JPS5915563B2 - 弾性表面波パラメトリック装置 - Google Patents

弾性表面波パラメトリック装置

Info

Publication number
JPS5915563B2
JPS5915563B2 JP16165079A JP16165079A JPS5915563B2 JP S5915563 B2 JPS5915563 B2 JP S5915563B2 JP 16165079 A JP16165079 A JP 16165079A JP 16165079 A JP16165079 A JP 16165079A JP S5915563 B2 JPS5915563 B2 JP S5915563B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface acoustic
acoustic wave
pump
capacitance
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP16165079A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5685912A (en
Inventor
昭一 皆川
高正 坂井
猛 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Faurecia Clarion Electronics Co Ltd
Original Assignee
Clarion Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Clarion Co Ltd filed Critical Clarion Co Ltd
Priority to JP16165079A priority Critical patent/JPS5915563B2/ja
Publication of JPS5685912A publication Critical patent/JPS5685912A/ja
Publication of JPS5915563B2 publication Critical patent/JPS5915563B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F13/00Amplifiers using amplifying element consisting of two mechanically- or acoustically-coupled transducers, e.g. telephone-microphone amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は弾性表面波の増幅器等として作用させる弾性表
面波パラメトリック装置に関するもので、圧電体基体に
おける弾性表面波の伝播路上には分割させた複数個のポ
ンプ電極を配設するとともに、電圧−容量非線形効果を
生じさせるための可変容量素子を前記のポンプ電極に連
ねて別途に配設し、以って可変同調特性およびポンプ電
力効率等を改善させ得るようにした新規な構成からなる
弾性表面波パラメトリック装置に係るものである。
本出願人は先に特願昭52−107271号等で開示し
たように、第1図に示すような連続波動作性およびS/
Hの良好性等諸種の効果を有せしめた弾性表面波装置を
発明した。
第1図において符号1は半導体基板にして、この半導体
基板1上に絶縁膜2および圧電体層3を順次積層させ、
さらにこの圧電体層3上に直流バイアス電圧ならびにポ
ンプ電圧を印加するための方形状のポンプ電極4、およ
び入・出カドランスジューサ5,6をそれぞれ配設した
ものである。
符号7は直流バイアス印加用の直流電源、8は交流阻止
用のインダクタ、9はポンプ電圧印加用の高周波電源、
10は直流阻止用のコンデンサ、11はマツチング回路
であって、さらに12.13は端面において不要な弾性
表面波が反射するのを防止するための弾性表面波吸収材
である。
そしてポンプ電極4に直流電源7から直流バイアス電圧
を印加し、このポンプ電極4直下の半導体基板1表面部
に適宜の空間電荷層容量を生じさせ、さらに高周波電源
9から選択希望中心周波数foの2倍の周波数2foの
ポンプ電圧を同じくポンプ電極4に印加し、前記の空間
電荷層容量を周波数2foで励振して、この空間電荷層
容量を周波数2foで変化させる。
一方、広帯域性の入カドランスジューサ5に電気信号を
入力させると、この入力電気信号は弾性表面波信号に変
換されて圧電体層3の表面を第1図において入カドラン
スジューサ5の左右に向けて伝播する。
そして右方に伝播する弾性表面波入力信号15のうちで
周波数f。
近傍の信号成分がポンプ電極4下方部の動作領域を伝播
していく過程で、その圧電ポテンシャルが半導体基板1
表面の空間電荷層容量非線形効果によりポンプ電圧とパ
ラメトリック相互作用を生じて増幅され、この増幅され
