JPS5916703B2 - マイクロ波イオン源 - Google Patents
マイクロ波イオン源Info
- Publication number
- JPS5916703B2 JPS5916703B2 JP55177288A JP17728880A JPS5916703B2 JP S5916703 B2 JPS5916703 B2 JP S5916703B2 JP 55177288 A JP55177288 A JP 55177288A JP 17728880 A JP17728880 A JP 17728880A JP S5916703 B2 JPS5916703 B2 JP S5916703B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- microwave
- discharge
- ion source
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオン源ζこ関し、特に、半導体ウェハへのイ
オン打込みに適したマイクロ波イオン源の改良ｌこ関す
るものである。
オン打込みに適したマイクロ波イオン源の改良ｌこ関す
るものである。
マイクロ波イオン源は長寿命で大電流が得やすいためｌ
こイオン打込み機用イオン源に適しておシ、実際に利用
されている。
こイオン打込み機用イオン源に適しておシ、実際に利用
されている。
第１図は従来のイオン打込み機用マイクロ波イオン源の
概略構成を示したものである。
概略構成を示したものである。
同図ζこおいて、マグネトロンのようなマイクロ波発生
源（図示せず）で発生した周波数が２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波は内側にリッジ８，８を有する導波管２を通っ
て放電箱１に導入される。
源（図示せず）で発生した周波数が２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波は内側にリッジ８，８を有する導波管２を通っ
て放電箱１に導入される。
放電箱１は真空封止用のセラミックのような誘電体から
なる円板３を介して導波管２と接続されている。
なる円板３を介して導波管２と接続されている。
また、放電箱１は放電電極５，５と、放電電極５，５間
に形成された放電室と、イオン化すべきガスの導入口と
、放電室以外の空間暑こ充填された窒化硼素のような誘
電体とから構成されており、放電箱１に導入されたマイ
クロ波は放電電極５，５間に形成された放電室番こ強い
マイクロ波電界を発生する。
に形成された放電室と、イオン化すべきガスの導入口と
、放電室以外の空間暑こ充填された窒化硼素のような誘
電体とから構成されており、放電箱１に導入されたマイ
クロ波は放電電極５，５間に形成された放電室番こ強い
マイクロ波電界を発生する。
さらに、放電室番こは放電電極５，５間に生じるマイク
ロ波電界と直交する方向（第１図において軸方向）に強
い磁界が印加されている。
ロ波電界と直交する方向（第１図において軸方向）に強
い磁界が印加されている。
この磁界を発生するため、放電箱１の外周にはソレノイ
ドコイル（図示せず）が設置されている。
ドコイル（図示せず）が設置されている。
放電室でプラズマを生成するにはリークパルプ９を開い
てホスフィンガス（ＰＨ３）のような試別ガスを放電室
ｌこ導入し、マイクロ波電界と磁界との相互作用により
放電室内に高密度なプラズマを発生させる。
てホスフィンガス（ＰＨ３）のような試別ガスを放電室
ｌこ導入し、マイクロ波電界と磁界との相互作用により
放電室内に高密度なプラズマを発生させる。
イオンビーム２２はこのようにして生成された高密度プ
ラズマからイオン引き出し電極系６，７゜７′ζこより
引き出される。
ラズマからイオン引き出し電極系６，７゜７′ζこより
引き出される。
４′はスリットを持つ窒化硼素のような誘電体からなる
円板であり、これによりマイクロ波電界がイオンビーム
引き出し部分で最も強くなり、従って、引き出し部分で
最も高いプラズマ密度が達成される。
円板であり、これによりマイクロ波電界がイオンビーム
引き出し部分で最も強くなり、従って、引き出し部分で
最も高いプラズマ密度が達成される。
