JPS5916269B2 - 複合集積回路発光表示アレ− - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ０ 本発明は、一般的には視覚表示装置に関し、より詳
しく述べると、透明なモノリシック結晶内の平面状のア
レーの半導体発光装置を使つた複合集積回路発光表示ア
レーであつて、光は結晶の裏側で生成されるが、結晶を
通して送られ、結晶の前５ 面が見られるような発光表
示アレーに関している。

過去においては、情報の非永続的可視表示の各種の装置
が利用可能であつた。恐らく、最も広く使われ許容され
た視覚表示装置の１つはブラウン管である。ブラウン管
は驚くべ塾程たくさんの応００用に使われているが、こ
れから将来的には、多くの応用面での使用を制限するよ
うな多くの不便さを有している。これらには、高電圧の
必要性（通常１５０００ボルト又はそれ以上のオーダー
）及びＸ−線及び無線周波数の放出が含まれており、’
５ 無線周波数の干渉を減少させるためにしやへいを必
要とする。更に、ブラウン管は、製造の複雑さのために
高価であり、また周期的置換を必要とする程比較的短い
寿命ある。ブラウン管ディスプレイの低光出力は、ディ
スプレイの読取りよさを妨’０ げないように周囲のま
ぷしい光を阻止するように注意する必要がある。理想的
な条件のもとでさえ、もともとアナログであるブラウン
管ディスプレイは、約２％程の精度の悪い解像度である
。更に、ブラウン管のサイズが大きくて重く、かつがん
丈ｊ５でないということが、空間が珍重されており、が
ん丈で信頼すべき構造が必要であるような多くの環境で
の使用を妨げている。別の型のデイスプレイはいわゆる
プラズマ放電（あるいは簡単に「ガス放電」）デイスプ
レイであり、そこでは、ガスが充満された容器内の平面
状電極の間のガスが、電極間の電圧により励起されて光
を放出する。

かかる装置は比較的高い付勢電圧を必要とし、幾分かさ
ばつており、かつ寿命に限界がある。その高い付勢電圧
のために、集積回路に使われる型の半導体回路と直接に
は両立可能ではない。これらやその他のデイスプレイは
、ＩＥＥＥスペクトラムのＶＯｌ．ｌｌ、黒１、Ｊａｎ
ｕａｒｙｌｌ９７４、Ｐ．５４のＬａｐｉｄｕｓ，．Ｇ
．による「Ｃｉｒｃｕｉｔ／ＳｙｓｔｅｍＢｕｉｌｄｉ
ｎｇＢｌＯｃｋｓ」という論文に記述され、それらの相
対的利点などが述べられている。

最近は、ＬＥＤ（発光ダイオード）のような半導体発光
装置が開発されている。

これらの装置の開発は、上記のブラウン管の全ての限界
を克服し、恐らく更に他の利点を持つ固体平面デイスプ
レイの予測をさせることとなつた。しかしながら、これ
らの発光装置は、Ｘ−Ｙ走査には有用ではあるが、固体
発光装置の単純なＸ−Ｙマトリツクスは多くの欠点を有
している。５０００００個ものオーダの発光装置を有す
る大きなアレーのＸ−Ｙ走査の１つの大きな欠点は、各
短時間の周期に対して高ピーク電流が必要とされること
である。

例えば、平面状デイスプレイが１インチに１００個の発
光装置を持ち、７″ ×７″形式に５０００００個の発
光装置を有するものと仮定しよう。１平方フイート当り
１０００ルーメンの平均表示輝度を提供するためには各
発光装置に対して１０ｍＡの直流電流が必要とされる。

５０Ｈｚのフレーム速度に対しては、クロツク走査速度
は２５ＭＨｚに等しいかそれより大きくなくてはならな
い。

これらの条件のもとでは、アレー内の任意の発光装置内
のピーク電流は５０００Ａと計算されうる。発光装置に
おけるＤＣ電流の大きさを２桁小さくしたところでピー
ク電流は約５０Ａである。これは許容できず、上記の大
きさのアレーと関連した小さな導体の断面領域に加えて
、電位の無線周波数干渉を考えるとほとんど解決不能な
問題を提供している。本発明のいくつかの目的のうちに
は、かかるデイスプレイのコントラスト、輝度および解
像度が高く、しかもオペレーシヨンのための電流及び電
圧は低くてよく、それによりかかる可能性を実現するこ
とができるような複合集積半導体発光デイスプレイ・ア
レーを提供すること、発光装置の付製のために半導体回
路を使用した半導体発光装置のコンパクトで、経済的か
つ比較的簡単な集積を提供するようなかかるアレーを提
供すること、及び半導体回路と直接に両立可能なかかる
アレーを提供することが含まれている。

