JPS59155995A - 多層配線基板の導体接続法 - Google Patents
多層配線基板の導体接続法Info
- Publication number
- JPS59155995A JPS59155995A JP3167883A JP3167883A JPS59155995A JP S59155995 A JPS59155995 A JP S59155995A JP 3167883 A JP3167883 A JP 3167883A JP 3167883 A JP3167883 A JP 3167883A JP S59155995 A JPS59155995 A JP S59155995A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- paste
- baking
- multilayer
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
木発明はＷ又はＭｏ導体の同時焼成多層基板上にＣｕ導
体配線とガラス被覆層とを交互に複層形成して成る多層
配線基板のＷ又はＭｏ導体とＣｕ導体との接続技術に関
するものである。
体配線とガラス被覆層とを交互に複層形成して成る多層
配線基板のＷ又はＭｏ導体とＣｕ導体との接続技術に関
するものである。
最近、Ｗ又はＭｏ導体の同時焼成多層基板技術とＣｕ導
体材料とを使用した厚膜多層配線技術とを組み合わせた
多層配線基板が見られるようになってきた。この方法は
、Ｃｕ導体の導電率が高く、マイグレーションを起こし
にくくて、Ｗ又はＭ。
体材料とを使用した厚膜多層配線技術とを組み合わせた
多層配線基板が見られるようになってきた。この方法は
、Ｃｕ導体の導電率が高く、マイグレーションを起こし
にくくて、Ｗ又はＭ。
導体の信号速度に比べて約２０％（厚膜形成法）短くす
るため高速化用途例えばコンピューター、テレビチュー
ナー等に最適である。又多層配線基板の上部形成Ｃｕ配
線層は種類の異なるＬＳＩを載せるときの設計変更部と
しても使用出来るためである。
るため高速化用途例えばコンピューター、テレビチュー
ナー等に最適である。又多層配線基板の上部形成Ｃｕ配
線層は種類の異なるＬＳＩを載せるときの設計変更部と
しても使用出来るためである。
この多層配線基板の従来の作成法は、スルーポールを設
けたグリーンシート上にＷ又はＭｏ粉末を溶剤等で調製
したペーストをスクリーン印刷にてスルーホール埋めと
配線部とを形成し、これを所望枚数だけ積層接着して、
樹脂抜き後非酸化雰囲気中にて焼結し、上面にＷ又はＭ
ｏ部の露出した多層基板を得る。この露出したＷ又はＭ
ｏ上にＮｉメッキを施し、その上にＣｕペーストを印刷
して窒素雰囲気中で焼き付り後、その上面をガラスペー
ストでスクリーン印刷して被覆し、窒素雰囲気中で焼き
付ける。このＣｕペース１−印刷、焼き付け、ガラスペ
ースト印刷、焼き付は工程を反復して所望の２〜５層を
形成して作成されていた。
けたグリーンシート上にＷ又はＭｏ粉末を溶剤等で調製
したペーストをスクリーン印刷にてスルーホール埋めと
配線部とを形成し、これを所望枚数だけ積層接着して、
樹脂抜き後非酸化雰囲気中にて焼結し、上面にＷ又はＭ
ｏ部の露出した多層基板を得る。この露出したＷ又はＭ
ｏ上にＮｉメッキを施し、その上にＣｕペーストを印刷
して窒素雰囲気中で焼き付り後、その上面をガラスペー
ストでスクリーン印刷して被覆し、窒素雰囲気中で焼き
付ける。このＣｕペース１−印刷、焼き付け、ガラスペ
ースト印刷、焼き付は工程を反復して所望の２〜５層を
形成して作成されていた。
この従来法によると、Ｗ又はＭＯ導体十Ｎｉメッキ＋Ｃ
ｕ導体との密着性は良好となるが、Ｃｕペースト焼き付
けとガラスペースト焼き付は工程の反復形成で、３層形
成品までは良好な接続結線が出来るが、しかし４〜５層
形成品になるにつれての焼き付は回数が増加するにつれ
接続部の結合が弱くなり、接続不良の８発生もみられる
様になってきた。
ｕ導体との密着性は良好となるが、Ｃｕペースト焼き付
けとガラスペースト焼き付は工程の反復形成で、３層形
成品までは良好な接続結線が出来るが、しかし４〜５層
形成品になるにつれての焼き付は回数が増加するにつれ
接続部の結合が弱くなり、接続不良の８発生もみられる
様になってきた。
