JPS59182577A - 太陽電池用シリコンウエハの製造方法 - Google Patents
太陽電池用シリコンウエハの製造方法Info
- Publication number
- JPS59182577A JPS59182577A JP58056595A JP5659583A JPS59182577A JP S59182577 A JPS59182577 A JP S59182577A JP 58056595 A JP58056595 A JP 58056595A JP 5659583 A JP5659583 A JP 5659583A JP S59182577 A JPS59182577 A JP S59182577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- paste
- silicon wafer
- solar cells
- impurity diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＰ型シリコンウェハ（こよって、太陽電層（こ
用いられるｎ”Ｐ”Ｐ＋接合のシリコンウェハを製造す
るための方法に関する。
用いられるｎ”Ｐ”Ｐ＋接合のシリコンウェハを製造す
るための方法に関する。
従来から効率のよいＢ Ｓ Ｆ （Ｂａｃｋ ５ｕｒｆ
□ａｃｅＦｉｅｌｄ ） 化されたシリコンウェハが
太陽電池に用いられているが、当該ウェハの製造は、次
の如き工程を経て冥施されている。
□ａｃｅＦｉｅｌｄ ） 化されたシリコンウェハが
太陽電池に用いられているが、当該ウェハの製造は、次
の如き工程を経て冥施されている。
すなわち第１図の工程説明図が示す通り、先ず（イ）に
あって用意されたＰ型シリコンウェハに対し、燐、ボロ
ン等の３価の不純物を拡散させることにより、（ロ）の
如くＰ型シリコンウェハの全表面に、シリコン酸化膜Ａ
により被覆されたｎ＋層が形成されてＰｎ＋ 接合を得
る。
あって用意されたＰ型シリコンウェハに対し、燐、ボロ
ン等の３価の不純物を拡散させることにより、（ロ）の
如くＰ型シリコンウェハの全表面に、シリコン酸化膜Ａ
により被覆されたｎ＋層が形成されてＰｎ＋ 接合を得
る。
次に上記シリコン酸化膜Ａを弗化水素溶液にて除去した
後、？層の裏面にＡｔペーストＢをスクリーン印刷し、
これを空気中にて焼成することでＡｔをｎ 層からＰ型
シリコンウェハのＰ層に拡散させ、これによってＰ＋層
を形成することによりｎ”ＰＰ 接合とするＢＳＦ化
処理を行ない、このと蛭上記Ｐ 層の下面に付着残存し
ているＡｔ ペースト酸化層ＣをＨＣＡ。
後、？層の裏面にＡｔペーストＢをスクリーン印刷し、
これを空気中にて焼成することでＡｔをｎ 層からＰ型
シリコンウェハのＰ層に拡散させ、これによってＰ＋層
を形成することによりｎ”ＰＰ 接合とするＢＳＦ化
処理を行ない、このと蛭上記Ｐ 層の下面に付着残存し
ているＡｔ ペースト酸化層ＣをＨＣＡ。
ＮａＯＨ等による溶液に除去するものである。
もちろん、上記のようにして得られたｎ＋ＰＰ＋接合の
シリコンウェハは、その裏面側に裏面電極を、表面側に
表面電極を形成して太陽電池となるのであるが、第１図
の＠に示した上記の状態にあっては、ｎ 層の外周側部
分がＰ＋層と接触したものとなるため、当該接触が太陽
電池としての出力を低下させることになり、このため（
ハ）につき、その外周縁にスピングラインダー等による
機械研磨をかけ、ｎ 層の外周側＋ 部分とＰ層の外周側部分とを削除することにより、（ト
）の如き最終のシ、リコンウエハを得るようにしている
。
シリコンウェハは、その裏面側に裏面電極を、表面側に
表面電極を形成して太陽電池となるのであるが、第１図
の＠に示した上記の状態にあっては、ｎ 層の外周側部
分がＰ＋層と接触したものとなるため、当該接触が太陽
電池としての出力を低下させることになり、このため（
ハ）につき、その外周縁にスピングラインダー等による
機械研磨をかけ、ｎ 層の外周側＋ 部分とＰ層の外周側部分とを削除することにより、（ト
）の如き最終のシ、リコンウエハを得るようにしている
。
このため従来法によるときは、極めて薄いシリコンウェ
ハの外周縁を研磨するといった面倒な工程を強いられ、
生産性が悪くなると共に、研磨中に当該ウェハを破損す
ることもあり、かつ（ト）の研削端縁りが粗面となって
しまうため太陽電池としての効率も低下してしまうとい
った欠陥があった。
ハの外周縁を研磨するといった面倒な工程を強いられ、
生産性が悪くなると共に、研磨中に当該ウェハを破損す
ることもあり、かつ（ト）の研削端縁りが粗面となって
しまうため太陽電池としての効率も低下してしまうとい
った欠陥があった。
本発明、は上記難点Ｉこ鑑み、研削手段を施すことなし
に、？ 層とＰ＋層との接触なきｎ” ＰＰ＋接合シ