本発明の上記及び他の目的は、発光装置のモノリシック
・アレー及びモノリシツク・シリコン半導体集積回路を
含み、それらの２者の間に多層金属化及び相互接続がサ
ンドイッチされたサンドイツチ構造を提供することによ
り達成される。

発光装置のモノリシツク・アレーは単一の透明な結晶を
含み、光は集積回路との界面に隣接した結晶の裏側で生
成される。結晶は透明であるから、光は結晶の前面から
見られる。集積回路は、フリツプフロップのようなメモ
リ素子のアレー含み、これは透明な結晶内の各々の発光
装置に対して駆動電流を提供する。メモリ素子及び発光
装置のこの組合わせは、Ｘ−Ｙアレー内のアドレスされ
た発光装置が９０％以上の時間オンであることを可能に
し、これは、発光装置内のピーク電流必要量が、特定の
輝度レベルに対して必要とされる定常電流の１．１倍よ
り少ないこ｝を意味している。集積回路は金属製ヒート
・シンクに据え付けられ、かたさと均一な温度分布を提
供させている。他の目的及び特徴は明白であり、又以下
に指摘されている。

第１図を参照すると、本発明に従う複合集積回路発光表
示アレー１０が集積メモリ回路素子及び固体発光装置の
Ｘ−Ｙマトリクスとして一般的に示されている。

このＸ−Ｙマトリクス・アレー１０は、任意の既知の方
法でアドレツシングされることができる。直列又は並列
形式のいずれも使われることが可能である。しかしなが
ら、説明上、第１図は、Ｘカウンタ１１及びＹカウンタ
１２を含むラスタ走査アドレス回路を示している。Ｘカ
ウンタ１１及びＹカウンタ１２の両方とも、端子１３に
供給されるフレーム同期パルスにより零にりセツトされ
る。適当なパルス繰返数のクロツクが端子１４からＸカ
ウンタ１１に供給される。Ｘカウンタ１１及びＹカウン
タ１２の両方は、双安定マルチバイブレータ及び適当な
デコーデイング・ネツトワークの縦続直列を含む通常の
２進カウンタを使うことにより構成されることができ、
その結果、カウンタはそれぞれ特定の列又は行に対応し
た単一の出力だけを出す。かくして、端子１４に供給さ
れる各クロツク・パルスで、Ｘカウンタ１１は、クロツ
クと同期してＸ−Ｙマトリクス・アレー１０の列１から
列ｎへ進める単一の出力を出す。Ｘカウンタ１１が最後
のｎカウントに到達すると、それは又Ｙカウンタ１２の
入カへの出力を出す。かくして、Ｘ−Ｙマトリクス・ア
レー１０の行を選択するＹカウンタ１２はｘカウンタ１
１の１／ｎの速度でカウントする。Ｙカウンタ１２はＸ
カウンタ１１と同様なやり方で作動し、Ｘカウンタ１１
の第ｎカウントと同期して行１から行ｎへ進める単一の
出力を出す。Ｙカウンタ１２のサイクルが完了すると１
フレームが構成される。クロツクと同期された直列２進
コードの形式のビデオ信号が、Ｘ−Ｙマトリクス・アレ
ー１０の各列に対して亡連のＡＮＤゲート１６に接続さ
れた端子１５に供給される。

