JPS59155115A - 分極可能な薄板を分極する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術 本発明は、材料に電界を印加することによって、その材
料を分極化する方法に関する。

従来技術の説明 ポリッツ化ビニリデン（　ｐｏｌｙ　（ｖｉｒ＋ｙｌ　
ｉｄｅｎｅｆｌｕｏｒｉｄｅ　）、以下ＰＶＤＦと記す
）は、分極した時に圧電効果とパイ日電気効果とを生ず
る。この拐料は、種々の共重合体と共に、マイクロホン
、ヘッドボン、拡声器、圧力感知器、接触感知形のキー
ボード、嵌入検出器などを含む変換器に使用するために
、今まで研究されてきた。ＰＶＩ）Ｆ材料は多くの場合
、約６ないし１　５　０　Ａｍの範囲の厚さを有するフ
ィルムに成型されている。ＰＶＤＦフィルムを分極して
、実質的な圧電応答とパイ日電気応答とを得るために、
フィルムを横切って電界が印加される。ＰＶＤＦを分極
化する／とめの通常の従来技術の方法には、熱ポーリン
グとコロナポーリングとが含まれる。熱ポーリングにお
いては、試料を最初金属化し、次にこの試料に約９０℃
ないし１．　１　０　℃の温度で約５００ないし８ｏｏ
ｋｖ／ＣｗＬの電場を通常１時間にわたってかける。フ
ィルムはそれがら印加電界の下で室温にまで冷却される
。コロナ技法においては、通常数分間フィルムにコロナ
放電を印加する。これらの技法の要約は、ザ．ジャーナ
ル　オブ　ジ　アコースティ力ル　ソサイアティ　オブ
　アメリカ（　ＴｈｅＪｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　
Ａｃｏｕｓｔｔｃａｌ　ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆＡｍｅｒ
ｉｃａ　）、ｙｏＪ．７０（リ．ページ１５９６　−１
６０８　（１９８Ｊ）のジー．エム．セスラー（Ｇ。

Ｍ　、Ｓｅｓｓｌｅｒ　）による「ポリフッ化ビニリデ
ンにおける圧電気」に示されている。

より最近、改良された分極化技法が、ティ。

ティー．ワンプ（　Ｔ．　Ｔ．　Ｗａｎｇ　）とジェイ
．イー．ウエスト（　Ｊ．　Ｅ．　Ｗｅｓｔ．　）とに
よってジャーナル　オブ　７プライド　フィジックス（
Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　ｐｈｙｓｉｃ
ｓ　）、ＶＯＩ５３（１０）　、ページ６５５２−６５
５６　（１９８２ンの「破壊電界の印加によるポリフッ
化ビニリデンの分極」の中に説明されている。その技法
においては、誘電体板を使用してフィルムとサンドウィ
ッチを作り、誘電体板とＰＶＤＦフィルムとに接触して
いる電極に電圧を印加する。これによってよシ低い温度
において、またよシ短イ時間で分極化を行うことができ
、しかも従来の技術による方法で通常得られるよりも、
一層一様な結果が得られる。しかしながら、この技法に
よってもなお、良好な圧電応答を得るには、通常２０分
程度を必要とする。製造する際にフィルムを手軽に取扱
えるように、室温（２０℃）で分極化を行うことができ
て、炉の中に挿入したり、あるいは他の加熱装置と接触
させる必要のないことが、特に望丑れる。さらに、ポー
リング時間の短縮、好適には１分以下が望まれる。

発明の要約 本発明は、電気的に分極可能な材料の改良された分極化
方法である。本技法においては、材料片の一部分の両端
に電界を印加する一方、この材料片の表面と接触してい
る誘電体は、少なくとも材料片の一端からその部分を絶
縁している。それによって破壊電圧の増加が得られる。

誘電体は、分極される部分を取ｐ巻く環状の形であるべ
きである。一つの実施例においては、誘電体はしなやか
な材料である。

材料片の複数の内部部分は材料片の内部の部分間で材料
片表面と接触している誘電体絶縁物によって、別々に分
極すること妙Ｓできる。

ポリフッ化ビニリデンより成るフィルムは、本技法によ
って有利に分極される。

詳細な説明 以下の詳細な説明は、電気的に分極可能な材料の改良さ
れた分極化方法に関する。ポリ（フン化ビニリデン〕フ
ィルムは、本技法によってうまくポールされたが、それ
は、通常の先行技術によるポーリング技法は、フィルム
の両端の近くでの放電のフラッシュオーバによって、実
質的に制限されているという点を我々が発見したことに
関係する。こ＼で使用している用語「破壊」は、フィル
ムを通して、またはフィルムの表面に旧って、１つの電
極から他の電極へのアークの発生を意味する。本技法に
よって、沿面の耐アーク性が実質的に増加するので、通
常、破壊電圧はフィルム自体の破壊によって限定される
だけである。

