JPS5916352B2 - 磁気バブルメモリチツプの不良ル−プ記憶方法 - Google Patents
磁気バブルメモリチツプの不良ル−プ記憶方法Info
- Publication number
- JPS5916352B2 JPS5916352B2 JP16318578A JP16318578A JPS5916352B2 JP S5916352 B2 JPS5916352 B2 JP S5916352B2 JP 16318578 A JP16318578 A JP 16318578A JP 16318578 A JP16318578 A JP 16318578A JP S5916352 B2 JPS5916352 B2 JP S5916352B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- loop
- defective
- information
- stored
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリに関するものであり、更に詳
しくはチップの不良ループ記憶方法に関する。
しくはチップの不良ループ記憶方法に関する。
半導体集積回路技術をはじめとする電子技術の著しい発
展に支えられて、電子計算機は急速に小型化し高速度化
されている。
展に支えられて、電子計算機は急速に小型化し高速度化
されている。
またその信頼度も回路素子のソリッドステート化によつ
て著しく向上している。さらに、電子計算機の利用が進
むにつ・ れて記憶装置の記憶容量も年々増加の一途を
辿つており、記憶に要する単価の低減とアクセス時間の
短縮が強く要望されている。大容量の情報を確実に記憶
保持するためには信頼度の高い不揮発生の大容量メモリ
装置が必要で0 あるが、揮発生の半導体メモリをもつ
て実現することは不可能であり、また、不揮発生ながら
も磁気テープ装置、磁気ディスク装置などは可動部分を
有するという致命的な欠陥を有しており、これも信頼度
の面でニーズに適合して、メモリ装置と″5 言い難い
。
て著しく向上している。さらに、電子計算機の利用が進
むにつ・ れて記憶装置の記憶容量も年々増加の一途を
辿つており、記憶に要する単価の低減とアクセス時間の
短縮が強く要望されている。大容量の情報を確実に記憶
保持するためには信頼度の高い不揮発生の大容量メモリ
装置が必要で0 あるが、揮発生の半導体メモリをもつ
て実現することは不可能であり、また、不揮発生ながら
も磁気テープ装置、磁気ディスク装置などは可動部分を
有するという致命的な欠陥を有しており、これも信頼度
の面でニーズに適合して、メモリ装置と″5 言い難い
。
以上のような技術的背景に鑑みて発明されたのが磁気バ
ブルメモリである。
ブルメモリである。
一軸磁気異方性を有するガーネットまたはオルソフェラ
イト等の磁性薄板面に垂直に適当な大きフ0 さのバイ
ヤス磁界を印加すると円筒状磁区所謂磁気バブルが発生
する。
イト等の磁性薄板面に垂直に適当な大きフ0 さのバイ
ヤス磁界を印加すると円筒状磁区所謂磁気バブルが発生
する。
この磁気バブルを利用して情報の著積を行う磁気バブル
メモリは、不揮発性であること、全固体素子であること
、大容量化が可能であること、比ク5 較的高速である
こと等の理由からこれらの特性を生かした分野において
その実用化が急速に進められている。
メモリは、不揮発性であること、全固体素子であること
、大容量化が可能であること、比ク5 較的高速である
こと等の理由からこれらの特性を生かした分野において
その実用化が急速に進められている。
この磁気バブルメモリにおいては、磁気バブルの発生、
転送、分割、拡大、検出、消去等の各種30機能が必要
とされる。
転送、分割、拡大、検出、消去等の各種30機能が必要
とされる。
さらにはまた磁気バブルを磁性薄板内において安定に存
在させるためのバイアス磁界印加手続、磁気バブルを磁
性薄板内において磁性薄板上に形成された磁性体パター
ンの基に移動させるための回転磁界印加手段を必要とす
35る。第1図に磁気バブルメモリに使用される磁気バ
ブルチップの代表的な構成例を示す。
在させるためのバイアス磁界印加手続、磁気バブルを磁
性薄板内において磁性薄板上に形成された磁性体パター
ンの基に移動させるための回転磁界印加手段を必要とす
35る。第1図に磁気バブルメモリに使用される磁気バ
ブルチップの代表的な構成例を示す。
図示された構成は所謂メジヤーマイナーループ構成と称
されるもので、図中1はメジヤーループ、2はマイナー
ループ、3は検出器、4は発生器、5は複製器、6は消
滅器、7はトランスフアゲートを夫々示している。
されるもので、図中1はメジヤーループ、2はマイナー
ループ、3は検出器、4は発生器、5は複製器、6は消
滅器、7はトランスフアゲートを夫々示している。
尚図において実線は磁気バブル磁性薄板上に形成された
パーマロイパターンによる磁気バブル転送路、破線は同
じく薄板上に形成された金等からなる導体パターンであ
る。動作は次のようにして行われる。先ず書込むべき情