本発明は焼きイ」け回数を増加して積層数をどんなに増
しても、接続結線部に異常が生ぜず強固な結合状態であ
り、かつ多層配線基板として使用される時、導通抵抗の
経時変化の起きないものを作成すべく鋭意研究の結果、
下記の方法を見い出した。
しても、接続結線部に異常が生ぜず強固な結合状態であ
り、かつ多層配線基板として使用される時、導通抵抗の
経時変化の起きないものを作成すべく鋭意研究の結果、
下記の方法を見い出した。
本発明の要旨を第１図Ａ図の多層配線基板の省略断面図
及びＢ図の一部拡大断面図により述べれば、Ｗ又はＭＯ
導体２の同時焼成多層基板１上に、Ｃｕ導体配線３とガ
ラス被覆層４とを交互に複層。
及びＢ図の一部拡大断面図により述べれば、Ｗ又はＭＯ
導体２の同時焼成多層基板１上に、Ｃｕ導体配線３とガ
ラス被覆層４とを交互に複層。
形成して成る多層配線基板のＷ又はＭＯ導体２とＣｕ導
体３との接続法において該Ｗ又はＭＯ導体２の接続部７
にＮｉメ・７キ５を施し、その上に更にＮｉペースト６
を印刷し水素／窒素雰囲気で焼き付けた後、Ｃｕペース
ト３を印刷し窒素雰囲気で焼き付けてＷ又はＭＯ導体２
とＣｕ導体３との接続を形成したことを特徴とするもの
である。
体３との接続法において該Ｗ又はＭＯ導体２の接続部７
にＮｉメ・７キ５を施し、その上に更にＮｉペースト６
を印刷し水素／窒素雰囲気で焼き付けた後、Ｃｕペース
ト３を印刷し窒素雰囲気で焼き付けてＷ又はＭＯ導体２
とＣｕ導体３との接続を形成したことを特徴とするもの
である。
本発明の採用により、焼き付は回数を１０回繰返しても
導通抵抗は殆ど変化しない強固な結線となり、かつ多層
配線基板としての実用通電試験も４０００時間経過後も
何等異常を認めず現在続行中である。
導通抵抗は殆ど変化しない強固な結線となり、かつ多層
配線基板としての実用通電試験も４０００時間経過後も
何等異常を認めず現在続行中である。
本発明の導体接続法で強固な結線が出来た理由として、
Ｗ又はＭＯとＣｕ間に、どちらとも反応しやすいＮｉ層
を介在したこと、窒素雰囲気にて酸化されるＷ又はＭ
ｏ層をＮｉメッキにて確実完全に被覆したこと（直接の
Ｎｉペースト被覆では不充分） 、Ｎ ｔペースト被覆
によりＣｕペーストとの接触凹凸面の食い込みにより、
一段と反応結合層を強固に形成した。こと等によるもの
と判断される。また窒素雰囲気中にてＤｕとガラスの焼
き付け“を行ったのは、ガラス層の水素による強度劣化
を防止するためである。
Ｗ又はＭＯとＣｕ間に、どちらとも反応しやすいＮｉ層
を介在したこと、窒素雰囲気にて酸化されるＷ又はＭ
ｏ層をＮｉメッキにて確実完全に被覆したこと（直接の
Ｎｉペースト被覆では不充分） 、Ｎ ｔペースト被覆
によりＣｕペーストとの接触凹凸面の食い込みにより、
一段と反応結合層を強固に形成した。こと等によるもの
と判断される。また窒素雰囲気中にてＤｕとガラスの焼
き付け“を行ったのは、ガラス層の水素による強度劣化
を防止するためである。
以下、実施例につき説明するが、本発明の要旨を越えな
い範囲内において、これに雨足されない。
い範囲内において、これに雨足されない。
可塑剤、分散剤、溶剤等を添加して調製したアルミナ含
有量９６％の理非をキャリアフィルム上に、分難のドク
ターブレード工法でキャスティングして、厚さ０．５ｍ
＋＋のグリーンシートを成形した。
有量９６％の理非をキャリアフィルム上に、分難のドク
ターブレード工法でキャスティングして、厚さ０．５ｍ
＋＋のグリーンシートを成形した。
これを１２０Ｘ６（１＋ｎ寸法に裁断して１０枚を作り
、この内の９枚に上下層との結線用のスルーホールを穿
設し、この孔内へＷ金属粉末よりなるペーストを充填し
た、以上１０枚のシート上面に所望の回路配線をＷペー
ストでスクリーン印刷にて形成し、乾燥後１０枚を上、
下層との導通のない１枚を最下層として積層圧着した。
、この内の９枚に上下層との結線用のスルーホールを穿
設し、この孔内へＷ金属粉末よりなるペーストを充填し
た、以上１０枚のシート上面に所望の回路配線をＷペー
ストでスクリーン印刷にて形成し、乾燥後１０枚を上、
下層との導通のない１枚を最下層として積層圧着した。
これを樹脂抜き後、水素と窒素との混合雰囲気中の１５
５０℃にて焼結し、多層基板を得た。この基板の最上面