ＰＶＤＦフィルムのポーリングに利用できる数種の方法
のう−ちでは、両面金属化フィルムに対する室温ポーリ
ング技法が実用上特に魅力的であるが、それは電極を設
けた面積全体にわたってフィルムを容易に一様に分極で
きるからである。常温ポーリングで高い圧電活性値を得
るには、２または３ＭＶ、／ｃｍ以上の電界を十分な時
間にわたって、フィルムに印加しなければならない。し
かしながら、高電界でフィルムをポールするこれまでの
試みが困難に遭遇したのは１．３．５Ｍ’Ｖ／Ｃ１１１
は上の高電界では破壊がほとんど一瞬間時に起こるから
である。１つの先行技術においては、電極を設けたフィ
ルムをパラフィン油捷たは真空中に置く研究によって、
フィルムを僅かに高い電界（約４．２ＭＶ／ＣＴＬ）で
ポールすることができたが、この操作は実用上の目的に
はあ捷りにも骨が折れ過ぎる。さらに、パラフィン油ま
たは真空中においても、最高ポーリング電界は、シリコ
ーン油に浸漬したフィルムについて測定した場合的９Ｍ
Ｖ／ｃｍと報告されているＰＶＤＦ’の絶縁耐力よりも
なお遥かに低い。

我々は、３．５ＭＶ／ｃｒ／Ｌ近くおよびそれ以上での
破壊事象は、多くの場合、電極を設けていないフィルム
の端の近くでのフラッシュオーバ、即ちアーク発生によ
って誘起されることを見出した。そのような場合、電荷
（ｄ一方の電極から外方にフィルムの表面に沿って端ま
で流れ、端を越えて他の表面に沿って戻りもう一方の電
極に流れるのであるというふうに我々は決定した。それ
故に、適当な絶縁性固体で電極を設けていない境界をふ
さぐＣとによって、破壊を起すことなしに、実質的によ
シ高い電界でフイルムケボールすることができる。例え
ば、これによって従来技術の技法で得られるよシも、ポ
ーリング時間を短縮できる。換言すれば、ある与えられ
たポーリング電圧に対して、本技法は、アーク発生によ
って通常は収量が減る先行技術の方法よりも、高い収量
で使用可能なフィルムを提供する。

第１図を引用すると、本研究の最初の段階において、電
極を設けた領域を２つの真鍮のブロック１３．１４の間
に置くと直ちに、ＰＶＤＦ試料１２をポールした。上部
真鍮ブロック１３は、約１６０１の重量を有していた。

フィルムの端は、下部真鍮ブロック１斗を取り巻く下部
絶縁枝１６によって支持された。

しかしながら、フィルム１２の上面には絶縁物はない（
例えば項１０と上部板１１）。このようなポーリングに
よって、電圧が８　ｋＶ（３，２ＭＶ／ｃｒ／Ｌ）以下
である限り、数分間電圧を印加できた。（ポーリングが
破壊で中断された数例では、破壊は常にフィルムの金属
化した部分のピンホールまたは小さな欠陥を通る局部放
電によって引き起されたことが分った）しかしながら、
８ｋｖを越えると、破壊はフィルムを通しての局部放電
によるよりもむしろ端のフラッシュオーバによって多く
の場合起こり始めた。

フラッシュオーバを除くために、本技法はフィルムの分
極される部分と、フィルムの１つまたはそれ以上の端と
の間で、フィルム表面に接触する誘電体を備えている。

これによって、フィルムの表面に沿って破壊が進むこと
を、実質的に防いでいる。誘電体は通常はしなやかな材
料であって、フィルムに対して良好な封止となることが
できる。第２の誘導体の重量、または他の手段を必要に
応じて使用して、しなやかな誘電体をフィルムに押し付
けることができる。１方の電極から他方の電極への破壊
径路はそれによって実質的に延長され、フィルムの端の
近くでのフラッシュオーバの発生を減らすか捷たは除く
ことができる。