報に応じて発生器4を構成する導体パターンのループ内
にバイアス磁界を実効的に弱める方向に電流を供給して
該ループ内に磁気バブルを発生させる。
パーマロイパターンによる磁気バブル転送路、破線は同
じく薄板上に形成された金等からなる導体パターンであ
る。動作は次のようにして行われる。先ず書込むべき情
報に応じて発生器4を構成する導体パターンのループ内
にバイアス磁界を実効的に弱める方向に電流を供給して
該ループ内に磁気バブルを発生させる。
発生した磁気バブルは、磁性薄板の面内方向において回
転する駆動磁界によりメジヤーループ1上に転送され各
マイナーループ2の対向する位置に1情報分(例えば1
ワード分)整列される。このときトランスフアゲート7
を構成する導体パターンに電流を供給してメジヤールー
プ1上の磁気バブル群を各マイナーループ2内へ送り込
む。各マイナーループ2内へ送り込まれた磁気バブルは
駆動磁界によりマイナーループ2内を巡回しはじめ情報
の格納が終了する。次に情報の読出しは読出すべき各マ
イナーループ2内の磁気バブル群がトランスフアゲート
7に対向する位置に到来した時点で導体パターンに通電
してメジヤーループ1上へ転送する。メジヤーループ上
に転送された磁気バブル列は駆動磁界により順次転送さ
れて複製器5に至る。複製器5では到来する磁気バブル
を2個に分割し、1個をパマロイパターンに沿つて検出
器3へ、他の1個をメジヤーループ1を介して再びマイ
ナーループへ送り出す。検出器3は順次到来する磁気バ
ブルを検出効率を上けるために拡大し、例えばこれが到
来したことによる磁気抵抗素子の電気抵抗変化を電圧の
変化として読出す。尚、読出した後その情報を消化し新
たな別の清報を書込む場合は、分割後の磁気バブルをメ
ジヤーループ上の消滅器6によつて消去するとともに新
たな別の情報を発生器4により書込む。このようなメジ
ヤマイナループ構成の磁気バブルメモリにおいては、1
個でもマイナループに欠陥があると、その磁気バブルメ
モリ自体が不良品となつてしまう。
転する駆動磁界によりメジヤーループ1上に転送され各
マイナーループ2の対向する位置に1情報分(例えば1
ワード分)整列される。このときトランスフアゲート7
を構成する導体パターンに電流を供給してメジヤールー
プ1上の磁気バブル群を各マイナーループ2内へ送り込
む。各マイナーループ2内へ送り込まれた磁気バブルは
駆動磁界によりマイナーループ2内を巡回しはじめ情報
の格納が終了する。次に情報の読出しは読出すべき各マ
イナーループ2内の磁気バブル群がトランスフアゲート
7に対向する位置に到来した時点で導体パターンに通電
してメジヤーループ1上へ転送する。メジヤーループ上
に転送された磁気バブル列は駆動磁界により順次転送さ
れて複製器5に至る。複製器5では到来する磁気バブル
を2個に分割し、1個をパマロイパターンに沿つて検出
器3へ、他の1個をメジヤーループ1を介して再びマイ
ナーループへ送り出す。検出器3は順次到来する磁気バ
ブルを検出効率を上けるために拡大し、例えばこれが到
来したことによる磁気抵抗素子の電気抵抗変化を電圧の
変化として読出す。尚、読出した後その情報を消化し新
たな別の清報を書込む場合は、分割後の磁気バブルをメ
ジヤーループ上の消滅器6によつて消去するとともに新
たな別の情報を発生器4により書込む。このようなメジ
ヤマイナループ構成の磁気バブルメモリにおいては、1
個でもマイナループに欠陥があると、その磁気バブルメ
モリ自体が不良品となつてしまう。
従つて、一般には、磁気バブルメモリに必要なマイナル
ープ数以上に予めマイナループを形成しておき、その中
から良好なマイナループのみを使用するようにして、磁
気バブルメモリの歩留り向上を図つている。そのために
は、当然、予め形成されたマイナループ全てについて試
1験を行ない、不良ループを検出し、この不良ループ情
報を別途メモリに記憶しておかなければならず、また試
験の信頼性をあげるためには同じ試1験を繰返し行ない
、不良ループを確実に検出することがなされなければな
らない。
ープ数以上に予めマイナループを形成しておき、その中
から良好なマイナループのみを使用するようにして、磁
気バブルメモリの歩留り向上を図つている。そのために
は、当然、予め形成されたマイナループ全てについて試
1験を行ない、不良ループを検出し、この不良ループ情
報を別途メモリに記憶しておかなければならず、また試
験の信頼性をあげるためには同じ試1験を繰返し行ない
、不良ループを確実に検出することがなされなければな
らない。
従来のこのような試験においては、試験の都度検出され
た不良ループの情報を全てメモリに記憶させていた。即
ち最初の試験で不良ループとして検出されたマイナルー
プについては、二度目、三度目の試験でも大部分は不良
ループとして検出されるが、従来は試験の都度不良ルー
プを全て記憶するようにしているため同一不良ループ情
報が二重、三重にメモリに記憶されることになり大容量
のメモリが必要であつた。本発明は不良ループ情報の記
憶を小容量のメモリで行なえるようにするもので、この
ことは、繰返し試験の際、メモリに記憶している不良マ
