JPS59180945A - 高分解能イオン散乱分析装置 - Google Patents

高分解能イオン散乱分析装置

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JPS59180945A
JPS59180945A JP58054652A JP5465283A JPS59180945A JP S59180945 A JPS59180945 A JP S59180945A JP 58054652 A JP58054652 A JP 58054652A JP 5465283 A JP5465283 A JP 5465283A JP S59180945 A JPS59180945 A JP S59180945A
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Japan
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ions
ion
sample
scattered
energy
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JP58054652A
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JPH0722011B2 (ja
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Koji Matsuda
松田 耕自
Kensho Ito
憲昭 伊藤
Noriaki Matsunami
松波 紀明
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Nissin Electric Co Ltd
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Nissin Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/252Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は高分解能イオン散乱分析装置に関し、さらに
詳しくは、金属結晶のにうな試料の表面でイオンを散乱
させ、生じた散乱イオンのエネルギ”−を高分解能で分
析し、それにより試料の表面状態を解析可能とする高分
解能イオン散乱分析装置に関する。
第1図に示すように、物質の表面にイオンを入射させる
と、物質の格子点でイオンが散乱される。
散乱されたイオンのエネルギーP1.P2.P3は入射
時のエネルギーPOより減衰しており、たとえばpoが
200KeV程度のとぎ第1層の格子点で散乱されたイ
オンのエネルギーP、はPOより100e Vflff
小さく、第2層の格子点で散乱されたイオンのエネルギ
ーP2はP、よりさらに100eV程度小さく、第3層
の格子点で散乱されたイオンのエネルギーP3はP2よ
りさらに1000v程度小さくなる。そこでこの場合、
100eV以下の分解能で散乱イオンのエネルキー分析
を行うことができれば、各層からの散乱イオンを識別で
きるので、それに基いて物質表面の原子分子の状態(結
合エネルギー、結晶組成、結晶構造など)を解析するこ
とが可能となる。
しかしながら、物質表面にイオンを入射して散乱イオン
のエネルギー分析を行う従来装置の最も高性能のもノテ
も、Poが5oKev〜5ooKe■のとき分解能が1
〜2KeVであり、とても物質表面の状態を解析するこ
とができるようなものではなかった。
一方、l’ T he  review  of  s
cientificinstruments :  7
53頁〜76o頁、 volume40、  1969
jにおいて、加速して試料を透過させたイオンを加速電
圧より数KV小さい減速電圧で減速し、そののちその透
過イオンをエネルギー分析する装置が提案されている。
この装置は比較的高い分解能でエネルギー分析を行いう
るちのであるが、散乱イオンのエネルギー分析を行うも
のではなく、またイオン源で発生する不要なイオンも試
料に入射される点および試料が超高真空に保たれない点
で性能に限界があり、やはり物質表面の状態を解析しう
るちのではなかった。
この発明は、上記のような状況に鑑みてなされたもので
あって、物質の表面状態の解析を可能とする高分解能イ
オン散乱分析装置を提供することを目的とする。
すなわち、この発明は、イオン源、そのイオン源から出
たイオンを加速する加速器、その加速器から出たイオン
ビームを集束さぜる集束レンズ、イオンビーム中に混在
する不要イオンをカットするイオン選別器、イオンビー
ムが試料表面に入射するように試料を内部に保持可能な
試料室、その試料室を10 ’ torr以上の超高真
空に保つための真空ポンプ、試料表面で散乱して前記試
料室より散乱するイ′オンを前記加速器に付す加速電圧
の電圧よりもそれらの差が10KV以下低い電圧で減速
しうる減速器およびその減速器から出たイオンのエネル
ギーを分析するエネルギー分析器を具備してなる高分解
能イオン散乱分析装置を提供する。
上記イオン源は、電子衝撃型イオン源やRF型イオン源
など公知のイオン源を用いることができる。
上記加速器は、2oKev〜2ooKe■程度の公知の
加速器を用いることができる。
上記集束レンズ、イオン選別器は、公知の集束レンズ、
イオン選別器を用いることができる。
上記試料室は、イオンの入射方向に対して試料表面を低
角度にして試料を保持する保持手段を内部に備えた小室
を用いることができる。
上記真空ポンプは、公知の真空ポンプを前記試料室に付
設したものを用いることができるが、好ましくは前記試
料室のイオン入射側とイオン散乱側に差動排気ポンプを
それぞれ設けるものがよい。
上記減速器は、前記加速器と同等の性能を有する公知の
減速器を用いることができる。減速器の減速電圧は、前
記加速器の加速電圧よりもl0KV以下好ましくは1〜
3KV程度低い電圧とする。
上記エネルギー分析器は、シンチレーションカウンター
、半導体検出器、静電イオンエネルギー分析器など公知
のエネルギー分析器を用いることができる。
以下、第2図に示す実施例に基いて、さらに詳説する。
第2図に示す(1)は、この発明の高分解能イオン散乱
分析装置の一実施例である。(2)は電子衝撃型イオン
源、(3)は100KeVの加速器、(4)は集束レン
ズ、(5)はイオン選別マグネット、(6)は超高真空
試料室、f7) f8)は差動排気ポンプ、(9)は9
9KeVの減速器、(10)は127°型静電イオン工
ネルギー分析器である。(11)は加速電圧100KV
を供給する高電圧源、12)は減速電圧99KVを得る
ために高電圧源01)よりIKV電圧を低下させるオフ
セラ1〜電圧源である。すなわち高電圧源(1υの電圧
と。
オフセット電圧源(I2)の電圧との差電圧が減速電圧
として減速器(9)に供給される。このオフセット電圧
源02)ハ1 K V〜10KVの可変電圧源であるの
が好ましい。
イオン源(2)は、主としてH+イオンを、放出するが
、それと共に酸素イオンや窒素イオン等も放出する。そ
れらは加速器(3)で加速され、集束レンズ(4)でイ
オンビームとされる。イオン選択マグネット(5)は、
イオンビームから酸素イオンや窒素イオン等の不要イオ
ンをカットし、H+ビームだけを超高真空試料室(6)
に導入する。
超高真空試料室(6)は、そのイオン入射側と散乱側に
設けられた差動排気ポンプ(刀(8)によって10−7
〜10 @torrの超高真空に保たれている。
これに対し他の部分は10−5〜10 ’ torr程
度の真空である。超高真空試料室(6)内には、第4図
に示すように、試料(S)を支持する支持具(13+を
回転可能な回転テーブルM)上に固設してなる試料ボル
ダ−(I5)が設けられており、試料(S)はその試料
ホルダー05)でH1ビームの入射方向に対し表面を0
.5°の傾きにして保持されている。このホルダーは、
H+ビームの入射方向に対し試料表面を00〜1.Oo
の間で可変に傾(ブて試料を保持できるものが好ましい
試料表面に0.5°の角度で入射しだH゛ビーム、試料
表面で散乱される。任意の散乱角で散乱イオンを検知す
るために、超高真空試料室(6)のイオン散乱側以後の
構成は、第4図において回転テーブル06)を回転させ
ることで第2図に(印で示すように角度を変更できるよ
うになっている。
散乱イオンは減速器(9)により大幅に減速され、前記
オフセット電圧力のエネルギーすなわち1KeV程度で
減速器(9)を出る。
127°型静電イオン工ネルギー分析器00)は、通常
10KeV以上のエネルギー分析に使用されるものであ
り、イオンエネルギー分析能力は1%程度で競る。一方
、散乱イオンはIKeV程度であるから、127°型静
電イオン工ネルギー分析器0■は前記散乱イオンのエネ
ルギー分析に充分対応できる。しかも1KeVの散乱イ
オンに対してIQOeVの分解能を得ることは、その分
析能力からみて充分である。
第3図は、上記装置(1)によって分析したデータの一
例を示すものである。試料はニッケル、H゛ビーム試料
表面の角度は0.5°、散乱角度は0.15°である。
この場合、408Vの高分解能を得ることかできている
ので、試料の表面状態の解析を行うことが充分可能であ
る。
以上の説明から理解されるように、この発明の高分解能
イオン散乱分析装置によれば、必要なイオンビームだけ
を超高真空下におかれた物質表面に入射させて散乱を生
じさせ、その散乱イオンのエネルギー分析を100eV
以上の高分解能で分析することができる。したがって物
質表面の解析を好適に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は物質表面におけるイオンビームの散乱を説明す
る模式図、第2図はこの発明の高分解能イオン散乱分析
存置の一実施例の構成説明図、第3図は第2図に示ず装
置で得られたデータの一例の図、第4図は試料ホルダ一
部分の一例の模式的構成説明図である。 (1)・・・・・・高分解能イオン散乱分析装置、(2
)・・・・・・イオン源、 (3)・・・・・・加速器、 (4)・・・・・・集束レンズ、 (5)・・・・・・イオン選別マグネット、(6)・・
・・・・超高真空試料室、 (71(81・・・・・・差動排気ポンプ、(9)・・
・・・・減速器、 00)・・・・・・静電イオンエネルギー分析器。 第3図 YESA(V) 第4図 □