Ｘカウンタ１１は任意の１時点に唯一のＡＮＤゲート１
６を付勢する。端子１５に供給されるビデオ信号は、全
てのＡＮＤゲー口６に接続され、その結果、ビデオ信号
はＸカウンタ１１により選ばれた列に対応する付勢され
たＡＮＤゲートにより通される。より詳細に説明される
−ように、Ｙカウンタ１２及びＡＮＤゲート１６からの
それぞれ行及び列出力の一致で、特定のメモリ素子及び
Ｘ−Ｙマトリツクス・アレー１０内のその関連する発光
装置を選択する。この選択でメモリ素子をトリガし、メ
モリ素子が発光装置を駆動する電流を提供する。これま
での説明から、本発明に従う集積半導体表示アレーが、
通常のＴＶラスタと同様な方式でアドレツシングされる
ものとして第１図に示されていることが理解されよう。
かかるシステムにおいては、端子１３に供給されるフレ
ーム同期パルス及び端子１４に供給されるクロツク・パ
ルスの両方とも、この技術の熟練者には既知の方法で適
当なビデオ信号入力から直接に得られる。しかしながら
、本発明は表示アレーをアドレツシングするための特定
の手段に制限されるものではないこと、及び第１図に示
されたシステムは説明のためだけのものであることを強
調したい。例えば、カウンタ１１及び１２の１つ又は他
のものは、２進データがアレーに並列で転送されるよう
なレジスタにより置換されてもよい。これは、Ｘ又はＹ
方向のうちの１つの走査を除去し、それにより、全アレ
ーをアドレスするのに必要とされる時間を大幅に減少さ
せる。アレーをアドレツシングする他の方法が、この技
術の熟練者には容易に思いつくであろう。第１図に示さ
れたアドレツシング方式は、メモリ素子の選ばれたもの
をＸ−Ｙマトリクス・アレー１０内にセツトする。

本発明の原理に従えば、前もつて定められた時間の後に
Ｘ−Ｙマトリクス１０内のメモリ素子をりセツトするこ
とも必要である。これは、例えば、カウンタ１１及び１
２と同じ第２の対になつたＸ及びＹカウンタ（図面を簡
単にするために示されてはいない）により容易に行なわ
れる。第２の対になつたＸ及びＹカウンタもフレーム同
期パルスによりりセツトされるが、フレーム周期の約９
０％に等しい時間だけ遅延される。明らかに、この第２
の対になつたカウンタのＹカウンタとＸ−Ｙマトリクス
１０の間に入れられたＡＮＤゲートは無い。というのは
この第２の対になつたカウンタの目的はマトリクス内の
メモリ素子をセツトすることではなくりセツトすること
だからである。この第２の対になつたカウンタの説明は
、図面を過度に複雑にしてしまうのをさけるために省略
されている。Ｘ−Ｙマトリクス１０内の１行の素子に対
する簡単な模式図が第２図に示されている。

この図においては、発光装置が、発光ｐ−ｎ接合ダイオ
ード（ＬＥＤ）２０１１〜２０ｎｉにより表わされてい
る。ここに添字の第１文字はそのＬＥＤの列を表わし、
第２文字は行を表わしている。発光Ｐｎ接合ダイオード
が示されているが、任意の半導体発光装置が使われても
よい。かくして、本発明の見地は、ｐ−ｎ接合ダイオー
ドだけでなく、簡単な半導体モノード（例えばＺｎＳエ
レクトロルミネセント・パネルに使われているようなエ
レクトロルミネセンス）をも含み、又更に、発光するこ
とのできるｐ−ｊ−Ｎ，．ｐ−ｎ−ｐ１及び同様な構成
の接合半導体装置のような複雑な構造をも含む。各々の
発光ダイオード２０１１〜２０ｎｉは、対応するメモリ
回路素子、すなわちフリツプ・７ロツプ２１１１〜２１
ｎｉに接続される。各々のフリツプフロツプ２１１１〜
２１。ｉは２つの入力を持つており、１つはその関連す
る列に対応し、そしてこの場合には１つは第１番目の行
に対応している。任意のフリツプフロツプ２１１１〜２
１ｎｉがセツトされるためには（すなわち第１の状態か
ら第２の状態に遷移させるためには）、２つの入力ライ
ン又は導線上のパルスが一致しなければならない。一度
びセツトされると、フリツプフロツプは、クリア・パル
スによりりセツトされるまでは２つの入力のいずれかの
状態に関係なくセツトされたままである。クリア・パル
スは、単一のクリア・ラインにより全てのフリツプフロ
ツプ２１１１〜２１。ｉに同時に入れられるように示さ
れているが、フリツプフロツプは、所望ならばセツトさ
れるのと同様な方法で個々にりセツトされうることが理
解されよう。発光ダイオード２０１１〜２０ｎｉのアノ
ードは供給電圧源ＶＢに各々が接続されている。オペレ
ーシヨンでは、表示アレー内のフリツプフロツプは、ア
レーの列及び行に対応したＸ及びＹ方向に走査される。