た弾性表面波信号16が出カドランスジューサ6により
再び電気信号に変換されて外部に出力される。
またこれと同時にポンプ電極4から図の左方に向けて、
弾性表面波入力信号15の大きさに対応した周波数fi
(fi=2f□−fs、fs :入力信号の周波数)の
弾性表面波信号17が発生する。
この弾性表面波信号17も出力信号として適宜に外部に
出力させることができるものである。
ところで上記のような方形状のポンプ電極4を備えた弾
性表面波装置において、このポンプ電極4の幅4′は、
弾性表面波入力信号15のビーム幅、即ち入カドランス
ジューサ5における櫛歯状電極の電極交叉幅で決まるも
のであるが、一般的にはこの交叉幅を小さくするとトラ
ンスジューサ5の効率を低下させてしまう。
このためポンプ電極4の幅4′は極力大なるように設定
する。
またポンプ電極4の長さlについては、同一ポンプ電力
の場合に増幅度を犬にするとき、又は増幅度同一の場合
に所要ポンプ電力を小にするとき、何れにしてもこの長
さlはできるだけ犬にすることが必要である。
上記したようにトランスジューサの効率、および増幅度
を考慮したとき、ポンプ電極4の幅4′と長さ11即ち
面積はかなり犬に設定することが必要である。
しかるにポンプ電極4の面積が犬になると、このポンプ
電極4直下の半導体基板1表面部に生成される空間電荷
層容量が大きくなるので、このポンプ電極4部とポンプ
電源とのインピーダンス差が増し、マツチング回路11
の構成が難しくなり同時に広帯域性のマツチングをとる
ことも難しくなってしまう。
このためこの弾性表面波装置の特長の一つである可変同
調特性が十分に発揮できなくなってしまうという難点を
有していた。
また空間電荷層容量が犬になるとポンプ周波数における
ポンプ電極4部のインピーダンスが低下するので、印加
されたポンプ電力の大半が半導体基板1のバルク抵抗部
分に消費されてしまいポンプ電力の効率低下を招いてし
まうという難点も有していた。
さらに材料面からみた場合においてもポンプ電極4がか
なりの大面積を必要とすることに比例してこの下方に配
置する半導体基板1の必要面積もかなり大になってしま
う。
このため基板材料ひいては装置全体のコスト高も招いて
しまうという難点も有していた。
したがって上記した従来の弾性表面波装置は、前記のよ
うに諸種の効果を有するにも拘らず実用性の面において
なお一層の改良が望まれていた。
ここにおいて本発明は、上記した技術的課題を解決し得
るようにした弾性表面波パラメトリック装置を提供しよ
うとしたものである。
以下本発明を図の実施例に基いて具体的に説明する。
なお以下の図において前記第1図と共通する部材につい
ては前記と同一の符号を附すものとする。
第2図において符号Aは酸化亜鉛ZnO等により形成さ
れた圧電体基体にして、図におけるこの圧電体基体Aの
左右両端部近傍に入カドランスジューサ5および出カド
ランスジューサ6をそれぞれ配設する。
この人・出カドランスジューサ5,6は十分に広帯域性
を有するように形成する。
そしてこの入カドランスジューサ5と出力トランスジュ
ーサ6との間における弾性表面波の伝播路上に、分割さ
せた複数個のポンプ電極M1〜Mnを配設する。
このポンプ電極M1〜Mnは、第3図の拡大図にも示す
ように、弾性表面波の伝播方向における幅を等幅でaと
し、また各電極M1〜Mn間の間隔を等間隔でbとし、
さらに選択希望の中心周波数foに対応する弾性表面波
の波長をλ。
(λ。−Vs/fo 、Vs :弾性表面波の音速)と
したとき、a+b<λ。
となるように設定する。また上記のように等幅、等間隔
に形成しない場合においては、ポンプ電極M12M2・
・・の弾性表面波伝播方向における幅と、このポンプ電
極に隣接するポンプ電極間隔との和の最大値を選択希望
する周波数に対応する表面弾性波の波長よりも小なるよ
うに設定する。
上記したようにそれぞれ設定することによりポンプ電極
群M1〜Mnによる弾性表面波の機械的反射の影響を軽
減させ、伝播信号の劣化を防止することができる。
なおここで選択希望の周波数とは、入カドランスジュー
サ5から入力させた電気信号のうち、出カドランスジュ
ーサ6から選択的に出力させる信号成分の周波数をいう
次いで上記のように形成したポンプ電極M1〜Mnのそ
れぞれに可変容量素子C1〜Cnを連ね、さらにこの可
変容量素子C1〜Cnにおける各容量制御電極(後述)
を共通接続線18により共通接続させた上で、インダク
タ8を介して直流バイアス印加用の直流電源7、および
直流阻止用のコンデンサ10を介してポンプ電圧印加用
の高周波電源9にそれぞれ連ねる。
ここで上記の可変容量素子C4〜Cnについて説明する
と、このものは一例として次のように構成させる。
即ち、第4図に示すようにn形半導体S′の表面部に所
定の間隔を隔てて2個のp影領域P、、P1’を形成し
、このp影領域P1. P1’部を容量制御部とさせて
、各p影領域P1. P1’にそれぞれ容量制御電極M
a、Ma’を備えさせる。
