JPS59169054A - 電球 - Google Patents

電球

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JPS59169054A
JPS59169054A JP4305183A JP4305183A JPS59169054A JP S59169054 A JPS59169054 A JP S59169054A JP 4305183 A JP4305183 A JP 4305183A JP 4305183 A JP4305183 A JP 4305183A JP S59169054 A JPS59169054 A JP S59169054A
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JP
Japan
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bulb
refractive index
light
metal oxide
reflective film
Prior art date
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JP4305183A
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English (en)
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JPH0522336B2 (ja
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力 渡辺
晃 川勝
文夫 山本
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS59169054A publication Critical patent/JPS59169054A/ja
Publication of JPH0522336B2 publication Critical patent/JPH0522336B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はバルブ表面に可視光透過赤外線反射膜を設けた
電球の改良に関し、特に反射鏡と組合わせて使用される
ハロゲンを球に好適なものである。
〔発明の技術面背景〕
近年透明ガラスバルブの外面に可視光透過赤外線反射膜
を設けたハロゲン電球か一発された。この赤外線反射膜
は低屈折率の金属酸化物と高屈折率の金属酸化管とを又
互重層して光の干渉を利用して可視光を透過し、赤外線
を反射させるものである。そして、この膜においては可
視光透過率を最大にするため、各層を透明に構成してい
る。
〔背景技術の問題点〕
このハロゲン電球を反射鏡と組合わせて用いると、フィ
ラメントの微細構造たとえばコイル状フィラメントの各
ターンの光学像が被照面Vc現出され、均一な照射面が
得られない。
〔発明の目的〕
反射鏡と組合わせて使用しても良好な配光が得られる電
球を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
少なくとも高屈折率の金属酸化物の1層、−乙均粒径1
00八〜1μに結晶化させたことにより、透過光を拡散
させてフィラメント像の形成を防止したことである。
〔発明の実施例〕
本発明の詳細を第1図示の実施例によって説明する。図
a 100 V Zoo W定格のノ・ロゲン電球を示
し、図中、(1)はT形バルブ、(2)はこのバルブ(
1)の外表面に形成した可視光透過赤外線反射膜、(3
)はバルブ(1)の基部を圧潰封止してなる封止部、(
4) 。
(4)はこの封止部(3)内に埋設されたモリブデン導
入箔、(5) 、 (5)はコノ導入箔(41、+4)
 VC接続しテハ/I/プ(1)内に導入された1対の
内導線、(6)はこれら内導線(5) 、 (5)間に
装架されてバルブ(1)の中心線に位置するタングステ
/フィラメント、(7)は導入箔(4)。
(4)に電気接続してバルブ(1)の基端に装着された
口金である。そうして、バルブ(1)内にはアルゴンな
どの不活性ガスとともに所要のハロゲンを封入しである
上記バルブ(1)は石英ガラス、硬質ガラスなどの透明
耐熱ガラスからなり、その外表面に赤外線反射膜(2)
が形成されている。
上記可視光透過赤外線反射膜(2)は第2図に示すよう
に、シリカなどの光屈折率の小さい金属酸化物層QD(
右下りハツチノグ)と酸化チタンなどの光屈折率の大き
い金属酸化物層(22) (左下シハツチング)とが交
互重層してな)、通常各層は1000〜3000λの厚
さで5〜9層重層している。そして、本発明の特徴は少
なくとも大屈折率層(23が結晶化していることで、た
とえばこの層(2aの約90%が粒径的20OAの結晶
粒からなっている。このような結晶化された赤外線反射
膜(2)を得るには、たとえば通常の方法によってバル
ブ(1)外表面に7リカおよび酸化チタンの交互重層膜
を形成したのちバルブ(1)を1100°C以上の高温
で処理して酸化チタンを結晶化すればよい。そして、こ
の処理によりシリカが全く結晶化しなくともさしつかえ
ない。
つぎに、このハロゲン電球の作用を第3図によって説明
する。この電球を点灯するとフィラメント(6)が発光
し、この光がバルブ(1)を透過して赤外線反射膜(2
) K入射する。そして、入射光のうち赤外線はこの反
射膜(2)で反射してフィラメント(6)に帰還してこ
れを加熱し、発光効率向上に役立ち、また、可視光はこ
の反射膜(2)を透過する。このとき、可視光は結晶粒
の境界で、反射や屈折を繰返し、この結果、反射膜(2