リコンウニ八を製造し得るようになし、もってその生産
性と太陽電池の効率とを向上させようとするもので、そ
の特徴とするところは、Ｐ型シリコンウェハの裏面外周
部に、Ｓ ｉ０２ 、ＴｉＯ２、ＭｇＯ２等のペースト
による不純物拡散防止層を印刷し、これ（こ燐、ボロン
等による拡散処理を施すこと番こより、当該不純物拡散
防止層を除く全表面に、シリコン酸化膜で覆われたｎ＋
層を形成し、次（こ弗化水素等の溶液処理によって当該
シリコン酸化膜ト前記不純物拡散防止層を除去した後、
その裏面中央部に露呈した裏面側ｎ 層の下面にＡ４ペ
ーストを印刷し、これを空気中にて焼成することにより
、当該Ａｔペーストを上記裏面中央部の計 層から当該
Ｐ型シリコンウェハのＰ層に拡散させ、これによるＰ＋
層を形成することでｎ”ＰＰ＋接合とするＢＳＦ化処理
を行ない、さらに上記Ｐ＋層の下面に形成されているＡ
Ａペースト酸化層をＨＣｔ 、ＮａＯＨ等による溶液処
理によって除去するようにしたことにある。
に、？ 層とＰ＋層との接触なきｎ” ＰＰ＋接合シ
リコンウニ八を製造し得るようになし、もってその生産
性と太陽電池の効率とを向上させようとするもので、そ
の特徴とするところは、Ｐ型シリコンウェハの裏面外周
部に、Ｓ ｉ０２ 、ＴｉＯ２、ＭｇＯ２等のペースト
による不純物拡散防止層を印刷し、これ（こ燐、ボロン
等による拡散処理を施すこと番こより、当該不純物拡散
防止層を除く全表面に、シリコン酸化膜で覆われたｎ＋
層を形成し、次（こ弗化水素等の溶液処理によって当該
シリコン酸化膜ト前記不純物拡散防止層を除去した後、
その裏面中央部に露呈した裏面側ｎ 層の下面にＡ４ペ
ーストを印刷し、これを空気中にて焼成することにより
、当該Ａｔペーストを上記裏面中央部の計 層から当該
Ｐ型シリコンウェハのＰ層に拡散させ、これによるＰ＋
層を形成することでｎ”ＰＰ＋接合とするＢＳＦ化処理
を行ない、さらに上記Ｐ＋層の下面に形成されているＡ
Ａペースト酸化層をＨＣｔ 、ＮａＯＨ等による溶液処
理によって除去するようにしたことにある。
本発明を第２図の工程説明図によって詳記すれば、（イ
）に示す如く例“えば直径３インチ、厚さ３００μｍ１
比抵抗ｌΩｍのＰ型シリコンウェハ１を用意し、先ず当
該ウェハ１の裏面１′にあって、その外周部に不純物拡
散防止層２を環状にスクリーン印刷法等により印刷する
。
）に示す如く例“えば直径３インチ、厚さ３００μｍ１
比抵抗ｌΩｍのＰ型シリコンウェハ１を用意し、先ず当
該ウェハ１の裏面１′にあって、その外周部に不純物拡
散防止層２を環状にスクリーン印刷法等により印刷する
。
この際上記拡散防止層２の素材としては、５１０２、Ｔ
ＩＯ□、ＭｇＯ２等のセラミック系酸化物を用いるのが
よく、印刷に際しては例えば上記５ｉ０２を主成分とし
たペーストを用いることになるが、ペーストを得るには
既知の如＜、ＳｉＯ２等がセルロース系有機バインダー
、有機溶剤により調合される。
ＩＯ□、ＭｇＯ２等のセラミック系酸化物を用いるのが
よく、印刷に際しては例えば上記５ｉ０２を主成分とし
たペーストを用いることになるが、ペーストを得るには
既知の如＜、ＳｉＯ２等がセルロース系有機バインダー
、有機溶剤により調合される。
次ζこ上記（ロ）のものに対し燐、ボロン等の不純物に
よる拡散処理を第１図の（ロ）に示す場合と同じく施す
ことで、ｆ→の通シ上記不純物拡散防止層２を除く全表
面にｎ十層を形成するのであり、従って当該ｎ中層とし
ては、表面から外周側面にかけての表面側ｎ十層３と裏
面中央部における裏面側ｎ土層３′ とが、分断状に形
成されること＼なり、これらｎ十層３．３′の表面には
シリコン酸化膜４が形成されているのであり、こ＼で上
記ｎ十層の面抵抗は５０Ω２４］、拡散層の深さは０２
μｍでちった。
よる拡散処理を第１図の（ロ）に示す場合と同じく施す
ことで、ｆ→の通シ上記不純物拡散防止層２を除く全表
面にｎ十層を形成するのであり、従って当該ｎ中層とし
ては、表面から外周側面にかけての表面側ｎ十層３と裏
面中央部における裏面側ｎ土層３′ とが、分断状に形
成されること＼なり、これらｎ十層３．３′の表面には
シリコン酸化膜４が形成されているのであり、こ＼で上
記ｎ十層の面抵抗は５０Ω２４］、拡散層の深さは０２
μｍでちった。
次に上記のものに対し弗化水素溶液にて処理することｆ
こより、上記のシリコン酸化膜４と、Ｓ ｉ ０２等に
よる前記不純物拡散防止層２とを除去することにより、
同図のに）の状態となし、次に（ホ）に示すｙ口く裏面
側ｎ土層３′の下面にＡｔペースト６をスクリーン印刷
等の手段ｌこて印刷するのでありこの際用いられるＡｊ
ペースト６としてｆｄ、３５０メツシュ以上のアルミニ
ウム粉を主成分となし、前記の５ｉ０２ペーストｊ同じ
よう番こして調合したものを用いることができ、当該印