イナループ情報と、新たに発生した不良マイナループ情
報を比較照合し、既にメモリに記憶している不良マイナ
ループ情報は、メモリに記憶させず、メモリに記憶され
ていない不良マイナループ情報についてはメモリに記憶
させるようにすることにより達成できる。
た不良ループの情報を全てメモリに記憶させていた。即
ち最初の試験で不良ループとして検出されたマイナルー
プについては、二度目、三度目の試験でも大部分は不良
ループとして検出されるが、従来は試験の都度不良ルー
プを全て記憶するようにしているため同一不良ループ情
報が二重、三重にメモリに記憶されることになり大容量
のメモリが必要であつた。本発明は不良ループ情報の記
憶を小容量のメモリで行なえるようにするもので、この
ことは、繰返し試験の際、メモリに記憶している不良マ
イナループ情報と、新たに発生した不良マイナループ情
報を比較照合し、既にメモリに記憶している不良マイナ
ループ情報は、メモリに記憶させず、メモリに記憶され
ていない不良マイナループ情報についてはメモリに記憶
させるようにすることにより達成できる。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
第2図は本発明の実施例である。図において8はループ
カウンタで、今試験を行なつているマイナループの番号
を示しているもの、9は比較回路、10は不良ループ番
号を記憶するメモ1ハ 11はアドレスカウンタ、12
はレジスタ、13は比較回路、14はライトイネ−フル
回路で、メモリ10へ不良ループ番号を記憶させるか否
かを指示するもの、15はインクリメント回路、16は
制御回路、17は同期回路、18は比較回路を夫々示す
。
カウンタで、今試験を行なつているマイナループの番号
を示しているもの、9は比較回路、10は不良ループ番
号を記憶するメモ1ハ 11はアドレスカウンタ、12
はレジスタ、13は比較回路、14はライトイネ−フル
回路で、メモリ10へ不良ループ番号を記憶させるか否
かを指示するもの、15はインクリメント回路、16は
制御回路、17は同期回路、18は比較回路を夫々示す
。
次に動作を説明する。
試験に際し、アドレスカワンタ11には、新たに発生し
た不良ループ番号を記憶すべきメモリ10のアドレスが
セツトされている。
た不良ループ番号を記憶すべきメモリ10のアドレスが
セツトされている。
さて、マイナループの試験は、一般にはマイナループに
情報を書込み、これを再度読出し、書込んだ情報と読出
した情報とを比較することにより行なわれる。
情報を書込み、これを再度読出し、書込んだ情報と読出
した情報とを比較することにより行なわれる。
そのため、比較回路18には、検出器3(第1図)のセ
ンス出力が供給されている。
ンス出力が供給されている。
比較回路18ではセンス出力と予め与えられている書込
み情報(比較データ)とを比較し、不一致であればエラ
ーパルスを同期回路17に出力する。同期回路17では
エラーパルスを受けると、所定のタイミングでその旨制
御回路16に通知する。制御回路16ではエラーがあつ
たことを検出するとライトイネーブル回路14に書込信
号WRITEを出す。
み情報(比較データ)とを比較し、不一致であればエラ
ーパルスを同期回路17に出力する。同期回路17では
エラーパルスを受けると、所定のタイミングでその旨制
御回路16に通知する。制御回路16ではエラーがあつ
たことを検出するとライトイネーブル回路14に書込信
号WRITEを出す。
しかし、ライトイネーブル回路14は、この時点ではイ
ンクリメント回路15からの信号がないため、動作しな
い。
ンクリメント回路15からの信号がないため、動作しな
い。
一方制御回路16は、アドレスカウンタ11に、その内
容をレジスタ12に転送するよう指示を与え、しかる後
アドレスカウンタ11をクリアする。
容をレジスタ12に転送するよう指示を与え、しかる後
アドレスカウンタ11をクリアする。
即ちアドレスカウンタ11にOをセツトする。次いで制
御回路はメモリ10に対し図示されない回路で読出し指
示を行ない、メモリ10のO番地の・晴報を読出す。読
出された情報は比較回路9でループカウンタ8の内容と
比較される。比較回路9での比較結果が不一致であれば
、不一致信号がインクリメント回路15に与えられ、イ
ンクリメント回路15からは、アドレスカウンタ11に
その内容に+1するよう指示を出す。従つてアドレスカ
ウンタ11の内容は1となる。アドレスカウンタ11の
内容は比較回路13でレジスタ12の内容と比較され、
一致がとれれば、これ以降の番地には情報(不良ループ
情報)は記憶されていないことになる。これはレジスタ
12の内容は新たに発生した不良ループ番号を記憶すべ
きアドレスを示しているからである。従つて比較回路1
3で一致がとれれば、比較終了信号ENDが制御回路1
6に与えられ、制御回路16よりインクリメント回路1
5に比較終了指示が出される。
御回路はメモリ10に対し図示されない回路で読出し指
示を行ない、メモリ10のO番地の・晴報を読出す。読
出された情報は比較回路9でループカウンタ8の内容と