に露出したＷメタライズ上にＮｉメ・ツキを厚さ３〜５
μｍ施し、その上にＮｉ粉末よりなるペーストにて厚さ
１５〜２０μｍをスクリーン印刷にて塗布し、水素と窒
素との混合雰囲気中の１２５０℃にて焼き付けた。
５０℃にて焼結し、多層基板を得た。この基板の最上面
に露出したＷメタライズ上にＮｉメ・ツキを厚さ３〜５
μｍ施し、その上にＮｉ粉末よりなるペーストにて厚さ
１５〜２０μｍをスクリーン印刷にて塗布し、水素と窒
素との混合雰囲気中の１２５０℃にて焼き付けた。
次にＮｉメタライズ上を通り所望の回路配線を、市販の
デュポン製Ｃｕペースト（Ｎ１１９９２２）にて厚さ１
５〜２０μｍをスクリーン印刷して配線を形成し、窒素
雰囲気中の８５０℃にて焼き付けた。
デュポン製Ｃｕペースト（Ｎ１１９９２２）にて厚さ１
５〜２０μｍをスクリーン印刷して配線を形成し、窒素
雰囲気中の８５０℃にて焼き付けた。
このＣｕメタライズ上面を市販のデュポン製ガラスペー
スト（Ｎｏ、４１７５）にてスクリーン印刷を２回反復
して厚さ３０〜４０μｍの被覆層を形成し、乾燥後、窒
素雰囲気中の８５０℃にて焼き付けた。
スト（Ｎｏ、４１７５）にてスクリーン印刷を２回反復
して厚さ３０〜４０μｍの被覆層を形成し、乾燥後、窒
素雰囲気中の８５０℃にて焼き付けた。
以上のＣｕペーストでの回路配線印刷、焼き付け、ガラ
スペースト被覆印刷、焼き付けの工程を反復繰返して５
層有形成し、目的の多層配線基板を製作した。
スペースト被覆印刷、焼き付けの工程を反復繰返して５
層有形成し、目的の多層配線基板を製作した。
比較例
上記実施例と同じ方法で１０層形成したＷ配線の同時焼
成多層基板上にＮｉペースト印刷とその焼き付けの工程
を省略した以外はすべて実施例と同じ方法で多層配線基
板を製作した。
成多層基板上にＮｉペースト印刷とその焼き付けの工程
を省略した以外はすべて実施例と同じ方法で多層配線基
板を製作した。
以上の実施例、比較例でのＷ配線の同時焼成基板上にＣ
ｕペースト配線印刷、焼き付け、ガラスペースト印刷°
、焼き付けを一層として、各層毎に導通抵抗を測定した
ものを第１表に示す。
ｕペースト配線印刷、焼き付け、ガラスペースト印刷°
、焼き付けを一層として、各層毎に導通抵抗を測定した
ものを第１表に示す。
第 １ 表
第１表より明らかな様にＷメタライズ上にＮｉメッキを
施しそれにＣｕをメタライズした比較品は、その焼き付
けの回数が増加するに従って導通抵抗が大きくなり、５
層形成品（焼き付は回数１０回）になると接続断線が発
生する。それに対してＷメタライズ−Ｎ＋メツキーＮｉ
ペースト焼き付は−Ｃｕメタライズの本発明品は、焼き
付は回数が増加しても導通抵抗の増加はなく、５層形成
品゛も異常は認められず良好な導体接続の多層配線基板
が完成した、この基板の実用通電試験＋０００時間経過
後も異常なく現在続行中である。
施しそれにＣｕをメタライズした比較品は、その焼き付
けの回数が増加するに従って導通抵抗が大きくなり、５
層形成品（焼き付は回数１０回）になると接続断線が発
生する。それに対してＷメタライズ−Ｎ＋メツキーＮｉ
ペースト焼き付は−Ｃｕメタライズの本発明品は、焼き
付は回数が増加しても導通抵抗の増加はなく、５層形成
品゛も異常は認められず良好な導体接続の多層配線基板
が完成した、この基板の実用通電試験＋０００時間経過
後も異常なく現在続行中である。
第１図Ａは本発明の多層配線基板の省略断面図を示し、
図中口Ｂの拡大図をＢ図に示す。 ｌ・・・・・・セラミック基板、２・・・・・・Ｗ又は
ＭＯ回路配線、３，３′・・・・・・Ｃｕ導体配線、４
・・・・・・ガラス被覆層、５・・・・・・Ｎｉメッキ
、６・・・・・・Ｎｉペースト焼き付げ層、７・・・・
・・接続部 第１図Ａ 手続補正書（自発） 昭和５８年 ３月２ｑ日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 ■、事件の表示 昭和５８年 特許願 第３１６７８号 ２、発明の名称 多層配線基板の導体接続法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 郵便番号 ４６７−９１ 名古屋市瑞穂区高辻町１４番１８号 （４５４） 日本特殊陶業株式会社 ４、補瓜の対象 １） 明細書中、発明の詳細な説明の欄。 ２） 図面 １、明細書第６頁、上から２行目中、 ｒｌ ２５０Ｊをｒ８５０Ｊに訂正します。 ２、図面（第１図Ｂ）を別紙に訂正します。 以上 （訂正図）