刷による層厚は２０〜４０μｍ とした０ さらに上記のものを空気中にて８００℃〜９００℃の温
度により、１〜５分間焼成するのであるが、当該処理に
よってＡｔ ペースト５のＡｔ は、裏面側層層３′を
突き破りＰ型ンリコンウエハ１のＰ層にまで拡散して行
き、これにより（へ）の如くＰ層ζこ隣接した１層を形
成することができ、かくしてｎ”ＰＰ＋接合とするＩｊ
Ｓ Ｆ化処理が完結される。
こより、上記のシリコン酸化膜４と、Ｓ ｉ ０２等に
よる前記不純物拡散防止層２とを除去することにより、
同図のに）の状態となし、次に（ホ）に示すｙ口く裏面
側ｎ土層３′の下面にＡｔペースト６をスクリーン印刷
等の手段ｌこて印刷するのでありこの際用いられるＡｊ
ペースト６としてｆｄ、３５０メツシュ以上のアルミニ
ウム粉を主成分となし、前記の５ｉ０２ペーストｊ同じ
よう番こして調合したものを用いることができ、当該印
刷による層厚は２０〜４０μｍ とした０ さらに上記のものを空気中にて８００℃〜９００℃の温
度により、１〜５分間焼成するのであるが、当該処理に
よってＡｔ ペースト５のＡｔ は、裏面側層層３′を
突き破りＰ型ンリコンウエハ１のＰ層にまで拡散して行
き、これにより（へ）の如くＰ層ζこ隣接した１層を形
成することができ、かくしてｎ”ＰＰ＋接合とするＩｊ
Ｓ Ｆ化処理が完結される。
最後−に上記（へ）にあってＰ＋層の下面（こ形成され
ているＡｔペースト酸化＠６をＨＣｌ 等により除去す
ることで、太陽電池用シリコンウェハ７が（ト）の如く
製造し得ること＼なシ、とのＰ＋層下面に裏面電極を、
表面側ｎ十 層３の上面ｌこ表面電極を形成し１．さら
に当該電極を反射防止膜により被覆して、太陽電池を得
ること＼なる。
ているＡｔペースト酸化＠６をＨＣｌ 等により除去す
ることで、太陽電池用シリコンウェハ７が（ト）の如く
製造し得ること＼なシ、とのＰ＋層下面に裏面電極を、
表面側ｎ十 層３の上面ｌこ表面電極を形成し１．さら
に当該電極を反射防止膜により被覆して、太陽電池を得
ること＼なる。
不発明は上記の説示により明らかな通り、ｎ層形成のた
めの拡蔽処理前に、予めＰ型シリコンウェハの裏面外周
部に不純物拡散防止層を形成しておくようにしたので、
Ｐ型シリコンウェハの裏面には表面側ｎ十層と分断状に
、しかもその中央部だけに裏面側ｎ°十中層形成される
こと＼ｌす、この結果ｎ土層とＰ＋層との接触なき製品
が労せずして得られるので、従来法の如き研磨作業は不
要となり作業性を改善できると共に、研磨による粗面も
生じないので効率のよい太陽電池が得られ、作業中にウ
ェハを破損するといった難点も解消される。
めの拡蔽処理前に、予めＰ型シリコンウェハの裏面外周
部に不純物拡散防止層を形成しておくようにしたので、
Ｐ型シリコンウェハの裏面には表面側ｎ十層と分断状に
、しかもその中央部だけに裏面側ｎ°十中層形成される
こと＼ｌす、この結果ｎ土層とＰ＋層との接触なき製品
が労せずして得られるので、従来法の如き研磨作業は不
要となり作業性を改善できると共に、研磨による粗面も
生じないので効率のよい太陽電池が得られ、作業中にウ
ェハを破損するといった難点も解消される。
第１図の（イ）〜（ト）は従来の太陽電池用シリコンウ
ェハ製造法を示す工程説明図、第２図の（イ）〜（ト）
は本発明に係る同製造法の工程説明図である。 １・・・・−Ｐ２Ｎシリコンウェハ ２・・・・・不純物拡散防止層 ３・・・・・表面側ｎ 層 ３′・・・・裏面側層層 ４・・・・・シリコン酸化膜 ５・・・・−Ａｔペースト ６・・・・・Ａ４ペースト酸化層 ｍｔ図 第 ２ 図
ェハ製造法を示す工程説明図、第２図の（イ）〜（ト）
は本発明に係る同製造法の工程説明図である。 １・・・・−Ｐ２Ｎシリコンウェハ ２・・・・・不純物拡散防止層 ３・・・・・表面側ｎ 層 ３′・・・・裏面側層層 ４・・・・・シリコン酸化膜 ５・・・・−Ａｔペースト ６・・・・・Ａ４ペースト酸化層 ｍｔ図 第 ２ 図
Claims (1)
- Ｐ型シリフンウェハの裏面外周部に−５ｉｎ２゜ＴｌＯ
２、ＭｇＯ□等のペーストによる不純物拡散防止層を印
刷し、これに燐、ボロン等による拡散処理を施すことに
より、当該不純物拡散防止層を除く全表面に、シリコン
酸化膜で覆−われたｎ＋層を形成し、次に弗化水素等の
溶液処理、によって当該シリコン酸化膜と前記不純物拡
散防止層を除去した後、その裏面中央部、に露呈した裏
面１１１１１ ｎ＋層の下面にＡｔペーストを印刷し、
これを空気中にて焼成することにより、当該Ａ′ｔペー
ストのＡｔ を上記裏面中央部のｎ＋層から当該Ｐ型シ
リコンウェハのＰ層に拡散させ、これ番こよるＰ＋層を
形成することでｎ＋ＰＰ＋接合とするＢＳＦ化処理を行
ない、さらに上記Ｐ＋層の下面番こ形成されているＡｔ
ペースト酸化層をＨＣＩ 、 ＮａＯＨ等による溶液
処理ζこよって除去するようにしたことを特徴とする太