例えば０リング１０とＰＭＭＡ　（ポリメチルメタクリ
レート）板１１を、第１図に示しであるポーリング構成
に加えた。ＰＭＭＡ板白、２×３０　Ｘ　３０　ｃ４　
）には６．５ｃ／ｒＬの円形の開口があって、板が上部
真鍮ブロック１３から浮いてＯリング」二に直接乗るよ
うにして、ＰＶＤＦフィルム１２の電極をつけた領域の
まわりに、隙間のない封止全形成することができた。

ＰＭＭＡ板は約１．　ｋｇの重量であった。しなやかな
Ｏリングの上へのこの枝の圧力によって、０リングとフ
ィルムとの間に良好な封止が形成される助けとなった。

この技法によって完全にフラッシュオーバが除かれ、破
壊的な放電を起こすことなしに、ポールす艮き試料に少
なくとも５秒間９ＭＶ／ｃＴＬ’）での電界を印加でき
た。第２図と第３図とに示しである圧電データは、この
技法によってポールされた試料から得られた。

試料が特定した時間の間印加電界を受けられることを確
認するために、同じキャパシタンス（ｊｌＸｌｏ−８Ｆ
）を有する標準コンデンサでＰＶＤＦフィルムを置き換
えて、ポーリング回路に対する立上シ時間を決定した。

充電々流の測定から、コンデンサ両端の電圧は、０．１
秒以内に外部印加電圧（２０ｋｖまで）に到達する”こ
とが分ったが、これはとＮで使用された１秒の最小ポー
リング時間よシもはるかに短い時間である。

上記の原理は、以下の実例によって、さらに十分説明さ
れる筈である。

実例１ こ＼で使用された２軸配向ＰＶＤＦフイルムは、呉羽化
学から入手した２５μｍ厚さのコンデンサグレードのフ
ィルムである。フィルムは、Ｘ線解析で測定すると、は
ソ等しい割合でＩ形（Ｊ／）と■形（α）とを含んでい
る。それぞれ１５Ｘ１５ｉの大きさの片を大きなフィル
ムのロールから切り取つ”Ｃ、トリクロルエタンで完全
に清浄にした。約１１００７Ｌの厚さで直径６ＣｒｆＬ
の円形のアルミニウム電極を、各フィルム片の相対する
面の中央に蒸着し、金属化しない境界を残した。第１図
の構成を使ってポーリングを行ったが、その構成は、直
流電源１５に接続されている１対の真鍮ブロック１３．
１４、シリコーンゴムＯリング１０（内径１０．：３ｃ
ＴＬで外径Ｉ　Ｌｌ　ｃｙｎ　）　、およびＰＭＡ製の
２枚の板１１．１６から成るものである。真鍮ブロック
１３．１４は６αの直径を有し、フィルムのまた金属化
された部分を、真鍮ブロックの間に設置した。下部ＰＭ
ＭＡ板（１，２Ｘ　１６Ｘ、１６ｃａ）には６ｃｒＩＬ
の円形の開口があって、下部真鍮ブロックに緊密に嵌合
されＰＶＤＦ試料を支持した。

ポーリング後、試料を室温で７２時間以上短絡状態で貯
蔵し、次いで０．４５Ｘ’５．３　ｃｒ＆の大きさの長
方形に切断して、圧電活性を測定した。圧電測定は、１
１０Ｈ２の周波数とＯＯ，０３６％の振幅とを有する正
弦波の歪を印加して行った。通常のやシ方に従って、圧
電係数を決定するための座標は、フィルム表面の法線に
沿って「３」軸を、また容認された標準フィルムロール
の長手方向に沿って「１」軸を選んだ。

第２図は、２ＭＶ／ｃｍの電界の下でポールした試料に
対する見掛けの圧電歪係数ｄ３１（圧電歪係数）を、ポ
ーリング時間ｔｐ　の関数としてプロットしである（圧
電応力係数ｅ３゜はｅ３１＝ｄ３、Ｅｌ＋で与えられ、
こ＼にＥｌ＋は分極された材料に対するヤング係数であ
る）。