この走査オペレーシヨンは極くわずかな電力して必要と
しない。特定のフリツプフロツプにおけるＸ及びＹパル
スの一致はそのフリツプフロツプの状態をセツトすなわ
ち変え、それの関連する発光ダイオードを発光せしめる
。本発明の重要な点は、１度びセツトされると、セツト
状態（第２状態）にあるフリツプフロツプは、第１の状
態にりセツトされるまでセツト状態のままであり、それ
により比較的長時間にわたつて発光ダイオード内に電流
を流すということにある。これは、各ＬＥＤが一定レベ
ルの発光輝度に到達するのに必要とされるピーク電流を
極めて小さくする。これは、ＬＥＤ又は同様なものの発
光輝度は、ダイオード内の平均電流に直接に比例すると
いう事実による。ダイオードを長時間導通状態に保つこ
とにより、同じ平均電流がかなり低いピーク電流値で実
現されることが可能である。本発明の単純なオンオフ単
一色のデイスプレイにおいては、全表示輝度変化は、Ｖ
Ｂ電圧ラインの制御により達成されうる。

中間色のある型の単一色デイスプレイの場合には、第２
図に示されたものの外に追加のメモリが必要とされ、こ
の場合には、発光ダイオードは上述のように走査するこ
とによりオンにされる。しかしながら、所望の中間色調
に対応する異なつた時に発光ダイオードをオフにするた
めには、別個の素子を消すために更に走査が必要とされ
る。現在のデイジタル・コンピユータ技術は、この目的
のために容易に使用されうる。本発明を使用するオンオ
フ多色又は多色中間調デイスプレイの場合には、表示ア
レーに関連した電子技術は、上述の単一色デイスプレイ
に必要なものと同じである。第３図は、本発明を具体化
する集積半導体アレーに組込むのに適したメモリ素子及
び発光装置の単純な２×２のマトリクスの詳細な模式線
図である。

各メモリ素子及びその関連した発光装置のための制御回
路は、マトリクス内では同じであり、図の左上に示され
たメモリ素子及びその関連した発光装置の回路だけが詳
細に説明される。各メモリ素子は、２つの多重エミツタ
・トランジスタ３１及び３２を有するフリツプフロツプ
を含んでいる。トランジスタ３１及び３２は双安定マル
チバイブレータを形成するように通常の形式で交叉接続
される。この交叉接続は、トランジスタ３１のコレクタ
とトランジスタ３２のベースの間に抵抗器３３、そして
トランジスタ３１のベースと他のトランジスタ３５のエ
ミツタの間に抵抗器３４があるという形になつている。
トランジスタ３５は、エミツタフオロワとして接続され
、そのベースがトランジスタ３２のコレクタに接続され
ている。各トランジスタ３１及び３２には負荷抵抗器３
６及び３７がそれぞれつけられており、これらは、論理
制御パワー源ＶＬに接続されている。トランジスタ３５
のコレクタもまた論理制御パワー源に接続されるが、ト
ランジスタ３５のエミツタは負荷抵抗器３８を通して別
の駆動トランジスタ３９のベースに接続される。トラン
ジスタ３９は、通常のエミッタのように、そのエミツタ
が接地され、そのコレクタが負荷抵抗器４０及び発光ダ
イオード４１を通して電圧源ＶＢに接続されている。ト
ランジスタ３１及び３２の第１のエミツタは、共にＸ。
列アドレス・ラインに接続され、各々のトランジスタ３
１及び３２の第２のエミツタはＹＯ行アドレス・ライン
に接続されている。トランジスタ３１の第３のエミツタ
はＤ選択ラインに接続され、トランジスタ３２の第３の
エミツタはＤ木選択ラインに接続される。Ｄ及びＤ＊選
択ラインは表示アレー内のメモリ素子をクリアすなわち
りセツトするために使われうる論理制御機能に関する。