比較される。比較回路9での比較結果が不一致であれば
、不一致信号がインクリメント回路15に与えられ、イ
ンクリメント回路15からは、アドレスカウンタ11に
その内容に+1するよう指示を出す。従つてアドレスカ
ウンタ11の内容は1となる。アドレスカウンタ11の
内容は比較回路13でレジスタ12の内容と比較され、
一致がとれれば、これ以降の番地には情報(不良ループ
情報)は記憶されていないことになる。これはレジスタ
12の内容は新たに発生した不良ループ番号を記憶すべ
きアドレスを示しているからである。従つて比較回路1
3で一致がとれれば、比較終了信号ENDが制御回路1
6に与えられ、制御回路16よりインクリメント回路1
5に比較終了指示が出される。
インクリメント回路15はこの指示を受けるとライトイ
ネーブル回路14を起動する。従つてライトイネーブル
回路14より不良ループ番号指示がメモリ10に与えら
れ、メモI月0の1番地にループカウンタ8の内容即ち
不良ループ番号を記憶させる。一方、比較回路13でア
ドレスカウンタとレジスタ12の内容の一致がとれなけ
れば、メモリ10の1番地の内容が読出され、比較回路
9でループカウンタ8の内容と比較され、以後同様の動
作が、比較回路9で一致がとれるか、又は、比較回路1
3で一致がとれるまで繰返す。
ネーブル回路14を起動する。従つてライトイネーブル
回路14より不良ループ番号指示がメモリ10に与えら
れ、メモI月0の1番地にループカウンタ8の内容即ち
不良ループ番号を記憶させる。一方、比較回路13でア
ドレスカウンタとレジスタ12の内容の一致がとれなけ
れば、メモリ10の1番地の内容が読出され、比較回路
9でループカウンタ8の内容と比較され、以後同様の動
作が、比較回路9で一致がとれるか、又は、比較回路1
3で一致がとれるまで繰返す。
比較回路9で一致がとれれば、新たに発生した不良ルー
プの情報は既にメモリ10へ記憶されていたことであり
、二重の記憶を止めるべく一致信号が制御回路16・\
与えられる。制御回路16は一致信号を受けると、書込
み信号WRITEを止めると共にレジスタ12に指示し
、その内容をアドレスカウンタ11に戻させる。以上の
ように、不良ループを検出した際、その不良ループ情報
が既にメモリに記憶されていれば、二重の記憶は行なわ
ず、メモリに記憶されていなければ、メモリに記憶させ
るようにすることにより、メモリとしては小容量のメモ
リで済むことになる。
プの情報は既にメモリ10へ記憶されていたことであり
、二重の記憶を止めるべく一致信号が制御回路16・\
与えられる。制御回路16は一致信号を受けると、書込
み信号WRITEを止めると共にレジスタ12に指示し
、その内容をアドレスカウンタ11に戻させる。以上の
ように、不良ループを検出した際、その不良ループ情報
が既にメモリに記憶されていれば、二重の記憶は行なわ
ず、メモリに記憶されていなければ、メモリに記憶させ
るようにすることにより、メモリとしては小容量のメモ
リで済むことになる。
第1図はメジヤマイナループ構成バブルメモリを説明す
るための図、第2図は本発明の実施例である。 図において8はループカウンタ、9,13,18は比較
回路、10はメモリ、11はアドレスカウンタ、12は
レジスタ、14はライトイネーブル回路、15はインク
リメント回路、16は制御回路、17は同期回路を示す
。
るための図、第2図は本発明の実施例である。 図において8はループカウンタ、9,13,18は比較
回路、10はメモリ、11はアドレスカウンタ、12は
レジスタ、14はライトイネーブル回路、15はインク
リメント回路、16は制御回路、17は同期回路を示す
。
Claims (1)
- 1 メジヤマイナループ構成磁気バブルメモリの各マイ
ナループを順次かつ複数回繰返えし試験することによつ
て不良マイナループを検出し、検出された不良マイナル
ープ情報をメモリに記憶させるようにした不良ループ記
憶方法において繰返し試験の際、上記メモリを記憶して
いる不良マイナループ情報と、新たに発生した不良マイ
ナループ情報を比較照合し、既にメモリに記憶している
不良マイナループ情報は、メモリに記憶させず、メモリ
に記憶されていない不良マイナループ情報についてはメ
モリに記憶させるようにしたことを特徴とする磁気バブ
ルメモリチップの不良ループ記憶方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16318578A JPS5916352B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 磁気バブルメモリチツプの不良ル−プ記憶方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16318578A JPS5916352B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 磁気バブルメモリチツプの不良ル−プ記憶方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5589979A JPS5589979A (en) | 1980-07-08 |
