとその回
折Ｘ線の回折角θも変化する。すなわち、−例として第
１図に示したように被測定物の法線ＮＯ力方向Ｘ線管１
を位置させてＸ線を投射した場合には、被測定物の法線
Ｎ。
に対して結晶面の法線Ｎ１がＦｌだけ傾斜している結晶
粒群ａ・・・の回折Ｘ線が回折角２θ１で反射して検出
器２に入射する。一方、第２図に示したように）ＵＪ管
１を法線Ｎｏに対しｖ′ｏだけ傾けてＸ線を投射した場
合には、法ｉＮ。に対して結晶面の法線Ｎ１がＷ２だけ
傾斜している結晶粒群ｂ・・・の回折Ｘ線が回折角２θ
２で反射して検出器２に入射する。
粒群ａ・・・の回折Ｘ線が回折角２θ１で反射して検出
器２に入射する。一方、第２図に示したように）ＵＪ管
１を法線Ｎｏに対しｖ′ｏだけ傾けてＸ線を投射した場
合には、法ｉＮ。に対して結晶面の法線Ｎ１がＷ２だけ
傾斜している結晶粒群ｂ・・・の回折Ｘ線が回折角２θ
２で反射して検出器２に入射する。
しかして、前記のごとく被測定物に応力が生じている場
合には応力の方向に対する結晶面の傾きに応じて回折角
が異なる訳であるから、上記角度θ１と０２の変化を検
出して結晶面の傾き、Ｆｌ ｐＦ２との関係を調べ、か
つ材料固有の定数Ｋを知っておけば応力の大きさを知る
ことができることになる。
合には応力の方向に対する結晶面の傾きに応じて回折角
が異なる訳であるから、上記角度θ１と０２の変化を検
出して結晶面の傾き、Ｆｌ ｐＦ２との関係を調べ、か
つ材料固有の定数Ｋを知っておけば応力の大きさを知る
ことができることになる。
以上の測定原理から明らかなように、Ｘ線応力測定装置
にあっては被測定物の法線とＸ線ビームの投射角を正し
く把握することが重要となる。
にあっては被測定物の法線とＸ線ビームの投射角を正し
く把握することが重要となる。
従来、被測定物の法線方向を決定する手段としては、第
３図に例示したようにＸ線管のベース４にジグガイド５
を固定し、このジグガイド５に円筒状の覗きジグ６を保
持させるとともに、覗きジグ６と対向する被測定物面に
ミラー７を置き、上記ジグ６の上方からミラー７を覗き
、虚像６′の輪郭を見ることによって、法線の位置を決
めるといった光学的手段が採用されている。
３図に例示したようにＸ線管のベース４にジグガイド５
を固定し、このジグガイド５に円筒状の覗きジグ６を保
持させるとともに、覗きジグ６と対向する被測定物面に
ミラー７を置き、上記ジグ６の上方からミラー７を覗き
、虚像６′の輪郭を見ることによって、法線の位置を決
めるといった光学的手段が採用されている。
従ってこの場合、ジグ６やジグガイド５といった余計な
部材を必要とするとともに、暗い所では使用できず、ま
たジグ６を直接覗がなければならないため装置から離れ
た位置で簡単に法線を決定することができない。しかも
被測定物が曲面であったり狭い凹所などにはミラー７を
設置しに＜＜、測定不能な場合も多かった０本発明は上
記事情にもとづきなされたちのでその目的とするところ
は、光学式のような特殊なジグ等を必要とすることなく
簡便にＸ線ビームの投射角を設定でき、かつ曲面あるい
は狭い凹所などにも適用できるＸ線ビームの投射角設定
方法を提供することにある。
部材を必要とするとともに、暗い所では使用できず、ま
たジグ６を直接覗がなければならないため装置から離れ
た位置で簡単に法線を決定することができない。しかも
被測定物が曲面であったり狭い凹所などにはミラー７を
設置しに＜＜、測定不能な場合も多かった０本発明は上
記事情にもとづきなされたちのでその目的とするところ
は、光学式のような特殊なジグ等を必要とすることなく
簡便にＸ線ビームの投射角を設定でき、かつ曲面あるい
は狭い凹所などにも適用できるＸ線ビームの投射角設定
方法を提供することにある。
すなわち本発明の概要は以下のとおりである。
まず、例えばアルミ箔のように冷間強圧延された金属薄
板あるいはＳｔ単結晶板のごとく結晶方位に異方性をも
つ標準サンプル片を用意し、この標準サンプル片にＸ線
応力測定装置を用いて特定の方向から角度を変えてＸ線
