JPS59168331A - 圧力変換器 - Google Patents

圧力変換器

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Publication number
JPS59168331A
JPS59168331A JP4146683A JP4146683A JPS59168331A JP S59168331 A JPS59168331 A JP S59168331A JP 4146683 A JP4146683 A JP 4146683A JP 4146683 A JP4146683 A JP 4146683A JP S59168331 A JPS59168331 A JP S59168331A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
pressure
zero
zero point
bridge circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP4146683A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyuki Kato
和之 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd, Fuji Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP4146683A priority Critical patent/JPS59168331A/ja
Publication of JPS59168331A publication Critical patent/JPS59168331A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
    • G01L1/2268—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects
    • G01L1/2281—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects for temperature variations

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、零点の温度特性を補償して温度変化に対して
安定した零点が得られるようにしたダイヤフラム型の圧
力変換器に関し、特に、複数個の拡散型ストレンゲージ
を分数配置したシリコン製のダイヤフラム(起歪部)を
備えた高感度の圧力変換器に好適なものである。
〔従来技術〕
従来、一般にシリコン感圧ダイヤフラムを備えた高感度
圧力変換器などにおける温度特性、とりわけ零点の温度
特性は、ダイヤフラムにブリッジ回路の形態に配置され
るストレンゲージ相互間の温度特性のわずかの差によっ
て発生する。特に、シリコン感圧ダイヤフラムが使用さ
れる品積。
度の圧力変換器の18合には、大部分のものが零点温度
特性の補償を必要とする。
この温度特性を補償するために従来から用いられている
方法は、ストレンゲージの抵抗温度係数とは異なる抵抗
温度係数をもつ抵抗RX(たとえばサーミスタ、金属皮
膜抵抗または拡散抵抗など)を第1図の如く、ストレン
ゲージ5GI−SG4で構成されるブリッジ回路に挿入
して、このブリッジ回路にアンバランスの温度特性を持
たせて補償するものである。この場合には、抵抗RXを
挿入したことによりブリッジ回路の出力レベルか変化す
るので、これを補償するために、ストレンゲージと同じ
かあるいはそれに近い温度特性をもつ抵抗RYを、抵抗
RXを挿入した辺の隣辺に挿入することもある。この従
来方法は直接的で簡便であるが、次のような欠点かあっ
た。
■ ストレンゲージS01〜SG4で構成するブリッジ
回路に、他の抵抗RXおよびRYを挿入するので、事前
の調整工程において調整された値、例えば感度などが影
響を受け、再調整が必要となる場合も生じる。特に、抵
抗RXおよびRYの値が大きくなるほどこの影響は顕著
となる。
■ ストレンゲ−ジブリッジ回路出力で発生する零点温
度特性の個々の圧力変換器でのほらつきが問題となる場
合には、個々に圧力変換器の零点温度特性の調整を行う
必要が生じる。その際、この従来方法では、抵抗RXお
よびRYの抵抗値を個々の圧力変換器ごとに設定するこ
とにより、零点温度特性の調整を行っている。しかしな
がら、抵抗R×あるいはRYとストレンゲージとの間の
温度特性がそれぞれ異なるため、抵抗RXおよびRYの
抵抗調整値のばらつきにより、零点温度特性の曲がり(
すなわち温度特性が直線ではないこと)のばらつきを生
じる。そして、零点yla度特性の傾きのばらつきが大
きいほど、上述の調整によって生じる零点温度特性の曲
がりのばらつきも大きくなる。
〔目白9〕 そこで、本発明の目的は、上述した欠点を除去し、零点
の温度特性補償かそれ以前の調整工程に影響せず、同時
に零点温度特性の調整に伴う零点温度特性の曲がりのば
らつきをなくした圧力変換器を提供することにある。
〔発明の要点〕
かかる目的を達成するために、本発明は、ダイヤフラム
と一体に基準圧力室を設けて、この基べ1.圧力室内中
に気体を封入し、この気体の温度変化による膨張・収縮
に伴う零点の温度依存性を利用して、零点の温度特性の
補償を行うようにしたものである。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第2図は本発明圧力変換器の構成の一例を示し、ここで
SGI〜SG4は、それぞれ:i3図示のシリコンチッ
プ1に形成されたダイヤフラムIAにブリッジ回路B1
の形態で構成配置されたストレンゲージである。
これを第3図を参照してさらに詳述すると、シリコンチ