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、 イオン源、そのイオーン源から出たイオンを加速
    する加速器、その加速器から出たイオンビームを集束さ
    ぜる集束レンズ、イオンビーム中に混在する不要イオン
    をカッ1へするイオン選別器、イオンビームが試料表面
    に入射するように試料を内部に保持可能な試料室、その
    試料室を10−7−torr以上の超高真空に保つため
    の真空ポンプ、試料表面で散乱して前記試料室より散乱
    するイオンを前記加速器に付1”加速電圧の電圧よりも
    その差10KV以下低い電圧で減速しうる減速器および
    その減速器から出たイオンのエネルギーを分析するエネ
    ルギー分析器を具備してなる高分解能イオン散乱分析装
    置。
JP58054652A 1983-03-30 1983-03-30 高分解能イオン散乱分析装置 Expired - Lifetime JPH0722011B2 (ja)

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JPS59180945A true JPS59180945A (ja) 1984-10-15
JPH0722011B2 JPH0722011B2 (ja) 1995-03-08

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ID=12976712

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50102384A (ja) * 1974-01-09 1975-08-13
JPS5157494A (ja) * 1974-09-20 1976-05-19 Minnesota Mining & Mfg

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50102384A (ja) * 1974-01-09 1975-08-13
JPS5157494A (ja) * 1974-09-20 1976-05-19 Minnesota Mining & Mfg

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JPH0722011B2 (ja) 1995-03-08

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