データはすべて、特定の長さのポーリング時間の間に、
破壊を受けなかった生の試料から得られた。これらの結
果は（ポーリング時間に対してｄ３Ｉの比較的早い初期
の立上９を示している。例えば１秒において、既にｄ３
１の値は１０４秒に相当する値の８０％以上に上昇した
。データは、１秒以上のポーリング時間に対して、徐々
にではあるが著しい圧電活性の上昇を示している。この
上昇は、分極過程がフィルムの破壊によって中断される
捷で、。

数時間軽く傾向がある。

より高いポーリング電界で得られたｄ３□のデータも捷
た、第２図に示してあ′るようにｔｐ依存性を示した。

しかしながら、一方ではｄ３１　曲線は電界の強さが増
すと共によシ高く立ち上ったが、立ち上りの大部分は最
初の１秒で起ったし、また一方ではポーリングの後段に
おけるｄ３□の増加は、電界が上昇するにつれて次第に
小さくなった。ポーリング時間の延長は破壊の確率を増
大させるので、長時間にわたってより低い電界でポーリ
ングするよりも、短時間間隔でより高い電界で）、イル
ムをポーリングすることによって、高い圧電活性を得る
ことの方の利点が明らかである。

圧電活性に及ぼす印加電界の効果を見るために、試料が
印加電圧に特定の長さの時間の間耐えることができなく
なる電界の強さまでの種々の電界で、それぞれ５秒と１
０秒間試料をポールした。ポールしたフィルムに対する
ｄ３＋データ（７２時間短絡状態においた後）は、第３
図に示しである。２つのポーリング時間の間のｄ３１値
には僅かな差があるけれども、電界が増加すると共にそ
の差は次第に小さくなる。その上、両方のポーリング時
間に対するｄ３１　曲線は、１と２．５ＭＶ／ｃＩｒＬ
との間の電界で急激に上昇した後、約６　ＭＶ／ｃｎＬ
で横ばいになる傾向がある。ｔｐ＝５秒に対する２Ｍｖ
／ｃｒＩＬにおけるｄ３１値は約６ｐＣ／Ｎであって、
１０ｐＣ／Ｎの飽和値よシも約４０％低い。

実例２ この実例においては、約２５′μｍ厚さの１軸配向のＰ
ＶＤＦフィルムを、第１図に図示したような技法を使っ
て分極した。フィルムは樹脂（５ｏｌｅｆ　ａｎｄ　Ｃ
ｉｅ樹脂Ｘ８Ｎ）から押出したよって３Ｘ３インチ（７
，ｓ　ｘ　７．５ｃｒ＆　）の材料片に成形した。材料
片は最初１００μｍの厚さであった。材料片を７０℃で
その最初の長さの４倍にまで一方向に引き伸ばし、引き
伸ばした状態で１２０℃で２時間なました。

１、００　？Ｌｍの厚さのアルミニウム電極を、直径６
αの円形の領域に亘って両面に析出させた。分極化は上
記のように２ＭＶ／Ｃ１ｒＬで１分間テ行ツタ。ｄ３．
−２５．７　ｐｃ’／Ｎ（ｅ３１−６９ｍＣ／ｍ２　）
の値が得られた。

実例３ この実例においては、無配向（引き伸ばしてない）のフ
ィルムを、実例２におけるように、樹脂から押出しによ
って成形した。厚さは３２μｍであって、アルミニウム
電極を上記のように被覆した。フィルムを上記のように
１．６　ＭＶ／ＣＴＬで３０秒間分極した。ｄ３１＝５
１）Ｃ／Ｎ　（ｅ、、＝　ｓ、ｓ　ｍｃ／ｍ２）　ノ値
が得られた。

実例４ この実例においては、ＰＶＤ、Ｆフィルムのコロナポー
リングは本発明による技法を用いて行つ＞’ＣＯ第４図
を引用すると、真鍮ブロック４１を接地電位にして、そ
の上にＰＶＤＦフィルム４２を置いた。ＰＶＤＦフィル
ムは、上記実例１におけると同じ形式であった。しかし
ながら、真鍮ブロック４１と接触する側だけ（図示され
ているように下面）に、６ｃｆｒＬの直径を有する１０
０μｍのアルミニウムで電極を設けた。フィルムの上面
は裸のま＼にしておいた。下部真鍮ブロック４１は、前
のようにＰＭＭＡ板４６の中にはまっていた。本発明に
よるＯリング絶縁物４５と絶縁板４７とを、前のように
フィルム上に置いた。コロナ針４８をフィルムの上４ｃ
ｆＩＬに配置して、それに−２６ｋＶの電圧を印加した
。円形のステンレス鋼の網である金属グリッド４４をフ
ィルムの上方１．２αに置いて、−９，９ｋＶの電圧を
それに印加した。ポーリングはこれらの条件の下で１０
分間で終った。得られたｄ３１値は９．７ｐＣ／Ｎで、
ｅ３１は２７　ｍｃ　／　ｍ２であった。０リング４５
と板４７とがない場合には、ポーリングはしばしばフィ
ルム４２の端でフラッシュオーバを伴って、本発明の技
法に比べて収量は著しく減少した。