ップlの中央部をエツチングで削り取ってダイヤフラム
IAを作り、このダイヤフラムIAのエツチングされて
いない内側の面に4個のストレンケーシSGI〜SG4
を拡故により作り込む。この際、一対のストレンゲージ
SGIおよびSG3とをダイヤフラムIAの周辺部に配
置し、残りのスi・レングージSG2およびSG4とを
ダイヤフラムlAの中央部に配置する。2はその内側を
基準圧力室2Aとする容器であり、この容器2により基
準圧力室2Aの′A密を保ち、さらにノ、(準圧力室2
A内に例えばヘリウムガス等の不活性ガスを封入するこ
とにより所定の基準圧力Pを発生させる。ダイヤフラム
IAのエツチングされた外側の面1Bまで測定圧力を導
く。
さらに、第2図に示すように、ストレンゲージSG1 
とSG4 との接続点を電WVcに接続するとともに、
ストレンゲージSG2とSG3との接続点を大地電位G
NDにする。かつ、ストレンゲージSG3とSG4 と
の接続点をストレンゲ−ジブリッジ回路B1の一方の出
力端子として、抵抗R1を介して一方の演初増幅器OP
lの反転入力端子に接続するとともに、ストレンゲージ
SGI とS02との接続点をストレンゲ−ジブリッジ
回路B1の他方の出力端子として、抵抗R2を介して演
鵠増幅器OPIの非反転入力端子に接続する。他方の演
算増幅器OP2の出力端子と上述の演算増幅(P OP
 +の非反転入力端子との間に抵抗R3を接続するとと
もに、演算増幅器OP1の反転入力端子とその出力端子
との間に帰還抵抗R4を接続する。
このように、演算増幅器OPIおよび抵抗R1〜R4と
で差動増幅器を構成する。ここで、上述の各抵抗R1〜
R4の抵抗値を、R1−R2、およびR3=R4とし、
かつ抵抗R1およびR2の抵抗値をストレンゲ−シブリ
ッジ回路Blの出力インピーダンスと比較して十分大き
な値とするのが一般的である。この場合には、スI・レ
ンケージブリッジ回路B1の出力電圧をVinとし、が
」a増幅器OP2の出力′屯)−1三をvしとすると、
演算増幅器OPIの出力端子から得られる圧力変換器出
力電圧vOは次の(1)式で表わされる。
3 VO= −Vin  +  −Vし         
          (1)I 次に、電′#vcと大地電位G’NDとの間に抵抗R5
およびR6とを直列接続するとともに、抵抗R5とR6
との共通接続点を演算増幅器OP2の非反転入力端子に
接続する。また、抵抗R7と大きな正の温度特性をもつ
抵抗(例えは正特性サーミスタ) RAとを並列接続し
、この2つの抵抗R7およびRAとをまとめてRαとす
る。さらに、電源vcと大地電位GNDとの間に抵抗R
αおよびR8とを直列接続し、この抵抗RαとR8との
共通接続点と演算増幅器OP2の反転入力端子との間に
抵抗R8を接続する。
演算増幅器OP2の反転入力端子とその出力端子との間
には帰還抵抗R1(+を接続する。
このように、抵抗R5、R6、RαおよびR8とでフル
ブリッジ回路B2を構成し、このブリッジ回路B2の出
力電圧を、演算増幅器OP2と抵抗RαおよびR8〜R
IOとで構成される増幅器で増幅する。ここで、抵抗R
5とR6との共通接続点の電位をVヤ、抵抗RαとR8
との共通接続点の電位をV−とし、抵抗Rα、R8およ
びR9の抵抗値の関係を次の(2)式%式% (2) 演算増幅器OP2の出力゛電圧vしは次の(3)式で表
わされる。
以」二のような回路構成において、例えば27°CでP
mm)Ig (絶対圧)となるようにヘリウムガスを基
べ1!圧力室2A内に」・1人すると、基準圧力室2A
内のji、1度変化によりこの基Qli圧力Pはホイル
・シャルルの法則に、従って変化する。すなわち、その
際の温度変化をΔTとすると、温度変化ΔTによる基準
圧力Pの変化ΔP7は次の(4)の式で表わされる。
一煎に、圧力変換器出力の零点の温度補償は、スパン(
出力電圧範囲)調整およびスパン温度特性の補償の終了
後に行う。この場合に、圧力変換器の測定圧力の変化に
対する感度をaとすると、ノ、(準圧力室2Aの封入圧
力の変化に対する感度は−aとなる。木火施例ではこの
感度aの符号は正であるので、温度変化ΔTに伴うシ(
べ(圧力Pの変化ΔP工による圧力変換器出力電圧VO
の変化ΔVOIは、次の(5)式で表わされる。
ブリッジ回路Blを構成する各ストレンゲージs1〜S
4は、通常、その温度特性が1・Y・かずっ異なる。
そのために、ストレンゲ−ジブリッジ回路Blの零点出
力電圧は温度依存性を持つ。さらに、7iif算増幅器
DPIおよびOR3のオフセット電圧も温度依存性を持
つ。これらの温j&依存性による温度特性の1■き(た
だし、ストレンゲ−ジブリッジ回路出力にお(するイ1
白に換坤、シたイ+へとする)をbとすると、この/I
J度特性の傾きbによる温度変化へTに伴った圧力変換
器出力電圧vOの変化ΔVO2は、次の(6)式で表わ
される・ 3 ΔVO2= −b △T         (6)1 演算増幅器OP2の前段に構成した抵抗ブリッジ回路B
2中の抵抗RAは、大きな正の温度特性を持つているの
で、温度の上昇に伴い抵抗RAの抵抗値が増加する。こ
れに伴い、抵抗RαとR8との共通接続点の電位V−は
減少し、上述の(3)式に示すように演算増幅器OP2
の出力電圧vしが増加するので、(1)式に示すように
圧力変換器出力電圧vOも増加する。ここで、この抵抗
RAの温度特性による圧力変換器出力電圧vOの温度特
性の傾きをCとすると、この傾きCによる温度変化ΔT
に伴った圧力変換器出力電圧vOの変化ΔVO3は、次
の(7)式で表わされる。ただし、温度特性の傾きCの
符号は正である。
ΔVO3=  cXΔT           (?)
このように、本実施例において、零点の温度依存性を発
生させる主な原因としては、前述した(5)〜(7)の
各式で表わされる3つの要因が挙げられる。よってこの