を投射し、この投射方向における回折Ｘ線の強度分布特
性を予め求めておく。
板あるいはＳｔ単結晶板のごとく結晶方位に異方性をも
つ標準サンプル片を用意し、この標準サンプル片にＸ線
応力測定装置を用いて特定の方向から角度を変えてＸ線
を投射し、この投射方向における回折Ｘ線の強度分布特
性を予め求めておく。
次に上記標準サンプル片を被測定物の表面に測定したい
方向と標準サンプルの特定方向を一致させて配置したの
ち、この標準サンプル片に再びＸ線を投射して回折Ｘ線
の強度分布特性を再現させる。そして得られたＸ線強度
分布特性を、予め求めておいた前記Ｘ線強度分布特性と
照合させてこの標準サンプル片に対するＸ線ビームの投
射角を知ることによって、標準サンプルが配置されてい
る部位のＸ線ビーム投射角を設定できるものである。
方向と標準サンプルの特定方向を一致させて配置したの
ち、この標準サンプル片に再びＸ線を投射して回折Ｘ線
の強度分布特性を再現させる。そして得られたＸ線強度
分布特性を、予め求めておいた前記Ｘ線強度分布特性と
照合させてこの標準サンプル片に対するＸ線ビームの投
射角を知ることによって、標準サンプルが配置されてい
る部位のＸ線ビーム投射角を設定できるものである。
上記方法によれば、従来のような光学的手段によらず、
標準サンプル片とＸ線応力測定装置を用いてＸ線ビーム
の投射角を容易に設定できる。また、上記方法は標準サ
ンプル片を配置できるスペースさえあればその部位のＸ
線投射角を知ることができるから、曲面や凹所の奥部、
狭い箇所などにおいても容易にＸ＠投射角を設定するこ
とができる。
標準サンプル片とＸ線応力測定装置を用いてＸ線ビーム
の投射角を容易に設定できる。また、上記方法は標準サ
ンプル片を配置できるスペースさえあればその部位のＸ
線投射角を知ることができるから、曲面や凹所の奥部、
狭い箇所などにおいても容易にＸ＠投射角を設定するこ
とができる。
以下に本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第４図および第５図はＸ線応力測定装置のヘッド部分、
いわゆるゴニオメータ部分の一例を示すものであって、
図中１はＸ線管、１０はチューブシールド、１ノは高電
圧ケーブルであり、この高電圧ケーブル１１は図示しな
いＸ線発生装置に接続されている。また上記Ｘ線管１は
可動ヘース１２に取付けられている。この可動ペース１
２はモータ１３によって回転されるウオーム１４を有し
ており、このウオーム１４は回動できる軌道付ウオーム
ホイル１５に噛合している。このウオームホイル１５は
パー１６によって固定フレーム１７に固定されている。
いわゆるゴニオメータ部分の一例を示すものであって、
図中１はＸ線管、１０はチューブシールド、１ノは高電
圧ケーブルであり、この高電圧ケーブル１１は図示しな
いＸ線発生装置に接続されている。また上記Ｘ線管１は
可動ヘース１２に取付けられている。この可動ペース１
２はモータ１３によって回転されるウオーム１４を有し
ており、このウオーム１４は回動できる軌道付ウオーム
ホイル１５に噛合している。このウオームホイル１５は
パー１６によって固定フレーム１７に固定されている。
また、上記Ｘ線管１の両側に一対の検出器２゜２が設け
られている。これら検出器２，２は上記Ｘ線管１から投
射されたＸ線の回折Ｘ線を検出するものであって、本実
施例では比例計数管あるいは感光フィルムを用いた固定
式の検出器を用いるようにしているが、自走式のシンチ
レーションカウンタを採用するようにしてもよい。
られている。これら検出器２，２は上記Ｘ線管１から投
射されたＸ線の回折Ｘ線を検出するものであって、本実
施例では比例計数管あるいは感光フィルムを用いた固定
式の検出器を用いるようにしているが、自走式のシンチ
レーションカウンタを採用するようにしてもよい。
一方、第６図および第７図は本発明方法を実施する際に
使用する標準サンプル片２０と、ホルダ２ノの一例を示
している。上記標準サンプル片２０としては、例えばア