また上記2個のp影領域P、 、 P、’の中間部にお
ける半導体基体87表面部に、他のp影領域P2を形成
し、このp影領域P2部に容量読出電極Mbを備えさせ
て容量読出部とさせる。
符号19はオーミック電極である。そして容量制御電極
Ma 、 Ma’を介して容量制御部に印加した逆バイ
アス電圧により容量読出部にまで及ぶ空乏層20を発生
させ、この空乏層容量の変化を容量読出電極Mbから読
出すようにしたものである。
即ち、各p影領域P1.P2′、P2等の形状寸法、乃
至は各キャリア濃度等を適宜の値に設定することによっ
て第5図に示すようなバイアス電圧に対する容量変化特
性を得ることができるものである。
第5図において符号■は容量制御電極Ma、Ma’に印
加するバイアス電圧、Cは容量読出電極Mbとオーミッ
ク電極19間の容量である。
そして上記の可変容量素子C1・・・を、ポンプ電極M
1・・・に連ねるに当っては、容量読出電極Mbをポン
プ電極M1・・・に接続し、各容量制御電極Ma、Ma
’は前記したように共通接続させた上で、それぞれイン
ダクタ8およびコンデンサ10を介して直流電源7およ
び高周波電源9に連ねる。
また可変容量素子は、前記のように複数個のポンプ電極
M1〜Mnの数と同数個だけ備えさせるものであるが、
この複数個の可変容量素子C1〜Cnは一例として第6
〜7図に示すように構成し、パラメトリック装置全体と
しての実用性の向上を図る。
即ち同図において符号Sは単一のn形半導体基板にして
、この半導体基板Sの表面部に、所定の間隔を隔てて容
量制御部および容量読出部を形成するためのp影領域M
a、Ma’・・・、 Mb・・・を拡散工程等により作
り込む。
一方圧電体基体Aの一部を第7図の側面図に示すように
半導体基板Sの外形寸法外だけ削りとり、当該半導体基
板Sおよび圧電体基体Aの両表面が同一平面となるよう
に、半導体基板Sを接着剤等により圧電体基体Aにとり
つける。
次いで各電極M12M2・・・、 Ma 、 Ma’・
・・、 Mb・・・を薄膜蒸着およびフォトエツチング
等の手段により同一工程で作り込む。
そしてこのとき各ポンプ電極M、 、 M2・・・と容
量読出電極Mb・・・との接続、および共通接続線18
も薄膜配線層により同時に形成させる。
因みに同上の事例においては、第6図にも示すように、
各可変容量素子C1,C2・・・間に位置する容量制御
電極Ma’・・・(容量制御部)は当該容量制御電極の
両側の可変容量素子に共用とさせる。
前記の第2図において符号12.13は端面にオイテ不
要な弾性表面波が反射するのを防止するための弾性表面
波吸収材、21は裏面電極である。
因みに第2図の事例においては圧電体基体Aとして単一
の基板状圧電部材を使用したが、圧電体基体としては第
8図に示すように、ガラス材料等からなる弾性体基板2
2上に、蒸着またはスパッタリング法等により酸化亜鉛
ZnO等の圧電膜A′を堆積させた積層体を適用しても
よい。
上記のような積層体を用いたときはコスト的優利性や作
業性を良好ならしめ得るという効果を有する。
本発明の実施例たる弾性表面波パラ7l−IJラック置
は上述のように構成され、以下のように動作する。
まず高周波電源9および直流電源7のそれぞれから選択
希望中心周波数f。
の2倍の周波数2f。のポンプ電圧、および適宜値の直
流バイアス電圧を各可変容量素子C1,C2・・・にお
ける容量制御電極Ma 、 Ma’・・・に印加する。
このとき各可変容量素子C1,C2・・・における容量
読出電極Mb、Mb・・・と接地間の容量がポンプ電圧
の周波数2foで励振されて変化する。
一方、十分に広帯域性の入カドランスジューサ5から電
気信号を入力させると、この電気信号は弾性表面波信号
に変換されて圧電体基体Aの表面を第2図において入カ
ドランスジューサ5の左右に向けて伝播する。
そして右方に伝播する弾性表面波入力信号5AW1のう
ちで周波数f。
近傍の信号成分がポンプ電極群M1〜Mnを伝播してし
ていく過程で、その圧電ポテンシャルがポンプ電極M1
〜Mnによってそれぞれの可変容量素子C1〜Cnに導
びかれ、この可変容量素子C1〜Cnにおける電圧−容
量非線形効果によってポンプ電圧とパラメl−IJラッ
ク互作用を行なって増幅される。
そしてこの増幅された周波数f。
近傍の弾性表面波信号5AW2が出カドランスジューサ
6によって再び電気信号に変換されて外部に出力される
またこれと同時にポンプ電極群M1〜Mnから図の左方
に向けて、弾性表面波入力信号SAW、の大きさに対応
した周波数f i(f i = 2f□ −f s、f
s:入力信号の周波数)の弾性表面波5AW3が発生
する。
この弾性表面波信号5AW3も出力信号として、入カド
ランスジューサ5を兼用させるか、もしくは他の適宜の
出力手段(例えば本出願人が特願昭54−64923号
で開示したよ・うなマルチストリップカプラを配設した
出力手段)によって外部にとり出すことができる。
そして上記のように弾性表面波がポンプ電極群M1〜M