)を透過するとき良好に拡散する。したがって、このハ
ロゲンを球はバルブ(1)が透明で表面平滑であるにも
かかわらず、放射可視光が拡散され、反射鏡と組合わせ
て用ムてもフィラメント(6)の光学像を被照面に映写
することがなく、均一な光照射が得られる。
また、酸化チタンは結晶化すると光屈折率が20〜50
%向上するので、この反射膜(2)の赤外線反射率が向
上し、また反射波長域が拡大する効果がある。この結果
を第4図に示す。図は横軸に波長をμの単位でとシ、縦
軸に透過率を(チ)の単位でとったもので、曲線図は従
来のシリカも鹸化チタンもいずれも結晶化していなユ赤
外線反射膜、曲線(R1は本発明のシリカが非晶質で酸
化チタンが結晶化している赤外線反射膜の分光光透過率
特性をそれぞれ示す。
このように、上述の実施例において酸化チタン結晶粒の
粒径が可視光の波長よシはるかに小さいにもかかわらず
、可視光を良好に拡散する。しかし、酸化チタン結晶粒
の平均粒径が100A未満のときは光拡散性がなくて本
発明の効果がなく、また平均粒径が1μを越えると被膜
強度が不足して剥離しやすく実用性がない。そうして、
被膜の厚さ方向の粒径は酸化チタン層の厚さによって制
限され、層の厚さによっては結晶粒が偏平になることも
ある。そこで、本発明において結晶粒の平均粒径を10
0 A〜1μの範囲に限定した。
なお、前述の実施例において、光屈折率の小さい金属酸
化物の例としてシリカを用いたが本発明ではマグネシア
MgO、アルミナAJ、03などでもよく、また一部結
晶していてもかまわない。
また、前述の実施例において、光屈折率の大きい金属酸
化物の例として酸化チタンを用いたが本発明では酸化ジ
ルコンZrO,、酸化タンタルTa20g、酸化セリウ
ムOe O,などでもよく、結晶化率は100%でなく
とも若干の効果がある。そうして、赤外線反射膜の各層
の厚さは本願の目的を害しない範囲で自由である。
さらに、本発明はハロゲン電球に限らず、普通白熱電球
にも適用できる。そして、赤外線反射膜はバルブの内外
いずれの面に設けてもよく、また両方に設けてもよい。
〔発明の効果〕
本発明の電球は透明なガラスバルブの表面に低屈折率の
金属酸化物と高屈折率の金属酸化物とが交互重層してな
り、かつ少なくとも高屈折率の金属酸化物の1層が平均
粒径100八〜1μで結晶化している可視光透過赤外線
反射膜を設けたので、可視光を拡散し、反射鏡と組合わ
せてもフィラメントの光学像を被照面に形成することが
なく、さらに赤外線反射率の向上と反射波長域の拡大と
が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の電球の一実施例の断面図、第2図は同
じく要部拡大断面図、第3図は同じく作用説明図、第4
図は同じく分光光透過率特性のグラフである。 (1)・・・バルブ (2)・・・赤外線反射膜 (6)・・フィラメント Qυ・・・光屈折率の小さい金属酸化物(2カ・・・光
屈折率の大きい金属酸化物筒  1 図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 透明ガラスバルブの表面に低屈折率の金属酸化物と高屈
    折率の金属酸化物とを父互重層してなる可視光透過赤外
    線反射膜を設けてなル、少なくとも上記高屈折率の金属
    酸化物の1層が平均粒径100Aないし1μで結晶化し
    ていることを特徴とする電球。
JP4305183A 1983-03-17 1983-03-17 電球 Granted JPS59169054A (ja)

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JP4305183A JPS59169054A (ja) 1983-03-17 1983-03-17 電球

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JP4305183A JPS59169054A (ja) 1983-03-17 1983-03-17 電球

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JPS59169054A true JPS59169054A (ja) 1984-09-22
JPH0522336B2 JPH0522336B2 (ja) 1993-03-29

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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002021572A1 (en) * 2000-09-07 2002-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film producing method and light bulb having such thin film

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US6911125B2 (en) 2000-09-07 2005-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film producing method and light bulb having such thin film

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JPH0522336B2 (ja) 1993-03-29

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