ルミ箔その他の金属薄板のように冷間強圧延されて結晶
方位に異方性をもつ金属板、あるいは単結晶物質の薄板
を数調ないし士数調の小片に切断して用いる。
使用する標準サンプル片２０と、ホルダ２ノの一例を示
している。上記標準サンプル片２０としては、例えばア
ルミ箔その他の金属薄板のように冷間強圧延されて結晶
方位に異方性をもつ金属板、あるいは単結晶物質の薄板
を数調ないし士数調の小片に切断して用いる。
一方、ホルダ２１は上記サンプル片２ｏを保持するもの
であって、サンプル片２ｏの向きをしるす為の指標２２
が設けられている。
であって、サンプル片２ｏの向きをしるす為の指標２２
が設けられている。
次に上記装置と標準サンプル片２θヲ用いて被測定物Ａ
の応力を測定する方法について説明する。
の応力を測定する方法について説明する。
まず、被測定物Ａの測定に先立って標準サンフ０ル片２
ｏの回折Ｘ線の強度分布特性を予め求めておく。すなわ
ち、標準サンプル片２ｏに特定の方向、例えば圧延力ｒ
Ａ第６図に示す）に沿う面内でＸ線管１の角度を連続的
に変化させつつコリメルト（集束された）Ｘ線ビームを
投射し、その回折Ｘ線ビームのピーク強度■、を検。
ｏの回折Ｘ線の強度分布特性を予め求めておく。すなわ
ち、標準サンプル片２ｏに特定の方向、例えば圧延力ｒ
Ａ第６図に示す）に沿う面内でＸ線管１の角度を連続的
に変化させつつコリメルト（集束された）Ｘ線ビームを
投射し、その回折Ｘ線ビームのピーク強度■、を検。
重器２，２で検出する。
標準サンプル片２ｏは前記したように結晶方位に異方性
をもつから、標準サンプル片２ｏに対する入射ビームの
角度Ｆ、を特定の方向に例えばＯ〜６００程度の範囲で
漸次変化させるさ、回折Ｘ線のピーク強度も変化し、第
８図に例示したようなＸ線強度特性を得ることができる
。
をもつから、標準サンプル片２ｏに対する入射ビームの
角度Ｆ、を特定の方向に例えばＯ〜６００程度の範囲で
漸次変化させるさ、回折Ｘ線のピーク強度も変化し、第
８図に例示したようなＸ線強度特性を得ることができる
。
以上のように標準サンプル片２０のＸ線強度分布特性を
予め求めたのち、標準サンプル片２０を被測定物Ａに載
置あるいは接着によって配役する。
予め求めたのち、標準サンプル片２０を被測定物Ａに載
置あるいは接着によって配役する。
そしてこの標準サンプル片２０に再びＸ線を上記と同じ
特定方向（例えば圧延方向に沿う方向）から角度Ｗ、を
連続的に変化させつつ投射して検出器２，２に入射させ
、回折Ｘ線の強度分布特性を再現させる。そして予め求
めておいた強度分布特性（第８図参照）と照合させると
、被測定物Ａに取着された状態の標準サンプル片２０に
対してＸ線ビームがいかなる角度で投射されているかを
知ることができるから、Ｘ線ビームが所定の角度、・例
えばＦｏ ＝ ４５°で投射されるようにＸ線管１の傾
きを正しく設定することができる。
特定方向（例えば圧延方向に沿う方向）から角度Ｗ、を
連続的に変化させつつ投射して検出器２，２に入射させ
、回折Ｘ線の強度分布特性を再現させる。そして予め求
めておいた強度分布特性（第８図参照）と照合させると
、被測定物Ａに取着された状態の標準サンプル片２０に
対してＸ線ビームがいかなる角度で投射されているかを
知ることができるから、Ｘ線ビームが所定の角度、・例
えばＦｏ ＝ ４５°で投射されるようにＸ線管１の傾
きを正しく設定することができる。
以上のようにＸ線ビームの投射角を所定の植物Ａから取
り失って、この部位における被測定物ＡのＸ線回折を行
なう。すなわち、Ｘ線管１からＸＩＪビームを投射して
、反射した回折Ｘ線を検出器２，２に入射させその回折
角を検出すれば、前述した測定原理（第１図、第２図参
照）にもとづいて、被測定物Ａに生じている応力を非破
壊的に知ることができる。
り失って、この部位における被測定物ＡのＸ線回折を行
なう。すなわち、Ｘ線管１からＸＩＪビームを投射して
、反射した回折Ｘ線を検出器２，２に入射させその回折