(5)〜(7)式により、温度変化ΔTに伴った圧力変
換器出力′電圧vOの零点の変化ΔvOは、次の(8)
式で表わされる。
ΔVO=ΔVO1+ΔVO2+ΔVO3そこで、圧力変
換器出力電圧vOの零点温度特性の傾きを無くすために
は、次の(9)式が満たされればよいということがわか
る。
300(’k)  R1 一;浅に、本実施例のような高精度な拡散型半導体圧力
変グ、I器の場合には、ストレンケージブリッシ回路B
lの凡゛点出力電圧の温度依存性のばらつき、および演
算増l1Ii÷(1)のオフセット電圧の温度依存性の
ほらつきによる(8)式の右辺第2項の温度特性の傾き
bのばらつきが問題となる−0しかし、この傾きbのば
らつきは、(8)式の右辺力1 Jf4に示す基準圧力
室2A内の基1店圧力Pを調整することにより補償でき
る。
さらに、(8)式の右辺第1項は負の伯でのみしかあり
1μないので、本実施例では、」−述の傾きbのばらつ
きの全範囲において基準圧力室2A内の基僧圧力Pで補
償が可能となるように、第2図示の抵抗RAおよびR7
〜RIOの抵抗値を適切に選んで、1−述の傾きCの値
(一定値)を与える。その際、Jl!l;抗RAおよび
RIOの抵抗値は、」−述した条件を満足すると同時に
、零点温度特性の曲がりのばらつきを無くするという条
件を満足するように選ぶこともできる。
なお、上述の温度特性の傾きbが常に正の場合には、温
度特性の傾きCがC=Oでも(9)式を満足する。すな
わち、この場合には、」−述のような零点温度特性の傾
きを発生5せる補償回路が無くとも零点温度特性の傾き
の補償が可能である。
また、基準圧力Pの値を調整すれは、それに伴い圧力変
換器の零点出力電圧が変化する。基準圧力Pの変化ΔP
に伴う零点の変化ΔvOPは次の(10)式で表わされ
る。
△VOP = −a−△P           (1
0)この零点の変化ΔvOPは、抵抗R5もしくはR6
の抵抗値を適切に変化させることにより(3)式におけ
る抵抗R5とR6との共通接続点の電位V+を変化させ
、それにより演算増幅器OP2の出力電圧vLを適切な
値に選ぶことにより補償される。
次に、第2図の回路構成において、測定圧力の変化に対
する感度aが4.m V / °C1測定圧力範囲が1
50〜7eOmmHg (絶対圧)である場合における
零点温度特性の傾きR3/R1・b ((9)式の左辺
第2項)のばらつきの分布の一般的な例を第4図に示す
。ざらに、第2V!Jの回路構成におけるp、t; 1
1Oi圧力Pによる出力の零点温度特性の傾き=aP/
 300(’k)((8)式の左辺第1項)と基べξ圧
力Pとの関係の一例を第5図に示す。通常、ノ、(型圧
力Pは測音圧力範囲(本実施例では100〜780+n
mHg)と同程度の圧力範囲内で任意の設定かIIT能
である。
第4図によれば、零点温度特性の傾きR3/R1・bは
一般に一2〜+2mV/°Cの幅で分布している。
よって、第5図かられかるように、全数の圧力変換器を
調整するためには、基準圧力Pを300mml(gの範
囲で動かせばよい。すなわち、例えば温度特性の傾き 
Cが+4mV/’Cのと讃に、)、(型圧力Pを15O
n++nHg 〜450m+nHgの範囲で動かせば(
9)式の右辺を零にすることができる。このように、本
実施例によれは、零点温度特性の傾きのばらつきに対し
て十分に広い補償範囲が得られる。
なお、2(増圧力室2A内に封入する気体が、ヘリウム
のように理想気体に近い気体であれば、ホイル・シャル
ルの法則により温度変化と基準圧力の変化は比例関係に
あるとみなすことができる。さらに、圧力変換器の感度
の温度特性は、使用温度範囲内において補償する場合が
一般゛的であり、その場合には、圧力変換器の測定圧力
の変化に対する感度aは温度に依存せずに一定値となる
。つまり、その際の基へ11圧力室2A内のヘリウムガ
スにより生じる温度特性は温度特性の傾きのみであり、
温度特性の曲がりは生じない。従って、未実施例のよう
に基準圧力Pを変えることにより、個々の圧力変換器の
零点温度特性の調整を行う場合には、1錯度特性の曲が
りのばらつきを生じることがないという利点がある。
〔効果〕
以」−説明したように、本発明によれば、基準圧力室中
に所定圧の気体を封入し、この気体の温度変化による膨
張・収、縮に伴う零点の温度依存性を利用して圧力変換
器の零点の温度特性を補償するようにしたので、零点の
温度特性補償がそれ以前の調整工程に影に!せす、かつ
零点温度特性の調整に伴う零点温度特性の曲がりのばら
つきを生じないという圧力変換器がYJIられる。
さらに本発明では、上述のように調整範囲か広い零点の
温度特性補償が容易にでき、かつ基準圧力室内に封入す
る気体として例えばヘリウムを選ぶことにより、ヘリウ
ムリークディテクタを用いて基準圧力室の気密度を容易
に測定することもできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の圧力変換器の要部回路構成例を示す回路
図、第2図は本発明圧力変換器の回路構成の一例を示す
回路図、第3図は第2図の圧力変換器のダイヤフラム構
成の一例を示す要部断面図、第4図は第2図の回路構成
における零点温度特性の傾きR3/R1・bのばらつき
分布の一例を示す特性図、第5図は第2図の回路構成に
おける零点温度特性の傾き−aP/ 300(’k)と
基へ(圧力Pとの関係の一例を示す特性図である。 1・・・シリコンチップ、 IA・・・ダイヤフラム、 2・・・容器、 2A・・・基準圧力室、 5GI−9G4・・・ストレンケージ、OPI、OR3
・・・演1p、増幅器、R1〜RIO,Rα・・・抵抗
、 RA 、RX 、RY・・・温度依存性抵抗、Vc・・
・電源、 GND・・・大地電圧、 vO・・・出力電圧、 Bl、B2・・・ブリッジ回路、 基準圧力・・・P。 第1図 第3図 第4図 一’b (mV/’C) 1