デコーデイング及びメモリ機能の両方は、多重エミッタ
・トランジスタにより行なわれる。Ｘ又はＹアドレス・
ラインが低であるとすれば、フリツプフロツプは現在の
状態のままである。Ｘ及びＹアドレス・ラインの両方が
高であり、メモリ素子が走査オペレーシヨンで選択され
たことを示している時には、Ｄ又はＤ＊ラインのいずれ
かが高でなければフリツプフロツプは現在のままの状態
を保つ。かくして、例えば、Ｄ＊ライン″が高であり、
Ｄラインがアース電位にある時、トランジスタ３１が導
通状態であり、トランジスタ３２が非導通状態でフリツ
プフロツプがセツトされる。トランジスタ３２が非導通
状態にある時、正の電位がトランジスタ３５のベースに
現われ、それを導通せしめ、トランジスタ３９をオンに
する。トランジスタ３９が導通状態であると、導通路が
発光ダイオード４１に対して確立され、それを発光せし
める。Ｄ及びＤ＊選択ラインの両方がアース電位にある
間、フリツプフロツプはＸ及びＹアドレス・ラインの状
態に関係なくセツト又はりセツト状態のままである。フ
リツプフロツプはＤ選択ラインに現われる高レベル及び
Ｄ＊選択ラインに現われるアース電位によりりセツトさ
れ、それによりトランジスタ３２を導通状態にせしめ、
トランジスタ３１を導通状態でなくする。Ｄ及びＤ＊選
択ラインのこの取合わせが、いかにしてデータの更新が
なされうるかに関して完全に自由にしている。たとえば
、データが変る時ランダム更新を行なうことができ、全
てのメモリ素子はクリアされることができ、データは走
査方式でリフレツシユされることができ、等等である。
本発明に従うモノリシツク発光ダイオード素示アレーの
物理的構成が、第４図に断面図として示されている。

アレーは、個々の発光ダイオード等のモノリシツク・ア
レー４３及び多層金属化のモノリシック・シリコン集積
回路（ＬＳＩ）４４及び２つの間にはさまれて一般的に
４５として示されている球形の相互接続体を含むサンド
イツチ構造である。メモリ素子のアレーを含むＬＳＩシ
リコン回路は、厳格かつ均一な温度分布を提供するため
の金属のヒート・シンク４６上に据え付けられる。本発
明の特徴は、光が、アレー４３の結晶のうしろのｐ−ｎ
結合、すなわちＬＳＩ回路４４との相互接続体４５の隣
接点で発せられるという事実にある。

かくして、例えば、発光ダイオードが半導体発光装置と
して使われるならば、アレー４３の結晶はｐ−ｎ結合の
バルク単結晶ＧａＰが望ましく、結晶の裏面上のダイオ
ードのｐ−ｎ結合領域として代表的に示されている。Ｇ
ａＰ結晶は透過性であるので、ｐ−ｎ接合で発せられた
光は、図面の矢印に示されたように、前面から見ること
ができる。発光装置４３のモノリシツク・アレーは、Ｐ
ｎ結合側４８で深くエツチされて示されており、深いチ
ヤネルを提供し、これは各々の発光ダイオード領域を分
離するグリツドを形成する。

かかるエツチグリツドは２つの利点を有する。第１に、
それは、アレー４３からの光を増進する反射システムを
提供する。第２に、グリツドは、それの提供する光学的
分離のために、アレー内の隣接素子の間の光学的クロス
トークを効果的に減少させる。グリッド４８のチャネル
は、結晶４３の裏面を個々のメサ５０により行及び列に
配置してうまく構成せしめ、その結果、各々のかかるメ
サの面は矩形をしている。各々のメサ５０はｐ−ｎ結合
領域４７を含み、かくして各メサがＬＥＤを形成する。
かかるメサ５０における代表的なｐ−ｎ接合は、第５図
の５１に示されており、５３に示されたｎ−型導電率の
層又は領域及び５５に示されたｐ型導電率の薄い表面層
又は領域を持つている。

ｐ領域は亜鉛のようなドーパントをエピタキシヤル成長
のｎ型材料に拡散させることにより形成されうる。もち
ろん適当な金属化（示されてない）又は他の接触手段が
、個々の結合領域４７を横切る付勢電位を供給するため
にＧａＰ結晶に供給され、５７として示されているよう
なメサの１つは、メモリ回路素子及び結晶本体４３の間
の電気的相互結合を提供するようにｐ型表面層がつけら
れていない。

いずれの場合にも、個々のダイオードの全ての反対側は
結晶本体を通して接触されている。球形又は半球形金属
接触４９が、各々の発光ダイオードの片側とＬＳＩ回路
内の関連するメモリ素子との間に良好な電気的接触を提
供するために、多層金属化４５及び個々のｐ−ｎ接合領
域４７のｐ層５５の間に使われるのが望ましい。その結
果のサンドイツチ構成及び電気的相互接続は、フリツプ
チツプ配置と呼ばれ、本発明に従う集積半導体表示アレ
ーの極めてコンパクトな構成を可能にしている。