角を検出すれば、前述した測定原理（第１図、第２図参
照）にもとづいて、被測定物Ａに生じている応力を非破
壊的に知ることができる。
以上の説明から明らかなように、本実施例方法によれば
、小さな標準サンプル片２ｏを用意しておけば既存のＸ
線応力測定装置をそのまま利用してＸｉビームの投射角
を正しくセットすることができ、従来のミラーを用いた
光学的方法（第３図参照）に比較して簡便かつ正確に、
また暗い箇所でもＸ線投射角をセットできる。
、小さな標準サンプル片２ｏを用意しておけば既存のＸ
線応力測定装置をそのまま利用してＸｉビームの投射角
を正しくセットすることができ、従来のミラーを用いた
光学的方法（第３図参照）に比較して簡便かつ正確に、
また暗い箇所でもＸ線投射角をセットできる。
また、歯車の各部分や金型底、パイプ内面のようにミラ
ーによる光学的方法が困難な部位にも適用でき、応用範
囲がきわめて広い。
ーによる光学的方法が困難な部位にも適用でき、応用範
囲がきわめて広い。
なお、標準サンプル片２ｏは圧延方向のみでなく、圧延
方向に対して４５°の方向とが圧延輻方を予め求めてお
き、これら各特定方向におけるＸ線強度分布特性を再現
させて予め求めておいたＸｉ強度分布特性と照合させる
ようにしてもよい。
方向に対して４５°の方向とが圧延輻方を予め求めてお
き、これら各特定方向におけるＸ線強度分布特性を再現
させて予め求めておいたＸｉ強度分布特性と照合させる
ようにしてもよい。
ナオ、標準サンプル片２０として単結晶板を用いた場合
には、第８図のような連続した曲線にはならず、特定の
Ｘ線ビーム角度Ｗ。においてのみ回折Ｘ線が検出される
特性となるが、このビーム角度Ｗ。を予め求めておぐこ
とにより、Ｘ線強度分布特性を再現さぜたときに標準サ
ンプル片２０に対するビーム角度Ｗ。を知ることができ
る。
には、第８図のような連続した曲線にはならず、特定の
Ｘ線ビーム角度Ｗ。においてのみ回折Ｘ線が検出される
特性となるが、このビーム角度Ｗ。を予め求めておぐこ
とにより、Ｘ線強度分布特性を再現さぜたときに標準サ
ンプル片２０に対するビーム角度Ｗ。を知ることができ
る。
なお標準サンプル片の形状や厚さ等は被測定物の形状等
に応じて適宜に決めればよく、本実施例に制約されるも
のではない。また本発明は応力に限らず被測定物の硬さ
や脱炭層などを測定する場合にも勿論適用で゛きる。
に応じて適宜に決めればよく、本実施例に制約されるも
のではない。また本発明は応力に限らず被測定物の硬さ
や脱炭層などを測定する場合にも勿論適用で゛きる。
本発明は前記したように結晶方位に異方性をもつ標準サ
ンプル片を使用して簡便にＸ線ビームの投射角を設定で
き、かつ曲面や凹所、狭い箇所の測定も可能であるとい
う実用上大きな効果を奏することができる。
ンプル片を使用して簡便にＸ線ビームの投射角を設定で
き、かつ曲面や凹所、狭い箇所の測定も可能であるとい
う実用上大きな効果を奏することができる。
第１図および第２図はそれぞれ結晶粒子の結晶面と回折
角との関係を示す概略図、第３図は従来の光学的法線決
定方法を実施するためのジグを示す概略断面図、第４図
は本発明方法を実施するためのＸ線応力測定装置のヘッ
ド部分の一例を示す概略側面図、第５図は同ヘッド部分
の概略正面図、第６図は本発明方法を実施する際に使用
する標準サンプル片とホルダの一例を示す平面図、第７
図は第６図中の■−■線に沿う断面図、第８図は同標準
サンプル片の回折Ｘ線強度分布特性の一例を示す特性図
である。 １・・・Ｘ線管、２・・・検出器、２０・・・標準サン
プル片、Ａ・・・被測定物。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第２図 第 ３ 図 第４図 第５図 第 ６ｖＡ （ＦＬ葭方指０
角との関係を示す概略図、第３図は従来の光学的法線決
定方法を実施するためのジグを示す概略断面図、第４図
は本発明方法を実施するためのＸ線応力測定装置のヘッ
ド部分の一例を示す概略側面図、第５図は同ヘッド部分