図中口Ｂの拡大図をＢ図に示す。 ｌ・・・・・・セラミック基板、２・・・・・・Ｗ又は
ＭＯ回路配線、３，３′・・・・・・Ｃｕ導体配線、４
・・・・・・ガラス被覆層、５・・・・・・Ｎｉメッキ
、６・・・・・・Ｎｉペースト焼き付げ層、７・・・・
・・接続部 第１図Ａ 手続補正書（自発） 昭和５８年 ３月２ｑ日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 ■、事件の表示 昭和５８年 特許願 第３１６７８号 ２、発明の名称 多層配線基板の導体接続法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 郵便番号 ４６７−９１ 名古屋市瑞穂区高辻町１４番１８号 （４５４） 日本特殊陶業株式会社 ４、補瓜の対象 １） 明細書中、発明の詳細な説明の欄。 ２） 図面 １、明細書第６頁、上から２行目中、 ｒｌ ２５０Ｊをｒ８５０Ｊに訂正します。 ２、図面（第１図Ｂ）を別紙に訂正します。 以上 （訂正図）
Claims (1)
- Ｗ又はＭｏ導体の同時焼成多層基板上に、Ｃｕ導体配線
とガラス被覆層とを交互に複層形成して成る多層配線基
板のＷ又゛はＭｏ導体とＣｕ導体との接続法において、
該Ｗ又はＭｏ導体の接続部にＮｉメッキを施し、その上
に更にＮｉペーストを印刷し水素／窒素雰囲気で焼き付
けた後、Ｃｕペーストを印刷し窒素雰囲気で焼き付けて
Ｗ又はＭｏ導体とＣｕ導体との接続を形成したことを特
徴とする多層配線基板の導体接続法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3167883A JPS59155995A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 多層配線基板の導体接続法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3167883A JPS59155995A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 多層配線基板の導体接続法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155995A true JPS59155995A (ja) | 1984-09-05 |
| JPH0148672B2 JPH0148672B2 (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=12337764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3167883A Granted JPS59155995A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 多層配線基板の導体接続法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155995A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153893A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-27 | 伊勢電子工業株式会社 | 多層プリント配線板 |
-
1983
- 1983-02-25 JP JP3167883A patent/JPS59155995A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63153893A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-27 | 伊勢電子工業株式会社 | 多層プリント配線板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0148672B2 (ja) | 1989-10-20 |
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