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1) スI・レンゲ−ジブリッジ回路を配設したタイヤ
    フラムと、該ダイヤフラムと一体に設けた基準圧力室と
    をイイし、該基準圧力室中に所定圧の気体を封入し、該
    気体の温度変化による膨張・収縮により前記ス)・レン
    ゲ−ジブリッジ回路の零点の温度依存性を変化させ、そ
    の温度依存性に応じて、圧力変換器出力の零点温度特性
    の補償を行うようにしたことを特徴とする圧力変換器。 2、特許請求の範囲第1項記載の圧力変換器において、
    前記気体をヘリウムとしたことを特徴とする圧力変換器
    。 3)特許請求の範囲第1項記載の圧力変換器において、
    常温における前記基準圧力室中の圧力を被4111定圧
    力範囲内の圧力に定めたことを特徴とする圧力変換器。
JP4146683A 1983-03-15 1983-03-15 圧力変換器 Pending JPS59168331A (ja)

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JP4146683A JPS59168331A (ja) 1983-03-15 1983-03-15 圧力変換器

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02128546U (ja) * 1989-03-27 1990-10-23
JPH05164635A (ja) * 1991-12-11 1993-06-29 Fujikura Ltd 半導体圧力センサの増幅補償回路
WO1995031701A1 (de) * 1994-05-17 1995-11-23 Michael Altwein Dehnungsmessstreifen-messanordnung, verwendung derselben und modulationsverstärker für derartige messanordnungen

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JPH05164635A (ja) * 1991-12-11 1993-06-29 Fujikura Ltd 半導体圧力センサの増幅補償回路
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