陽電池用シリコンウェハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056595A JPS59182577A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 太陽電池用シリコンウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056595A JPS59182577A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 太陽電池用シリコンウエハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182577A true JPS59182577A (ja) | 1984-10-17 |
| JPH0362031B2 JPH0362031B2 (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=13031551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58056595A Granted JPS59182577A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 太陽電池用シリコンウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182577A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233980A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| WO2001084639A1 (de) * | 2000-05-03 | 2001-11-08 | Universität Konstanz | Verfahren zur herstellung einer solarzelle und nach diesem verfahren hergestellte solarzelle |
| EP1321446A1 (de) | 2001-12-20 | 2003-06-25 | RWE Solar GmbH | Verfahren zum Ausbilden einer Schichtstruktur auf einem Substrat |
| JP2013168677A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-08-29 | Hitachi Chemical Co Ltd | マスク形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法および太陽電池素子の製造方法 |
| JP2013168678A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-08-29 | Hitachi Chemical Co Ltd | マスク形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法および太陽電池素子の製造方法 |
| JP2014112636A (ja) * | 2012-01-10 | 2014-06-19 | Hitachi Chemical Co Ltd | バリア層形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58056595A patent/JPS59182577A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233980A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| WO2001084639A1 (de) * | 2000-05-03 | 2001-11-08 | Universität Konstanz | Verfahren zur herstellung einer solarzelle und nach diesem verfahren hergestellte solarzelle |
| US7179987B2 (en) | 2000-05-03 | 2007-02-20 | Universitat Konstanz | Solar cell and method for making |
| EP1321446A1 (de) | 2001-12-20 | 2003-06-25 | RWE Solar GmbH | Verfahren zum Ausbilden einer Schichtstruktur auf einem Substrat |