イオン引き出し電極系６，７．７’において、電極６に
は＋５０ＫＶ。
は＋５０ＫＶ。
電極１には一２ＫＶ、電極７′にはＯｖの電圧が印加さ
れている。
れている。
従って、電極６と接続されている放電箱１、導波管２も
また電極６と同電位となり、これらは高電圧側を形成し
、これに対して、電極７．７′は低電圧側を形成するこ
とｌこなる。
また電極６と同電位となり、これらは高電圧側を形成し
、これに対して、電極７．７′は低電圧側を形成するこ
とｌこなる。
さて、イオン打込み機は今後ますます大電流化し、引き
出し電圧の高電圧化が予想されているが、しかしながら
、マイクロ波イオン源の大電流化やイオン引き出し電圧
の高電圧化をはかる場合に上述したような従来タイプの
マイクロ波イオン源では次のような難点がある。
出し電圧の高電圧化が予想されているが、しかしながら
、マイクロ波イオン源の大電流化やイオン引き出し電圧
の高電圧化をはかる場合に上述したような従来タイプの
マイクロ波イオン源では次のような難点がある。
すなわち、上述したように高電位に保持されるべき放電
箱１の外側にこれを囲むように零電位のソレノイドコイ
ルが配置されており、しかも、このソレノイドコイルは
その中心部分、すなわち放電室で約１キロガウスの磁界
を発生する必要がある。
箱１の外側にこれを囲むように零電位のソレノイドコイ
ルが配置されており、しかも、このソレノイドコイルは
その中心部分、すなわち放電室で約１キロガウスの磁界
を発生する必要がある。
上述したマイクロ波イオン源（スリット長４Ｑ１ｍｌ、
イオン引き出し電圧５０ＫＶ）では内径１８０ｍｍ、外
径３５０＋ｏｔのソレノイドコイルを使用しているが、
イオン源の大電流化（これはスリット長を大きくするこ
とにつながり、大きな放電室が必要となる）のためには
ソレノイドコイルの内径を大きくする必要がある。
イオン引き出し電圧５０ＫＶ）では内径１８０ｍｍ、外
径３５０＋ｏｔのソレノイドコイルを使用しているが、
イオン源の大電流化（これはスリット長を大きくするこ
とにつながり、大きな放電室が必要となる）のためには
ソレノイドコイルの内径を大きくする必要がある。
しかも、この場合、その中心部分すなわち放電室の磁場
強度は同じにしなければならないので、ソレノイドコイ
ルの外径は益々大きくなり、また、このソレノイドコイ
ルを励磁するための電源の容量も非常に大きなものが必
要となる。
強度は同じにしなければならないので、ソレノイドコイ
ルの外径は益々大きくなり、また、このソレノイドコイ
ルを励磁するための電源の容量も非常に大きなものが必
要となる。
さらに、上述のマイクロ波イオン源では第２図ζこ示し
た模式図のように放電領域２０（放電電極５，５間に形
成された放電室）ＩＩこ平行な磁力線２１を有する磁場
あるいはイオン引き出し方向２２に向って発散する磁力
線を有する磁場が必要である。
た模式図のように放電領域２０（放電電極５，５間に形
成された放電室）ＩＩこ平行な磁力線２１を有する磁場
あるいはイオン引き出し方向２２に向って発散する磁力
線を有する磁場が必要である。
このためｌこ、放電領域２０ｆこ対して第２図に示した
ように３つのソレノイドコイル１７，１８，１９を配置
している。
ように３つのソレノイドコイル１７，１８，１９を配置
している。
ところがソレノイドコイル１７．１８は上述したように
高電圧側２３に配置する必要があり、また、ソレノイド
コイル１９も高電圧側２３と低電圧側２４とにまたがっ
て配置する必要がある。
高電圧側２３に配置する必要があり、また、ソレノイド
コイル１９も高電圧側２３と低電圧側２４とにまたがっ
て配置する必要がある。
しかしながら、このような配置関係にあると、＋５０Ｋ
Ｖという高電圧側を形成する導波管２、放電箱１、電極
５とアース電位（こあるソレノイドコイル１７，１８゜
１９との間の放電防止のための絶縁対策が難しく、高電
圧化をはかる場合はより一層困難となる。
Ｖという高電圧側を形成する導波管２、放電箱１、電極
５とアース電位（こあるソレノイドコイル１７，１８゜
１９との間の放電防止のための絶縁対策が難しく、高電
圧化をはかる場合はより一層困難となる。
この問題を解決するためには互いの間隔を難せばよいが
、そうするとソレノイドコイル１７，１８゜１９の内、