の概略正面図、第６図は本発明方法を実施する際に使用
する標準サンプル片とホルダの一例を示す平面図、第７
図は第６図中の■−■線に沿う断面図、第８図は同標準
サンプル片の回折Ｘ線強度分布特性の一例を示す特性図
である。 １・・・Ｘ線管、２・・・検出器、２０・・・標準サン
プル片、Ａ・・・被測定物。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第２図 第 ３ 図 第４図 第５図 第 ６ｖＡ （ＦＬ葭方指０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 冷間強圧延された金属薄板あるいは単結晶金属板のごと
く結晶方位に異方性をもつ標準サンプル片に角度を変え
て特定の方向からＸ線を投射し、この投射方向における
回折Ｘ線の強度分布特性を予め求めておき、 次に上記標準サンプル片を被測定物の表面に配置し、 この標準サンプル片に再びＸｉを投射して回折Ｘ線の強
度分布特性を再現させ、 得られた強度分布特性を予め求めておいた前 １記強
度分布特性と照合させてこの標準サンプル １片に対
するＸ線ビームの投射角度を知ることに １よって、
被測定物に対するＸｉビームの投射角度を設定すること
を特徴とするＸ線ビームの投射角設定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024234A JPS59150332A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | Ｘ線ビ−ムの投射角設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024234A JPS59150332A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | Ｘ線ビ−ムの投射角設定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59150332A true JPS59150332A (ja) | 1984-08-28 |
Family
ID=12132564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58024234A Pending JPS59150332A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | Ｘ線ビ−ムの投射角設定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59150332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016530523A (ja) * | 2013-08-21 | 2016-09-29 | ユナイテッド テクノロジーズ コーポレイションＵｎｉｔｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 熱機械構造の状態監視用の原位置マーカーのための方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50130492A (ja) * | 1974-04-03 | 1975-10-15 |
-
1983
- 1983-02-16 JP JP58024234A patent/JPS59150332A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50130492A (ja) * | 1974-04-03 | 1975-10-15 |
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|---|---|---|---|---|
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