要約すれば、本発明によるポーリング技法によって、少
なくとも９ＭＶ／ｃｍまでの電界でＰＶＤＦフィルムを
ポールすることができる。

これは従来技術の技法を著しく越えたものであって、フ
ィルム自体の破壊電界によってのみ通常限定される。空
気中および室温でフィルムが高いレベルめ圧電活性にま
で容易にポールできることによって、この技法は実用面
・から特に魅力的になる。本技法では、３ＭｖＺｃｆｒ
Ｌを超えるポーリング電界が通常使用される。

二軸配向（形式Ｉと形式■）フィルムをポーリングする
には、６Ｍｖ／ｃ７ｒＬが最適電界であるように思われ
る。材料片と接触する誘電体は内側の部分のまわりが通
常環状をしているけれども、これは必ずしも必要ではな
い。例えば、材料片の端に関して非対称的に配置されて
いる部分を分極化する場合には、フランシュオーバを防
ぐためにその部分と最も近い端との間にだけ誘電体を配
置することが必要である。

本発明による技法は、フィルムの端におけるフラッシュ
オーバを実質的に減少する一方、間隙のある内部分極領
域を得るのにも使用することができる。フィルムの片面
または両面の上の間隙のある金属電極で範囲を決めるこ
とができるこれらの間隙ある領域は、同−捷たは反対の
分極を有することができる。第５図を引用すると、フィ
ルムはその上に押された絶縁用誘電体５１を有するよう
に示されている。内部領域５２．５３および５４は、互
い違いになった分極を有する。これを得るには、分極さ
れるべき領域５２．５３．５４を金属化するが、分極さ
れる領域５５．５６の間の間隙は金属化しないま＼にし
ておく。それ故に、絶縁材料がフィルムの表面に押付け
られると、分極化を行うことができる一方、端のまわシ
または領域間のフラッシュオーバは実質的に除かれる。

それ故に本技法によって複合分極の幾何学的配置が得ら
れることは明らかである。例えばこれらのことは、分離
した電極が取付けである複数の圧電活性領域が望捷れる
指向性マイクロホン、プッシュプル・マイクロホンまた
はヘッドホンなどを得るのに有用である。

指摘したように、本技法によって実質的に何の間隙もな
い良好な封止が誘電体とフィルムとの間に得られて、フ
ィルムに沿った表面電導によってフラッシュオーバが電
極から端に進むのを防いでいる。誘導体と良好な封止金
なすための必要条件をさらに試験するために、第１図に
示したようなＯリングを、上記のように電極を設けたＰ
ＶＤＦフィルム上に置いたが、その上にｐ　ＭＭＡ誘電
体の板１１゛は設けなかった。Ｏリングなしの最初の研
究で上記に指摘したように、フラッシュオーバが実質的
に生ずることが分った。次に、内径が約９、５　ｃｓで
外径が約１．１．５　ＣＴＬ、厚さ約１２ｃｒｆＬｓ重
量約８０１ｉ’のＰＭＭＡ板をＯリング上に置かれた（
即ち第１図の板１１を置き換えた）。この小さなＰＭＭ
Ａ板の重量は、試験した最大電界、９　Ｍ　Ｖ／ｃｍま
でフラッシュオーバを防止するのに十分であった。最後
にこのＰＭＭＡ板を取除いて、内径と外径とが上記のよ
シ小形のＰＭＭＡ板と同じで、約１００　ｆ？の重量の
ある真鍮リングを、第１図の構成の０リングの上に置い
た。関係するポーリング電圧でフラッシュオーバが起こ
る事が分った。それ故に、もし追加の圧力を希望するな
らば、誘電体材料だけをしなやかな誘電体のすぐ近くで
使用すべきであることは明らかである。絶縁用誘電体（
第１図の１０）の上の誘電体板（第１図の１１）の重量
に頼るよりはむしろ、破壊電圧を高めるために必要な範
囲にまで導電材料を避ける限り、種々の手段によって力
を印加する事ができることもｉ！た明らかである。