外径が大きくなり、上述したような問題が発生すること
になる。
、そうするとソレノイドコイル１７，１８゜１９の内、
外径が大きくなり、上述したような問題が発生すること
になる。
従って、本発明の目的は上述した問題点を解消した、小
形で低消費電力のマイクロ波イオン源を提供することに
ある。
形で低消費電力のマイクロ波イオン源を提供することに
ある。
上記目的を達成するために、本発明においては、上述し
たマイクロ波イオン源において引出Ｗ系の低電圧側に電
磁石を設け、かつ、導波管側（こ位置してマイクロ波の
伝播を妨げない領域に高透磁率部材を設けて放電室にお
いて必要な磁界形状と磁界強度とを有する磁界を形成さ
ぜるよ壇こ構成したことを特徴としている。
たマイクロ波イオン源において引出Ｗ系の低電圧側に電
磁石を設け、かつ、導波管側（こ位置してマイクロ波の
伝播を妨げない領域に高透磁率部材を設けて放電室にお
いて必要な磁界形状と磁界強度とを有する磁界を形成さ
ぜるよ壇こ構成したことを特徴としている。
かかる本発明の特徴的な構成により、イオン源の高電圧
化を図っても電磁石であるソレノイドコイルの内、外径
は高電圧側を形成する電極、放電箱、導波管の寸法、形
状の影響を受けない。
化を図っても電磁石であるソレノイドコイルの内、外径
は高電圧側を形成する電極、放電箱、導波管の寸法、形
状の影響を受けない。
その結果、マイクロ波イオン源全体を小形化することが
できると同時に、消費電力の増加も抑えることができる
。
できると同時に、消費電力の増加も抑えることができる
。
さらζこ、ソレノイドコイルを低電圧側に配置すること
によって、従来構成で必要であった高電圧部との絶縁が
不必要になり、その結果、絶縁が非常に容易になる。
によって、従来構成で必要であった高電圧部との絶縁が
不必要になり、その結果、絶縁が非常に容易になる。
また、高透磁率部材とソレノイドコイルとの配置構成に
よって、放電領域に形成される磁場形状が理想的なミラ
ー状になり、その結果、高密度なプラズマが得られる。
よって、放電領域に形成される磁場形状が理想的なミラ
ー状になり、その結果、高密度なプラズマが得られる。
以下、本発明を図面を使用して詳細に説明する。
第３図は本発明（こよるマイクロ波イオン源の原理的な
構成を示したものである。
構成を示したものである。
本発明によるマイクロ波イオン源は放電領域２０に磁場
を形成するための磁場発生手段の構成を除−°く以外は
第１図に示した従来の構成と同じである。
を形成するための磁場発生手段の構成を除−°く以外は
第１図に示した従来の構成と同じである。
従って、第３図には第１図における放電箱１の放電電極
５，５間に形成される放電室を放電領域２０として代表
して示している。
５，５間に形成される放電室を放電領域２０として代表
して示している。
第３図に示したように、本発明によるマイクロ波イオン
源は低電圧側２４にソレノイドコイル２５を配置し、ソ
レノイドコイル２５によって発生した磁力線２１の磁束
密度を高めてマイクロ波放電に必要な磁場形状と磁場強
度とを有する磁場を放電領域２０に形成するため、純鉄
のような透磁率の大きな磁性体１２を放電領域２０に対
してマイクロ波２６の進入側、すなわち導波管側に配置
したものである。
源は低電圧側２４にソレノイドコイル２５を配置し、ソ
レノイドコイル２５によって発生した磁力線２１の磁束
密度を高めてマイクロ波放電に必要な磁場形状と磁場強
度とを有する磁場を放電領域２０に形成するため、純鉄
のような透磁率の大きな磁性体１２を放電領域２０に対
してマイクロ波２６の進入側、すなわち導波管側に配置
したものである。
ここで、高透磁率部材１２はマイクロ波２６の進入を妨
げないような形状、配置であることが望ましい。
げないような形状、配置であることが望ましい。
このような配置構成とすること瘉こよって、上述したよ
・うな数々の優れた特徴を有するマイクロ波イオン源を
実現することが可能となる。
・うな数々の優れた特徴を有するマイクロ波イオン源を
実現することが可能となる。
以下、具体的な実施例によって本発明をさらに説明する
。
。
実施例 １
第４図は本発明によるマイクロ波イオン源の１実施例で
ある断面構造を示したものである。
ある断面構造を示したものである。