nを伝播していく過程において、ポンプ電極の幅および
電極間間隔の和と表面波の波長との関係が、前記したよ
うに弾性表面波の機械的反射を軽減させ得るように設定
しであるから、この点における特性の劣化が防止される
以上詳述したように本発明によれば、圧電体基体におけ
る弾性表面波の伝播路上には分割させた複数個のポンプ
電極を配設し、他方電圧−容量非線形効果を生じさせる
ための各可変容量素子を容量制御電極を備えた容量制御
部と、容量読出電極を備えた容量読出部とを有する半導
体素子で構成させて別途に配設し、この容量読出電極を
それぞれのポンプ電極に接続させるようにしたから、個
個の可変容量素子の容量値を弾性表面波入力信号のビー
ム幅等に左右されることなく適宜の値に設定することが
できる。
したがってマツチング回路の構成が容易となり、極端な
場合においてはマツチング回路の配設を不要とすること
もできて、広帯域性のマツチングをとることができ弾性
表面波装置の特長の一つである可変同調特性を十分に発
揮させることができるという極めて優れた効果を発揮す
る。
また上記したように空間電荷層容量を適宜の値に設定し
得ることから、ポンプ周波数におけるインピーダンスを
大きくすることができ、ポンプ回路中の不要抵抗成分に
消費されるポンプ電力を減少させることができるのでポ
ンプ電力の効率を向上させることができるという優れた
効果を発揮する。
さらに複数個の可変容量素子を単一の半導体基板上に形
成させ、当該半導体基板および圧電体基板の両表面が同
一平面となるように、この半導体基板と圧電体基体とを
一体とさせ、次いで各電極および接続線を膜配線層によ
り同一の工程で形成させるようにしたときは、構成容易
性が得られるという優れた効果を発揮する。
さらに装置を構成する材料面からみた場合においても、
半導体材料としては可変容量素子の構成分のみでよいか
ら、基板材料ひいては装置全体のコストを低減させるこ
とができるという優れた効果も発揮する。
したがって本発明は実用上極めて優れた諸種の効果を有
する弾性表面波パラ7t−IJラック置を提供し得るも
のである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例を示す斜視図、第2図は本発明の実施例
たる弾性表面波パラ7t−IJラック置を示す図で圧電
体基体部等は斜視図を以って示す、第3図は同上装置に
おけるポンプ電極部の拡大斜視図、第4図は第2図にお
ける可変容量素子の拡大側断面図で高周波電源等も併せ
示す、第5図は同上素子のバイアス電圧に対する容量変
化特性を示す特性図、第6図は第2図の装置に適用する
複数個の可変容量素子の他の配設例を一部省略して示す
平面図、第7図は同上の側面図、第8図は第2図に適用
する圧電体基体の他の構成例を示す側面図である。 5:入カドランスジューサ、6:出カドランスジューサ
、9:高周波電源、12,13:弾性表面波吸収材、1
8:共通接続線、19ニオ−ミック電極、20:空乏層
、21:裏面電極、22:弾性体基板、A:圧電体基体
、N:圧電膜、C1〜Cn :可変容量素子、M1〜M
n:ポンプ電極、Ma、Ma仕仕置量制御電極Mb :
容量読出電極、Pl、 P1’:容量制御部におけるp
影領域、P2:容量読出部におけるp影領域、S:半導
体基板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 圧電体基体における弾性表面波の伝播路上に複数個
    のポンプ電極を配設するとともに、容量制御電極を備え
    た容量制御部および容量読出電極を備えた容量読出部を
    有する可変容量素子を前記の各ポンプ電極に対応させて
    配設し、さらに当該ポンプ電極を前記容量読出電極にそ
    れぞれ接続するとともに前記の各容量制御電極に直流バ
    イアス電圧およびポンプ電圧を印加するようにしたこと
    を特徴とする弾性表面波パラメl−IJラック置。 2 ポンプ電極の弾性表面波伝播方向における幅と、当
    該ポンプ電極に隣接するポンプ電極間隔との和の最大値
    を、選択希望周波数に対応した弾性表面波の波長よりも
    犬なるように設定した特許請求の範囲第1項記載の弾性
    表面波パラメl−IJラック置。 3 ポンプ電極の弾性表面波伝播方向における幅を等幅
    aとし、ポンプ電極間の間隔を等間隔すとし、さらに選
    択希望周波数に対応した弾性表面波の波長をλ。 とじたとき、a十b〈λ0となるように設定した特許請
    求の範囲第1項記載の弾性表面波パラメトリック装置。 4 圧電体基体として弾性体基板上に積層させた圧電膜
    を使用した特許請求の範囲第1項または第2項または第
    3項に記載の弾性表面波パラメl−IJラック置。 5 複数個の可変容量素子を単一の半導体基板により形
    成させるとともに、当該半導体基板および圧電体基体の
    両表面が同一平面となるように該半導体基板と圧電体基
    体とを一体とさせ、ポンプ電極と容量読出電極との接続