シリコーン材料のＯリングは、誘電体の環として使用す
るのに非常に適していることが分つ；ｔが、その他の材
料や形状も可能である。

第６図に示しであるように、誘電体の板６１によって圧
せられるような０リング６０は、圧縮する時にフィルム
６２の表面に良好な封止全作るが、それは比較的高い圧
力がＯリングに作用して、Ｏリングを平たくさせるから
である。第７図を引用すると、くさび形をした幾何学的
形態７０を有して、誘電体の板７１とフィルム７２との
間に置かれた絶縁用誘電体も才だ、良好な封止全行るの
に使用することができる。良好な封止を得るために、し
なやかな誘電体の上で十分な圧力が得られる更た他の幾
何学的形状も可能である。事実、十分な厚さの分極可能
な材料片を用いれば、分極される利料自体のしなやかさ
を利用して良好な封止を得ることができる。その場合に
は、材料片に接触する誘電体はしなやかな材料である必
要はない。こ＼で使用されているような用語「しなやか
さ」は、１０５ないし］、　（）　８　Ｎ　／／　ｍ２
の範囲の横弾性係数を有することを意味する。さらに、
別々のしなやかな誘電体の栗と誘電体の板とが第１図と
第４図とに示しであるが、それらが単一の部品であるべ
きことは明らかである。それ故に、第５図の誘電体５１
は、分極された材料片に接触する側の上に隆起した部分
を有する、単一のしなやかな要素であるべきものである
。

ＰｖＤＦの分極化は、本技法によって有利に行われる一
方、他の分極可能な材料も同様に本発明から利益が得ら
れることは明らかである。例えばｐＶＤＦの共重合体お
よびシアン化ビニリデンと酢酸ビニルとの共重合体は分
極可能な材料であって、多数の変換器や他の応用製品の
ために同様に研究されつ＼ある。こ＼で使用しているよ
うな用語１分極可能な材料」は、電界を印加すると圧電
またはパイロ電気の高い応答が得られるあらゆる材料を
意味する。

金属電極は、必要に応じてポーリングに先立って、フィ
ルムの片面または両面に析出させるのが望ましい。この
ことは圧電活性を維持する助けとなるが、さもないと通
常の金属析出プロセスの際に起こる可能性があるように
、ポーリング後にフィルムを加熱すると、活性は低下し
得る。しかしながら、ポーリングに先立って分極される
領域が金属化されているといないとに関らず、本発明は
有効である。こ＼でまた「フィルム」として引用した。

比較的薄い分極可能な材料を上記で注目したが、数ミリ
メートルの厚さを有するＰＶＤＦ材料の片も、通常は水
中聴音器で使用される。

本技法は捷たそのような材料片を分極するのにも有利に
使用することができる。こＮで使用されているような用
語「材料片」は、それ故に厚さと幾何学的形状とがどう
あろうと、２つの広い表面を有する材料を含み、さらに
波形形状にされたり、弧状に曲げられ、あるいはその他
の方法で３次元的に成形されたものを含んでいる。

ポーリング後に、絶縁用の誘電体を通常は材料片から取
除くけれども、その代りに分極された材料を使用して、
出来上っている変換器の永久的な部分（例えば、支持リ
ング）を構成することができる。また絶縁用誘電体によ
って、分極可能な材料片との良好な封止を、接合、溶接
、あるいは絶縁用誘電体と材料片との間の圧力を維持す
ることに頼らない他の技法によって得られることも明ら
かである。

しかしながら、ポーリング後に絶縁用誘電体を取シ去る
べき場合には、圧力封止は便利である。示されているし
なやがな誘電体は、他の側の下にしなや・かでない誘電
体がある材料片の一方の側に、接触点で押し付けられて
いたが、材料片の両側の誘電体はしなやかな材料である
べきことは明らかである。どちらかの面に接触している
誘電体は、フラッシュオーバの可能性を減らすのに役立
っているので、破壊電圧を高めていることは明らかであ
る。