本実施例の特徴点は導波管と放電箱とのマイクロ波整合
をとるために導波管２の内側に設けられているリッジを
純鉄のような磁性体からなるリッジ８′。
をとるために導波管２の内側に設けられているリッジを
純鉄のような磁性体からなるリッジ８′。
「に置換したことと、低電圧側にソレノイドコイル２５
を設けたことである。
を設けたことである。
このような構成とすることにより、導波管２、放電箱、
引き出し電極系６ 、７ 、７’などを全く変えること
なくソレノイドコイル２５に弱い励磁電流を流しても放
電電極５．５間に形成される放電室には放電に必要な形
状と強度とを有する磁場を発生させることができる。
引き出し電極系６ 、７ 、７’などを全く変えること
なくソレノイドコイル２５に弱い励磁電流を流しても放
電電極５．５間に形成される放電室には放電に必要な形
状と強度とを有する磁場を発生させることができる。
なお、１０は高電圧絶縁碍子である。実施例 ２
第５図は本発明によるマイクロ波イオン源の他の実施例
である断面構造を示したものである。
である断面構造を示したものである。
本実施例の特徴点は放電箱１′にある。
放電箱１′はＬ形に整形された矩形導波管に窒化硼素の
ような誘電体４を放電領域のみを残して充填したもので
ある。
ような誘電体４を放電領域のみを残して充填したもので
ある。
放電領域に適当な磁場を発生させる手段は低電圧側に設
けたソレノイドコイル２５と放電箱１′のし形部分の近
くに設けた純鉄のような磁性体１２とから構成されてい
る。
けたソレノイドコイル２５と放電箱１′のし形部分の近
くに設けた純鉄のような磁性体１２とから構成されてい
る。
なお、本実施例における導波管もまた矩形導波管１を用
いていることは言うまでもない。
いていることは言うまでもない。
実施例 ３
第６図は本発明によるマイクロ波イオン源の他の実施例
である断面構造を示したものである。
である断面構造を示したものである。
本実施例の特徴点は放電箱１〃にある。
すなわち、放電箱１〃はＬ形に整形された矩形リッジ導
波管のリッジ間に窒化硼素のような誘電体４を放電領域
のみを残して充填したものである。
波管のリッジ間に窒化硼素のような誘電体４を放電領域
のみを残して充填したものである。
つまシ、第５図において示した実施例２の放電箱１′に
リッジ（放電電極）５，５をつけたものである。
リッジ（放電電極）５，５をつけたものである。
放電領域をこ適当な磁場を発生させる手段は実施例２と
全く同じ構成である。
全く同じ構成である。
実施例 ４
第７図は本発明によるマイクロ波イオン源の他の実施例
である断面構造を示したものである。
である断面構造を示したものである。
本実施例の特徴点は導波管として同軸形溝波管’２’ｙ
ｘ用いたことと、これに応じて放電箱も同軸形の放電箱
１″′としたことおよび引き出し電極系を多孔形の電極
６′、γ′、γ″としたことである。
ｘ用いたことと、これに応じて放電箱も同軸形の放電箱
１″′としたことおよび引き出し電極系を多孔形の電極
６′、γ′、γ″としたことである。
放電領域に適当な磁場を発生させる手段は低電圧側に設
けたソレノイドコイル２５と放電箱１″′の近くの同軸
形導波管１を囲むようにして設けた純鉄のような円筒形
磁性体１２′とから構成されている。
けたソレノイドコイル２５と放電箱１″′の近くの同軸
形導波管１を囲むようにして設けた純鉄のような円筒形
磁性体１２′とから構成されている。
なお、１１はアンテナである。
実施例 ５
第８図は本発明によるマイクロ波イオン源の他の実施例
である断面構造を示したものである。
である断面構造を示したものである。
本実施例の特徴点は実施例１において使用しているソレ
ノイドコイル２５をなくして他の励磁手段に置換したこ
とにある。
ノイドコイル２５をなくして他の励磁手段に置換したこ
とにある。
ソレノイドコイル２５にかわる励磁手段はイオン引き出
し電極系６，７．７’のうちの電極６を純鉄のような磁
性体からなる電極Ｃにし、同様の磁性体からなるリッジ
８’ 、 ８’と電極６〃とを外部磁路１３，１３で結
び、その外部磁路１３，１３の中間に永久磁石あるいは
コイル１４を設けてなるものである。
し電極系６，７．７’のうちの電極６を純鉄のような磁
性体からなる電極Ｃにし、同様の磁性体からなるリッジ