| JP2013168677A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-08-29 | Hitachi Chemical Co Ltd | マスク形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法および太陽電池素子の製造方法 |
| JP2013168678A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-08-29 | Hitachi Chemical Co Ltd | マスク形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法および太陽電池素子の製造方法 |
| JP2013219372A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-10-24 | Hitachi Chemical Co Ltd | バリア層形成用組成物、バリア層、太陽電池用基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
| JP2014112636A (ja) * | 2012-01-10 | 2014-06-19 | Hitachi Chemical Co Ltd | バリア層形成用組成物、太陽電池用基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0362031B2 (ja) | 1991-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6246744B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
| JP7126909B2 (ja) | バックコンタクト型太陽電池セルの製造方法 | |
| JP2020509602A5 (ja) | Ｐ型ｐｅｒｃ両面太陽電池の製造方法 | |
| JP2989373B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPS59182577A (ja) | 太陽電池用シリコンウエハの製造方法 | |
| CN103094417B (zh) | 低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法 | |
| JP2951061B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN116207167A (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| JP2003273379A (ja) | 太陽電池素子 | |
| JP2002198546A (ja) | 太陽電池素子の形成方法 | |
| JPS58191478A (ja) | 太陽電池の反射防止膜形成法 | |
| CN103943693A (zh) | 一种p型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法 | |
| JP2014229640A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPS63204775A (ja) | 太陽電池素子及びその製造方法 | |
| JPS62108579A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPS5979580A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| TWI626758B (zh) | 太陽能電池及其製造方法 | |
| JP4203247B2 (ja) | 太陽電池素子の形成方法 | |
| JP3786809B2 (ja) | 太陽電池の製法 | |
| JPH1012907A (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
| JP2006210385A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN119364896B (zh) | 一种背接触电池片的制备方法及背接触电池片 | |
| JP4471532B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JPS6259887A (ja) | ソ−ラ−セル文字板の製造方法 | |
| JPH03283471A (ja) | 太陽電池の製造方法 |