本発明による教示のそのような応用はすべて、本発明の
精神と範囲との中に含まれるべきものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、電極が両面に接触しているフィルムの分極化
方法を示し、 第２図は、ポーリング時間の関数として、ＰＶＤＦの圧
電歪係数を示し、 第３図は、ポーリング電界の関数として、ＰＶＤＦの圧
電歪係数を示し、 第４図は、電極が片面に接触しているコロナ放電ポーリ
ング技法を示し、 第５図は、本技法によって製造された反対分極の隣接領
域を有する品物を示し、さらに第６および第７図は、典
型的なしなやかな誘電材料の断面を示す。 〔主要部分の符号の説明〕 材料片・・・１２．４２．６２．７２ 誘電体・・・１０，４５．６０．７０

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌ　材料片の一部分に電界を印加することを包含する工
   程によって、分極可能な該材料片を分極化する方法にお
   いて、 少なくとも該分極化の間、該部分から該材料片の少なく
   とも１端を、該部分と該端との間で該材料片の表面に接
   触する誘電体によって絶縁し、それによって、破壊する
   ことなしに該材料片に印加できる電圧を実質的に高める
   ことを特徴とする分極可能な材料片を分極する方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載め方法において、該誘電
   体がしなやかな材料を包含ｊることを特徴とする分極可
   能な材料片を分極する方法。 ３　％許請求の範囲第２項記載の方法において、該接触
   が該誘電体を該材料片に押し付けることによって達成さ
   れることを特徴とする分極可能な材料片を分極する方法
   。 ４　特許請求の範囲第１項記載の方法において、該誘電
   体が、該部分を取９巻く環であることを特徴とする分極
   可能な材料片を分極する方法。 ５　特許請求の範囲第１項記載の方法において、該分極
   可能な材料がポリフッ化ビニリデン−！たけその共重合
   体であることを特徴とする分極可能な材料片を分極する
   方法。 ６　特許請求の範囲第５項記載の方法において、該ポリ
   フッ化ビニリデンまたはその共重合体が、６ないし１５
   ０マイクロメーターの範囲の厚さを有するフィルムの形
   であることを特徴とする分極可能な材料片を分極する方
   法。 ７　特許請求の範囲第６項記載の方法において、該分極
   化が、３．０００．０００　ｖ／　ｃｍ以上、または４
   ．０００．０００　Ｖ　／ｃｍ以上、または５、０００
   ．０ＯＯＶ　／　ｃｍ以上の電界で行われることを特徴
   とする分極可能な材料片を分極する方法。 ８　％許請求の範囲第１ないし第７項のいずれか１項に
   記載の方法において、該分極可能な材料片がポリフッ化
   ビニリデンの２軸配向フイルムでろって、該分極化によ
   って得られる圧電歪係数（ｄ３Ｉ）の値が、少なくとも
   ５　ｐＣ／Ｎであることを特徴とする分極可能な材料片
   を分極する方法。 ９　特許請求の範囲第１ないし第８項のいずれか１項に
   記載の方法において、該分極可能な材料片がポリフッ化
   ビニリデンのフィルムであって、該ポーリングが１０秒
   以下の時間で行われることを特徴とする分極可能な制料
   片を分極する方法。 １０　　特許請求の範囲第９項記載の方法において、該
   ポーリングが室温で行われることを特徴とする分極可能
   な材料片を分極する方法。 １１　　特許請求の範囲第１ないし第１０項のいずれか
   １項に記載の方法において、該材料片の内部の複数の部
   分を、該分極（ヒ中、該部分の間で該材料片の表面に接
   触する誘電材料によって、相互に絶縁することを特徴と
   する分極可能な材料片を分極する方法。 １２、特許請求の範囲第１ないし第１１項のいずれか１
   項に記載の方法において、該材料の該部分が、電界の該
   印加に先立って金属化された少なくとも１つの表面を有
   することを特徴とする分極可能な材料片を分極する方法
   。 １３　　特許請求の範囲第１ないし第１２項のいずれか
   １項に記載の方法において、該誘電体を該材料片から該
   分極化後に取９去ることを特徴とする分極可能な材料片
   を分極する方法。 １４　　特許請求の範囲第１ないし第１３項のいずれか
   １項に記載の方法において、該誘電体が該゛材料片から
   該分極化の後に取り去られないことを特徴とする分極可
   能な材料片を分極する方法。