８’ 、 ８’と電極６〃とを外部磁路１３，１３で結
び、その外部磁路１３，１３の中間に永久磁石あるいは
コイル１４を設けてなるものである。
このような励磁機構とすることによって放電電極５，５
間に形成される放電室に放電を起すために必要な磁場を
形成することができる。
間に形成される放電室に放電を起すために必要な磁場を
形成することができる。
上述の励磁機構は実施例２〜４においてもソレノイドコ
イル２５に置換して設けることができるのはもちろんで
ある。
イル２５に置換して設けることができるのはもちろんで
ある。
実施例 ６
第９図は本発明によるマイクロ波イオン源の他の実施例
である断面構造を示したものである。
である断面構造を示したものである。
本実施例の特徴点は実施例１において使用しているソレ
ノイドコイル２５をなくして他の励磁手段に置換したこ
とにある。
ノイドコイル２５をなくして他の励磁手段に置換したこ
とにある。
さらに、本実施例では磁場の印加方向を軸方向ではなく
放電電極５，５間において軸と直角方向にし、かつ磁場
印加部分を放電電極５，５間のみに局在させている。
放電電極５，５間において軸と直角方向にし、かつ磁場
印加部分を放電電極５，５間のみに局在させている。
すなわち、第１図における従来構成では窒化硼素のよう
な誘電体４が充填されていた部分にフェライト１５゜１
５を充填し、その外部に磁路１３を設け、コイル１４に
よって励磁する。
な誘電体４が充填されていた部分にフェライト１５゜１
５を充填し、その外部に磁路１３を設け、コイル１４に
よって励磁する。
このように構成することによって磁場はフエライＮ５，
１５の間にのみ発生し、マイクロ波電界とその磁場方向
Ｂ（！：は直交する。
１５の間にのみ発生し、マイクロ波電界とその磁場方向
Ｂ（！：は直交する。
この場合、フェライト１５，１５の透磁率が大きいので
コイル１４による励磁が少なくてもフェライト１５．１
５間（こは強磁場が発生する。
コイル１４による励磁が少なくてもフェライト１５．１
５間（こは強磁場が発生する。
また、コイル１４０代りに磁路１３の途中に永久磁石を
設けてもよい。
設けてもよい。
なお、フェライト１５゜１５は半円形状でなく、放電電
極５，５間に形成される放電室の幅に対応する部分にの
み設けてもよい。
極５，５間に形成される放電室の幅に対応する部分にの
み設けてもよい。
もちろん、この場合は残りの空間に窒化硼素のような誘
電体を充填することが必要である。
電体を充填することが必要である。
上述の励磁機構は実施例２〜３における矩形導波管形放
電箱にも適用できることは言うまでもない。
電箱にも適用できることは言うまでもない。
以上述べた如く、本発明によって小形化、省電力化され
たマイクロ波イオン源を実現することができた。
たマイクロ波イオン源を実現することができた。
なお、磁性体としては上述した純鉄の他にパーマロイの
ようｆｘＦｅ−Ｎｉ系合金、フェライト、珪素鋼などが
適当である。
ようｆｘＦｅ−Ｎｉ系合金、フェライト、珪素鋼などが
適当である。
第１図は従来のマイクロ波イオン源の概略構成図、第２
図は第１図に示した従来のマイクロ波イオン源の磁場発
生機構を説明するための模式図、第３図は本発明による
マイクロ波イオン源の磁場発生機構を説明するための原
理的説明図、第４〜９図はそれぞれ本発明によるマイク
ロ波イオン源の実施例を示す概略構成図である。 １・・・放電箱、２・・・導波管、３・・・真空封止用
セラミック円板、４・・・誘電体、５・・・放電電極、
６，７・・引き出し電極系、８・・・リッジ、９・・・
リークバルブ、１０・・・絶縁碍子、１２・・・高透磁
率部材、１１・・・アンテナ、１４・・・コイルまたは
永久磁石、１５・・・フェライト、１７，１８，１９，
２５・・・ソレノイドコイル、２０・・・放電領域。
図は第１図に示した従来のマイクロ波イオン源の磁場発
生機構を説明するための模式図、第３図は本発明による
マイクロ波イオン源の磁場発生機構を説明するための原
理的説明図、第４〜９図はそれぞれ本発明によるマイク
ロ波イオン源の実施例を示す概略構成図である。 １・・・放電箱、２・・・導波管、３・・・真空封止用
セラミック円板、４・・・誘電体、５・・・放電電極、
６，７・・引き出し電極系、８・・・リッジ、９・・・