| JPS5916352B2 true JPS5916352B2 (ja) | 1984-04-14 |
Family
ID=15768860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16318578A Expired JPS5916352B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 磁気バブルメモリチツプの不良ル−プ記憶方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916352B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634645U (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582845B2 (ja) * | 1979-01-24 | 1983-01-19 | 株式会社ブリヂストン | 転り抵抗の低い抗すべり性、乗用車用ラジアルタイヤ |
-
1978
- 1978-12-26 JP JP16318578A patent/JPS5916352B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634645U (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5589979A (en) | 1980-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6243840B1 (en) | Self-test ram using external synchronous clock | |
| US3909810A (en) | Bubble memory minor loop redundancy scheme | |
| US4159412A (en) | Magnetic bubble memory chip synchronization and redundancy | |
| US4070651A (en) | Magnetic domain minor loop redundancy system | |
| US4354253A (en) | Bubble redundancy map storage using non-volatile semiconductor memory | |
| US4090251A (en) | Bubble memory redundancy storage | |
| US20130314982A1 (en) | Method for Magnetic Screening of Arrays of Magnetic Memories | |
| JPH10332797A (ja) | 半導体装置 | |
| CN1717744B (zh) | 检测磁数据存储设备中热弛豫的可能开始的方法和装置 | |
| JP2008217842A (ja) | 不揮発性記憶装置 | |
| US4458334A (en) | Redundancy map storage for bubble memories | |
| JPS5911985B2 (ja) | バブル磁区交換回路 | |
| US4301516A (en) | Bubble memory storage unit | |
| JPS599109B2 (ja) | 磁気バルブ記憶装置 | |
| US4321693A (en) | Magnetic bubble memory chip with dedicated redundancy data section provided thereon | |
| US20250054559A1 (en) | Semiconductor storage device and method | |
| JPS5927031B2 (ja) | 磁気バブル記憶装置 | |
| Davies | Magnetic Bubble Reliability Testing-Component and System Level Aspects | |
| Hamdioui et al. | Device-Aware Test: A Means to Attack Unmodelled Defects | |
| JPS63244388A (ja) | バブルメモリの不良マイナル−プ検出方法 | |
| JPS6032278B2 (ja) | 磁気バブルメモリウエハ− | |
| Chen et al. | A magnetic bubble domain flight recorder | |
| JPS6113314B2 (ja) | ||
| GB1596990A (en) | Bubble memory redundancy storage | |
| JPS598906B2 (ja) | 磁気バブル記憶装置 |