ＧａＰ結晶の第４図に示された特別の例においては、単
一色（緑）デイスプレイが提供されている。

しかしながら、他の色もこの表示アレーで達成すること
ができる。例えば、基本のＧａＰ結晶はＰｎ接合側にひ
素を拡散させることができ、赤い光を出すＧａＡｓＰダ
イオードを提供する。又、ＧａＡｓＰはＧａＰ基板にエ
ピタキシヤル成長されることもできる。あるいは又、Ｇ
ａＰは、ニトロゲンのような等電子的不純物で、緑から
黄又は黄緑へのスペクトルの移動を引起すのに十分な量
をドープされることもできる。いずれの場合にも、基礎
のＧａＰ結晶は発光に対しては透明である。他の組合わ
せ及び材料は、異なつた色又は多色デイスプレイを提供
するためにこの技術の熟練者により容易に心に描かれよ
う。これまでのことから、本発明のいくつかの目的が達
成され、他の利点も得られることが理解されよう示され
た実施例は単に説明のためだけであり、本発明の範囲か
ら離れることなく各種の修正が構成及び配置になされう
ることは明白であろう。

従つて、本説明に含まれている全てのこと又は添付図面
に示されている全てのことはそれに制限するというので
はなく単に説明のためだけのものであると解釈されたい
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に従う集積回路メモリ素子及び発光装
置のＸ−Ｙマトリクス形式の典型的な表示アレーを示す
プロツク線図である。 第２図は、発光装置と組合わされたメモリ素子のオペレ
ーシヨンを示すＸ−Ｙマトリクス内の１つの行の簡単な
模式線図である。第３図は、メモリ素子及び発光装置の
２×２の詳細な模式線図である。第４図は、本発明に従
う集積半導体発光表示アレーの断面図である。そして、
第５図はかかる発光装置が形成されるいわゆる結晶のメ
ーサの１つの拡大断面図である。対応する参照文字は全
図面にわたつて同じ部分を示している。１０・・・・・
・複合集積回路発光表示アレー、１１・・・・・・Ｘカ
ウンタ、１２・・・・・・Ｙカウンタ、１６・・・・・
・ＡＮＤゲート、２０１１〜２０ｎｉ・・・・・・発光
ｐ−ｎ結合ダイオード、２１１１〜２１ｎｉ・・・・・
・メモリ回路素子（フリツプフロツプ）、３１，３２・
・・・・・多重エミツタ・トランジスタ、３３，３４・
・・・・・抵抗器、３５・・・・・・トランジスタ、３
６，３７，３８・・・・・・負荷抵抗器、３９・・・・
・・駆動トランジスタ、４０・・・・・・負荷抵抗器、
４１・・・・・・発光ダイオード、４３・・・・・・モ
ノリシツク・アレー、４４・・・・・・モノリシツク・
シリコン集積回路、４５・・・・・・相互接続体、４７
・・・・・・ｐ−ｎ接合領域、４８・・・・・・グリッ
ド、５０・・・・・・メサ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 複合集積回路発光表示アレーであつて、各々ＬＥＤ
   装置を有し、各々付勢された時アレーの前面から見るこ
   とのできる光を出すようにされている固体発光装置から
   成り、透明のモノリシックＧａＰ結晶で構成され、各々
   の前記ＬＥＤ装置が前記結晶の裏面に設けた光を放射す
   るｐ−ｎ接合を備える少くとも１つのダイオードから構
   成されている、モノリシック・アレー、前記ＬＥＤ装置
   のそれぞれに対応し、かつそれぞれを付勢するようにさ
   れた選択的にアドレッシング可能なメモリ回路素子のモ
   ノリシック集積回路アレー、および前記の発光装置及び
   前記の回路素子のそれぞれの間に電気的結合を与えるよ
   うに、前記の平面状の両アレーの間の前記結晶の裏面に
   サンドイッチにされた相互接続装置であつて、前記の回
   路素子は、アドレスされた時に、前記の発光装置を選択
   的に付勢して、前記結晶のアレーの前面から見ることの
   できる光を出さしめるように作動可能となつているよう
   な前記の相互接続装置を有することを特徴とする前記の
   複合集積回路発光表示アレー。