リークバルブ、１０・・・絶縁碍子、１２・・・高透磁
率部材、１１・・・アンテナ、１４・・・コイルまたは
永久磁石、１５・・・フェライト、１７，１８，１９，
２５・・・ソレノイドコイル、２０・・・放電領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マイクロ波を発生するための源と、上記マイクロ波
を伝播するため上記源に接続された導波管と、上記導波
管の端部に設けられ、かつ、室内に導入された放電ガス
壷こ上記マイクロ波による電界と磁界とを印加すること
によってプラズマを形成する放電室と、上記プラズマか
らイオンを引き出すため上記放電室に隣接して設けられ
た引出電極系と、上記放電室ｌこ上記磁界を形成するた
め上記引出電極系の低電圧側に設けられた電磁石と、上
記磁界の形状を整えるため上記導波管側に位置し、かつ
、上記マイクロ波の伝播を妨げない領域Ｉこ設けられた
高透磁率部材とを備えてなることを特徴とするマイクロ
波イオン源。 ２ 上記導波管がリッジ導波管であって、かつ、上記高
透磁率部材が上記リッジを構成するように設けられてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマイク
ロ波イオン源。 ３ 上記導波管が同軸導波管であって、かつ、上記高透
磁率部材が上記同軸導波管の周囲を取り囲むように設け
られていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のマイクロ波イオン源。 ４ 上記高透磁率部材が純鉄からなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項から第３項までのいずれか一つの
項に記載のマイクロ波イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55177288A JPS5916703B2 (ja) | 1980-12-17 | 1980-12-17 | マイクロ波イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55177288A JPS5916703B2 (ja) | 1980-12-17 | 1980-12-17 | マイクロ波イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5697952A JPS5697952A (en) | 1981-08-07 |
| JPS5916703B2 true JPS5916703B2 (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16028398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55177288A Expired JPS5916703B2 (ja) | 1980-12-17 | 1980-12-17 | マイクロ波イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5916703B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4289837B2 (ja) | 2002-07-15 | 2009-07-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入方法及びｓｏｉウエハの製造方法 |
| JP4328067B2 (ja) | 2002-07-31 | 2009-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入方法及びｓｏｉウエハの製造方法、並びにイオン注入装置 |
-
1980
- 1980-12-17 JP JP55177288A patent/JPS5916703B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5697952A (en) | 1981-08-07 |
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