    を膜配線層により形成した特許請求の範囲第1項乃至第
    4項のうちの何れか1項に記載の弾性表面波パラメトリ
    ック装置。
JP16165079A 1979-12-14 1979-12-14 弾性表面波パラメトリック装置 Expired JPS5915563B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16165079A JPS5915563B2 (ja) 1979-12-14 1979-12-14 弾性表面波パラメトリック装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16165079A JPS5915563B2 (ja) 1979-12-14 1979-12-14 弾性表面波パラメトリック装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5685912A JPS5685912A (en) 1981-07-13
JPS5915563B2 true JPS5915563B2 (ja) 1984-04-10

Family

ID=15739213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16165079A Expired JPS5915563B2 (ja) 1979-12-14 1979-12-14 弾性表面波パラメトリック装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5915563B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077437A (ja) * 1999-09-01 2001-03-23 Tdk Corp 可変容量素子および電圧制御発振装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5685912A (en) 1981-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6271617B1 (en) Surface acoustic wave device with a tungsten-aluminum layered interdigital transducer
US3970970A (en) Multiple acoustically coupled surface acoustic wave resonators
JPS62188512A (ja) 表面弾性波共振器、表面弾性波共振器フイルタおよびこれらの製造方法
US3686518A (en) Unidirectional surface wave transducers
JPH0213488B2 (ja)
US5438306A (en) Surface acoustic wave filter device with symmetrical electrode arrangement
US4365216A (en) Surface-acoustic-wave device
JPS60169210A (ja) 表面波装置
US4491811A (en) Surface acoustic wave device
US5075652A (en) Wide band surface acoustic wave filter having constant thickness piezoelectric layer and divergent transducers
JPS5835404B2 (ja) 弾性表面波パラメトリック装置
US4599532A (en) Surface acoustic wave device with anti-reflection electrode structure
JPS5915563B2 (ja) 弾性表面波パラメトリック装置
US6480728B1 (en) Superconductive non-linear transmission lines and method of construction
US3676721A (en) Composite surface-wave transducer
JPH0245369B2 (ja)
JPS5915562B2 (ja) 弾性表面波パラメトリック装置
US4841470A (en) Surface acoustic wave device for differential phase shift keying convolving
JPH0410764B2 (ja)
JPH0311686B2 (ja)
JPS5931246B2 (ja) ヒヨウメンハソシ
JPH0247889B2 (ja) Sutonriihasoshi
JP3189397B2 (ja) 弾性表面波装置
JPS6130338Y2 (ja)
JP2853094B2 (ja) 弾性表面波装置